專利名稱:基于交換偏置的多狀態(tài)磁存儲器和邏輯器件以及磁穩(wěn)定的磁存儲器的制作方法
本申請要求2004年7月13日提交的、題為“基于磁鄰近效應的磁存儲媒介”的第60/587,789號美國臨時專利申請的優(yōu)先權，該申請的內容通過引用合并于此，以作為本申請說明書的一部分。
關于政府資助的聲明本發(fā)明是第FA9550-04-1-0160和DE-FG03-87ER-45332號政府支持項目的一部分。本發(fā)明的某些權利歸于政府。
背景技術：
本申請涉及磁性材料和磁存儲媒介。
磁性材料可用于數(shù)據(jù)存儲。由各種磁性材料制成的存儲裝置的示例包括磁卡、磁帶、磁盤和硬磁盤機。在大多數(shù)商用磁記錄媒介中，每個已記錄的位(bit)具有“0”和“1”兩種邏輯狀態(tài)，其分別由記錄媒介的兩種不同的磁狀態(tài)表示。例如，磁性材料中磁疇的相反磁化方向可用于二元狀態(tài)。在這種材料中，存儲信息的密度與磁疇或承載信息的“位”的密度相一致。因此，在這種二元磁記錄媒介中，磁疇的尺寸決定存儲密度。
增加磁存儲密度的一種方法是降低磁疇尺寸或位尺寸?？赏ㄟ^多種技術來實現(xiàn)這一點。例如，富士通和其他公司開發(fā)的具有較小疇尺寸的高密度記錄材料具有約100G位/平方英寸的存儲密度。然而，磁位尺寸的減小可能會導致磁存儲信息的熱和磁穩(wěn)定性下降。有多種因素可導致磁媒介中的不穩(wěn)定性，包括溫度的升高、對鄰近位進行操作時來自于記錄磁頭的雜散場(stray field)的存在、以及來自于相鄰位的相互作用的雜散場的存在。

發(fā)明內容本申請公開了能夠基于由鐵磁層和反鐵磁層之間的磁耦合導致的磁交換偏置，獲得高密度磁存儲的技術、材料和器件?？梢允褂盟龅拇篷詈蟻矸€(wěn)定二元磁存儲器件以及構建多狀態(tài)磁存儲器件。
在一個實現(xiàn)中，描述了一種穩(wěn)定二元磁存儲器件的方法。該方法包括提供一種磁存儲材料作為二元存儲媒介，所述磁存儲材料包括鐵磁層和鄰近的反鐵磁層，所述鐵磁層和鄰近的反鐵磁層相互磁性地耦合以提供磁滯回線。配置所述鐵磁層和鄰近的反鐵磁層，以使得所述磁滯回線的中心離開H＝0處，從而使各個二元狀態(tài)相對于雜散磁場是穩(wěn)定的。
在另一種實現(xiàn)中，描述了這樣一種器件，其包括磁存儲材料，所述磁存儲材料包括鐵磁層和鄰近的反鐵磁層，所述鐵磁層和鄰近的反鐵磁層相互磁性地耦合以在工作溫度下存儲數(shù)據(jù)，所述工作溫度低于所述反鐵磁層的阻塞溫度。所述阻塞溫度低于所述鐵磁材料的居里溫度。在該器件的一個配置結構中，所述磁存儲材料被配置為具有多于兩種的磁狀態(tài)。在該器件的另一個配置結構中，所述鐵磁層和所述反鐵磁層被選擇為，能夠將所述磁存儲材料的磁滯回線從零場偏移到大于所述器件中的雜散磁場的磁場。
上述器件還包括溫度控制機制，以當向選擇的磁疇寫入數(shù)據(jù)時，局部地控制所選擇的磁疇和所述磁存儲材料的溫度。溫度控制機制可具有各種配置結構。例如，溫度控制機制可包括激光器，并在寫的過程中將來自所述激光器的激光束聚焦到所選擇的磁疇。所述溫度控制機制包括導電掃描探針顯微鏡(SPM)的探針尖，用來加熱所選擇的磁疇。所述溫度控制機制包括阻抗(電阻)加熱機制作為各個磁疇的一部分，或者與所選擇的磁疇接觸的阻抗(電阻)加熱元件。
本申請還描述了這樣一種用于磁記錄的方法。提供一種磁存儲材料，所述磁存儲材料包括鐵磁層和鄰近的反鐵磁層，所述鐵磁層和鄰近的反鐵磁層相互磁性地耦合以在工作溫度下存儲數(shù)據(jù)，所述工作溫度低于所述反鐵磁層的阻塞溫度。所述阻塞溫度低于所述鐵磁材料的居里溫度。進行局部加熱以使所述磁存儲材料中的所選擇的磁位的溫度高于所述阻塞溫度。在高于所述阻塞溫度的溫度下，對所選擇的磁位應用磁化處理，以將剩磁設置為從用于多狀態(tài)存儲媒介的預定剩磁集合中所選擇的值，以對位進行寫操作。去除所選擇的磁位處的外磁場，并且在所述零場，將所選擇的磁位的溫度降低到所述阻塞溫度之下，以將剩磁存儲在所選擇的位中。
本申請還描述了另外一種用于磁記錄的方法。提供一種磁存儲材料，所述磁存儲材料包括鐵磁層和鄰近的反鐵磁層，所述鐵磁層和鄰近的反鐵磁層相互磁性地耦合以在工作溫度下存儲數(shù)據(jù)，所述工作溫度低于所述反鐵磁層的阻塞溫度，所述阻塞溫度低于所述鐵磁材料的居里溫度。進行局部加熱以使所述磁存儲材料中的所選擇的磁位的溫度高于所述阻塞溫度。在高于所述阻塞溫度的溫度下，對所選擇的磁位應用磁化處理，以將剩磁設置為從用于多狀態(tài)存儲媒介的預定剩磁集合中所選擇的值，以對位進行寫操作。在保持所述磁化處理的磁場的同時，將述所選擇的磁位的溫度降低到所述阻塞溫度之下，以將所述剩磁存儲在所選擇的位中。
在附圖、說明書和權利要求
書中將描述這些和其他實現(xiàn)、應用和變化。
圖1示出了鐵磁-反鐵磁耦合的媒介的實施例；圖2示出了使用鐵磁性-反鐵磁性耦合的媒介的磁性存儲器件的實施例；圖3和圖4示出了對鐵磁-反鐵磁耦合的媒介進行的不同測量結果；圖5A和5B示出了在5mm×5mm的FeF2(70nm)/Ni(70nm)/Al(4nm)樣品上的、沿著易磁化軸的具有磁光克爾效應(MOKE)的磁滯回線，如圖所示，在樣品的不同部分具有～500μm的激光點。該測量是在樣品從MR≈0的消磁狀態(tài)在零磁場內冷卻后、在FeF2的轉換溫度下進行的。圖5A中的背景顏色表示交換偏置的局部方向，紅色表示負向，藍色表示正向；
