技術(shù)編號：10663875
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 近年來，隨著便攜式電子設(shè)備、通信設(shè)備等的顯著發(fā)展，從經(jīng)濟(jì)性與設(shè)備的小型 化、輕量化的觀點(diǎn)考慮，迫切期待一種高能量密度的二次電池。以往，作為實(shí)現(xiàn)這種二次電 池的高容量化的方法，已知例如下述等方法在負(fù)極材料中使用V、S i、B、Zr、Sn等氧化物及 這些元素的復(fù)合氧化物(參考專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2);應(yīng)用經(jīng)過恪融淬冷的金屬氧化物作 為負(fù)極材料(參考專利文獻(xiàn)3);在負(fù)極材料中使用氧化硅(參考專利文獻(xiàn)4);在負(fù)極材料中 使用Si2N2〇以及Ge2N2〇(參考專利...
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