本發(fā)明涉及隔熱增透膜技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種光譜選擇反射型隔熱膜。
背景技術(shù)：
太陽光包括紫外光、光見光和近紅外光，隔熱膜是一種能夠調(diào)節(jié)進入室內(nèi)或車內(nèi)的可見光，并可以很好地隔離紅外線熱輻射的工程薄膜。隔熱膜通過對紅外波段熱輻射的隔離可大大減少因紅外熱輻射給室內(nèi)或車內(nèi)帶來的不必要的熱量，從而降低空調(diào)能耗，起到綠色環(huán)保的效果，通過調(diào)節(jié)可見光的透過率以達到人眼感覺舒適的太陽光的效果。
目前，國外生產(chǎn)的隔熱膜占據(jù)大部分市場，膜的質(zhì)量參差不齊，原色膜和染色膜可見光透過性率低，隔熱效果較差，磁控濺射和蒸發(fā)鍍制的金屬膜長時間使用會造成中間金屬層的氧化，降低了隔熱效果，并且該膜對太陽能光譜選擇性較弱，對可見光也可能產(chǎn)生較多的反射，在一定程度上造成光污染?！兑环N隔熱薄膜》（公開號101474902A）公開的隔熱薄膜由透明基材和鍍在基材上的多層薄膜構(gòu)成，該多層薄膜的膜系結(jié)構(gòu)為ZAO-AgAu-TiO2-AgAu-ZAO；《一種透明隔熱玻璃》（公開號CN 1800068A）公開了一種透明隔熱玻璃，是由玻璃基板和透明隔熱涂層組成的單層隔熱膜結(jié)構(gòu)。
上述公開現(xiàn)有技術(shù)中的膜系設(shè)計雖然對可見光的透過率和阻隔紅外線起到了一定的效果，但是效果不理想，另外，金屬層長時間經(jīng)受太陽光照射易氧化，從而造成隔熱膜效率下降的問題沒有得到徹底解決。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種光譜選擇反射型隔熱膜，該隔熱膜具有良好的光譜選擇性，并且能夠減緩金屬層的氧化、凝聚和擴散現(xiàn)象，提高可見光透過率。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：
一種光譜選擇反射型隔熱膜，包括由下至上依次層疊的聚酯膜基層、下硫化鋅層、下鋁鈦合金層、金屬層、上鋁鈦合金層、上硫化鋅層與減反增透層；所述聚酯膜基層為厚度1～30μm的無色透明薄膜；所述上硫化鋅層與下硫化鋅層的厚度為10～100nm；上鋁鈦合金層與下鋁鈦合金層的厚度為1～50nm；金屬層為厚度1～30 nm的鋁層或銀層；減反增透層的厚度為100～300nm。
進一步的，所述上鋁鈦合金層與下鋁鈦合金層中鈦的質(zhì)量百分比含量均為4%～8%。
進一步的，所述減反增透層單分散介孔空心二氧化硅球薄膜，單分散介孔空心二氧化硅球的粒徑為100nm，球壁厚10～15nm。
本發(fā)明的有益效果是，采用具有高折射率的硫化鋅層作為介質(zhì)層，形成D/M/D的結(jié)構(gòu)，增加隔熱膜的光譜選擇性；通過在金屬層兩側(cè)設(shè)置鋁鈦合金層，以減緩金屬層的氧化、凝聚和擴散現(xiàn)象；利用單分散介孔空心二氧化硅球薄膜作為減反增透層從整體上提高隔熱膜的可見光透過率。
附圖說明
下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明：
圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
實施例一
如圖1所示，本發(fā)明提供一種光譜選擇反射型隔熱膜，包括由下至上依次層疊的聚酯膜基層1、下硫化鋅層2、下鋁鈦合金層3、金屬層4、上鋁鈦合金層5、上硫化鋅層6與減反增透層7；所述聚酯膜基層為厚度1μm的無色透明薄膜；所述上硫化鋅層6與下硫化鋅層2的厚度為10nm；上鋁鈦合金層5與下鋁鈦合金層3的厚度為1nm；上鋁鈦合金層5與下鋁鈦合金層3中鈦的質(zhì)量百分比含量均為4%；金屬層4為厚度1 nm的銀層；減反增透層7的厚度為100nm，減反增透層7為單分散介孔空心二氧化硅球薄膜，單分散介孔空心二氧化硅球的粒徑為100nm，球壁厚10～15nm；單分散介孔空心二氧化硅球薄膜可采用單分散介孔空心二氧化硅球分散于二氧化硅或二氧化鈦的溶膠中，再利用浸漬提拉法或者旋涂法制得，單分散介孔空心二氧化硅球的質(zhì)量濃度小于1%。
實施例二
如圖1所示，本發(fā)明提供一種光譜選擇反射型隔熱膜，包括由下至上依次層疊的聚酯膜基層1、下硫化鋅層2、下鋁鈦合金層3、金屬層4、上鋁鈦合金層5、上硫化鋅層6與減反增透層7；所述聚酯膜基層為厚度15μm的無色透明薄膜；所述上硫化鋅層6與下硫化鋅層2的厚度為50nm；上鋁鈦合金層5與下鋁鈦合金層3的厚度為30nm；上鋁鈦合金層5與下鋁鈦合金層3中鈦的質(zhì)量百分比含量均為6%；金屬層4為厚度15 nm的鋁層；減反增透層7的厚度為200nm，減反增透層7為單分散介孔空心二氧化硅球薄膜，單分散介孔空心二氧化硅球的粒徑為100nm，球壁厚10～15nm；單分散介孔空心二氧化硅球薄膜可采用單分散介孔空心二氧化硅球分散于二氧化硅或二氧化鈦的溶膠中，再利用浸漬提拉法或者旋涂法制得，單分散介孔空心二氧化硅球的質(zhì)量濃度小于1%。
實施例三
如圖1所示，本發(fā)明提供一種光譜選擇反射型隔熱膜，包括由下至上依次層疊的聚酯膜基層1、下硫化鋅層2、下鋁鈦合金層3、金屬層4、上鋁鈦合金層5、上硫化鋅層6與減反增透層7；所述聚酯膜基層為厚度30μm的無色透明薄膜；所述上硫化鋅層6與下硫化鋅層2的厚度為100nm；上鋁鈦合金層5與下鋁鈦合金層3的厚度為50nm；上鋁鈦合金層5與下鋁鈦合金層3中鈦的質(zhì)量百分比含量均為8%；金屬層4為厚度30 nm的銀層；減反增透層7的厚度為300nm，減反增透層7為單分散介孔空心二氧化硅球薄膜，單分散介孔空心二氧化硅球的粒徑為100nm，球壁厚10～15nm；單分散介孔空心二氧化硅球薄膜可采用單分散介孔空心二氧化硅球分散于二氧化硅或二氧化鈦的溶膠中，再利用浸漬提拉法或者旋涂法制得，單分散介孔空心二氧化硅球的質(zhì)量濃度小于1%。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同替換、等效變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。