圖6示出了在鐵磁體的預設剩磁中的零磁場內冷卻的反鐵磁體中磁疇結構；圖7A和7B示出了鐵磁-反鐵磁耦合的媒介與鐵磁媒介相比較的磁滯回線中的偏移和變化；圖8示出了MgF2/FeF2/Ni樣品的、溫度高于TB或低于TB的易磁化軸的磁滯曲線，所述樣品在2kOe場內冷卻，圖中示出了由反鐵磁體引入到鐵磁體內的單軸各向異性；圖9A和9B示出了與單獨的鐵磁性材料(僅為Fe)相比較的、從連續(xù)的AF層(例如FeF2)上的鐵磁層(例如Fe)構圖的磁點；圖10A和10B進一步示出了僅有Fe的點媒介與Fe/FeF2點媒介的測量的穩(wěn)定性數(shù)據(jù)；圖11示出了在特定磁場中冷卻的MgF2/FeF2/Ni/Al樣品的易磁化軸的磁滯曲線。剩磁取決于冷卻場，并且固定在樣品被冷卻到FeF2的TN以下之后的值；圖12示出了在MgF2/FeF2/Ni樣品的TN(T＝10K)以下測量的易磁化軸磁滯曲線，所述樣品從各種剩磁狀態(tài)在零磁場內冷卻。由FeF2的TN之上的部分消磁決定的剩磁在樣品被冷卻到TN以下后保留。黑色的曲線示出了TN(T＝80K)之上的磁滯曲線。
圖13和14示出了用于在多狀態(tài)存儲媒介中寫入數(shù)據(jù)的兩種不同寫入方法。
具體實施方式本申請中所述的磁性材料、存儲技術和存儲器件使用兩個磁性地耦合的磁層，即鐵磁(F或者FM)層和與之相鄰的反鐵磁(AF或者AFM)層，以提供穩(wěn)定的二元磁性存儲媒介和多狀態(tài)磁性存儲媒介。本文所述的穩(wěn)定的二元磁性存儲媒介可耐受由于多種因素(包括來自于讀/寫頭、相鄰磁位、以及其他來源的雜散磁場)所導致的磁性干擾，因此可用于實現(xiàn)媒介上的高度密集的磁位。本文所述的多狀態(tài)磁性存儲媒介提供有多個剩磁值，以表示各個磁性位中的多個狀態(tài)，從而增加每個位中所存儲的信息量。
圖1示出了具有耦合的鐵磁層與反鐵磁層的磁性媒介的一個實施例。如圖所示，在MgF2基底(110)上形成AF層(如FeF2)和F層(如Fe、Co、Ni或者其他F金屬或者金屬合金)。在本實施例中，AF層直接淀積在基底上。在其他實施方式中，當用于AF層和基底的材料差異較大(例如晶格結構差異較大)時，可在基底和AF層之間形成一個或者多個籽層。AF層可由AF材料制成，其中，AF材料可為單晶材料(單晶)或多晶材料。多晶材料的顆粒尺寸應大于每一個被用于定義位的磁疇。一個可選的表層(如鋁層)可形成于F-AF層的頂部，以保護磁性媒介，表層材料的選擇可依賴于F材料的選擇。這種表層并不直接參與記錄過程。數(shù)據(jù)在高于AF層的阻塞溫度(blockingtemperature)的溫度下，以特定剩磁的形式磁性地寫入到F-AF耦合的媒介。接著，溫度降低至阻塞溫度之下，從而使得在磁存儲器的正常操作中，寫入的磁性狀態(tài)(二元狀態(tài)或多狀態(tài)的狀態(tài))在不會受到任何現(xiàn)有磁場影響的情況下被寫入到“位”，所述磁場包括來自于讀/寫頭和相鄰位的磁場。接著，在溫度降低到低于AF層的阻塞溫度的情況下，執(zhí)行隨后的讀出操作。阻塞溫度即，在低于該溫度的溫度下，雙層的F-AF系統(tǒng)表現(xiàn)出交換偏置。交互偏置通常作為磁化曲線(磁滯回線)的水平偏移被觀察到，并同時伴隨有系統(tǒng)轎頑磁場的增大。阻塞溫度小于或者等于AF的轉換溫度，即奈爾溫度。本申請中的F-AF耦合的媒介可被設計為使得F層的居里溫度高于AF層的阻塞溫度，并且AF層的AF材料被選擇為其阻塞溫度高于這些器件的工作溫度的上限(例如80℃或者更高)。這樣，媒介的溫度通常低于阻塞溫度，并且可通過加熱升高到阻塞溫度之上以寫入數(shù)據(jù)。因此，除了其他部分之外，使用F-AF位的磁性器件包括磁性讀/寫頭和溫度控制機制。
圖2示出了F-AF耦合的媒介的磁存儲器件200，在穩(wěn)定的二元配置或者多狀態(tài)配置下的實施例。提供媒介固定機構以使得存儲媒介201與耦合的F和AF層固定在一起。譬如，如果器件200是一種磁盤驅動器，媒介固定機構可包括用于固定磁盤的盒子，以及用于旋轉磁盤的機動化軸。讀/寫頭210以及與頭210結合的頭致動裝置，可用于控制頭210并使得頭210位于媒介201上方。溫度控制220被提供以控制F-AF媒介201的溫度。溫度控制器220可被設計為對選定的位局部地加熱，從而使它的溫度升高到阻塞溫度之上。加熱被限定為僅針對選定的位進行，而不會使得相鄰位的局部溫度顯著升高至高于阻塞溫度。在這種設計下，媒介的每個磁疇或者位可被單獨加熱以寫入新的數(shù)據(jù)。
可使用多種方法來實現(xiàn)局部加熱。譬如，溫度控制220可使用激光以將聚焦的激光束導向媒介201上的選定位，以進行局部加熱?？赏ㄟ^使用近場光學器件(如固態(tài)浸入式透鏡)來實現(xiàn)激光束的聚焦。在另一實施例中，可使用電阻抗(歐姆)加熱來控制F-AF媒介中的每一個單獨位的位置的加熱和溫度。電阻抗加熱可被實施為F-AF媒介的一部分，以在各個位的位置通有加熱電流來對各個位本身進行加熱。另一種方式則為可使用與位的區(qū)域相接觸的單獨的電阻加熱元件，例如，在位/字線的交叉點處，如在將位寫入CMOS型存儲器的過程中。在另一實施例中，導電掃描探針顯微鏡(SPM)的探針尖可用于將電流導向選定的位以進行局部加熱。值得注意的是，熱控制器220可被集成為讀/寫頭210的一部分，從而可使用單獨的定位機制來控制局部加熱和磁頭的定位。
