雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗的制作方法
【專(zhuān)利摘要】雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗屬于電磁屏蔽【技術(shù)領(lǐng)域】，電磁屏蔽光窗由兩層金屬網(wǎng)柵旋轉(zhuǎn)交錯(cuò)排列加載于光窗透明基片或襯底兩側(cè)構(gòu)成，每層金屬網(wǎng)柵均由一組同心金屬圓環(huán)對(duì)和另一不同直徑金屬圓環(huán)分別按等邊三角形排列密接排布構(gòu)成并交叉分布加載于光窗透明基片或襯底表面，同一直徑相鄰圓環(huán)外切連通；同心圓環(huán)對(duì)中外圓環(huán)作為基本圓環(huán)其內(nèi)部含有與其內(nèi)切連通、金屬的子圓環(huán)。在圓環(huán)相切連通的連接處，通過(guò)線條交疊或設(shè)置保證金屬環(huán)切點(diǎn)間可靠電聯(lián)接的金屬，確保所有圓環(huán)相互導(dǎo)電。通過(guò)雙層網(wǎng)柵交錯(cuò)角的選取，本發(fā)明的金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)可顯著降低網(wǎng)柵高級(jí)衍射光強(qiáng)分布的不均勻性，使衍射造成的雜散光分布更加均勻，對(duì)成像影響更小。
【專(zhuān)利說(shuō)明】雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于光學(xué)透明件電磁屏蔽領(lǐng)域，特別涉及一種雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電磁波應(yīng)用頻譜的展寬和強(qiáng)度的增加，對(duì)航天航空裝備、先進(jìn)光學(xué)儀器、通訊設(shè)備、醫(yī)療診斷儀器和保密設(shè)施等領(lǐng)域應(yīng)用的電磁屏蔽光窗的要求越來(lái)越高，主要是要求光窗具有超強(qiáng)的寬波段電磁屏蔽能力的同時(shí)，還具有極高的透光率，對(duì)光學(xué)成像、觀測(cè)、探測(cè)的影響越小越好。比如，航天航空裝備領(lǐng)域中飛行器的光窗，必須高品質(zhì)的實(shí)現(xiàn)艙內(nèi)外的電磁信號(hào)隔離，一方面屏蔽外部電磁干擾和有害電磁信號(hào)，以免造成艙內(nèi)電子設(shè)備失效，一方面防止艙內(nèi)電子設(shè)備工作時(shí)電磁信號(hào)透出光窗造成電磁泄漏，但光窗的透光性是其必備的功能，對(duì)光窗進(jìn)行電磁屏蔽應(yīng)盡可能的減小對(duì)其透明性的影響，特別是盡可能的不影響光學(xué)探測(cè)或光學(xué)成像功能；與此類(lèi)似，先進(jìn)光學(xué)儀器的光窗也要有盡可能高的透光率和盡可能低的成像質(zhì)量影響，以實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的探測(cè)和測(cè)量，同時(shí)要防止電磁干擾對(duì)儀器內(nèi)部光電探測(cè)器件的影響；對(duì)于黨政機(jī)關(guān)、軍事指揮場(chǎng)所、重要科研單位的保密建筑設(shè)施，需要對(duì)其房屋的窗玻璃在保證采光性的同時(shí)，進(jìn)行電磁屏蔽設(shè)計(jì)，以防止室內(nèi)電腦等電子設(shè)備工作時(shí)重要信息以電磁輻射形式向窗外傳播造成泄密；醫(yī)療用電磁隔離室光窗要保證室內(nèi)的電磁波絕大部分被屏蔽而防止室外操作人員長(zhǎng)期被電磁波輻射而損害健康，等等。目前這類(lèi)光窗的電磁屏蔽主要采用透明導(dǎo)電薄膜、金屬誘導(dǎo)透射型多層膜結(jié)構(gòu)、帶阻型頻率選擇表面和具有毫米亞毫米周期的金屬網(wǎng)柵等。
[0003]透明導(dǎo)電薄膜是一種以氧化銦錫為主要材料的透明金屬氧化物薄膜，常應(yīng)用于可見(jiàn)光波段透明的場(chǎng)合，但是不能兼顧較寬的透光波段，雖具有較寬的微波屏蔽波段但屏蔽能力不強(qiáng)。金屬誘導(dǎo)透射型多層膜結(jié)構(gòu)采用多層薄金屬膜與介質(zhì)膜復(fù)合結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁波的屏蔽，對(duì)低頻微波屏蔽能力較強(qiáng)，透光區(qū)域主要為可見(jiàn)光和紫外光，但透光率不高。頻率選擇表面采用周期性諧振單元結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)帶通或帶阻濾波器功能，由于其金屬覆蓋率較高，能夠很好地反射工作頻帶以外的干擾電磁波，但是光學(xué)透光率較低，降低了光學(xué)探測(cè)的成像質(zhì)量，給光學(xué)圖像處理、模式識(shí)別、目標(biāo)搜索和跟蹤帶來(lái)了困難。綜上所述，同時(shí)滿足光窗的寬波段高透光率和寬頻段電磁屏蔽兩個(gè)要求，上述各技術(shù)方案均存在明顯不足。相比而言，具有毫米亞毫米周期的金屬網(wǎng)柵，由于其周期比干擾電磁波長(zhǎng)小得多，可以實(shí)現(xiàn)較強(qiáng)的低頻寬波段電磁屏蔽；而金屬網(wǎng)柵周期又遠(yuǎn)大于光學(xué)波長(zhǎng)，可以保證光學(xué)波段的透光率。因此，毫米亞毫米周期的金屬網(wǎng)柵具有良好的透明導(dǎo)電性能，可滿足光窗對(duì)高透光率和寬頻段電磁屏蔽的要求，在光窗電磁屏蔽【技術(shù)領(lǐng)域】得到了廣泛的應(yīng)用:
[0004]1.專(zhuān)利03135313.5 “一種電磁屏蔽觀察窗”用單重或多重金屬絲網(wǎng)以及類(lèi)半導(dǎo)體量子阱結(jié)構(gòu)組合成電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)IOGHz以內(nèi)超過(guò)50dB的屏蔽效率，該結(jié)構(gòu)在可見(jiàn)光高透射區(qū)域的透光率達(dá)到50%以上。
[0005]2.專(zhuān)利93242068.0 “電磁屏蔽玻璃”在兩層玻璃之間夾導(dǎo)電金屬網(wǎng)，在玻璃外側(cè)用導(dǎo)電透明膜使之粘合在金屬窗框上以構(gòu)成電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)有一定的采光性。
[0006]3.專(zhuān)利94231862.5 “無(wú)莫爾條紋電磁屏蔽觀察窗”采用由兩層數(shù)目不同的金屬網(wǎng)平行放置，且它們經(jīng)線或者緯線有一定的夾角，以達(dá)到克服莫爾條紋現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)更清晰的視野。
[0007]4.專(zhuān)利02157954.7 “高屏效防信息泄漏玻璃”在金屬絲網(wǎng)兩側(cè)各有一層聚碳酸脂膠片，膠片外側(cè)各貼附一層玻璃，最后熱壓而成電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)在透光率達(dá)到60 %的情況下，
[0008]具有較強(qiáng)的屏蔽效率。
[0009]5.專(zhuān)利200610084149.8 “電磁波屏蔽薄膜及其制造方法”描述了一種由光刻工藝形成的具有金屬網(wǎng)狀圖案的高透明電磁屏蔽薄膜，該發(fā)明的主要目的在于減少金屬耗用量和克服在金屬層和薄膜基材之間使用固化膠造成的環(huán)境污染。
[0010]6.美國(guó)專(zhuān)利 US4871220“Short wavelength pass filter having a metal meshon a semiconducting substrate”描述了一種具有正方形結(jié)構(gòu)的金屬網(wǎng)柵,用于實(shí)現(xiàn)光窗的抗電磁干擾性能。
[0011]7.專(zhuān)利201010239355.8 “一種具有經(jīng)緯形網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的電磁屏蔽共形光學(xué)窗”描述了一種通過(guò)金屬網(wǎng)柵技術(shù)和共形光學(xué)窗技術(shù)實(shí)現(xiàn)的一種具有經(jīng)緯形金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的共形電磁屏蔽光學(xué)窗，主要解決共形光學(xué)窗金屬網(wǎng)柵的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)問(wèn)題，提高共形光學(xué)窗的電磁屏蔽性能。
[0012]8.專(zhuān)利200610010066.4 “具有圓環(huán)金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的電磁屏蔽光學(xué)窗”描述了一種具有圓環(huán)外形的金屬網(wǎng)柵單元，用于實(shí)現(xiàn)光學(xué)窗的電磁屏蔽功能；相比單層方格金屬網(wǎng)柵，透光率和屏蔽能力得到了提高，高級(jí)次衍射造成的雜散光也得到了一定的均化。
[0013]9.專(zhuān)利200810063988.0 “一種具有雙層方格金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的電磁屏蔽光學(xué)窗”描述了一種由結(jié)構(gòu)參數(shù)相同的方格金屬網(wǎng)柵或金屬絲網(wǎng)平行放置于光學(xué)窗或透明襯底兩側(cè)構(gòu)成的電磁屏蔽光學(xué)窗，在不降低透光率的同時(shí)，大幅度提高了電磁屏蔽效率。
