技術(shù)編號：10978788
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。硅基芯片經(jīng)歷幾十年發(fā)展，隨著Si基CMOS尺寸不斷縮小，其頻率性能也不斷提高，預(yù)計(jì)特征尺寸達(dá)到25nm時(shí)，其fT可達(dá)490GHz。但Si材料的Johnson優(yōu)值僅為0.5THzV，隨著尺寸的縮小，Si基CMOS器件的擊穿電壓將遠(yuǎn)小于IV，這極大地限制了硅基芯片在超高速數(shù)字領(lǐng)域的應(yīng)用。近年來，人們不斷地尋找其替代品，由于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)材料具有超高的Johnson優(yōu)值(5THzV)，其器件溝道尺寸達(dá)到1nm量級時(shí)，擊穿電壓仍能保持在10V左右，所...
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