本申請中所述的F-AF材料也可被用于構造不包括任何可移動部件的MRAM。這種MRAM包括溫度控制，以單獨控制MRAM的每個位位置的溫度。
下面的部分首先敘述了基于交換偏置的F-AF耦合媒介的材料設計及其性質。其次，敘述了用于二元F-AF媒介和多狀態(tài)F-AF媒介的疇穩(wěn)定性。
鐵磁-反鐵磁耦合的媒介的性質由于F和AF層磁耦合而導致的交換偏置，導致了F層和AF層中的磁各向異性中的變化。用于解釋交換偏置的一種理論模型為橫向長度比例(lateral length scales)模型。參見Igor Roshschin等人的、2005年6月17日在線發(fā)表于http:/www.edpsciences.org/epl上的Europhysics Letters中的“交換偏置中的橫向長度比例”，并且該文章將在卷71(2005年7月)上公開，該文章的全部公開內容通過引用并入本申請，以作為本申請說明書的一部分。其他的解釋也是可能的。在此使用用于解釋交換偏置的局部體制(local regime)的實驗性研究結果，以有助于理解穩(wěn)定技術和多狀態(tài)存儲技術之后的交換偏置，并且所述研究結果被構建為用于限制本申請中描述的各種實施方式。
當鐵磁體與反鐵磁體接近時，橫向長度比例(例如各磁疇尺寸)能夠顯著地影響交換偏置。通過使用SQUID(超導量子干涉器件)和空間分辨的MOKE對FeF2與Ni、Co或Fe中之一的雙層進行研究。當反鐵磁性磁疇大于或者相當于鐵磁性磁疇時，可觀測到局部的、不平均的交換偏置。這導致了不尋常的及可調整的磁滯曲線。
當兩個相異的材料接觸時，通?？捎^測到鄰近效應，即一種材料改變了另一種材料的性質。由于電子波函數(shù)的有限范圍，鄰近效應典型地被描述為跨越交界面的序參數(shù)(order parameter)的空間變化。譬如，在超導體-正常體兩層中出現(xiàn)的鄰近效應的特征為超導序參數(shù)衰退到正常材料范圍內，并具有被稱為相干長度的長度比例。令人感興趣的是，在平行于界面的平面內改變的物理量的特征化長度比例之間的相關未被指出在鄰近效應中起作用。
界面兩側的橫向特征長度比例之間的關系對于交換偏置十分重要。交換偏置(EB)是鐵磁體(F)與反鐵磁體(AF)在彼此緊密接觸時的鄰近效應[1]。EB通常被描述為由AF進入F(通過界面處的交換耦合)引入的附加的單軸各向異性。這產(chǎn)生了在AF有序化溫度(TN)之下沿著磁場軸線偏移的單磁滯回線。所述偏移的幅度被定義為交換偏置場He，并且可以是正向或負向的。與AF影響F不同，F(xiàn)對AF性質的影響并不顯著，并且通常更難觀察到[2]。F和AF均可形成磁疇，其導致在平行于界面的平面內、F中磁化的空間變化以及AF中的交錯磁化的空間變化。由于F與AF之間的相互影響，界面扭轉(interfacial spin)結構將顯著地背離AF和F塊的結構。在該報告中，交換偏置系統(tǒng)中的AF疇是指引入相同的單軸各向異性的區(qū)域。
當AF疇大于F疇或與其相當時，可以觀察到局部的非平均的EB[3]。這種樣品可被磁性地分為兩個子系統(tǒng)，其所具幅度相同但符號相反的有的He。通過零磁場冷卻部分消磁的樣品或者通過在施加有適當選擇的量的磁場中進行冷卻可以實現(xiàn)這種狀態(tài)。在所有情況下，兩個磁子系統(tǒng)具有彼此獨立的表現(xiàn)，并且未出現(xiàn)EB的平均。這清楚地顯示出其本身為雙磁滯回線。此外，局部EB的符號可乘以消磁過程中F內產(chǎn)生的疇，或者通過改變磁場冷卻過程而在F內產(chǎn)生的疇[4]。這些結果揭示了新的物理異類的磁結構和鄰近效應(具有不同類的序參數(shù))。
典型地，在300℃下在(110)MgF2基底上生長38-100nm厚的FeF2層，然后在150℃下生長4-70nm厚的鐵磁層(Co、Fe或Ni)，所述鐵磁層覆蓋有3-4nm的Al層，以防止磁性層氧化[5]。以在(110)MgF2基底上由X射線衍射決定的(110)方向，外延地以及非雙晶地生長FeF2反鐵磁體(TN＝78.4)。基于體結構，(110)FeF2的理想表面被假定為具有在補償扭轉(spin)，在平面內定向為沿[001]方向具有易磁化軸[6]。X射線衍射測量顯示用于所有樣品的鐵磁層是多晶的。即使在遠高于TN的溫度下，所有樣品(其易磁化軸沿著FeF2的易磁化軸)中存在的單軸磁疇各向異性也歸因于生長引入的各向異性。所有三個鐵磁體的鐵磁轉換溫度適當?shù)馗哂谑覝?。利用SQUID磁力計和磁光克爾效應(MOKE)測量平行于所施加場的平面內樣品的極化。樣品在冷卻過程中的磁化方向被定義為負向，磁滯回線轉移的符號限定了EB的符號。所有樣品的、磁矩與所施加磁場之比的曲線示出了在TN之上的典型鐵磁行為相對于原點(origin)對稱的單磁滯回線。
在第一組實驗中，將樣品在300K下消磁到沿著易磁化軸MR的、在飽和磁化MS與0之間的選定的剩磁值。從而形成易磁化軸在相反方向內極化的F疇。兩種類型疇的極化之間的平衡決定了樣品最終的極化。當樣品在零磁場(ZFC)中被冷卻到TN以下后，低場磁矩作為各種溫度下所施加磁場的函數(shù)被測量。由滿剩磁(MR≈MS)冷卻的樣品示出了由He(T)交換偏置到負磁場的單磁滯回線(圖3A)。相反，冷卻為具有降低的剩磁的樣品示出了雙磁滯回線(例如，圖3A中的MR≈0.5MS和MR≈0)。各個回線沿著磁場軸線偏移，其偏移量為取決于溫度的He(T)的相同的絕對值，但是方向相反?；鼐€高度比由剩磁狀態(tài)設定，樣品在剩磁狀態(tài)內被冷卻，并且回線高度比等于所述狀態(tài)內兩種類型疇的磁化比。因此，系統(tǒng)“記住了”TN之上的剩磁狀態(tài)。
