技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于微尺寸近臨界密度等離子體的伽馬射線源，包括真空靶室系統(tǒng)及設(shè)置在所述的真空靶室系統(tǒng)內(nèi)側(cè)的復(fù)合結(jié)構(gòu)靶，所述的復(fù)合結(jié)構(gòu)靶包括靶框及設(shè)置在靶框一側(cè)的金屬鉭柱，在所述的靶框遠離所述的金屬鉭柱一端覆蓋有低密度碳氫層，在所述的金屬鉭柱與所述的靶框之間設(shè)置有密閉空腔，所述的低密度碳氫層厚度為10μm，平均密度為5mg/cm3，所述的靶框為非金屬制成。本發(fā)明還公開了一種基于微尺寸近臨界密度等離子體的伽馬射線源產(chǎn)生方法。本發(fā)明相比現(xiàn)有技術(shù)的其他激光伽馬射線源相比，具有源尺寸小、源亮度高、成本低等優(yōu)點。

技術(shù)研發(fā)人員：王劍
受保護的技術(shù)使用者：內(nèi)江師范學院
文檔號碼：201610529255
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.05
技術(shù)公布日：2017.10.03