一種超大型的防輻射屏蔽結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于防輻射技術(shù)領(lǐng)域，更具體的涉及一種超大型的防輻射屏蔽結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著科學(xué)技術(shù)的迅猛發(fā)展，輻射廣泛應(yīng)用于工業(yè)、科研、醫(yī)療、通信、廣播等諸多 領(lǐng)域，使人類生產(chǎn)和生活方式發(fā)生了革命性變化。盡管輻射對人類而言是極其有用的資 源，但它也會對人體產(chǎn)生巨大傷害，必須研究出一種結(jié)構(gòu)能很好地屏蔽輻射，而現(xiàn)有技術(shù) 中尚無如此大型的輻射屏蔽結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明為滿足上述現(xiàn)有技術(shù)的現(xiàn)實需求，提供一種超大型的防輻射屏蔽結(jié)構(gòu)。
[0004] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：
[0005] -種超大型的防輻射屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽結(jié)構(gòu)由左側(cè)屏蔽層、右側(cè)屏 蔽層和屏蔽頂層拼裝而成，所述左側(cè)屏蔽層和右側(cè)屏蔽層分別位于質(zhì)子束流的左右兩側(cè)， 所述屏蔽頂層位于左側(cè)屏蔽層和右側(cè)屏蔽層的頂部；所述左側(cè)屏蔽層包括四層，從內(nèi)到外 依次為第一層左側(cè)屏蔽層、第二層左側(cè)屏蔽層、第三層左側(cè)屏蔽層、第四層左側(cè)屏蔽層；所 述右側(cè)屏蔽層包括七層，從內(nèi)到外依次為第一層右側(cè)屏蔽層、第二層右側(cè)屏蔽層、第三層 右側(cè)屏蔽層、第四層右側(cè)屏蔽層、第五層右側(cè)屏蔽層、第六層右側(cè)屏蔽層、第七層右側(cè)屏蔽 層；所述屏蔽頂層包括八層，從下向上依次為第一層屏蔽頂層、第二層屏蔽頂層、第三層屏 蔽頂層、第四層屏蔽頂層、第五層屏蔽頂層、第六層屏蔽頂層、第七層屏蔽頂層、第八層屏蔽 頂層；所述第一層左側(cè)屏蔽層、第一層右側(cè)屏蔽層和第一層屏蔽頂層的內(nèi)表面整體噴涂有 耐輻射白色防銹漆；各層左側(cè)屏蔽層和右側(cè)屏蔽層與地面接觸處的縫隙均用混凝土填充密 封；各層左側(cè)屏蔽層和右側(cè)屏蔽層與各層屏蔽頂層的接觸處均噴涂有耐輻射白色防銹漆； 所述左側(cè)屏蔽層和右側(cè)屏蔽層的相鄰兩屏蔽層之間的間隙較大處均填充有細鐵砂。
[0006] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案的有益效果是：
[0007] 提供一種超大型的防輻射屏蔽結(jié)構(gòu)，能屏蔽各種輻射；同時超大型的防輻射屏蔽 結(jié)構(gòu)的體積大、空間充足，能為各種超大型的放射源提供工作場所。
[0008] 進一步的，為便于組裝并很好地屏蔽各類輻射，使輻射劑量降至公眾可接受的安 全輻射劑量，所述左側(cè)屏蔽層、右側(cè)屏蔽層和屏蔽頂層的各層均由多塊屏蔽塊焊接拼裝而 成，各屏蔽塊的焊接拼裝縫與相鄰屏蔽層的屏蔽塊的焊接拼裝縫相互錯開。
[0009] 進一步的，為提高屏蔽效果，所述屏蔽塊的材質(zhì)為Q235B。
[0010] 進一步的，為使屏蔽適應(yīng)于質(zhì)子流的屏蔽，所述左側(cè)左側(cè)屏蔽層的各層所在的平 面均平行于所述質(zhì)子束流的方向；所述屏蔽頂層的各層所在的平面均平行于所述質(zhì)子束流 的方向；所述右側(cè)屏蔽層的各層所在的平面部分平行于所述質(zhì)子束流的方向，另一部分與 所述質(zhì)子束流的方向成一夾角。更進一步的，所述夾角的大小約為14.74°。
[0011] 進一步的，作為優(yōu)選，組成所述左側(cè)屏蔽層、右側(cè)屏蔽層和屏蔽頂層的各層的屏蔽 塊的形狀和尺寸分別如表1-19所示，且各層的屏蔽塊的位置按編號順序沿質(zhì)子束流方向 依次排列。
【附圖說明】
[0012] 圖1為超大型的防輻射屏蔽結(jié)構(gòu)的左右側(cè)屏蔽層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013] 圖2為超大型的防輻射屏蔽結(jié)構(gòu)的左右側(cè)屏蔽層的俯視示意圖。
[0014] 圖3為超大型的防輻射屏蔽結(jié)構(gòu)的屏蔽頂層的剖視示意圖。
[0015] 圖4為表1。
[0016] 圖5為表2。
[0017] 圖6為表3。
[0018] 圖7為表4。
[0019] 圖8為表5。
[0020] 圖9為表6。
[0021] 圖 10 為表 7。
[0022] 圖 11 為表 8。
[0023] 圖 12 為表 9。
[0024] 圖 13 為表 10。
[0025] 圖 14 為表 11。
[0026] 圖 15 為表 12。
[0027] 圖 16 為表 13。
[0028] 圖 17 為表 14。
[0029] 圖 18 為表 15。
[0030] 圖 19 為表 16。
[0031] 圖 20 為表 17。
[0032] 圖 21 為表 18。
[0033] 圖 22 為表 19。
[0034] 附圖僅用于示例性說明，不能理解為對本專利的限制；為了更好說明本實施例，附 圖某些部件會有省略、放大或縮小，并不代表實際產(chǎn)品的尺寸；對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說， 附圖中某些公知結(jié)構(gòu)及其說明可能省略是可以理解的；相同或相似的標號對應(yīng)相同或相似 的部件；附圖中描述位置關(guān)系的用語僅用于示例性說明，不能理解為對本專利的限制。
【具體實施方式】
[0035] 下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的說明。
[0036] 具體實施例：
[0037] 如圖1-3所示，一種超大型的防輻射屏蔽結(jié)構(gòu)，所述屏蔽結(jié)構(gòu)由左側(cè)屏蔽層、右側(cè) 屏蔽層和屏蔽頂層拼裝而成，所述左側(cè)屏蔽層和右側(cè)屏蔽層分別位于質(zhì)子束流〇〇的左右 兩側(cè)，所述屏蔽頂層位于左側(cè)屏蔽層和右側(cè)屏蔽層的頂部；所述左側(cè)屏蔽層包括四層，從內(nèi) 到外依次為第一層左側(cè)屏蔽層L-1、第二層左側(cè)屏蔽層L-2、第三層左側(cè)屏蔽層L-3、第四層 左側(cè)屏蔽層L-4;所述右側(cè)屏蔽層包括七層，從內(nèi)到外依次為第一層右側(cè)屏蔽層R-1、第二 層右側(cè)屏蔽層R-2、第三層右側(cè)屏蔽層R-3、第四層右側(cè)屏蔽層R-4、第五層右側(cè)屏蔽層R-5、 第六層右側(cè)屏蔽層R-6、第七層右側(cè)屏蔽層R-7 ;所述屏蔽頂層包括八層，從下向上依次為 第一層屏蔽頂層T-1、第二層屏蔽頂層T-2、第三層屏蔽頂層T-3、第四層屏蔽頂層T-4、第五 層屏蔽頂層T-5、第六層屏蔽頂層T-6、第七層屏蔽頂層T-7、第八層屏蔽頂層T-8。
[0038] 其中，第一層左側(cè)屏蔽層L-I由如表1所示的14塊屏蔽塊焊接拼裝而成，各屏 蔽塊的位置沿質(zhì)子束流〇〇方向按L-1-1 - L-1-2 - L-1-3……L-1-14的順序依次排列； 第二層左側(cè)屏蔽層（L-2)由如表2所示的14塊屏蔽塊焊接拼裝而成，各屏蔽塊的位置 沿質(zhì)子束流〇〇方向按L-2-1 - L-2-2 - L-2-3……L-2-14的順序依次排列；第三層左 側(cè)屏蔽層（L-3)由如表3所示的14塊屏蔽塊焊接拼裝而成，各屏蔽塊的位置沿質(zhì)子束 流〇〇方向按L-3-1 - L-3-2 - L-3-3……L-3-14的順序依次排列；第四層左側(cè)屏蔽層 (L-4)由如表4所示的14塊屏蔽塊焊接拼裝而成，各屏蔽塊的位置沿質(zhì)子束流00方向按 L-4-1 - L-4-2 - L-4-3......L-4-14的順序依次排列；各屏蔽塊的焊接拼裝縫與相鄰屏蔽 層的屏蔽塊的焊接拼裝縫相互錯開(如圖2所示)。
[0039] 其中，第一層右側(cè)屏蔽層（R-I)由如表5所示的13塊屏蔽塊焊接拼裝而成，各 屏蔽塊的位置沿質(zhì)子束流〇〇方向按R-1-1 - R-1-2 - R-1-3……R-1-13的順序依次 排列；第二層右側(cè)屏蔽層（R-2)由如表6所示的14塊屏蔽塊焊接拼裝而成，各屏蔽塊 的位置沿質(zhì)子束流〇〇方向按R-2-1 - R-2-2 - R-2-3……R-2-14的順序依次排列；第 三層右側(cè)屏蔽層（R-3)由如表7所示的14塊屏蔽塊焊接拼裝而成，各屏蔽塊的位置 沿質(zhì)子束流〇〇方向按R-3-1 - R-3-2 - R-3-3……R-3-14的順序依次排列；第四層右 側(cè)屏蔽層（R-4)由如表8所示的16塊屏蔽塊焊接拼裝而成，各屏蔽塊的位置沿質(zhì)子 束流〇〇方向按R-4-1 - R-4-2 - R-4-3……R-4-16的順序依次排列；第五層右側(cè)屏