在第二組實驗中，首先沿著易磁化軸(位于磁滯曲線的不可逆場上方)施加磁場，從而將相同的樣品在150K磁化。然后在所施加的場(FC)HFC內冷卻樣品(圖3)。對于較小的HFC來說，位于TN之下的磁化曲線包括負的He(T)偏移的單磁滯回線。對于較大的HFC來說，位于TN之下的磁化曲線也具有單磁滯回線，但是通過He(T)的相同的絕對值被轉移到正場。對于介于中間的HFC來說，位于TN之下的磁化曲線包括兩個磁滯回線，其中一個被轉換為負而另一個被轉換為相同的正場He(T)，如第一組實驗所示。典型的冷卻場范圍依賴于F和AF的材料和厚度。例如，對于FeF2(38nm)/Co(4nm)的樣品(圖3)，用于冷卻場的雙回線的范圍在0.1KOe到30KOe之間。
應該注意到，在兩組實驗中，在所有低于TN的溫度下，正和負He(T)具有相等的絕對值(如圖4所示)。在任意特殊的溫度下，兩個回線的寬度等于單磁滯回線的寬度(兩倍于矯頑磁場，2Hc)。當垂直地縮放時，兩個單回線和各個雙回線具有非常相同的形狀和溫度變化。因此，兩種類型的獨立區(qū)域被形成為具有一致的屬性，一個進行正向交換偏置，而另一個進行負向交換偏置。
在這些樣品中，回線的半寬度小于其偏移，即Hc＜He。能夠清楚地觀察到雙磁滯回線的基本條件是Hc≤He。相反，在[7，8]中表示的結果是在相反的限制條件下得到的，即Hc＞＞He，因此，不能夠分辨雙回線。
空間分辨的MOKE明確地確認了最先兩組實驗的結論(被測量為反射的p極化的光的濃度差異[9])。圖5A和5B示出了相關的測量結果。
對于該實驗，5mm×5mm的FeF2(70nm)/Ni(70nm)/Al(4nm)的樣品在高于Tn的溫度被消磁，接著在零施加磁場中、在低于TN的溫度下被冷卻，如第一組實驗中的那樣。首先，從整個樣品表面區(qū)域(用寬束光照亮)收集作為所施加磁場函數(shù)的MOKE信號(通常被認為[9]與磁化成比例)。曲線構成了雙磁滯回線(圖5B)。在對該實驗條件未作任何改動的情況下，在圖5A顯示的位置上，在4×4的矩陣排列的16個位置使用直徑為～500μm的激光束進行MOKE測量。所得到的信號(圖5A)與磁化成比例，并在空間上變化在樣品的一側，單回線負向偏移，而在另一側，單回線正向偏移，在二者之間為雙磁滯回線。這些16個曲線的歸一化的和(在圖5B中用藍色的三角形表示)與從整個樣品中獲得的磁滯曲線(黑色圓圈表示)相當一致。在兩個曲線之間存在的輕微差異是由于16個位置并未完全覆蓋整個表面區(qū)域。當樣品為ZFC時，在所有的剩磁中未觀察到空間變化。
該實驗證明了樣品具有兩種區(qū)域；單磁滯回線由相同的He在一個區(qū)域正向偏移，而在另一區(qū)域負向偏移。當激光束覆蓋了兩個區(qū)域的部分時，磁化曲線由兩個正向偏移的回線構成，它們相對的高度由兩個區(qū)域的比率來確定。
從這些實驗的結果可以得出兩個結論。第一，樣品能夠分為兩個獨立的、EB符號相反的子系統(tǒng)。這能夠在零施加磁場中通過冷卻部分地或完全消磁的樣品來實現(xiàn)，或者通過在特意選擇的中間施加磁場中冷卻樣品來實現(xiàn)。適當?shù)拇艌龇秶梢韵聵悠穮?shù)來確定材料、層的厚度、界面粗糙程度等。第二，對于各個F疇的交換偏置并不是所有AF疇的平均。因此，能夠看到雙磁滯回線。
EB現(xiàn)象引起了人們的高度重視。人們提出了幾個EB機制，其中幾個機制都忽略了在F疇尺度下的EB變化。人們研究了HC和He對于模式化的F-AF雙層(或在稀釋的AF)中的AF和/或F疇大小的依賴性。通過抑制小F疇中的F-F交換相互作用，能夠解釋F-AF雙層(具有被模式化的F層)中He的增強。AF疇到F疇的對應關系、以及EB值的小空間變化被報道。雙磁滯回線以及F和AF中的疇結構的相關在從消磁狀態(tài)進行零場冷卻的CoO/NiFe樣品中觀察到，并使用交換彈簧模型[20，21]來解釋。在零施加磁場中進行冷卻的過程中，F(xiàn)ef2/Fe[22]和Fe0.6Zn0.4F2/Fe[23]雙層中的交換偏置場和雙磁滯回線的形狀依賴于剩磁。置于各種小磁場(0-40 Oe)中的FeMn/FeMnC樣品[24]中，發(fā)現(xiàn)了雙磁滯回線和負向偏移的單磁滯回線(沒有任何明顯的趨勢)。在置于零磁場的NiFe/NiFeMn樣品中，沿著難磁化軸測量的MOKE信號的空間變化被要求獲得專利保護[25]，但是未示出支持的圖示。
已經(jīng)報導的對不同樣品進行的大量實驗顯示出了看上去相互矛盾和不關聯(lián)的結果。將多種解釋結合起來考慮將指向復雜并令人困惑的情況，從而無法得出任何結論。顯然，只有通過幾個不同的實驗對同一樣品進行深入的研究，才能夠得到EB中的AF和F疇的相對大小究竟扮演者何種角色。
在EB中，我們發(fā)現(xiàn)依賴于AF和F疇大小的關系的兩種不同體制(regime)。第一，在AF疇小于F疇時，F(xiàn)疇在幾個AF疇上平均了He的方向和幅度。這就可以得到作為冷卻場函數(shù)的He的連續(xù)變化和單磁滯回線，如在雙晶的FeF2/Fe[26]和MnF2/Fe[27]樣品中發(fā)現(xiàn)的那樣。如果AF疇非常小，與各個F疇交互的AF疇的個數(shù)是非常大的。在這種情況下，能夠將各個F疇作為單獨的樣品來處理。當ZFC樣品時，用于各個疇的最后凈(net)EB的符號通過F疇的磁化方向來設置，因此，可以偶爾觀察到雙回線[20-22]。X射線反射測量結果[6]暗含了在(100)MgO上生長的雙晶的(110)FeF2中的面內結構相干性(coherence)為6-10nm，并且微晶的易磁化軸相對90度。易磁化軸的這種空間變化以及顆粒(grain)的小尺寸建立了AF疇的最大尺寸，從而得到EB的平均體制。
