蒸鍍?cè)O(shè)備及蒸鍍方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及真空蒸鍍技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種蒸鍍?cè)O(shè)備及蒸鍍方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著OLED (Organic Light-Emitting D1de，有機(jī)發(fā)光二極管)行業(yè)的飛速發(fā)展，新的有機(jī)材料不斷涌現(xiàn)。為了適應(yīng)不同產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需求，需要蒸鍍?cè)O(shè)備能夠快速地將新的有機(jī)材料蒸鍍成不同性能的有機(jī)薄膜。
[0003]如圖1所示，現(xiàn)有的蒸鍍?cè)O(shè)備包括:基板1、蒸鍍腔2。其中，蒸鍍腔2內(nèi)設(shè)置有線性蒸鍍?cè)?1，蒸鍍腔2的側(cè)壁上設(shè)置有兩個(gè)限制板22 ;基板I位于線性蒸鍍?cè)?1的正上方。在進(jìn)行真空蒸鍍時(shí)，蒸鍍?cè)?1內(nèi)的有機(jī)材料氣化成有機(jī)材料分子，并在基板I上形成有機(jī)薄膜。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]線性蒸鍍?cè)吹恼翦儏^(qū)域和蒸鍍角度由限制板確定，當(dāng)根據(jù)待蒸鍍的有機(jī)材料，將蒸鍍?cè)O(shè)備確定下來(lái)后，蒸鍍角度便已固定。如果待蒸鍍的有機(jī)材料發(fā)生變化，則需要對(duì)蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行重新改造，并對(duì)蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行多次測(cè)試，以確保蒸鍍?cè)O(shè)備能夠達(dá)到最佳的性能。在此過程中，需要對(duì)蒸鍍?cè)O(shè)備多次進(jìn)行開腔、改造及成膜測(cè)試等。然而由于有機(jī)材料的存放條件較為苛刻，開腔后有機(jī)材料非常容易被氧化，因而開腔后需重新更換有機(jī)材料，該過程不僅耗時(shí)較長(zhǎng)，而且資源消耗較大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種蒸鍍?cè)O(shè)備及蒸鍍方法。所述技術(shù)方案如下:
[0007]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一方面，提供一種蒸鍍?cè)O(shè)備，所述蒸鍍?cè)O(shè)備包括:
[0008]基板、蒸鍍腔及波紋管；
[0009]所述蒸鍍腔內(nèi)設(shè)置有蒸鍍?cè)?，所述蒸鍍腔的?cè)壁設(shè)置有兩個(gè)限制板；
[0010]所述基板設(shè)置于所述蒸鍍?cè)吹恼戏?，所述波紋管設(shè)置于所述蒸鍍腔的底部。
[0011]可選地，所述波紋管設(shè)置于所述蒸鍍腔的底部，包括:
[0012]所述波紋管設(shè)置于所述蒸鍍?cè)吹牡撞俊?br>[0013]可選地，所述蒸鍍?cè)丛陔S著所述波紋管上下移動(dòng)的過程中，改變與所述限制板之間的相對(duì)高度。
[0014]可選地，所述波紋管設(shè)置于所述蒸鍍腔的底部，包括:
[0015]所述波紋管設(shè)置于所述限制板的底部。
[0016]可選地，所述限制板在隨著所述波紋管上下移動(dòng)的過程中，改變與所述蒸鍍?cè)粗g的相對(duì)高度。
[0017]可選地，所述蒸鍍?cè)O(shè)備還包括伺服馬達(dá)控制系統(tǒng)，所述伺服馬達(dá)控制系統(tǒng)與所述波紋管相連。
[0018]可選地，所述蒸發(fā)源為線性蒸發(fā)源。
[0019]可選地，所述蒸鍍腔包括兩個(gè)本體蒸鍍腔及雜質(zhì)蒸鍍腔，所述雜質(zhì)蒸鍍腔位于兩個(gè)本體蒸鍍腔之間。
[0020]可選地，所述蒸鍍?cè)O(shè)備還包括掩膜版，所述掩膜版設(shè)置于所述基板與所述蒸鍍腔之間。
[0021]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二方面，提供一種蒸鍍方法，所述方法應(yīng)用與上述第一方面所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，包括:
