速器22及第二電機(jī)18依次連接，通過第二電機(jī)18驅(qū)動其旋轉(zhuǎn)。
[0020]電動基片擋板5的一端為圓形擋板，上面開有圓孔，露出被鍍基片，遮擋其余不被濺射的基片；電動基片擋板5位于各磁控靶6的中間，即電動基片擋板5頂端的圓形擋板的中心軸線與各磁控靶6中間圍成的圓的中心軸線共線，各磁控靶6分別垂直于電動基片擋板5?；浼訜峁D(zhuǎn)臺3上具有六個工位，可以放置六片基片，其中一或兩個工位上方設(shè)有加熱爐，其余工位通水冷卻。加熱爐下的基片加熱溫度由熱電偶閉環(huán)反饋控制，基片最大尺寸Φ50_。
[0021]電動提升機(jī)構(gòu)14包括一安裝在機(jī)臺架7內(nèi)的驅(qū)動電機(jī)，該驅(qū)動電機(jī)的輸出軸連接一絲杠，絲杠的另一端由機(jī)臺架7穿出，在絲杠7的另一端上螺紋連接有與連接板17固接的絲母，通過絲母與絲杠的螺紋副即可轉(zhuǎn)換成絲母及連接板17沿絲杠軸向的上下移動副，實(shí)現(xiàn)上蓋2上掀蓋；電動提升機(jī)構(gòu)14也可為升降氣缸，下端安裝在機(jī)臺架7內(nèi)，上端由機(jī)臺架7穿出、固接有連接板17，該連接板17與磁控室I的上蓋2固接，通過電動提升機(jī)構(gòu)14的驅(qū)動，實(shí)現(xiàn)上蓋2及上蓋2上的基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺3、第一電機(jī)4、第一減速器22升降。
[0022]本發(fā)明的工作原理為:
[0023]本發(fā)明在磁控室I的上蓋2上裝配有基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺3，將電動基片擋板5和磁控靶屏蔽筒13安裝在磁控室I的下法蘭15上，將磁控靶6的靶頭均垂直正對基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺3上的基片，調(diào)整靶材與樣品之間的距離，可以用于多元靶垂直濺射鍍制多層膜。具體操作為:
[0024]首先進(jìn)行煉靶，電動基片擋板5遮擋住所有樣品，通過第三電機(jī)8的驅(qū)動打開各磁控靶6的磁控靶擋板8，各磁控靶6起輝做煉靶用，當(dāng)靶材被濺射出新鮮表面時，即煉靶完成，關(guān)閉各磁控靶擋板。第一電機(jī)4工作，通過第一減速器22及同步帶和帶輪組件12帶動基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺3旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而將基片轉(zhuǎn)到需要的磁控靶上方，開啟該磁控靶擋板，該磁控靶起輝；第二電機(jī)18工作，驅(qū)動電動基片擋板5旋轉(zhuǎn)，使其上的圓孔旋轉(zhuǎn)至被濺射基片的位置，露出被濺射的基片，進(jìn)行濺射鍍膜；待該處膜層鍍制完成后，關(guān)閉該磁控靶的磁控靶擋板；將基片轉(zhuǎn)至下一個磁控靶上方，開啟該磁控靶擋板，磁控靶起輝，旋轉(zhuǎn)電動基片擋板5上的圓孔到基片位置，進(jìn)行濺射鍍制下一個膜層。在鍍膜過程中，可對樣品進(jìn)行水冷，也可設(shè)定溫度與時間對樣品進(jìn)行加熱處理。
[0025]本發(fā)明的基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺3由第一電機(jī)4、第一減速器22加上同步帶和帶輪組件12驅(qū)動公轉(zhuǎn)，通過計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)控制圓光柵編碼器16，實(shí)現(xiàn)基片的準(zhǔn)確定位。
[0026]本發(fā)明的各個電機(jī)可分別與計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)電連接，由計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)進(jìn)行控制。本發(fā)明提供一種可實(shí)現(xiàn)垂直濺射的磁控濺射系統(tǒng)，磁控濺射系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單、控制方便、真空度高^.6X10E-6Pa)，可供實(shí)驗(yàn)室、企業(yè)、科研單位制作、研究各種材料及其性質(zhì)、各種薄膜及其性質(zhì)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種帶有基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺的磁控濺射系統(tǒng)，其特征在于:包括磁控室(I)、基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(3)、第一電機(jī)(4)、電動基片擋板(5)、磁控靶(6)、機(jī)臺架(7)及真空抽氣系統(tǒng)，其中磁控室(I)安裝在機(jī)臺架(7)上、與位于機(jī)臺架(7)內(nèi)的真空抽氣系統(tǒng)相連，在磁控室⑴內(nèi)均布有多個安裝在磁控室⑴的下法蘭(15)上的磁控靶(6);所述基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(3)轉(zhuǎn)動安裝在磁控室(I)的上蓋(2)上，基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(3)的一端載有基片、插入磁控室(I)內(nèi)，另一端位于上蓋(2)的上方；所述上蓋(2)上安裝有帶動基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(3)旋轉(zhuǎn)的第一電機(jī)(4);所述磁控室(I)內(nèi)轉(zhuǎn)動安裝有電動基片擋板(5)，該電動基片擋板(5)的一端位于基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(3)載有基片的一端與各磁控靶(6)濺射端之間，電動基片擋板(5)的另一端與安裝在機(jī)臺架(7)內(nèi)的第二電機(jī)(18)相連，通過第二電機(jī)(18)驅(qū)動旋轉(zhuǎn)。