[0014]10.專(zhuān)利200810063987.6 “一種具有雙層圓環(huán)金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的電磁屏蔽光學(xué)窗”描述了 一種由兩層圓環(huán)金屬網(wǎng)柵加載于光學(xué)窗兩側(cè)構(gòu)成的電磁屏蔽光學(xué)窗，解決高透光率和強(qiáng)電磁屏蔽效率不能同時(shí)兼顧的問(wèn)題。
[0015]11.美國(guó)Battelle研究院Jennifer 1.Halman等人開(kāi)發(fā)的基于圓環(huán)單元的轂-福條型結(jié)構(gòu)和多圓環(huán)交疊結(jié)構(gòu)的感性金屬網(wǎng)柵(Jennifer 1.Halman等,“Predicted andmeasured transmission and diffraction by a metallic mesh coating，，.Proc.SPIE,2009,7302:73020Y-l-73020Y-8)，并認(rèn)為該結(jié)構(gòu)可使得網(wǎng)柵高級(jí)次衍射分布均化，實(shí)現(xiàn)低
旁瓣，對(duì)成像有利。
[0016]12.美國(guó) Exotic Electro-Optics 公司的 Ian B.Murray、美國(guó)亞利桑那大學(xué)的Victor Densmore和Vaibhav Bora等人共同報(bào)道了對(duì)轂-福條型結(jié)構(gòu)和多圓環(huán)交疊結(jié)構(gòu)的感性網(wǎng)柵引入了參數(shù)隨機(jī)分布設(shè)計(jì)后對(duì)衍射特性的影響(Ian B.Murray, VictorDensmore, Vaibhav Bora 等人，“Numerical comparision of grid pattern diffractioneffects through measurement and modeling with OptiScan software，，，Proc.SPIE,2011,8016:80160U-1-80160U-15)，指出各圓環(huán)間距和直徑在一定范圍內(nèi)隨機(jī)取值，有利于提高高級(jí)次衍射分布的均勻性。[0017]上述各方案由于采用金屬網(wǎng)柵(或金屬絲網(wǎng))作為屏蔽的核心器件，可以實(shí)現(xiàn)較好的電磁屏蔽效果和一定的透光率。但采用金屬網(wǎng)柵(或金屬絲網(wǎng))作為電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，就不可避免的受到網(wǎng)柵在光學(xué)波段衍射的影響。由于金屬網(wǎng)柵的周期在毫米或者亞毫米量級(jí)，為實(shí)現(xiàn)較高的透光率，其金屬線條寬度一般在微米和亞微米量級(jí)，這樣的結(jié)構(gòu)參數(shù)在光學(xué)波段具有非常強(qiáng)的衍射效應(yīng)。入射光絕大部分能量被金屬網(wǎng)柵透射，透射部分包含零級(jí)衍射光和高級(jí)次衍射光，通常，零級(jí)次衍射光是用于成像和觀測(cè)的有用信息，高級(jí)次衍射光則構(gòu)成雜散光，對(duì)成像和探測(cè)產(chǎn)生干擾。因此，應(yīng)盡可能的提高零級(jí)次衍射光所占的比重，同時(shí)，在高級(jí)次衍射光不可避免出現(xiàn)的前提下，盡可能使高級(jí)次衍射光分布比較均勻，其形成的雜散光成為比較均勻的背景或者噪聲。
[0018]目前金屬網(wǎng)柵主要為傳統(tǒng)方格網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)，如上述專(zhuān)利1-6所主要采用的結(jié)構(gòu)(專(zhuān)利7的結(jié)構(gòu)由于加工在曲面之上，是一種類(lèi)方格結(jié)構(gòu))，方格網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)透光能力與屏蔽能力存在固有的矛盾，難以同時(shí)兼顧高透光率和強(qiáng)電磁屏蔽效率，特別是方格網(wǎng)柵的高級(jí)次衍射能量主要集中在互相垂直的兩軸上，對(duì)成像質(zhì)量有一定的影響，甚至在高成像質(zhì)量要求的場(chǎng)合難以應(yīng)用。改變網(wǎng)柵衍射特性一般需要改變其結(jié)構(gòu)特征，上述專(zhuān)利200610010066.4 “具有圓環(huán)金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的電磁屏蔽光學(xué)窗”提出用金屬圓環(huán)構(gòu)建成圓環(huán)金屬網(wǎng)柵，改善了方格金屬網(wǎng)柵高級(jí)次衍射能量集中分布的缺點(diǎn)，并可以緩解其透光能力與屏蔽能力的矛盾。上述文獻(xiàn)11和12中，Jennifer 1.Halman等人和Ian B.Murray等人，也都提出了基于圓環(huán)單元的金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)來(lái)提高高級(jí)次衍射分布的均勻性，但Jennifer
1.Ha I m an等人的研究也是單周期圓環(huán)排列結(jié)構(gòu),且排列方向確定,其對(duì)調(diào)節(jié)高級(jí)次衍射的作用與專(zhuān)利200610010066.4提出的結(jié)構(gòu)相當(dāng)，而Ian B.Murray等人的研究雖然更進(jìn)一步，提出隨機(jī)交疊圓環(huán)結(jié)構(gòu)，令圓環(huán)直徑和間距在一定范圍內(nèi)隨機(jī)分布取值，實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步提高高級(jí)次衍射分布均勻性，但圓環(huán)直徑和間距的隨機(jī)分布改變了網(wǎng)孔分布的均勻性，將損害電磁屏蔽效率。
[0019]隨著電磁環(huán)境的日益復(fù)雜，對(duì)電磁屏蔽光窗的透光能力和電磁屏蔽能力的要求在不斷提高，尤其是在航空航天裝備領(lǐng)域和先進(jìn)光學(xué)儀器領(lǐng)域，已經(jīng)要求光窗達(dá)到95%甚至更高的透光率的同時(shí)，還具有極低的成像質(zhì)量影響，在低于20GHz的微波頻率范圍實(shí)現(xiàn)30dB以上的屏蔽效率，這使得現(xiàn)有的技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)。專(zhuān)利200810063988.0和專(zhuān)利200810063987.6均采用了雙層金屬網(wǎng)柵平行放置于光窗透明基片或襯底的兩側(cè)構(gòu)成，兩層金屬網(wǎng)柵具有相同的單元外形和結(jié)構(gòu)參數(shù)，通過(guò)優(yōu)化兩層網(wǎng)柵的間距，實(shí)現(xiàn)不降低透光率的同時(shí)，大幅度提高了電磁屏蔽效率。但這種雙層網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)高級(jí)次衍射雜散光分布仍然與透光率相同的單層網(wǎng)柵相當(dāng)，不完全滿足未來(lái)航空航天裝備和先進(jìn)光學(xué)儀器等領(lǐng)域?qū)Φ统上褓|(zhì)量影響的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]本發(fā)明的目的在于克服上述已有的光窗電磁屏蔽技術(shù)方案的不足，特別是針對(duì)現(xiàn)有單層方格金屬網(wǎng)柵、單層圓環(huán)網(wǎng)柵、雙層方格和圓環(huán)網(wǎng)柵存在高級(jí)次衍射造成的雜散光分布相對(duì)集中的問(wèn)題，研發(fā)一種雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，達(dá)到實(shí)現(xiàn)高級(jí)次衍射的深度均化和極低的成像質(zhì)量影響的目的，同時(shí)也具有較好的電磁屏蔽效率。