[0022]當(dāng)檢測(cè)到蒸鍍腔內(nèi)的有機(jī)材料變化時(shí)，獲取新的有機(jī)材料的蒸鍍條件，所述蒸鍍條件至少包括蒸鍍范圍及厚度分布；
[0023]根據(jù)所述新的有機(jī)材料的蒸鍍條件，調(diào)整所述蒸鍍?cè)磁c所述限制板之間的相對(duì)高度；
[0024]基于調(diào)整后蒸鍍?cè)O(shè)備，對(duì)所述新的有機(jī)材料進(jìn)行蒸鍍。
[0025]可選地，所述根據(jù)所述新的有機(jī)材料的蒸鍍條件，調(diào)整所述蒸鍍?cè)磁c所述限制板之間的相對(duì)高度，包括:
[0026]根據(jù)所述新的有機(jī)材料的蒸鍍條件，通過所述伺服馬達(dá)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)位于所述蒸鍍?cè)聪路降牟y管轉(zhuǎn)動(dòng)；
[0027]在所述波紋管的帶動(dòng)下，控制所述蒸鍍?cè)瓷舷乱苿?dòng)，以改變所述蒸鍍?cè)磁c所述限制板之間的相對(duì)高度。
[0028]可選地，所述根據(jù)所述新的有機(jī)材料的蒸鍍條件，調(diào)整所述蒸鍍?cè)磁c所述限制板之間的相對(duì)高度，包括:
[0029]根據(jù)所述新的有機(jī)材料的蒸鍍條件，通過所述伺服馬達(dá)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)位于所述限制板下方的波紋管轉(zhuǎn)動(dòng)；
[0030]在所述波紋管的帶動(dòng)下，控制所述限制板上下移動(dòng)，以改變所述蒸鍍?cè)磁c所述限制板之間的相對(duì)高度。
[0031 ] 可選地，所述方法還包括:
[0032]通過調(diào)節(jié)任一本體蒸鍍腔與所述雜質(zhì)蒸鍍腔兩側(cè)的限制板高度，調(diào)整所述本體蒸鍍腔內(nèi)本體材料與所述雜質(zhì)蒸鍍腔內(nèi)雜質(zhì)材料的邊界混合效率。
[0033]可選地，所述方法還包括:
[0034]基于所述掩膜版，通過調(diào)整所述蒸鍍?cè)磁c所述限制板之間的相對(duì)高度，獲取滿足預(yù)設(shè)蒸鍍范圍。
[0035]本發(fā)明的實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果:
[0036]在蒸鍍腔的底部設(shè)置波紋管，通過波紋管的轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)蒸鍍腔上下移動(dòng)，從而改變蒸鍍?cè)磁c限制板之間的相對(duì)高度，無(wú)需對(duì)蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行改造，即可滿足不同有機(jī)材料的蒸鍍條件，不僅明顯地提高了設(shè)備靈活性，而且節(jié)省了時(shí)間及資源消耗。
[0037]應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本發(fā)明。
【附圖說明】
[0038]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0039]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣蒸鍍?cè)O(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍?cè)O(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍?cè)O(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍?cè)O(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍方法的流程圖。
[0044]其中，附圖標(biāo)記為:1、基板；2、蒸鍍腔；21、蒸鍍?cè)矗?2、限制板；3、波紋管；4、伺服馬達(dá)控制系統(tǒng)；5、掩膜版;A、本體蒸鍍腔；B、雜質(zhì)蒸鍍腔；C、本體蒸鍍腔。
【具體實(shí)施方式】
[0045]這里將詳細(xì)地對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行說明，其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時(shí)，除非另有表示，不同附圖中的相同數(shù)字表示相同或相似的要素。以下示例性實(shí)施例中所描述的實(shí)施方式并不代表與本發(fā)明相一致的所有實(shí)施方式。相反，它們僅是與如所附權(quán)利要求書中所詳述的、本發(fā)明的一些方面相一致的裝置和方法的例子。