當AF疇的大小與F疇的大小相當，或大于F疇時，各個F疇僅耦合到具有特殊方向的EB的一個AF疇，因此沒有平均。這對于不同的冷卻場和雙磁滯回線可得到具有相同絕對值的He，如該工作所報導的那樣。在這種體制中，當樣品被零場冷卻時，通過分界面的F和AF力矩之間的反鐵磁耦合局部地設置AF中的單軸各向異性[26]。因此，用于各個F疇的EB的局部符號在樣品冷卻過程中由這些疇的磁化方向確定。因此，在TN溫度之上，具有相反磁化方向的F疇具有相同的幅度，但是在TN溫度之下，具有相反的EB符號。
同樣地，當樣品被場冷卻時，僅是上述符號而并非He的幅度依賴于冷卻場HFC。在易磁化軸上的Htotal的投影的符號確定局部EB的符號。由AF的界面扭轉檢測到的總局部冷卻場Htotal是所施加的磁場HFC和由于界面F力矩HF而產(chǎn)生的局部交換場的總和。樣品的空間的不均勻性(inhomogeneity)使得HF不均勻，這反過來這又使得Htotal不均勻。在介于中間的HFC，這使得Htotal的幅度變小，并導致空間上的不均勻性，從而引起與正負Htotal相交接的區(qū)域。因此，在這種場中將樣品冷卻到低于TN的溫度之下，將分別導致正和負的EB。根據(jù)X射線反射測量結果[6]，在(110)MgF2單晶基底上生成的非雙晶的(110)FeF2的面內結構相干性為～28nm。此外，由于缺少雙晶現(xiàn)象，AF疇大于微粒的大小，這與雙晶的FeF2的情況是不同的。已經(jīng)在單晶氟化物塊中發(fā)現(xiàn)毫米級的AF疇[28]。在ZFC的情況下，AF和F疇可與激光束的大小相比較并比其大。仿真的結果表明，相對的磁疇大小決定將樣品分為兩種磁性子系統(tǒng)和EB體制(將被發(fā)表)。
在這里描述的觀察結果與其他系統(tǒng)的關聯(lián)性在模仿AF-F系統(tǒng)的多層系統(tǒng)中示出[29]。對于具有在層中扮演界面AF旋轉角色的大磁疇的樣品而言，能夠觀察到用于中間冷卻場的雙磁滯回線。還不太清楚這種模型系統(tǒng)是否能夠正確地模仿真實AF-F系統(tǒng)中的疇結構。然而，這些結果提供了額外的、在其中相對的疇大小起作用的實驗配置結構。
因此，相對的AF和F疇大小影響交換偏置。當AF疇大于或可與F疇相比擬時，在冷卻通過AF的轉換溫度TN后，結構或磁性不均勻性導致樣品分為兩種獨立的子系統(tǒng)。各個子系統(tǒng)中的EB具有相同的幅度但是相反的符號。這導致了具有雙磁滯回線的磁化曲線，因此，明確顯示了非平均的局部EB。在具有三種不同的FNI、Fe以及Co，并具有變化的F和AF層厚度的樣品中能夠觀察到這種行為。所觀察的結果還表明，不僅F的屬性而且AF的屬性在EB中被修改。我們認為，在其他的鄰近效應中相對橫向長度比例可與空間不均勻的序參數(shù)相關，例如，與標準金屬相鄰的粒狀的超導體(S)，或與具有磁疇的F相鄰的超導體(S)[30]。
本發(fā)明的基于鐵磁(F)層和反鐵磁(AF)層之間磁耦合的磁存儲材料和器件使用F層中的剩磁對AF層刻記(imprint)。AF-F耦合產(chǎn)生交換偏置。圖6示出了通過從具有F層中的特殊剩磁值的狀態(tài)進行零場冷卻來設置AF的單軸各向異性(AF的界面扭轉)。這種刻記還用來在各個位寫入數(shù)據(jù)。交換偏置的一個結果是M(H)磁化曲線水平偏移由被稱為交換偏置場He的值表示出。在連續(xù)的多層和構圖于納米結構的多層中能夠獲得大的交換偏置。
磁穩(wěn)定二元記錄媒介上述疇刻記允許局部地控制從AF引入到F的附加單軸各向異性的方向。通過增加用于磁開關的有效能壘，這種附加的單軸各向異性提高了F位和F納米結構的磁穩(wěn)定性。
圖7A顯示了用于多種傳統(tǒng)二元磁存儲器件的示例性鐵磁性材料的磁滯回線。兩個相反方向(正向和負向)的最大磁化表示兩種邏輯狀態(tài)?；鼐€在H＝0處回到中心。因此，場強度與鐵磁性材料的矯頑磁場Hc相似或比其大的雜散場能夠使上述位改變其磁狀態(tài)，并因此擦除所存儲的信息。然而，基于F-AF耦合的新材料從H＝0處向H＝0的正側或負側偏移磁滯回線H∑。圖7B示出了這種偏移。因此，幅度小于|Hc|+|H∑|的雜散場不再影響材料的磁狀態(tài)，即便是雜散場的幅度與Hc相似或比其大。這樣，基于F-AF耦合的新材料相對于各種雜散場來說是穩(wěn)定的。此外，在F和AF層之間的交換偏置還增加了矯頑磁場Hc或新材料的磁滯回線的寬度，這還進一步增加了存儲的位抵制雜散場的穩(wěn)定性。
因此，磁媒介中的F-AF耦合的使用允許較小的位大小，并減輕鐵磁存儲媒介中的某些限制。如上所述，鐵磁存儲媒介會受到由對鄰近位進行操作的記錄頭產(chǎn)生的雜散場的不利影響，而存在部分或完全擦去存儲的信息的危險。這種偏移磁滯回線和增加媒介的矯頑磁場的F-AF耦合的媒介設計，能夠有效地降低雜散場帶來的不利影響。作為另一個實施例，本發(fā)明的技術還能夠去除或減少對操作溫度范圍的限制，所述限制用于防止由于磁位內的磁矩的溫度波動而部分或完全擦去存儲的信息。本發(fā)明的磁穩(wěn)定技術可用于磁記錄裝置，例如，高密度和高穩(wěn)定的硬盤驅動器件、磁帶、磁性RAM和其他磁存儲器或邏輯器件。