[0021]本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:采用一種雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，在光窗透明基片或襯底的兩側(cè)平行放置兩層金屬網(wǎng)柵，兩層金屬網(wǎng)柵具有相同的單元外形和結(jié)構(gòu)參數(shù)，兩層金屬網(wǎng)柵旋轉(zhuǎn)交錯(cuò)排列；每層金屬網(wǎng)柵均由一組同心金屬圓環(huán)對(duì)和另一不同直徑的金屬圓環(huán)分別按等邊三角形排列密接排布構(gòu)成并交叉分布加載于光窗透明基片或襯底表面，其中，同心圓環(huán)對(duì)中的外圓環(huán)作為基本圓環(huán)，其內(nèi)部含有與其內(nèi)切連通、金屬的子圓環(huán)，同心圓環(huán)對(duì)與其內(nèi)切連通的子圓環(huán)共同組成二維金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的基本單元，與基本圓環(huán)直徑不同的另一金屬圓環(huán)作為調(diào)制圓環(huán)構(gòu)成調(diào)制圓環(huán)陣列，調(diào)制圓環(huán)陣列與基本單元構(gòu)成的基本圓環(huán)陣列形成交叉分布結(jié)構(gòu)，基本圓環(huán)陣列中各基本圓環(huán)直徑相等且按等邊三角形排列密接排布時(shí)相鄰的基本圓環(huán)外切連通，調(diào)制圓環(huán)陣列中各調(diào)制圓環(huán)直徑相等且密接排布時(shí)相鄰的調(diào)制圓環(huán)外切連通；同心圓環(huán)對(duì)的外圓環(huán)與內(nèi)圓環(huán)、子圓環(huán)、調(diào)制圓環(huán)的直徑為毫米和亞毫米量級(jí)，同心圓環(huán)對(duì)的外圓環(huán)與內(nèi)圓環(huán)、子圓環(huán)、調(diào)制圓環(huán)的金屬線條寬度為微米和亞微米量級(jí)；所述的等邊三角形排列是指構(gòu)成陣列時(shí)三個(gè)兩兩相鄰的等直徑金屬圓環(huán)的圓心連線構(gòu)成等邊三角形；所述的旋轉(zhuǎn)交錯(cuò)排列是指:透明基片或襯底兩側(cè)的金屬網(wǎng)柵按非對(duì)稱放置時(shí)，兩層金屬網(wǎng)柵之間具有相對(duì)旋轉(zhuǎn)，相對(duì)旋轉(zhuǎn)角度為交錯(cuò)角；所述的外切連通包括:①兩圓環(huán)外切且外切切點(diǎn)處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬，②兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)，③兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)的同時(shí)，在交疊處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬；所述的內(nèi)切連通包括:①兩圓環(huán)內(nèi)切且內(nèi)切切點(diǎn)處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬，②兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)，③兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)的同時(shí)，在交疊處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬。
[0022]上述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，所述的每個(gè)基本單元內(nèi)子圓環(huán)個(gè)數(shù)大于或等于2個(gè)，且直徑相同或不同，相鄰子圓環(huán)的圓心和基本圓環(huán)圓心連線所組成的夾角為任意角度，不同基本單元中的子圓環(huán)為等直徑或非等直徑圓環(huán)，個(gè)數(shù)相同或不同。
[0023]作為一種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)方式，上述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，所述的基本圓環(huán)與調(diào)制圓環(huán)的直徑比為1: VJ,且兩種金屬圓環(huán)陣列的陣列方向角相差30°，其中陣列方向角為同一直徑金屬圓環(huán)組成二維金屬網(wǎng)柵時(shí)相鄰圓環(huán)連心線與水平方向的最小夾角。
[0024]作為一種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)方式，上述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，所述的每個(gè)調(diào)制圓環(huán)總有對(duì)應(yīng)基本圓環(huán)與其組成同心圓環(huán)結(jié)構(gòu)，該調(diào)制圓環(huán)中的基本單元稱為調(diào)制基本單元。
[0025]作為一種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)方式，上述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，所述的同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)外圓環(huán)直徑比在0.2-0.8范圍內(nèi)，不同基本單元的內(nèi)外圓環(huán)直徑比相同或不同，每個(gè)基本單元內(nèi)相鄰子圓環(huán)可以外切連通或相交，子圓環(huán)與所在基本單元內(nèi)的同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)圓環(huán)相切連通或相交，子圓環(huán)與該基本單元交疊的調(diào)制圓環(huán)相切連通或相交，所述的相切連通包括外切連通或內(nèi)切連通。
[0026]作為一種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)方式，上述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，所述的基本單元中子圓環(huán)的直徑相同，并且相鄰子圓環(huán)的圓心和基本圓環(huán)圓心連線所組成的夾角相等；相鄰基本單元中子圓環(huán)的個(gè)數(shù)相同，直徑相等。
[0027]作為一種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)方式，上述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，所述的除調(diào)制基本單元外的基本單元中，每個(gè)基本單元中含有3個(gè)直徑相同的子圓環(huán)，并且相鄰子圓環(huán)的圓心和基本圓環(huán)圓心連線所組成的夾角相等，且每個(gè)子圓環(huán)與所在基本單元中的內(nèi)圓環(huán)外切連通，同時(shí)與與該基本單元交疊的一個(gè)調(diào)制圓環(huán)內(nèi)切連通，同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)圓環(huán)與交疊的調(diào)制圓環(huán)外切連通。
[0028]作為一種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)方式，上述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，所述的調(diào)制基本單元中，子圓環(huán)個(gè)數(shù)為3-6個(gè)，每個(gè)調(diào)制基本單元中子圓環(huán)的直徑相同，并且相鄰子圓環(huán)的圓心和基本圓環(huán)圓心連線所組成的夾角相等，且子圓環(huán)與同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)圓環(huán)外切連通。
[0029]作為一種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)方式，上述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，所述的調(diào)制基本單元相對(duì)于相鄰基本單元在二維平面內(nèi)繞自身基本圓環(huán)圓心旋轉(zhuǎn)一定角度。
[0030]上述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，所述的同心圓環(huán)對(duì)、子圓環(huán)、調(diào)制圓環(huán)與連接金屬均由導(dǎo)電性能良好的合金構(gòu)成，且合金厚度大于lOOnm。
[0031]上述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，所述的金屬網(wǎng)柵與光窗透明基片或襯底材料之間用鉻或者鈦材料構(gòu)成的粘接層粘接。
[0032]上述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，所述的雙層金屬網(wǎng)柵的交錯(cuò)角度選取范圍在1°?29°，31°?59°，61°?89°。
[0033]上述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，所述的附有雙層金屬網(wǎng)柵的透明基片或襯底厚度小于5_。
[0034]本發(fā)明的創(chuàng)新性和良好效果是:
