一種防偽結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及防偽技術(shù)，尤其涉及一種防偽結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技防偽術(shù)中，大多以水印、有色纖維、熒光油墨印刷、微點(diǎn)或微小記號(hào)的形體及隨機(jī)分布等作為防偽手段。
[0003]比如，現(xiàn)有技術(shù)1，中國(guó)專利文獻(xiàn)CN102108653A，公開(kāi)的一種片狀防偽材料，所述片狀防偽材料采用正四邊形以外的異形結(jié)構(gòu);且所述片狀防偽材料由以下層狀結(jié)構(gòu)組成:紙質(zhì)防偽載體層，其中所述紙質(zhì)防偽載體為由至少兩種纖維復(fù)配制造得到的紙張；以及防偽層。還公開(kāi)了所述片狀防偽材料的制備方法以及含有該片狀防偽材料的防偽紙。本發(fā)明的片狀防偽材料可以獲得同時(shí)具備肉眼識(shí)別、快速機(jī)讀、專家分析等多層次的防偽功能的防偽紙。
[0004]再比如，現(xiàn)有技術(shù)2，中國(guó)專利文獻(xiàn)CN104610812A，公開(kāi)的熒光硅納米顆粒作為防偽標(biāo)記的應(yīng)用，由硅源制備熒光硅納米顆粒，將得到的熒光硅納米顆粒用做防偽墨水來(lái)制備防偽圖案。由于硅納米顆粒具有很好的熒光性質(zhì)，量子產(chǎn)率高，儲(chǔ)存穩(wěn)定性好，具有良好的激發(fā)波長(zhǎng)依賴性，制備的防偽圖案在不同激發(fā)波長(zhǎng)的光照下能顯示不同顏色的光，能起到很好的防偽效果。
[0005]再比如，現(xiàn)有技術(shù)3，中國(guó)專利文獻(xiàn)CN101673341A，公開(kāi)的本發(fā)明涉及防偽技術(shù)，尤其涉及一種微點(diǎn)防偽方法。該方法包括以下步驟:(I)提供一種微點(diǎn)；(2)提供一種膠水，將微點(diǎn)混合于膠水之中；(3)向承載物上點(diǎn)混有微點(diǎn)的膠水；(4)固化膠水；(5)拍照膠滴，形成原始對(duì)比圖片；(6)原始對(duì)比圖片存入后臺(tái)數(shù)據(jù)庫(kù)；(7)防偽驗(yàn)證拍照膠滴，形成被比圖片；
(8)讀取后臺(tái)數(shù)據(jù)庫(kù)原始對(duì)比圖片，與被比圖片比較，作出真?zhèn)闻袛?；其中，?5)步所述的拍照膠滴，為放大拍照;第(7)步所述的防偽驗(yàn)證拍照膠滴，也是放大拍照。本發(fā)明提供一種不可仿制的微點(diǎn)防偽方法。與此相對(duì)應(yīng)，中國(guó)專利文獻(xiàn)CN102267287A公開(kāi)了一種類似的一種微點(diǎn)防偽印記的制備方法及及實(shí)現(xiàn)該方法的裝置。微點(diǎn)防偽印記的制備方法包括以下步驟:SI，提供一種微點(diǎn)標(biāo)記物，提供一種墨水；S2，混墨，即將微點(diǎn)標(biāo)記物與墨水混合均勻；S3，提供至少二個(gè)噴頭，提供目標(biāo)物;S4，噴射，通過(guò)噴頭將混有微點(diǎn)標(biāo)記物的墨水噴向標(biāo)的物;S5，干燥混有微點(diǎn)標(biāo)記物的墨水;在噴射過(guò)程中，混墨步驟連續(xù)地進(jìn)行，混墨、向噴頭供墨、噴射是在全封閉的液路內(nèi)完成的。本發(fā)明提供一種加工過(guò)程中不易混入雜質(zhì)、實(shí)時(shí)保持微點(diǎn)在墨水內(nèi)分布均勻的微點(diǎn)防偽印記的制備方法及實(shí)現(xiàn)該方法的裝置。
[0006]再比如，現(xiàn)有技術(shù)4，中國(guó)專利文獻(xiàn)CN1350274A，公開(kāi)的一種含有多數(shù)微小記號(hào)或圖案的防偽標(biāo)記及其形成方法，以含有多數(shù)微小圖案記號(hào)的防偽標(biāo)記，達(dá)成鑒定物品真?zhèn)渭胺乐箓卧斓膽?yīng)用。物件鑒定用方法是根據(jù)在物件中所形成的至少一獨(dú)特標(biāo)記，它含有多數(shù)微小圖案或記號(hào)，并以隨機(jī)組合的方式合于標(biāo)記內(nèi)，以作為對(duì)比、鑒定的方法，而具有防止他人偽造及可以輕易達(dá)成識(shí)別及鑒定和對(duì)比的功效。
[0007]然而，諸如以上列舉，現(xiàn)有技術(shù)的復(fù)合纖維、熒光硅納米顆粒、微點(diǎn)或微小記號(hào)的形體及隨機(jī)分布等作為防偽手段，并不是向公開(kāi)文本敘述的那樣可以防止他人偽造的效果，隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，這些技術(shù)手段均可以廉價(jià)仿制，不能仿制的只有現(xiàn)有技術(shù)3所述的后臺(tái)數(shù)據(jù)庫(kù)，但后臺(tái)數(shù)據(jù)也不安全，企業(yè)的數(shù)據(jù)庫(kù)很容易遭受黑客攻擊，且需要通訊安全保障，仍然不理想?，F(xiàn)有技術(shù)3和現(xiàn)有技術(shù)4，解實(shí)能解決大部分防偽需求，然而都是單一材質(zhì)構(gòu)成的防偽材料容易被仿制，而且統(tǒng)一的灰色調(diào)沒(méi)有層次感和立體感，仍然不能滿足高端需求，因而，需要不斷推陳出新，不斷進(jìn)步。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0008]本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種具有多材質(zhì)的防偽結(jié)構(gòu)。
[0009]本實(shí)用新型的目的還在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種立體感的防偽結(jié)構(gòu)。
[0010]本實(shí)用新型的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0011 ] 一種防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于:該防偽結(jié)構(gòu)包括片狀的無(wú)定形娃模塊，無(wú)定形娃模塊具有鏤空區(qū)域，該防偽結(jié)構(gòu)還包括金屬模塊，金屬模塊鑲嵌于所述鏤空區(qū)域。
[0012]所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的金屬模塊，是指在一個(gè)單位防偽結(jié)構(gòu)中，由金屬各個(gè)子模塊構(gòu)成的總和，各個(gè)子模塊之間離散分布，所述金屬模塊可以是一個(gè)圖形或字符，也可以是由多數(shù)個(gè)子模塊組成一組圖形或字符串；所述的無(wú)定形硅模塊，是指在一個(gè)單位防偽結(jié)構(gòu)中，由無(wú)定形硅各個(gè)子模塊構(gòu)成的總和，各個(gè)子模塊之間離散分布，所述無(wú)定形硅模塊可以是一個(gè)圖形或字符，也可以是由多數(shù)個(gè)子模塊組成一組圖形或字符串。
[0013]所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬模塊底面與無(wú)定形硅模塊底面位于同一平面上，所述金屬模塊與無(wú)定形硅模塊厚度一致。
[0014]所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬模塊底面與無(wú)定形硅模塊底面位于同一平面上，所述金屬模塊比無(wú)定形硅模塊厚度大。
[0015]所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬模塊是鉻，也可是金、或鈦、或銅。
[0016]所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于:在可見(jiàn)光下，金屬模塊顯示金屬光澤，無(wú)定形硅模塊設(shè)置成黑色，金屬模塊的形態(tài)內(nèi)容加黑色無(wú)定形硅模塊襯底構(gòu)成該防偽結(jié)構(gòu)的防偽信息。
[0017]所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述片狀結(jié)構(gòu)的厚度為2至10微米之間。
[0018]本實(shí)用新型所涉及的防偽結(jié)構(gòu)包括片狀的無(wú)定形硅模塊，無(wú)定形硅模塊具有鏤空區(qū)域，該防偽結(jié)構(gòu)還包括金屬模塊，金屬模塊鑲嵌于所述鏤空區(qū)域，金屬模塊鑲嵌于無(wú)定形硅模塊可構(gòu)成防偽信息，如圖案、字符串等等，金屬材料具有光澤與無(wú)定型硅材料互映，具有立體感效果，尤其是金屬模塊厚度大于無(wú)定形硅模塊時(shí)，立體感更強(qiáng)。其工藝上比現(xiàn)有技術(shù)難度大，不易仿制，事實(shí)上如果沒(méi)有金屬模塊形態(tài)數(shù)據(jù)的話，單憑電子放大鏡和電腦，無(wú)法復(fù)制本實(shí)用新型的具體實(shí)施方案，較現(xiàn)有技術(shù)安全。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是本實(shí)用新型第一個(gè)實(shí)施例的正面示意圖。
[0020]圖2是本實(shí)用新型第一個(gè)實(shí)施例的剖面示意圖。[0021 ]圖3是本實(shí)用新型第二個(gè)實(shí)施例的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳述。
