技術(shù)編號：10540389
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 近年來，半導(dǎo)體制造技術(shù)的微細(xì)化日益發(fā)展，在最先進(jìn)工藝中采用了線寬20nm、進(jìn) 而10nm-代。伴隨微細(xì)化，其加工時的技術(shù)難度也提高，通過使用的材料、裝置、加工方法等 來自多方面的研究，技術(shù)開發(fā)正在推進(jìn)。從這樣的背景出發(fā)，本申請人也開發(fā)了對于最先進(jìn)的干式蝕刻法也能應(yīng)對的干式 蝕刻用氣體，發(fā)現(xiàn)了氟數(shù)少的飽和氟化烴具有超越氮化硅膜的蝕刻中所使用的一氟甲烷的 性能(專利文獻(xiàn)1)。 以往，作為2-氟丁烷的制造方法已知幾個方法。例如，專利文獻(xiàn)2中記載的方法中， 使作...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。