[0035]在光窗透明基片或襯底的兩側(cè)平行放置兩層金屬網(wǎng)柵，兩層金屬網(wǎng)柵具有相同的單元外形和結(jié)構(gòu)參數(shù)，本發(fā)明的創(chuàng)新性在于:兩層金屬網(wǎng)柵旋轉(zhuǎn)交錯(cuò)排列；每層金屬網(wǎng)柵均由一組同心金屬圓環(huán)對(duì)和另一不同直徑的金屬圓環(huán)分別按等邊三角形排列密接排布構(gòu)成并交叉分布加載于光窗透明基片或襯底表面，其中，同心圓環(huán)對(duì)中的外圓環(huán)作為基本圓環(huán)，其內(nèi)部含有與其內(nèi)切連通、金屬的子圓環(huán)，同心圓環(huán)對(duì)與其內(nèi)切連通的子圓環(huán)共同組成二維金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的基本單元，與基本圓環(huán)直徑不同的另一金屬圓環(huán)作為調(diào)制圓環(huán)構(gòu)成調(diào)制圓環(huán)陣列，調(diào)制圓環(huán)陣列與基本單元構(gòu)成的基本圓環(huán)陣列形成交叉分布結(jié)構(gòu)，基本圓環(huán)陣列中各基本圓環(huán)直徑相等且按等邊三角形排列密接排布時(shí)相鄰的基本圓環(huán)外切連通，調(diào)制圓環(huán)陣列中各調(diào)制圓環(huán)直徑相等且密接排布時(shí)相鄰的調(diào)制圓環(huán)外切連通；同心圓環(huán)對(duì)的外圓環(huán)與內(nèi)圓環(huán)、子圓環(huán)、調(diào)制圓環(huán)的直徑為毫米和亞毫米量級(jí)，同心圓環(huán)對(duì)的外圓環(huán)與內(nèi)圓環(huán)、子圓環(huán)、調(diào)制圓環(huán)的金屬線條寬度為微米和亞微米量級(jí)；所述的等邊三角形排列是指構(gòu)成陣列時(shí)三個(gè)兩兩相鄰的等直徑金屬圓環(huán)的圓心連線構(gòu)成等邊三角形；所述的旋轉(zhuǎn)交錯(cuò)排列是指:透明基片或襯底兩側(cè)的金屬網(wǎng)柵按非對(duì)稱放置時(shí)，兩層金屬網(wǎng)柵之間具有相對(duì)旋轉(zhuǎn)，相對(duì)旋轉(zhuǎn)角度為交錯(cuò)角；所述的外切連通包括:①兩圓環(huán)外切且外切切點(diǎn)處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬，②兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)，③兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)的同時(shí)，在交疊處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬；所述的內(nèi)切連通包括:①兩圓環(huán)內(nèi)切且內(nèi)切切點(diǎn)處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬，②兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)，③兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)的同時(shí)，在交疊處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬。本發(fā)明的創(chuàng)新性產(chǎn)生的良好效果主要集中于均化金屬網(wǎng)柵的高級(jí)次衍射能量分布，同時(shí)具有較高的電磁屏蔽效率，具體如下:
[0036]對(duì)于單層金屬網(wǎng)柵，同心圓環(huán)對(duì)與調(diào)制圓環(huán)均以等邊三角分布為基本排列方式，都可以克服傳統(tǒng)方格金屬網(wǎng)柵存在的高級(jí)次衍射能量集中分布的缺點(diǎn)，具有良好的均化高級(jí)次衍射能量分布的特性，而且使用同心圓環(huán)對(duì)與調(diào)制圓環(huán)交叉三角分布的金屬圓環(huán)陣列，在保證透光率相同時(shí)，與僅有單一直徑圓環(huán)陣列的結(jié)構(gòu)相比，需要增加各圓環(huán)的直徑，各圓環(huán)陣列的高級(jí)次衍射能量均降低；同時(shí)，通過(guò)改變各圓環(huán)的直徑或同心圓環(huán)對(duì)與調(diào)制圓環(huán)的位置關(guān)系來(lái)對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，使它們的高級(jí)次衍射級(jí)不發(fā)生疊加，從而可以有效對(duì)金屬網(wǎng)柵陣列結(jié)構(gòu)的高級(jí)次衍射能量分布進(jìn)行調(diào)節(jié)，達(dá)到均化高級(jí)次衍射能量分布的目的，這是本發(fā)明金屬網(wǎng)柵均化高級(jí)次衍射能量分布的原因之一。
[0037]在同心圓環(huán)對(duì)中加入子圓環(huán)組成基本單元，因?yàn)樵诿總€(gè)基本單元中的子圓環(huán)個(gè)數(shù)、直徑和位置關(guān)系的不同，使其結(jié)構(gòu)疏松，排布雜散，因此高級(jí)次衍射能量比較低，而且高級(jí)次衍射分布較均勻，避免出現(xiàn)像傳統(tǒng)方格金屬網(wǎng)柵存在的高級(jí)次衍射能量集中分布的情況；同時(shí)，在保證透光率相同時(shí)，需要進(jìn)一步增加同心圓環(huán)對(duì)和調(diào)制圓環(huán)的直徑，從整體上降低了各陣列的高級(jí)次衍射能量；又因?yàn)樽訄A環(huán)陣列結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的高級(jí)次衍射與同心圓環(huán)陣列結(jié)構(gòu)和調(diào)制圓環(huán)陣列結(jié)構(gòu)的高級(jí)次衍射發(fā)生疊加的概率很低；尤其是改變同心圓環(huán)對(duì)與調(diào)制圓環(huán)的位置關(guān)系及各圓環(huán)的直徑，與不同子圓環(huán)結(jié)構(gòu)共同作用，進(jìn)一步優(yōu)化參數(shù)后，它們能量較高的高級(jí)次衍射不發(fā)生疊加，從而均化了高級(jí)次衍射能量分布，這是本發(fā)明金屬網(wǎng)柵均化高級(jí)次衍射能量分布的原因之二。
[0038]通過(guò)改變調(diào)制基本單元中子圓環(huán)的個(gè)數(shù)或子圓環(huán)與同心圓環(huán)中內(nèi)圓環(huán)的直徑比，可以對(duì)高級(jí)次衍射級(jí)能量分布進(jìn)行均化；此外，每個(gè)調(diào)制基本單元都可以以其對(duì)應(yīng)的基本圓環(huán)的圓心為中心旋轉(zhuǎn)一定角度，不改變金屬網(wǎng)柵的孔徑比進(jìn)而不影響透光率，但可對(duì)高級(jí)次衍射級(jí)能量分布進(jìn)一步進(jìn)行調(diào)制，能夠進(jìn)一步均化高級(jí)次衍射能量分布，這是本發(fā)明金屬網(wǎng)柵均化高級(jí)次衍射能量分布的原因之三。
[0039]將上述金屬網(wǎng)柵用于構(gòu)建具有交錯(cuò)角的雙層金屬網(wǎng)柵時(shí)，在保證構(gòu)建的雙層金屬網(wǎng)柵的總透光率與構(gòu)建前單層金屬網(wǎng)柵的透光率相同時(shí)，需要增加用于構(gòu)建雙層金屬網(wǎng)柵的單層金屬網(wǎng)柵各圓環(huán)的直徑，這導(dǎo)致雙層金屬網(wǎng)柵的兩層金屬網(wǎng)柵的高級(jí)次衍射級(jí)能量分布均明顯降低，當(dāng)這樣兩層金屬網(wǎng)柵組成雙層網(wǎng)柵時(shí)，由于按旋轉(zhuǎn)交錯(cuò)排列，有效地避免了兩層網(wǎng)柵能量較高的高級(jí)次衍射級(jí)次的疊加，從整體上均化了高級(jí)次衍射級(jí)能量分布，這是本發(fā)明金屬網(wǎng)柵均化高級(jí)次衍射能量分布的原因之四。
[0040]綜上，本發(fā)明的金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)網(wǎng)柵高級(jí)次衍射能量分布的深度均化，這是本發(fā)明的最突出效果。另外，對(duì)于單層金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)，同心圓環(huán)對(duì)與調(diào)制圓環(huán)交叉三角分布的金屬圓環(huán)結(jié)構(gòu)和子圓環(huán)結(jié)構(gòu)共同作用有效地改善了金屬圓環(huán)網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的均勻性，且基本單元以其基本單元對(duì)應(yīng)的基本圓環(huán)的圓心為中心旋轉(zhuǎn)一定角度時(shí)，在對(duì)高級(jí)次衍射級(jí)能量分布進(jìn)行有效調(diào)制的同時(shí)，基本不影響電磁屏蔽效果，甚至在某些優(yōu)選方案中可以提高電磁屏蔽效果。特別是，當(dāng)用單層金屬網(wǎng)柵組成雙層金屬網(wǎng)柵時(shí)，雙層金屬網(wǎng)柵之間的電磁耦合很強(qiáng)，可顯著提高電磁屏蔽效率。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0041]圖1是雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗的一種優(yōu)選結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0042]圖2是同心圓環(huán)對(duì)與調(diào)制圓環(huán)構(gòu)成的典型二維金屬網(wǎng)柵基本結(jié)構(gòu)示意圖。
[0043]圖3是子圓環(huán)與同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)圓環(huán)外切連通時(shí)的幾種基本單元示意圖。
[0044]圖4是子圓環(huán)與同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)圓環(huán)相交時(shí)的幾種基本單元示意圖。
[0045]圖5是兩圓環(huán)外切連通方式示意圖。
[0046]圖6是兩圓環(huán)內(nèi)切連通方式示意圖。