[0023]參考圖1、圖2，圖2是圖1中A-A面剖面圖，本實(shí)用新型第一個(gè)實(shí)施例是一種防偽結(jié)構(gòu)，包括片狀的無(wú)定形硅模塊001，無(wú)定形硅模塊001具有鏤空區(qū)域，該防偽結(jié)構(gòu)還包括金屬模塊002，金屬模塊002鑲嵌于所述鏤空區(qū)域。所述的金屬模塊002，是指在一個(gè)單位防偽結(jié)構(gòu)000中，由金屬各個(gè)子模塊構(gòu)成的總和，各個(gè)子模塊之間離散分布，所述金屬模塊002是由三子模塊組成的字符串“Red”，應(yīng)當(dāng)理解，金屬模塊002可以是一個(gè)圖形或字符，金屬模塊002也可以是由多數(shù)個(gè)子模塊組成一組圖形或字符串；所述的無(wú)定形硅模塊001，是指在一個(gè)單位防偽結(jié)構(gòu)000中，由無(wú)定形硅各個(gè)子模塊構(gòu)成的總和，各個(gè)子模塊之間離散分布，所述無(wú)定形硅模塊001是由四個(gè)離散分布的子模塊組成，即字符“R”上部的封閉部分、字符“e”上部的封閉部分、字符“d”下部封閉部分、還有字符串“Red”周圍的部分，應(yīng)當(dāng)理解，無(wú)定形硅模塊001即可以是一個(gè)圖形或字符，也可以是由多數(shù)個(gè)子模塊組成一組圖形或字符串；當(dāng)然，無(wú)定形硅模塊001多數(shù)情況是用來(lái)作為金屬模塊002的背景。
[0024]在本實(shí)施例中，所述金屬模塊002底面與無(wú)定形硅模塊001底面位于同一平面上，所述金屬模塊002與無(wú)定形硅模塊001厚度一致。所述金屬模塊002是鉻、鈦、銅其中一種組成，當(dāng)然，其它可鍍?cè)O(shè)的、穩(wěn)定的、有光澤的金屬也能實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。
[0025]在本實(shí)施例中，在可見(jiàn)光下，金屬模塊002顯示金屬光澤，無(wú)定形硅單001元設(shè)置成黑色，金屬模塊002的形態(tài)內(nèi)容加黑色無(wú)定形硅模塊001襯底構(gòu)成該防偽結(jié)構(gòu)的防偽信息。所述片狀的無(wú)定形硅模塊001的厚度為6微米，當(dāng)然根據(jù)需要，2至10微米之間都可實(shí)施本實(shí)用新型。
[0026]參考圖1、圖3，圖3是圖1中A-A面剖面圖，本實(shí)用新型第二個(gè)實(shí)施例也是一種防偽結(jié)構(gòu)，與本實(shí)用新型第一個(gè)實(shí)施例的不同之處在于，所述金屬模塊002比無(wú)定形娃模塊001厚度大，在顯微鏡下觀察，該防偽結(jié)構(gòu)立體感更強(qiáng)大。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于:該防偽結(jié)構(gòu)包括片狀的無(wú)定形硅模塊，無(wú)定形硅模塊具有鏤空區(qū)域，該防偽結(jié)構(gòu)還包括金屬模塊，金屬模塊鑲嵌于所述鏤空區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬模塊底面與無(wú)定形硅模塊底面位于同一平面上，所述金屬模塊與無(wú)定形硅模塊厚度一致。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬模塊底面與無(wú)定形硅模塊底面位于同一平面上，所述金屬模塊比無(wú)定形硅模塊厚度大。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬模塊是鉻，也可是金、或鈦、或銅。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述片狀結(jié)構(gòu)的厚度為2至10微米之間。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及防偽技術(shù)，尤其涉及一種防偽結(jié)構(gòu)，防偽結(jié)構(gòu)包括片狀的無(wú)定形硅模塊，無(wú)定形硅模塊具有鏤空區(qū)域，防偽結(jié)構(gòu)還包括金屬模塊，金屬模塊鑲嵌于所述鏤空區(qū)域；本實(shí)用新型提供一種具有多材質(zhì)、立體感的防偽結(jié)構(gòu)。
【IPC分類】G06Q30/00, B32B9/04, B32B33/00, B32B9/00
【公開(kāi)號(hào)】CN205326384
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520999536
【發(fā)明人】翟興
【申請(qǐng)人】深圳市天興誠(chéng)科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月22日
【申請(qǐng)日】2015年12月5日