[0046]在現(xiàn)今OLED蒸鍍領(lǐng)域，圖1中傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)方式，雖然可以控制單個(gè)蒸鍍?cè)吹恼翦兘嵌群驼翦兎秶?，但只能適用于特定的有機(jī)材料和產(chǎn)品工藝，缺乏靈活性，如使蒸鍍?cè)O(shè)備適用于不同的有機(jī)材料，需對(duì)蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行改造。為了提高蒸鍍?cè)O(shè)備的靈活性，并大幅度減少蒸鍍?cè)O(shè)備因更改材料造成的改造費(fèi)用、時(shí)間、材料等消耗，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種蒸鍍?cè)O(shè)備，參見圖2，該蒸鍍?cè)O(shè)備包括:基板1、蒸鍍腔2及波紋管3。其中，蒸鍍腔2內(nèi)設(shè)置有蒸鍍?cè)?1，該蒸鍍?cè)?1為線性蒸發(fā)源，通常為有機(jī)材料。蒸鍍腔的側(cè)壁設(shè)置有兩個(gè)限制板22，該限制板22用于控制有機(jī)材料的蒸鍍條件，該蒸鍍條件包括蒸鍍范圍及厚度分布等。具體地，蒸鍍腔2左側(cè)的限制板22用于限制蒸鍍?cè)?1向基板I左側(cè)鍍膜時(shí)的蒸鍍角度、蒸鍍范圍及厚度分布，蒸鍍腔2右側(cè)的限制板22用于限制蒸鍍?cè)?1向基板I右側(cè)鍍膜時(shí)的蒸鍍角度、蒸鍍范圍及厚度分布。為了能夠?qū)⒄翦兦?中的有機(jī)材料在基板I上成膜，基板I需設(shè)置于蒸鍍?cè)?1的正上方。此外，為了便于調(diào)整蒸鍍?cè)磁c限制板之間的相對(duì)高度，波紋管3應(yīng)設(shè)置于蒸鍍腔2的底部。
[0047]由于蒸鍍腔2包括蒸鍍?cè)?1及限制板22，因而波紋管3設(shè)置于蒸鍍腔2底部的方式也是不同的。
[0048]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，參見圖2，波紋管3可以設(shè)置于蒸鍍?cè)?1的底部，當(dāng)波紋管3上下移動(dòng)時(shí)，蒸鍍?cè)?1在隨著波紋管3上下移動(dòng)的過程中，可以改變與限制板22之間的相對(duì)高度，進(jìn)而改變蒸鍍?cè)?1的蒸鍍角度、蒸鍍范圍及厚度分布等。
[0049]在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，參見圖3，波紋管可以設(shè)置于每個(gè)限制板22的底部，當(dāng)波紋管3上下移動(dòng)時(shí)，限制板22在隨著波紋管3上下移動(dòng)的過程中，可以改變與蒸鍍?cè)粗g的相對(duì)高度，進(jìn)而改變蒸鍍?cè)?1的蒸鍍角度、蒸鍍范圍及厚度分布等。此處需要說明的是，一般情況下，蒸鍍?cè)?1在基板I左右兩側(cè)上需要形成的有機(jī)薄膜的范圍、厚度等是不同的，因此，采用本實(shí)施例提供的方法通過波紋管3控制左右兩側(cè)限制板22移動(dòng)的高度也是不同的。對(duì)于具體移動(dòng)的高度，可由蒸鍍?cè)?1的蒸鍍條件確定。
[0050]本實(shí)施例通過在蒸鍍腔I的底部設(shè)置波紋管2，可對(duì)有機(jī)材料蒸鍍?cè)吹恼翦兘嵌取⒄翦兎秶?、蒸鍍厚度等進(jìn)行靈活的控制，優(yōu)化了材料的邊界混合效率。
[0051]參見圖1及圖2，蒸鍍?cè)O(shè)備還包括伺服馬達(dá)控制系統(tǒng)4，該伺服馬達(dá)控制系統(tǒng)4與波紋管3相連，可設(shè)置于波紋管3的底部，用于驅(qū)動(dòng)波紋管3轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0052]在顯示領(lǐng)域，基板I上蒸鍍的有機(jī)薄膜通常為一種混合材料，為了滿足蒸鍍需求，蒸鍍腔I包括兩個(gè)本體蒸鍍腔和一個(gè)雜質(zhì)蒸鍍腔，其中，本體蒸鍍腔內(nèi)存儲(chǔ)著本體材料，雜質(zhì)蒸鍍腔內(nèi)存儲(chǔ)著雜質(zhì)材料。為使蒸鍍過程中摻雜更為均勻，雜質(zhì)蒸鍍腔位于兩個(gè)本體蒸鍍腔之間。如圖1所示，蒸鍍腔A和蒸鍍腔C為本體蒸鍍腔，蒸鍍腔B為雜質(zhì)蒸鍍腔。當(dāng)需要更改本體蒸鍍腔和雜質(zhì)蒸鍍腔內(nèi)有機(jī)材