[0047]圖7是本發(fā)明的基本單元在二維平面內(nèi)繞自身基本圓環(huán)圓心的一種旋轉(zhuǎn)方式示意圖。
[0048]圖8是已有方格網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)示意圖。
[0049]圖9是已有方格網(wǎng)柵高級(jí)次衍射及其相對(duì)強(qiáng)度分布示意圖。
[0050]圖10是已有圓環(huán)網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)示意圖。
[0051]圖11是已有圓環(huán)網(wǎng)柵高級(jí)次衍射及其相對(duì)強(qiáng)度分布示意圖。
[0052]圖12是本發(fā)明中優(yōu)選方案A的金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)示意圖。
[0053]圖13是本發(fā)明中優(yōu)選單層金屬網(wǎng)柵A的高級(jí)次衍射及其相對(duì)強(qiáng)度分布示意圖。
[0054]圖14是本發(fā)明中雙層對(duì)稱排列金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)示意圖。
[0055]圖15是本發(fā)明中雙層對(duì)稱排列金屬網(wǎng)柵高級(jí)次衍射及其相對(duì)強(qiáng)度分布示意圖。
[0056]圖16是本發(fā)明中雙層交錯(cuò)排列金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)示意圖。
[0057]圖17是本發(fā)明中雙層交錯(cuò)排列金屬網(wǎng)柵高級(jí)次衍射及其相對(duì)強(qiáng)度分布示意圖。
[0058]圖18是五種網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)高級(jí)次衍射最大相對(duì)強(qiáng)度對(duì)比圖。
[0059]圖中件號(hào)說(shuō)明:1.增透膜2.保護(hù)層3.金屬網(wǎng)柵4.粘接層5.透明基片6.粘接層7.金屬網(wǎng)柵8.保護(hù)層9.增透膜10.基本圓環(huán)11.子圓環(huán)12.調(diào)制圓環(huán)13.連接金屬14.內(nèi)圓環(huán)
【具體實(shí)施方式】
[0060]下面參照附圖和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步的描述:
[0061]雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，在光窗透明基片或襯底的兩側(cè)平行放置兩層金屬網(wǎng)柵3和7，兩層金屬網(wǎng)柵3和7具有相同的單元外形和結(jié)構(gòu)參數(shù)，兩層金屬網(wǎng)柵3和7旋轉(zhuǎn)交錯(cuò)排列；每層金屬網(wǎng)柵均由一組同心金屬圓環(huán)對(duì)和另一不同直徑的金屬圓環(huán)分別按等邊三角形排列密接排布構(gòu)成并交叉分布加載于光窗透明基片或襯底表面，其中，同心圓環(huán)對(duì)中的外圓環(huán)作為基本圓環(huán)10，其內(nèi)部含有與其內(nèi)切連通、金屬的子圓環(huán)11，同心圓環(huán)對(duì)與其內(nèi)切連通的子圓環(huán)共同組成二維金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的基本單元，與基本圓環(huán)10直徑不同的另一金屬圓環(huán)作為調(diào)制圓環(huán)12構(gòu)成調(diào)制圓環(huán)陣列，調(diào)制圓環(huán)陣列與基本單元構(gòu)成的基本圓環(huán)陣列形成交叉分布結(jié)構(gòu)，基本圓環(huán)陣列中各基本圓環(huán)10直徑相等且按等邊三角形排列密接排布時(shí)相鄰的基本圓環(huán)10外切連通，調(diào)制圓環(huán)陣列中各調(diào)制圓環(huán)12直徑相等且密接排布時(shí)相鄰的調(diào)制圓環(huán)12外切連通；同心圓環(huán)對(duì)的外圓環(huán)與內(nèi)圓環(huán)14、子圓環(huán)11、調(diào)制圓環(huán)12的直徑為毫米和亞毫米量級(jí)，同心圓環(huán)對(duì)的外圓環(huán)與內(nèi)圓環(huán)
14、子圓環(huán)11、調(diào)制圓環(huán)12的金屬線條寬度為微米和亞微米量級(jí)；所述的等邊三角形排列是指構(gòu)成陣列時(shí)三個(gè)兩兩相鄰的等直徑金屬圓環(huán)的圓心連線構(gòu)成等邊三角形；所述的旋轉(zhuǎn)交錯(cuò)排列是指:透明基片或襯底兩側(cè)的金屬網(wǎng)柵按非對(duì)稱放置時(shí)，兩層金屬網(wǎng)柵之間具有相對(duì)旋轉(zhuǎn)，相對(duì)旋轉(zhuǎn)角度為交錯(cuò)角；所述的外切連通包括:①兩圓環(huán)外切且外切切點(diǎn)處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬13，②兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)，③兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)的同時(shí)，在交疊處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬13 ;所述的內(nèi)切連通包括:①兩圓環(huán)內(nèi)切且內(nèi)切切點(diǎn)處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬13，②兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)，③兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)的同時(shí)，在交疊處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬13。圖1是雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗的一種優(yōu)選結(jié)構(gòu)剖面示意圖，所述的透明基片5可為任意透明材料，只要其能夠作為滿足使用場(chǎng)合要求的透明光窗材料，同時(shí)能夠?qū)⒔饘倬W(wǎng)柵3和7按一定的工藝流程加工于其上；根據(jù)工藝流程，金屬網(wǎng)柵3與透明基片5通過(guò)粘接層4連接，金屬網(wǎng)柵7與透明基片5通過(guò)粘接層6連接，；單層或者多層增透膜I和9增強(qiáng)光窗的透光能力，單層或者多層的保護(hù)層2和8，目的是防止金屬部分長(zhǎng)期暴露于空氣中造成腐蝕和氧化，降低屏蔽能力，同時(shí)也防止金屬網(wǎng)柵3和7被劃傷。實(shí)際應(yīng)用中，透明基片5也可以是透明襯底，用于將兩層金屬網(wǎng)柵加工于其兩側(cè)，透明基片或襯底、兩層金屬網(wǎng)柵3和7是本發(fā)明不可或缺的要素，根據(jù)工藝和實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合，粘接層4和6、增透膜I和9、保護(hù)層2和8可以具備或不具備。
[0062]本發(fā)明的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，其中金屬網(wǎng)柵3和7具有相同的單元外形和結(jié)構(gòu)參數(shù)。同心圓環(huán)對(duì)與調(diào)制圓環(huán)12分別按等邊三角形排列密接排布且交叉分布構(gòu)成的典型二維金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示，基本圓環(huán)10的直徑與調(diào)制圓環(huán)12的直徑比滿足1: W，且兩種金屬圓環(huán)的陣列方向角Θ與η相差30°，其中陣列方向角為同一直徑金屬圓環(huán)組成二維金屬網(wǎng)柵時(shí)相鄰圓環(huán)連心線與水平方向的最小夾角，調(diào)制圓環(huán)12中總有對(duì)應(yīng)基本圓環(huán)10與其組成同心圓環(huán)結(jié)構(gòu)，該調(diào)制圓環(huán)12中的基本單元稱為調(diào)制基本單元。圖2中點(diǎn)Α，B, C為三個(gè)兩兩相鄰且外切連通的基本圓環(huán)10的圓心，點(diǎn)C，D, E為三個(gè)兩兩相鄰且外切連通的調(diào)制圓環(huán)12的圓心，C為基本圓環(huán)10與調(diào)制圓環(huán)12組成的同心圓環(huán)結(jié)構(gòu)的圓心；Λ ABC，A⑶E為等邊三角形，這樣的排布方式確保基本圓環(huán)10和調(diào)制圓環(huán)12均是按照等邊三角形排列密接排布構(gòu)成金屬網(wǎng)柵3或7的基本結(jié)構(gòu)。圖2中，同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)圓環(huán)14與交疊的調(diào)制圓環(huán)12外切連通，即同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)外圓環(huán)直徑的比值為(2-75):10