2.按權(quán)利要求1所述帶有基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺的磁控濺射系統(tǒng)，其特征在于:所述機(jī)臺架(7)內(nèi)安裝有電動提升機(jī)構(gòu)(14)，該電動提升機(jī)構(gòu)(14)的輸出端由機(jī)臺架(7)穿出、與磁控室(I)的上蓋(2)相連接，帶動上蓋(2)及上蓋(2)上的基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(3)和第一電機(jī)⑷升降。3.按權(quán)利要求1或2所述帶有基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺的磁控濺射系統(tǒng)，其特征在于:所述電動基片擋板(5)位于各磁控靶￠)的中間，各磁控靶(6)垂直于電動基片擋板(5);該電動基片擋板(5)的一端為圓形擋板，上面開有露出被鍍基片的圓孔。4.按權(quán)利要求1或2所述帶有基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺的磁控濺射系統(tǒng)，其特征在于:所述基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(3)的另一端設(shè)有與計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)電連接的圓光柵編碼器(16)。5.按權(quán)利要求1或2所述帶有基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺的磁控濺射系統(tǒng)，其特征在于:所述基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(3)上具有六個工位，其中一或兩個工位上方設(shè)有加熱爐，其余工位通水冷卻。6.按權(quán)利要求1或2所述帶有基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺的磁控濺射系統(tǒng)，其特征在于:所述磁控靶(6)垂直于基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(3)，每個磁控靶(6)上方均設(shè)有一個磁控靶擋板(8)，該磁控靶擋板⑶與安裝在機(jī)臺架(7)內(nèi)部的第三電機(jī)(19)相連，通過第三電機(jī)(19)驅(qū)動開關(guān)磁控靶擋板(8)。7.按權(quán)利要求1或2所述帶有基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺的磁控濺射系統(tǒng)，其特征在于:所述每個磁控靶(6)的外圍均設(shè)有安裝在磁控室(I)的下法蘭(15)上的磁控靶屏蔽筒(13)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及鍍膜設(shè)備，具體地說是一種帶有基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺的磁控濺射系統(tǒng)，磁控室安裝在機(jī)臺架上、與位于機(jī)臺架內(nèi)的真空抽氣系統(tǒng)相連，在磁控室內(nèi)均布有多個安裝在磁控室的下法蘭上的磁控靶；基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺轉(zhuǎn)動安裝在磁控室的上蓋上，基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺的一端載有基片、插入磁控室內(nèi)，另一端位于上蓋的上方；上蓋上安裝有帶動基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)的第一電機(jī)；磁控室內(nèi)轉(zhuǎn)動安裝有電動基片擋板，其一端位于基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺載有基片的一端與各磁控靶濺射端之間，另一端與安裝在機(jī)臺架內(nèi)的第二電機(jī)相連，通過第二電機(jī)驅(qū)動旋轉(zhuǎn)。本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡單、控制方便、自動化程度高、可靠性好的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】C23C14/35, C23C14/50
【公開號】CN105648409
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】雷明, 張曉哲
【申請人】沈陽邁維科技有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2014年11月6日