本發(fā)明的磁穩(wěn)定技術可用在進行面內或垂直磁記錄的磁記錄器件和磁記錄媒介中，以穩(wěn)定存儲在構圖或未構圖的媒介中存儲的信息，以及提高記錄密度并達到100G位/平方英寸和1T位/平方英寸的密度及更高的范圍。此外，本發(fā)明的磁穩(wěn)定技術可用來增加磁記錄帶上的信息密度，和增加記錄于磁隨機存儲器(MRAM)中的信息的密度和穩(wěn)定度。此外，為了相似的目的，本發(fā)明的磁穩(wěn)定技術可以用于其他的磁記錄應用。
本文中描述的磁穩(wěn)定技術可應用于具有多層薄膜的磁記錄媒介，包括鐵磁及反鐵磁或所謂的合成反鐵磁(SAF)，在下文中，SAF也包括在AF類型中。在位記錄過程中，記錄頭將包含F(xiàn)和AF層的位局部加熱到高于AF阻塞溫度TB的溫度。在存儲器為磁RAM的情況下，能夠使用歐姆加熱來進行阻抗加熱。通過利用類似于現(xiàn)有的或任意將來給出的技術，施加記錄頭產(chǎn)生的局部磁場，對位的F層磁化進行切換。接著停止加熱，位被冷卻到低于TB的溫度，從而設置引入到F中的AF層的單軸各向異性。圖8示出了沿著MgF2/FeF2/Ni樣品的易磁化軸測量的磁滯曲線，所述樣品在2kOe場內冷卻，圖中示出了由F層引入的單軸各向異性被刻記在AF層。
在此之后，將磁場關閉。作為一種替換處理，可在冷卻樣品之前關閉磁場，以獲得和圖8示出的同樣的結果。這種設計和處理增加了用于位切換的能壘，并防止由于溫度的波動、或在處理記錄鄰近的位時擦除上述位?？梢酝ㄟ^任意的方法進行局部加熱，例如，使用例如組合位/字線(例如，在CMOS型的存儲器中寫入位)的設計，利用激光、近場光學器件、導電掃描探針顯微鏡探針尖、或對位本身或與所述位的區(qū)域接觸的部件進行阻抗(電阻)加熱。
可以使用現(xiàn)有的或將來的磁信息讀出技術來進行讀出操作。讀取頭檢測由于F層的位的磁矩而導致的雜散磁場。由于與AF層的交換偏置，上述位的磁滯回線被偏移到正向場或負向場。如果回線負向偏移，剩磁是正的，反之亦然。這定義了狀態(tài)“0”和“1”。AF材料需要TB＞80℃。這包括但不限于NiO、IrMn和FeMn。
F-AF耦合的媒介還可以被構圖，以將不同的磁位相互分開從而進一步提高穩(wěn)定性、和對雜散場的容忍性。圖9A和9B示出了與單獨的鐵磁性材料(僅為Fe)相比較的、從連續(xù)的AF層(例如FeF2)上的鐵磁層(例如Fe)構圖的磁點。
圖10A和10B進一步示出了僅有Fe的點媒介與Fe/FeF2點媒介的測量的穩(wěn)定性數(shù)據(jù)。
來自F-AF耦合的、具有多狀態(tài)的磁存儲上述從F層到AF層的印記能夠被用來局部地設置向正向或負向的交換偏置方向。因此，能夠創(chuàng)建雙疇的磁狀態(tài)，其中兩個磁疇具有相反的交換偏置方向。兩個疇的大小比率決定用作存儲數(shù)據(jù)的磁“位”的磁域的剩磁。在一個位位置處使用兩個磁疇允許建立具有多狀態(tài)磁“位”的磁存儲器，所述多狀態(tài)磁“位”被很好地定義并在廣泛的磁場中是穩(wěn)定的。上述狀態(tài)與飽和的磁化Ms的正值和負值之間的剩磁Mr的值對應，從而使得Mri＝Ms/n，其中，2n+1為狀態(tài)的總數(shù)，i可以是-n和+n之間的任意值。多狀態(tài)的最大數(shù)量由器件的磁感應限制來設置。
圖11和12示出了從高于奈爾溫度TN(在這種情況下與阻塞溫度一致)的溫度到低于奈爾溫度TN的溫度，通過在各種磁場中冷卻，或通過在所選擇的剩磁狀態(tài)進行零場冷卻，將F-AF媒介中的F層的剩磁設置為不同的值的實施例。
在上述多狀態(tài)存儲器件中，讀出上述多狀態(tài)“位”的處理可以通過各種方法來實現(xiàn)，包括磁光(magneto-optical)或磁阻(magneto-resistive)的方法。多狀態(tài)的磁材料可以在用于面內和垂直磁記錄的多狀態(tài)的磁記錄器件以及磁記錄媒介中使用。在大量的有益效果中，通過將信息記錄在存儲多于一位信息的多狀態(tài)磁“位”中，上述材料可以用來增加磁存儲器的密度?；谏鲜龅亩酄顟B(tài)位可以創(chuàng)建多狀態(tài)磁邏輯部件和器件。
在各種實現(xiàn)中，上述材料可用來形成包括鐵磁及反鐵磁或所謂的合成反鐵磁(SAF)(在下文中，SAF也包括在AF類型中)的多層薄膜。兩個磁疇的大小比率決定用作磁“位”的磁域的剩磁。剩磁的準確值可以通過各種磁化處理來設置和控制。
可以使用各種寫的方法在各個位中產(chǎn)生期望的剩磁水平。下面示出了其兩個實施例。圖13示出了第一個寫的方法，其中在沒有外場的情況下執(zhí)行冷卻。更具體地，在這種方法中執(zhí)行下面的步驟。
1.將所選擇的磁位加熱到其阻塞溫度TB之上，TB即設置交換偏置方向的溫度。
2.通過跟隨局部磁滯回線獲得選擇的剩磁Mr0。一個可能的處理是通過施加足夠大的、方向與Mr0相反的磁場來使磁位的磁化飽和，接著施加方向為Mr0的較小磁場，以在去掉所施加的磁場后，產(chǎn)生等于Mr0的剩磁。然后去除磁場。
3.在不施加磁場的情況下，將位冷卻到低于TB的溫度。
4.剩磁值被印記在該AF-F位中，并不受用于對鄰近位進行寫入的磁場的影響，或受來自鄰近磁位的雜散場的影響，只要將特殊的位保持在低于TB的溫度。