[0063]本發(fā)明的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，每個(gè)基本單元內(nèi)子圓環(huán)11個(gè)數(shù)大于或等于2個(gè)，且直徑相同或不同，相鄰子圓環(huán)11的圓心和基本圓環(huán)10圓心連線所組成的夾角為任意角度，不同基本單元中的子圓環(huán)11為等直徑或非等直徑圓環(huán)，個(gè)數(shù)相同或不同；每個(gè)基本單元內(nèi)相鄰子圓環(huán)11可以外切連通或相交，子圓環(huán)11與所在基本單元內(nèi)的同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)圓環(huán)14相切連通或相交，子圓環(huán)11與該基本單元交疊的調(diào)制圓環(huán)12相切連通或相交，所述的相切連通包括外切連通或內(nèi)切連通。作為優(yōu)選的結(jié)構(gòu)參數(shù)，同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)外圓環(huán)直徑比在0.2-0.8范圍內(nèi)，不同基本單元的內(nèi)外圓環(huán)直徑比相同或不同。同心圓環(huán)對(duì)的外圓環(huán)與內(nèi)圓環(huán)14、子圓環(huán)11與調(diào)制圓環(huán)12的直徑為毫米和亞毫米量級(jí)，同心圓環(huán)對(duì)的外圓環(huán)與內(nèi)圓環(huán)14、子圓環(huán)11與調(diào)制圓環(huán)12的金屬線條寬度為微米和亞微米量級(jí)，以保證高透光率和良好的電磁屏蔽效果。此外，同心圓環(huán)對(duì)、子圓環(huán)11、調(diào)制圓環(huán)12與連接金屬13均由導(dǎo)電性能良好的合金構(gòu)成，且合金厚度大于lOOnm。
[0064]圖3和圖4所舉優(yōu)選方案為基本單元中子圓環(huán)的直徑相同，并且相鄰子圓環(huán)的圓心和基本圓環(huán)圓心連線所組成的夾角相等:圖3表示子圓環(huán)與同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)圓環(huán)外切時(shí)的幾種基本單元示意圖，其中圖3(a) (b) (c) (d)分別表示子圓環(huán)個(gè)數(shù)為3，4，5，6的基本單元示意圖；圖4表示子圓環(huán)與同心圓環(huán)的內(nèi)圓環(huán)相交時(shí)的幾種基本單元示意圖，其中圖4(a)表示基本單元中4個(gè)子圓環(huán)相交，且均與同心圓環(huán)對(duì)中的內(nèi)圓環(huán)相交，圖4(b)表示基本單元中4個(gè)子圓環(huán)相外切,但均與同心圓環(huán)對(duì)中的內(nèi)圓環(huán)相交，圖4 (c)表示基本單元中5個(gè)子圓環(huán)相交，且均與同心圓環(huán)對(duì)中的內(nèi)圓環(huán)相交，圖4(d)表示基本單元中5個(gè)子圓環(huán)相外切，但均與同心圓環(huán)對(duì)中的內(nèi)圓環(huán)相交。
[0065]圖5，圖6分別表示兩圓環(huán)外切連通和內(nèi)切連通，通過(guò)線條交疊或設(shè)置(如覆蓋)保證金屬環(huán)切點(diǎn)間可靠電聯(lián)接的金屬，以確保相切的金屬圓環(huán)之間密接連通導(dǎo)電。其中，圖5(a) (b) (C)分別表示在外切連通時(shí)兩圓環(huán)呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)示意圖:圖5(a)為兩圓環(huán)無(wú)縫交疊的一般情況，即兩圓環(huán)的圓心距小于兩圓環(huán)外切時(shí)的圓心距，且大于或等于兩圓環(huán)外切時(shí)的圓心距與兩圓環(huán)線條寬度之和的差值，圖5(b)為無(wú)縫交疊的一種特殊情況，兩圓環(huán)線條的內(nèi)外輪廓相互外切，圖5(c)為無(wú)縫交疊的另一種特殊情況，兩圓環(huán)的圓心距等于兩圓環(huán)外切時(shí)的圓心距與兩圓環(huán)線條寬度之和的差值，即兩圓環(huán)線條的內(nèi)輪廓外切，而圖5(d)中由于兩圓環(huán)外切，因此需要在切點(diǎn)處設(shè)置保證金屬環(huán)切點(diǎn)間可靠電聯(lián)接的金屬。圖6(a) (b)分別表示在內(nèi)切連通時(shí)兩圓環(huán)呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)示意圖:圖6(a)表示在內(nèi)切連通時(shí)兩圓環(huán)無(wú)縫交疊的一般情況，即兩圓環(huán)的圓心距大于兩圓環(huán)內(nèi)切時(shí)的圓心距，且小于或等于兩圓環(huán)內(nèi)切時(shí)的圓心距與直徑較大圓環(huán)線條寬度的和，圖6(b)表示在內(nèi)切連通時(shí)兩圓環(huán)無(wú)縫交疊的一種特殊情況，兩圓環(huán)的圓心距等于兩圓環(huán)內(nèi)切時(shí)的圓心距與直徑較大圓環(huán)線條寬度的和，即兩圓環(huán)線條的外輪廓內(nèi)切，而圖6(c)表示直徑較小圓環(huán)線條的外輪廓與直徑較大圓環(huán)線條的內(nèi)輪廓內(nèi)切，此時(shí)需要在切點(diǎn)處設(shè)置保證金屬環(huán)切點(diǎn)間可靠電聯(lián)接的金屬。此外，如果兩圓環(huán)無(wú)縫交疊時(shí)兩金屬圓環(huán)的交疊面積較小，不足以確保兩金屬圓環(huán)之間有可靠的電聯(lián)接，也需要在切點(diǎn)處設(shè)置保證金屬圓環(huán)切點(diǎn)間可靠電聯(lián)接的金屬，以確保實(shí)現(xiàn)金屬環(huán)的外切連通或內(nèi)切連通。而圖5(d)和圖6(c)所示是一種優(yōu)選的切點(diǎn)處金屬連接方式切點(diǎn)處覆蓋的連接金屬13為矩形，矩形的邊長(zhǎng)大于金屬環(huán)線條寬度，矩形覆蓋切點(diǎn)連接處時(shí)要使矩形的一條邊完全落在一個(gè)金屬環(huán)線條內(nèi)，而其對(duì)邊要完全落在相切的另一個(gè)金屬環(huán)線條內(nèi)。依據(jù)不同的加工方法和工藝水平，圓環(huán)切點(diǎn)處也可以采用其它形式的連接金屬，只要能夠使相切的兩金屬環(huán)具有可靠的電聯(lián)接即可。
[0066]為了實(shí)現(xiàn)良好的均化高級(jí)次衍射造成的雜散光效果，對(duì)于本發(fā)明的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，對(duì)于其中的單層金屬網(wǎng)柵，作為一種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)方式，在圖2所示基本結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上增加子圓環(huán):對(duì)于除調(diào)制基本單元外的基本單元中，每個(gè)基本單元中含有3個(gè)直徑相同的子圓環(huán)11，并且相鄰子圓環(huán)11的圓心和基本圓環(huán)10圓心連線所組成的夾角相等，且每個(gè)子圓環(huán)11與所在基本單元中的內(nèi)圓環(huán)14外切連通，同時(shí)與該基本單兀交疊的一個(gè)調(diào)制圓環(huán)12內(nèi)切連通，同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)圓環(huán)14與交疊的調(diào)制圓環(huán)12外切連通；而對(duì)于調(diào)制基本單元中，子圓環(huán)11個(gè)數(shù)為3-6個(gè)，每個(gè)調(diào)制基本單元中子圓環(huán)11的直徑相同，并且相鄰子圓環(huán)11的圓心和基本圓環(huán)10圓心連線所組成的夾角相等，且子圓環(huán)11與同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)圓環(huán)14外切連通。這種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)方式的一個(gè)特列如圖12所示，選擇圖3(a)的單元結(jié)構(gòu)作為基本單元，為了滿足上述結(jié)構(gòu)方式，部分調(diào)制基本單元以外的基本單元中子圓環(huán)的排列方向發(fā)生了旋轉(zhuǎn)。
[0067]為了實(shí)現(xiàn)良好的均化高級(jí)次衍射造成的雜散光效果，本發(fā)明中單層的金屬網(wǎng)柵3和7陣列的調(diào)制基本單元可以在二維平面內(nèi)繞自身基本圓環(huán)10圓心旋轉(zhuǎn)一定角度；例如，圖7是本發(fā)明的基本單元在二維平面內(nèi)繞自身基本圓環(huán)10圓心的一種旋轉(zhuǎn)方式示意圖，其中金屬網(wǎng)柵的基本單元含有3個(gè)相同直徑的子圓環(huán)11，且與所在基本單元中的基本圓環(huán)10內(nèi)切連通，與內(nèi)圓環(huán)14外切連通，即子圓環(huán)11的直徑等于該組同心圓環(huán)對(duì)的半徑差；相鄰子圓環(huán)11的圓心和基本圓環(huán)10圓心連線所組成的夾角相等，基本單元在二維平面內(nèi)繞自身基本圓環(huán)10圓心旋轉(zhuǎn)了 30°角。
[0068]圖8和圖9分別為美國(guó)專(zhuān)利US4871220已有的方格網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)示意圖和其高級(jí)次衍射及其相對(duì)強(qiáng)度分布示意圖，圖10和圖11分別為專(zhuān)利200610010066.4已有的圓環(huán)網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)示意圖和其高級(jí)次衍射及其相對(duì)強(qiáng)度分布示意圖；圖12和圖13分別為本發(fā)明中優(yōu)選方案A的金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)示意圖和其高級(jí)次衍射及其相對(duì)強(qiáng)度分布示意圖，優(yōu)選方案A中的金屬網(wǎng)柵為單層金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)選擇由圖3(a)的基本單元結(jié)構(gòu)和圖2的網(wǎng)柵基本結(jié)構(gòu)，且相對(duì)圖3(a)的基本單元結(jié)構(gòu)，圖12中調(diào)制基本單元按照?qǐng)D7所示的旋轉(zhuǎn)方式進(jìn)行了旋轉(zhuǎn)，且旋轉(zhuǎn)角度為30°。圖14和圖15分別為本發(fā)明中雙層對(duì)稱排列金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)示意圖和其高級(jí)次衍射及其相對(duì)強(qiáng)度分布示意圖，兩層金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)均選用優(yōu)選方案A的單層網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)，且對(duì)稱排列在透明基片5兩側(cè)；圖16和圖17分別為本發(fā)明中雙層交錯(cuò)排列金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)示意圖和其高級(jí)次衍射及其相對(duì)強(qiáng)度分布示意圖，兩層金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)仍然均選用優(yōu)選方案A的單層圓環(huán)網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)，但旋轉(zhuǎn)交錯(cuò)排列在透明基片5兩側(cè)，交錯(cuò)角α為20。，所述的交錯(cuò)角是指當(dāng)透明基片兩側(cè)的兩層金屬網(wǎng)柵由對(duì)稱排列變?yōu)樾D(zhuǎn)交錯(cuò)排列時(shí)，其中一層金屬網(wǎng)柵相對(duì)于另外一層金屬網(wǎng)柵在其所在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的角度，即兩層網(wǎng)柵旋轉(zhuǎn)交錯(cuò)排列時(shí)的相對(duì)旋轉(zhuǎn)角度。
[0069]為了說(shuō)明本發(fā)明在均化高級(jí)次衍射能量分布作用中的優(yōu)越性，基于標(biāo)量衍射理論，對(duì)上述五種結(jié)構(gòu)的高級(jí)次衍射能量分布情況以及高級(jí)次衍射最大相對(duì)強(qiáng)度進(jìn)行理論計(jì)算，計(jì)算時(shí)使各結(jié)構(gòu)的透光率相同(均為95.4% )，其零級(jí)相對(duì)強(qiáng)度均為91 %，即成像有用信息比例相同。優(yōu)選方案A的單層金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)以及雙層網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)與方格、圓環(huán)網(wǎng)柵相比，最高級(jí)次衍射相對(duì)強(qiáng)度明顯降低，且在相同考察區(qū)間內(nèi)高級(jí)次衍射斑的個(gè)數(shù)明顯增力口，因而避免了高級(jí)次衍射能量集中在少數(shù)衍射級(jí)次上的問(wèn)題，使高級(jí)次衍射能量分布更加均勻；圖18是上述五種結(jié)構(gòu)的高級(jí)次衍射最大相對(duì)強(qiáng)度的具體數(shù)值，可見(jiàn)，方格金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的高級(jí)次衍射最大相對(duì)強(qiáng)度相對(duì)于其他結(jié)構(gòu)明顯偏高，優(yōu)選方案A所對(duì)應(yīng)的金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的高級(jí)次衍射最大相對(duì)強(qiáng)度已經(jīng)明顯降低，從0.0259% (已有的圓環(huán)網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的高級(jí)次衍射最大相對(duì)強(qiáng)度)下降到0.0055%，降低了 79%，高級(jí)次衍射的均化效果明顯；雙層對(duì)稱排列金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的高級(jí)次衍射最大相對(duì)強(qiáng)度降低程度與優(yōu)選方案A基本一致，從
0.0259% (已有的圓環(huán)網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的高級(jí)次衍射最大相對(duì)強(qiáng)度)下降到0.0054%，降低了79%，而旋轉(zhuǎn)交錯(cuò)排列的引入使得高級(jí)次衍射最大相對(duì)強(qiáng)度進(jìn)一步地降低，從0.0054%降低到0.0014%，降低了 74%，與已有的圓環(huán)網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的高級(jí)次衍射最大相對(duì)強(qiáng)度相比降低了 94%，完成了對(duì)高級(jí)次衍射的深度均化。綜上所述，本發(fā)明雙層交錯(cuò)金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)對(duì)均化高級(jí)次衍射能量分布的效果十分顯著，不僅優(yōu)于美國(guó)專(zhuān)利US4871220已有的方格金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)，也優(yōu)于專(zhuān)利200610010066.4已有的圓環(huán)金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)。
[0070]本發(fā)明的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，雙層金屬網(wǎng)柵的交錯(cuò)角度可以有很多優(yōu)選的范圍，例如，當(dāng)雙層金屬網(wǎng)柵的交錯(cuò)角度選取范圍在1°?29°，31°?59°，61°?89°這些范圍之內(nèi)時(shí)，都可以達(dá)到優(yōu)異的均化高級(jí)次衍射能量分布效果；而雙層網(wǎng)柵間距，即透明基片或襯底的厚度，合理選擇時(shí)，可顯著增強(qiáng)電磁屏蔽效率，例如，附有雙層金屬網(wǎng)柵的透明基片或襯底厚度小于5mm時(shí)，可在低頻微波波段獲得良好的屏蔽效率。
[0071]本發(fā)明的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗中的金屬網(wǎng)柵3和7可以采用如下的加工方法加工制作:由電子束直寫(xiě)等方式制作掩模，光窗透明基片5進(jìn)行清洗后鍍鉻或者鈦?zhàn)鳛檎辰訉?和6，其上鍍金屬薄膜，然后涂覆光刻膠，利用已加工好的掩模進(jìn)行光刻，最后進(jìn)行干法或者濕法刻蝕，去膠后得到網(wǎng)柵圖案。也可以省去掩模制作環(huán)節(jié)，而直接采用激光直寫(xiě)的辦法來(lái)制作多周期圓環(huán)嵌套的金屬圓環(huán)陣列的金屬網(wǎng)柵圖案。其它的微電子加工工藝流程或二元光學(xué)元件制作流程等也可以用來(lái)制作本發(fā)明的網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)。
[0072]本發(fā)明所涉及的透明基片5由實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合決定，可以是普通玻璃、石英玻璃、紅外材料、透明樹(shù)脂材料等，本發(fā)明的基本圓環(huán)10、子圓環(huán)11和調(diào)制圓環(huán)12金屬結(jié)構(gòu)要根據(jù)透明基片5采取合適的加工工藝流程使之完全覆蓋于透明基片5之上，并且能夠和窗框等實(shí)現(xiàn)可靠的電聯(lián)接或密封以保證優(yōu)良的電磁屏蔽功能。實(shí)際應(yīng)用中，附有本發(fā)明網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的透明基片5可以鍍?cè)鐾改?lái)增加透光能力，也可以在網(wǎng)柵層表面鍍保護(hù)層以防止金屬結(jié)構(gòu)長(zhǎng)期放置于空氣中遭到腐蝕或氧化而降低屏蔽能力，也防止網(wǎng)柵層遭到劃傷、磨損或其它破壞。
【權(quán)利要求】
1.雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，在光窗透明基片或襯底的兩側(cè)平行放置兩層金屬網(wǎng)柵(3)和(7)，兩層金屬網(wǎng)柵(3)和(7)具有相同的單元外形和結(jié)構(gòu)參數(shù)，其特征在于:兩層金屬網(wǎng)柵(3)和(7)旋轉(zhuǎn)交錯(cuò)排列；每層金屬網(wǎng)柵均由一組同心金屬圓環(huán)對(duì)和另一不同直徑的金屬圓環(huán)分別按等邊三角形排列密接排布構(gòu)成并交叉分布加載于光窗透明基片或襯底表面，其中，同心圓環(huán)對(duì)中的外圓環(huán)作為基本圓環(huán)(10)，其內(nèi)部含有與其內(nèi)切連通、金屬的子圓環(huán)(11)，同心圓環(huán)對(duì)與其內(nèi)切連通的子圓環(huán)共同組成二維金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的基本單元，與基本圓環(huán)(10)直徑不同的另一金屬圓環(huán)作為調(diào)制圓環(huán)(12)構(gòu)成調(diào)制圓環(huán)陣列，調(diào)制圓環(huán)陣列與基本單元構(gòu)成的基本圓環(huán)陣列形成交叉分布結(jié)構(gòu)，基本圓環(huán)陣列中各基本圓環(huán)(10)直徑相等且按等邊三角形排列密接排布時(shí)相鄰的基本圓環(huán)(10)外切連通，調(diào)制圓環(huán)陣列中各調(diào)制圓環(huán)(12)直徑相等且密接排布時(shí)相鄰的調(diào)制圓環(huán)(12)外切連通；同心圓環(huán)對(duì)的外圓環(huán)與內(nèi)圓環(huán)(14)、子圓環(huán)(11)、調(diào)制圓環(huán)(12)的直徑為毫米和亞毫米量級(jí)，同心圓環(huán)對(duì)的外圓環(huán)與內(nèi)圓環(huán)(14)、子圓環(huán)(11)、調(diào)制圓環(huán)(12)的金屬線條寬度為微米和亞微米量級(jí)；所述的等邊三角形排列是指構(gòu)成陣列時(shí)三個(gè)兩兩相鄰的等直徑金屬圓環(huán)的圓心連線構(gòu)成等邊三角形；所述的旋轉(zhuǎn)交錯(cuò)排列是指:透明基片或襯底兩側(cè)的金屬網(wǎng)柵按非對(duì)稱放置時(shí)，兩層金屬網(wǎng)柵之間具有相對(duì)旋轉(zhuǎn)，相對(duì)旋轉(zhuǎn)角度為交錯(cuò)角；所述的外切連通包括:①兩圓環(huán)外切且外切切點(diǎn)處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬(13)，②兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)，③兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)的同時(shí)，在交疊處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬(13);所述的內(nèi)切連通包括:①兩圓環(huán)內(nèi)切且內(nèi)切切點(diǎn)處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬(13)，②兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)，③兩圓環(huán)在連接處線條呈無(wú)縫交疊結(jié)構(gòu)的同時(shí)，在交疊處設(shè)置將兩圓環(huán)連通的連接金屬(13)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，其特征在于:每個(gè)基本單元內(nèi)子圓環(huán)(11)個(gè)數(shù)大于或等于2個(gè)，且直徑相同或不同，相鄰子圓環(huán)(11)的圓心和基本圓環(huán)(10)圓心連線所組成的夾角為任意角度，不同基本單元中的子圓環(huán)(11)為等直徑或非等直徑圓 環(huán)，個(gè)數(shù)相同或不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，其特征在于:基本圓環(huán)(10)與調(diào)制圓環(huán)(12)的直徑比為1: VJ，且兩種金屬圓環(huán)陣列的陣列方向角相差30°，其中陣列方向角為同一直徑金屬圓環(huán)組成二維金屬網(wǎng)柵時(shí)相鄰圓環(huán)連心線與水平方向的最小夾角。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，其特征在于:每個(gè)調(diào)制圓環(huán)(12)總有對(duì)應(yīng)基本圓環(huán)(10)與其組成同心圓環(huán)結(jié)構(gòu)，該調(diào)制圓環(huán)(12)中的基本單元稱為調(diào)制基本單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，其特征在于:同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)外圓環(huán)直徑比在0.2-0.8范圍內(nèi)，不同基本單元的內(nèi)外圓環(huán)直徑比相同或不同，每個(gè)基本單元內(nèi)相鄰子圓環(huán)(11)可以外切連通或相交，子圓環(huán)(11)與所在基本單元內(nèi)的同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)圓環(huán)(14)相切連通或相交,子圓環(huán)(11)與該基本單元交疊的調(diào)制圓環(huán)(12)相切連通或相交，所述的相切連通包括外切連通或內(nèi)切連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，其特征在于:基本單元中子圓環(huán)(11)的直徑相同，并且相鄰子圓環(huán)(11)的圓心和基本圓環(huán)(10)圓心連線所組成的夾角相等；相鄰基本單元中子圓環(huán)(11)的個(gè)數(shù)相同，直徑相等。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，其特征在于:除調(diào)制基本單元外的基本單元中，每個(gè)基本單元中含有3個(gè)直徑相同的子圓環(huán)(11)，并且相鄰子圓環(huán)(11)的圓心和基本圓環(huán)(10)圓心連線所組成的夾角相等，且每個(gè)子圓環(huán)(11)與所在基本單元中的內(nèi)圓環(huán)(14)外切連通，同時(shí)與該基本單元交疊的一個(gè)調(diào)制圓環(huán)(12)內(nèi)切連通，同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)圓環(huán)(14)與交疊的調(diào)制圓環(huán)(12)外切連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，其特征在于:調(diào)制基本單元中，子圓環(huán)(11)個(gè)數(shù)為3-6個(gè)，每個(gè)調(diào)制基本單元中子圓環(huán)(11)的直徑相同，并且相鄰子圓環(huán)(11)的圓心和基本圓環(huán)(10)圓心連線所組成的夾角相等，且子圓環(huán)(11)與同心圓環(huán)對(duì)的內(nèi)圓環(huán)(14)外切連通。
9.根據(jù)權(quán)利要求7和要求8所述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，其特征在于:調(diào)制基本單元相對(duì)于相鄰基本單元在二維平面內(nèi)繞自身基本圓環(huán)(10)圓心旋轉(zhuǎn)一定角度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，其特征在于:同心圓環(huán)對(duì)、子圓環(huán)(11)、調(diào)制圓環(huán)(12)與連接金屬(13)均由導(dǎo)電性能良好的合金構(gòu)成，且合金厚度大于lOOnm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，其特征在于:金屬網(wǎng)柵與光窗透明基片或襯底材料之間用鉻或者鈦材料構(gòu)成的粘接層粘接。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，其特征在于:雙層金屬網(wǎng)柵的交錯(cuò)角度選取范圍在1°~29°，31°~59°，61°~89°。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層交錯(cuò)多周期金屬圓環(huán)嵌套陣列的電磁屏蔽光窗，其特征在于:附有雙層金屬網(wǎng)柵的透明基片或襯底厚度小于5_。
【文檔編號(hào)】H05K9/00GK103763896SQ201410051496
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2014年2月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月14日
【發(fā)明者】陸振剛, 譚久彬, 林沈, 王赫巖 申請(qǐng)人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)