下面描述第二個寫處理方法，其中，在冷卻的過程中施加外場。
1.將所選擇的磁位加熱到其阻塞溫度TB之上，TB即設置交換偏置方向的溫度。
2.施加特殊幅度的磁場。
3.在施加的磁場中將位冷卻到低于TB的溫度。
4.對特殊幅度的磁場中的位的冷卻允許設置雙磁疇結構，該雙磁疇結構具有雙磁滯回線(具有選擇的剩磁值)。剩磁值被印記在該AF-F位中，并不受用于對鄰近位進行寫入的磁場的影響，或受來自鄰近磁位的雜散場的影響，只要將特殊的位保持在低于TB的溫度。
在寬泛的場范圍內非常穩(wěn)定的范圍-Ms和Ms之間，記錄的信號能夠被設置成與位的任意選擇的剩磁對應?？梢酝ㄟ^任意的方法進行局部加熱，例如，使用例如組合位/字線(例如，在CMOS型的存儲器中寫入位)的設計，利用激光、近場光學器件、導電掃描探針顯微鏡探針尖、或對位本身或與所述位的區(qū)域接觸的部件進行阻抗(電阻)加熱。AF材料需要具有對于應用有用的TB＞80℃。合適的AF材料的例子包括但不限于NiO、IrMn和FeMn。對于多狀態(tài)“位”的讀出處理能夠通過各種方法來實現(xiàn)，包括磁光或磁阻的方法。一個可能的情況是測量與剩磁的值(與記錄的狀態(tài)對應)成比例的磁光克爾效應(MOKE)。
這種多狀態(tài)位可用作生成新的多狀態(tài)邏輯部件和器件的基礎。在這種情況下，作為對激光加熱的替換，電阻性加熱可以用于上述的寫處理。讀出器可以是磁光和磁抗的。用于可能的磁抗讀出器的實施例可以是磁“位”頂部的磁抗傳感器。傳感器的阻抗值應該獨特地對應(成比例)于局部磁場的值，這與在GMR讀頭中使用的技術相似。
上述和其他材料的應用包括磁記錄，例如高密度和高穩(wěn)定的硬盤驅動器件、磁帶、磁性RAM、其他的磁記錄器件，以及多狀態(tài)邏輯器件和邏輯電路的元件。其他的應用也是可能的。
以上僅描述了少數(shù)應用的實施例，還可以進行其他的變化和修改。
權利要求
書(按照條約第19條的修改)1.一種器件，包括磁存儲材料，所述磁存儲材料包括鐵磁層和鄰近的反鐵磁層，所述鐵磁層和鄰近的反鐵磁層相互磁性地耦合以在工作溫度下存儲數(shù)據(jù)，所述工作溫度低于所述反鐵磁層的阻塞溫度，所述阻塞溫度低于所述鐵磁材料的居里溫度。
2.如權利要求
1所述的器件，其中，所述磁存儲材料被配置為具有多于兩種的磁狀態(tài)。
3.如權利要求
1所述的器件，其中，所述鐵磁層和所述反鐵磁層被選擇，以將所述磁存儲材料的磁滯回線從零場偏移到大于所述器件中的雜散磁場的磁場。
4.如權利要求
1所述的器件，還包括磁頭，讀寫所述磁存儲材料；以及溫度控制機制，當向所選擇的磁疇寫入數(shù)據(jù)時，局部地控制所選擇的磁疇和所述磁存儲材料的溫度。
5.如權利要求
4所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括激光器，并在寫的過程中將來自所述激光器的激光束聚焦到所選擇的磁疇。
6.如權利要求
5所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括近場光學器件，以對所述激光束進行聚焦。
7.如權利要求
4所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括導電掃描探針顯微鏡(SPM)的探針尖，用來加熱所選擇的磁疇。
8.如權利要求
4所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括阻抗(電阻)加熱機制作為各個磁疇的一部分。
9.如權利要求
4所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括與所述所選擇的磁疇接觸的阻抗(電阻)加熱元件。
10.如權利要求
1所述的器件，還包括溫度控制機制，以在向所選擇的磁疇寫入數(shù)據(jù)時，局部地控制所述所選擇的磁疇和所述磁存儲材料的溫度11.如權利要求
10所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括激光器，并在寫的過程中將來自所述激光器的激光束聚焦到所選擇的磁疇。
12.如權利要求
11所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括近場光學器件，以對所述激光束進行聚焦。
13.如權利要求
10所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括導電掃描探針顯微鏡(SPM)的探針尖，用來加熱所選擇的磁疇。
14.如權利要求
10所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括阻抗(電阻)加熱機制作為各個磁疇的一部分。
15.如權利要求
10所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括與所述所選擇的磁疇接觸的阻抗(電阻)加熱元件。
16.一種方法，包括提供一種磁存儲材料，所述磁存儲材料包括鐵磁層和鄰近的反鐵磁層，所述鐵磁層和鄰近的反鐵磁層相互磁性地耦合以在工作溫度下存儲數(shù)據(jù)，所述工作溫度低于所述反鐵磁層的阻塞溫度，所述阻塞溫度低于所述鐵磁材料的居里溫度；進行局部加熱以使所述磁存儲材料中的所選擇的磁位的溫度高于
權利要求
1.一種器件，包括磁存儲材料，所述磁存儲材料包括鐵磁層和鄰近的反鐵磁層，所述鐵磁層和鄰近的反鐵磁層相互磁性地耦合以在工作溫度下存儲數(shù)據(jù)，所述工作溫度低于所述反鐵磁層的阻塞溫度，所述阻塞溫度低于所述鐵磁材料的居里溫度。
2.如權利要求
1所述的器件，其中，所述磁存儲材料被配置為具有多于兩種的磁狀態(tài)。
3.如權利要求
1所述的器件，其中，所述鐵磁層和所述反鐵磁層被選擇，以將所述磁存儲材料的磁滯回線從零場偏移到大于所述器件中的雜散磁場的磁場。
4.如權利要求
1所述的器件，還包括磁頭，讀寫所述磁存儲材料；以及溫度控制機制，當向所選擇的磁疇寫入數(shù)據(jù)時，局部地控制所選擇的磁疇和所述磁存儲材料的溫度。
5.如權利要求
4所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括激光器，并在寫的過程中將來自所述激光器的激光束聚焦到所選擇的磁疇。
6.如權利要求
5所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括近場光學器件，以對所述激光束進行聚焦。
7.如權利要求
4所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括導電掃描探針顯微鏡(SPM)的探針尖，用來加熱所選擇的磁疇。
8.如權利要求
4所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括阻抗(電阻)加熱機制作為各個磁疇的一部分。
9.如權利要求
4所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括與所述所選擇的磁疇接觸的阻抗(電阻)加熱元件。
10.如權利要求
1所述的器件，還包括溫度控制機制，以在向所選擇的磁疇寫入數(shù)據(jù)時，局部地控制所述所選擇的磁疇和所述磁存儲材料的溫度。
11.如權利要求
10所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括激光器，并在寫的過程中將來自所述激光器的激光束聚焦到所選擇的磁疇。
12.如權利要求
11所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括近場光學器件，以對所述激光束進行聚焦。
13.如權利要求
10所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括導電掃描探針顯微鏡(SPM)的探針尖，用來加熱所選擇的磁疇。
14.如權利要求
10所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括阻抗(電阻)加熱機制作為各個磁疇的一部分。
15.如權利要求
10所述的器件，其中，所述溫度控制機制包括與所述所選擇的磁疇接觸的阻抗(電阻)加熱元件。
16.一種方法，包括提供一種磁存儲材料，所述磁存儲材料包括鐵磁層和鄰近的反鐵磁層，所述鐵磁層和鄰近的反鐵磁層相互磁性地耦合以在工作溫度下存儲數(shù)據(jù)，所述工作溫度低于所述反鐵磁層的阻塞溫度，所述阻塞溫度低于所述鐵磁材料的居里溫度；進行局部加熱以使所述磁存儲材料中的所選擇的磁位的溫度高于所述阻塞溫度；在高于所述阻塞溫度的所述溫度下，對所述所選擇的磁位應用磁化處理，以將剩磁設置為從用于多狀態(tài)存儲媒介的預定剩磁集合中選擇的值，以對位進行寫操作；去除所述所選擇的磁位處的外磁場；以及在所述零場，將所述所選擇的磁位的溫度降低到所述阻塞溫度之下，以將剩磁存儲在所述所選擇的位中。
17.如權利要求
16所述的方法，還包括當檢測所述所選擇的磁位以進行讀出時，將所述所選擇的磁位的溫度保持為低于所述阻塞溫度。
18.一種方法，包括提供一種磁存儲材料，所述磁存儲材料包括鐵磁層和鄰近的反鐵磁層，所述鐵磁層和鄰近的反鐵磁層相互磁性地耦合以在工作溫度下存儲數(shù)據(jù)，所述工作溫度低于所述反鐵磁層的阻塞溫度，所述阻塞溫度低于所述鐵磁材料的居里溫度；進行局部加熱以使所述磁存儲材料中的所選擇的磁位的溫度高于所述阻塞溫度；在高于所述阻塞溫度的所述溫度下，對所述所選擇的磁位應用磁化處理，以將剩磁設置為從用于多狀態(tài)存儲媒介的預定剩磁集合中所選擇的值，以對位進行寫操作；在保持所述磁化處理的磁場的同時，將所述所選擇的磁位的溫度降低到所述阻塞溫度之下，以將所述剩磁存儲在所述所選擇的位中。
19.如權利要求
18所述的方法，還包括當檢測所述所選擇的磁位以進行讀出時，將所述所選擇的磁位的溫度保持為低于所述阻塞溫度。
20.一種方法，包括提供一種磁存儲材料作為二元存儲媒介，所述磁存儲材料包括鐵磁層和鄰近的反鐵磁層，所述鐵磁層和鄰近的反鐵磁層相互磁性地耦合以提供磁滯回線；以及配置所述鐵磁層和鄰近的反鐵磁層，以使得所述磁滯回線的中心離開H＝0處，從而使各個二元狀態(tài)相對于雜散磁場是穩(wěn)定的。
專利摘要
用于使用鐵磁和反鐵磁耦合和交換偏置的磁材料和方法，所述材料和方法用于二元和多狀態(tài)磁存儲器件。
文檔編號G11B5/66GK1997515SQ200580023848
公開日2007年7月11日 申請日期2005年7月13日
發(fā)明者伊戈爾·V·羅辛, 奧列格·彼得克, 拉斐爾·莫拉萊斯, 李志攀, 澤維爾·巴特勒, 伊萬·K·舒勒 申請人:加利福尼亞大學董事會導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan