一種結(jié)構(gòu)型吸波材料及其制作方法
【專利摘要】一種在硅襯底材料上制作的吸波材料及其制備方法，所述方法包括：在襯底上沉積一層金屬膜；然后采用ICPECVD沉積含硅層；旋涂電子束光刻膠，曝光光刻膠，形成周期結(jié)構(gòu)的光刻膠圖形；再沉積一層金屬膜并進(jìn)行剝離，最終形成金屬膜/含硅介質(zhì)層/具周期結(jié)構(gòu)的金屬膜的吸波材料。本發(fā)明提供的方法簡(jiǎn)單可行，可以通過調(diào)整周期結(jié)構(gòu)的形狀、周期和介質(zhì)層的厚度調(diào)節(jié)電磁波的吸收頻段，使制得的吸波材料具備較好的吸波性能。
【專利說明】一種結(jié)構(gòu)型吸波材料及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于吸波材料領(lǐng)域，尤其涉及一種吸收頻率可調(diào)控的結(jié)構(gòu)型吸波材料及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]吸波材料是指能吸收、衰減入射的電磁波并將其電磁能轉(zhuǎn)換成熱能耗散掉或使電磁波因干涉而消失的一類材料。它通過材料的各種不同的損耗機(jī)制將人射電磁波轉(zhuǎn)化成熱能或者是其它能量形式而達(dá)到吸波隱身的目的。隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，電磁波輻射污染已經(jīng)困擾著國(guó)民生產(chǎn)、生活，對(duì)吸波材料需求越來越多，同時(shí)吸波材料在軍用領(lǐng)域中反偵查隱身、防止信息泄露等領(lǐng)域也越來越重要。
[0003]吸波材料有涂覆型和結(jié)構(gòu)型。涂覆型一般由粘結(jié)劑、吸收劑復(fù)合而成，吸波的能力主要與吸收劑種類有關(guān)。吸收劑所使用材料通常包括鐵氧體、電碳黑、鐵基微粉，改性碳納米管，乙炔炭黑，陶瓷材料等。如CN103396762A公開了一種片狀羰基鐵粉與四氧化三鐵的復(fù)合吸波材料，CN102031446A公開了一種納米鐵基粉體的吸波材料，CN103172972A公開了一種包含聚合物基質(zhì)、碳納米管和鈦酸鋇納米線的吸波材料。涂覆型的吸波材料只能吸收某一特定頻段的電磁波。
[0004]結(jié)構(gòu)型吸波材料主要分為單層和多層結(jié)構(gòu)，其中多層結(jié)構(gòu)吸波材料的研究普遍受到重視。結(jié)構(gòu)型吸波材料，使用常規(guī)的半導(dǎo)體加工技術(shù)即可完成，制備工藝簡(jiǎn)單成熟，具有吸波性能好、質(zhì)量輕、可承載等優(yōu)點(diǎn)，通過調(diào)節(jié)尺寸可吸收任意頻段的電磁波，是吸波材料制備一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)。如CN102152505A公開了一種包括吸波膠基層和蓋層，并在其間設(shè)置有鋁箔貼片層的吸波材料，CN102843900A公開了一種吸波材料，包括至少一個(gè)材料片層，每個(gè)所述材料片層包括三層基板，由上而下分別為第一基板、第二基板和第三基板，每層基板包括至少一個(gè)基板單元，其表面附著有金屬微結(jié)構(gòu)；三個(gè)基板上的具有不同的金屬微結(jié)構(gòu)，CN102291969A公開了一種結(jié)構(gòu)型吸波材料，由背面為全金屬底板(230)和正面為刻蝕的金屬圖案(210)的介質(zhì)基板(220)構(gòu)成，并限定了金屬圖案的構(gòu)成，CN102682858A公開了一種吸波材料，由至少一個(gè)超材料片層構(gòu)成,每個(gè)所述超材料片層包括半導(dǎo)體材料制成的基材
(I)和附著在所述基材(I)上的多個(gè)人造微結(jié)構(gòu)(2)，每個(gè)所述人造微結(jié)構(gòu)為構(gòu)成幾何圖案的至少一根金屬絲，在電磁波通過時(shí)所述人造微結(jié)構(gòu)(2)上形成震蕩電流并流經(jīng)半導(dǎo)體的基材(1)，還有CN102709708A公開的一種具有周期結(jié)構(gòu)的電磁吸波材料及其制備方法。上述涉及的吸波材料只是通過物理結(jié)構(gòu)上的設(shè)計(jì)來改善吸波性能，吸波性能的改善很有限。
[0005]通過微加工方法制備的結(jié)構(gòu)型吸波材料還不多見，有待進(jìn)一步開發(fā)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種制備吸收頻率可調(diào)控的結(jié)構(gòu)型吸波材料的方法，使用微加工工藝制備具有厚介質(zhì)層微結(jié)構(gòu)的周期圖形的吸波材料，制備工藝簡(jiǎn)單可行。
[0007]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下制備方法:[0008]一種在硅襯底材料上制作吸波材料的方法，包括如下步驟:
[0009]I)在襯底上制備金屬膜；在常溫下進(jìn)行；
[0010]2)采用感應(yīng)耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(ICPECVD)技術(shù)生長(zhǎng)含硅層；在常溫下進(jìn)行，得到低應(yīng)力、低損傷的含硅層介質(zhì)膜；
[0011]3)烘烤后旋涂電子束正性光刻膠，再烘烤；
[0012]4)對(duì)光刻膠曝光并顯影后，得到電子束正性光刻膠周期結(jié)構(gòu)圖形；
[0013]5)采用電子束蒸發(fā)沉積金屬膜；
[0014]6)利用剝離工藝得到具有金屬膜/含硅介質(zhì)層/具周期結(jié)構(gòu)的金屬膜結(jié)構(gòu)的吸波材料。所述剝離工藝采用常規(guī)的剝離工藝進(jìn)行。
[0015]本發(fā)明通過常規(guī)的簡(jiǎn)單易行的工藝如ICPECVD、電子束蒸發(fā)沉積、剝離工藝等的結(jié)合，可制得具有良好吸波性能的，具有金屬膜/含硅介質(zhì)層/具周期結(jié)構(gòu)的金屬膜結(jié)構(gòu)的新型吸波材料。通過在硅襯底上制備吸波材料，與常規(guī)的微加工工藝兼容，通過調(diào)整微結(jié)構(gòu)周期圖形的形狀、尺寸、周期及介質(zhì)層的厚度，易于制備具有不同頻段的吸波材料。
[0016]本發(fā)明所用的襯底需要潔凈無污染，一般可以通過清洗去除襯底表面的雜質(zhì)等附著物，清洗襯底的工藝方法是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，比如可以使用去離子水和/或乙醇等清洗。作為優(yōu)選技術(shù)方案，本發(fā)明所述的方法，步驟I)中所述襯底經(jīng)過如下處理:
[0017]I)將硅襯底放入丙酮溶液中，超聲清洗5-10min ；
[0018]2)取出襯底放入異丙醇(IPA)中超聲清洗5-10min ；
[0019]3)取出襯底用去離子水清洗干凈，使用氮?dú)鈽寣⒁r底吹干；
[0020]4)將襯底放入HF和去離子水的混合液中浸泡，所述混合液的比例優(yōu)選為HF和去離子水質(zhì)量比1:10,優(yōu)選浸泡5min以上,優(yōu)選為IOmin ；
[0021]5)取出后用去離子水清洗干凈，并吹干。
[0022]步驟I)和步驟5)中所述的金屬能采用多種金屬，對(duì)金屬不作特別限定。作為優(yōu)選技術(shù)方案，本發(fā)明所述的方法，步驟I)和步驟5)中所述金屬為Ti和/或Au。步驟I)和步驟5)所用金屬可以為相同的金屬，也可以為不同的金屬。使用金屬Ti時(shí)，考慮到Ti表面易結(jié)合氧，形成TiOx膜，在Ti膜暴露在空氣之前先預(yù)沉積IOnm厚的SiO2膜。使用金屬Au時(shí)，鍍Au膜時(shí)需要預(yù)鍍5nm厚Cr或Ti，以增加金膜和襯底的粘附性。
[0023]優(yōu)選地，所述制備金屬膜的方法通過濺射和/或電子束蒸發(fā)工藝得到。濺射或電子束蒸發(fā)工藝是本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)手段，本發(fā)明不再贅敘。
[0024]優(yōu)選地，步驟I)和步驟5)所述金屬膜的厚度為保證電磁波不透過，優(yōu)選為不低于200nm,例如為 250nm、300nm、360nm、500nm 等。
[0025]吸波材料的吸收頻率受介質(zhì)層材料的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的調(diào)控，通過選取合適材料和周期性微結(jié)構(gòu)，可使得介質(zhì)材料對(duì)某頻段的波長(zhǎng)的吸收率接近。考慮到介電常數(shù)的匹配，作為優(yōu)選技術(shù)方案，本發(fā)明所述的方法，步驟2)所述含硅層為SiO2膜和/或Si3N4膜。
[0026]優(yōu)選地，所述含硅層的厚度根據(jù)波吸收的頻段而定，優(yōu)選為15-35 μ m，例如為18 μ m、21 μ m、26 μ m、30 μ m、34 μ m 等，進(jìn)一步優(yōu)選為 25 μ m。
[0027]作為優(yōu)選技術(shù)方案，本發(fā)明所述的方法，步驟3)所述烘烤通過熱板和/或烘箱完成。
[0028]優(yōu)選地，旋涂電子束正性光刻膠前烘烤的溫度為150-200°C，例如為170°C、185°C、190°C、198°C等，優(yōu)選180°C ;使用熱板烘烤的時(shí)間為4_15min，例如為6min、9min、llmin、14min 等,優(yōu)選為 5-10min。
[0029]優(yōu)選地，旋涂電子束正性光刻膠后烘烤的溫度為150-200°C，例如為170°C、185°C、190°C、198°C等，優(yōu)選180°C ;使用熱板烘烤的時(shí)間為Ι-lOmin，例如為50s、lmin、Imin30s、2minl5s、3min、3min45s等,優(yōu)選為2min,使用烘箱烘烤的時(shí)間為IOmin以上,例如為 12min、15min、21min、30min、45min、55min、70min、85min 等，優(yōu)選為 10_60mino
[0030]旋涂光刻膠前烘烤的目的是為了去除襯底表面的水，干燥表面增強(qiáng)光刻膠在襯底上的附著力；涂膠后烘烤則是為了去除膠中溶劑，在襯底上形成固態(tài)膜，每種膠的烘烤溫度不一樣，時(shí)間越長(zhǎng)，溶劑去除的越徹底。
[0031]優(yōu)選地，步驟3)所述電子束正性光刻膠為ZEP520A和/或PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)；為了便于金屬剝離，所述電子束正性光刻膠的厚度需要大于金屬層厚度，優(yōu)選不低于金屬厚度的1.5倍，根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)節(jié)厚度。采用的ZEP520A光刻膠具有很高的分辨率，可將微結(jié)構(gòu)圖形尺寸拓展至納米范圍，所用的電子束正性光刻膠均為常用的光刻膠，因此，本發(fā)明易于實(shí)現(xiàn)，可推廣性強(qiáng)。
[0032]作為優(yōu)選技術(shù)方案，本發(fā)明所述的方法，步驟4)對(duì)光刻膠曝光并顯影通過電子束直寫技術(shù)和/或紫外光刻完成。
[0033]步驟3)、4)的具體過程可以為:先將步驟2)所得樣品烘干，在其上旋涂電子束光刻膠ZEP520A和/或PMMA，并在熱板上烘烤使其干燥，然后利用電子束直寫技術(shù)和/或紫外光刻在涂了電子束光刻膠的襯底上進(jìn)行曝光，然后使用顯影液進(jìn)行顯影，在襯底上形成微結(jié)構(gòu)周期的光刻膠圖形。
[0034]作為優(yōu)選技術(shù)方案，本發(fā)明所述的方法，步驟6)所述剝離工藝為:使用除膠劑，并加適當(dāng)超聲進(jìn)行；
[0035]優(yōu)選地，所述除膠劑為丁酮。
[0036]本發(fā)明的目的之一還在于提供一種吸波材料，所述吸波材料通過本發(fā)明所述方法制備。
[0037]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0038]I)本發(fā)明的方法，制備工藝簡(jiǎn)單，為具有微結(jié)構(gòu)周期的結(jié)構(gòu)型吸波材料提供了有效可行的新型加工方法。
[0039]2)本發(fā)明的方法，在硅襯底上制備吸波材料，與常規(guī)的微加工工藝兼容，通過調(diào)整微結(jié)構(gòu)周期圖形的形狀、尺寸、周期及介質(zhì)層的厚度，易于制備不同頻段的吸波材料。
[0040]3)本發(fā)明的方法制得的吸波材料具有良好的吸波性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]圖1是本發(fā)明采用的微結(jié)構(gòu)周期的單元示意圖；
[0042]圖2是制備吸收頻率可調(diào)控的結(jié)構(gòu)型吸波材料的工藝流程圖；
[0043]圖3是采用本發(fā)明實(shí)施例1所獲得結(jié)構(gòu)型吸波材料的電子顯微鏡照片。
【具體實(shí)施方式】
[0044]為便于理解本發(fā)明，本發(fā)明列舉實(shí)施例如下。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明了，所述實(shí)施例僅僅是幫助理解本發(fā)明，不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明的具體限制。
[0045]本發(fā)明提供的制備吸收頻率可調(diào)控的結(jié)構(gòu)型吸波材料的方法，采用常規(guī)的微加工工藝，制備的吸波材料微結(jié)構(gòu)周期單元是如圖1所示的“工”字形，左圖為正視圖，右邊是剖面圖。
[0046]本發(fā)明所用的ZEP520A為日本丸紅公司生產(chǎn)的，PMMA為德國(guó)AlIresist公司生產(chǎn)的。
[0047]圖2是制備吸收頻率可調(diào)控的結(jié)構(gòu)型吸波材料的工藝流程圖。
[0048]實(shí)施例1
[0049]本發(fā)明提供的制備吸收頻率可調(diào)控的結(jié)構(gòu)型吸波材料的方法，包括以下步驟:
[0050]步驟1:在清洗的硅襯底上沉積金屬Ti層。
[0051]本步驟中，采用磁控濺射技術(shù)，在清洗的硅襯底上沉積200nm厚金屬Ti層。為保證電磁波不透過要求Ti膜的厚度不低于200nm。Ti膜的沉積工藝在常溫下進(jìn)行。同時(shí)考慮到Ti表面易結(jié)合氧，形成TiOx膜，在Ti膜暴露在空氣之前先預(yù)沉積IOnm厚的Si02膜，預(yù)沉積可以采用ICPECVD技術(shù)，也可以使用其他的現(xiàn)有技術(shù)。
[0052]步驟2:沉積SiO2介質(zhì)厚膜。
[0053]本步驟中，采用ICPECVD技術(shù)，沉積25 μ m厚SiO2介質(zhì)膜，具體工藝參見CN103484833A，得到低應(yīng)力、低損傷的介質(zhì)膜。為保證膜的光學(xué)參數(shù)，使用光譜橢偏儀測(cè)得介質(zhì)膜的折射率為1.45-1.47，優(yōu)選1.46。
[0054]步驟3:在SiO2介質(zhì)膜上旋涂電子束光刻膠，曝光顯影后形成微結(jié)構(gòu)周期的電子束光刻膠圖形，具體過程如下:
[0055]a、將樣品放置在熱板上180°C烘烤7分鐘，去除表面的水分，旋涂ZEP520A電子束正性光刻膠，并放置在熱板上180°C烘烤2分鐘。
[0056]本步驟中，為便于下一步金屬剝離工藝，ZEP520A膠厚在500nm左右。
[0057]b、采用電子束直寫技術(shù)對(duì)光刻膠曝光，顯影得到微結(jié)構(gòu)周期的光刻膠圖形。
[0058]本步驟中，使用與電子束膠ZEP520A對(duì)應(yīng)的顯影液，對(duì)曝光的ZEP膠進(jìn)行顯影；本發(fā)明實(shí)施例中使用的顯影液為對(duì)二甲苯。
[0059]步驟4:沉積另一層Ti。
[0060]本步驟中，采用電子束蒸發(fā)工藝，在帶有光刻膠圖形的樣品上沉積200nm厚的Ti膜；為保證金屬剝離線條的光滑，此步不宜使用磁控濺射工藝實(shí)現(xiàn)。
[0061]步驟5:采用剝離工藝，形成結(jié)構(gòu)型吸波材料。
[0062]使用去膠劑丁酮，并伴隨適當(dāng)超聲，剝離后實(shí)現(xiàn)Ti微結(jié)構(gòu)周期圖形。
[0063]圖3為采用本實(shí)施例所獲得的制備吸收頻率可調(diào)控的結(jié)構(gòu)型吸波材料的正面Ti微結(jié)構(gòu)周期的掃描電鏡圖片，可以看出，“工”字形Ti微結(jié)構(gòu)線條均勻一致，邊緣光滑，具有良好的吸波效果。
[0064]實(shí)施例2
[0065]本發(fā)明提供的制備吸收頻率可調(diào)控的結(jié)構(gòu)型吸波材料的方法，包括以下步驟:
[0066]步驟1:在清洗的硅襯底上沉積金屬Au層。
[0067]本步驟中，采用電子束蒸發(fā)技術(shù),在清洗的娃襯底上沉積300nm厚金屬Au層。Au膜的沉積工藝在常溫下進(jìn)行。鍍Au膜時(shí)預(yù)鍍5nm厚Cr或Ti，以增加金膜和襯底的粘附性。[0068]步驟2:沉積Si3N4介質(zhì)厚膜。
[0069]本步驟中，采用ICPECVD技術(shù)，沉積18 μ m厚Si3N4介質(zhì)膜，具體工藝參見CN103484833A，得到低應(yīng)力、低損傷的介質(zhì)膜。為保證膜的光學(xué)參數(shù)，使用光譜橢偏儀測(cè)得介質(zhì)膜的折射率為1.45。
[0070]步驟3:在Si3N4介質(zhì)膜上旋涂電子束光刻膠，曝光顯影后形成微結(jié)構(gòu)周期的電子束光刻膠圖形，具體過程如下:
[0071]a、將樣品放置在熱板上150°C烘烤10分鐘，去除表面的水分，旋涂ZEP520A電子束正性光刻膠，并放置在烘箱內(nèi)200°C烘烤40分鐘。
[0072]本步驟中，為便于下一步金屬剝離工藝，ZEP520A膠厚在600nm左右。
[0073]b、采用紫外光刻技術(shù)對(duì)光刻膠曝光，顯影得到微結(jié)構(gòu)周期的光刻膠圖形。
[0074]本步驟中，使用與電子束膠或PMMA對(duì)應(yīng)的顯影液，對(duì)曝光的或PMMA膠進(jìn)行顯影；本發(fā)明實(shí)施例中使用的顯影液為對(duì)二甲苯。
[0075]步驟4:沉積另一層Ti。
[0076]本步驟中，采用電子束蒸發(fā)工藝，在帶有光刻膠圖形的樣品上沉積300nm厚的Ti膜；為保證金屬剝離線條的光滑，此步不宜使用磁控濺射工藝實(shí)現(xiàn)。
[0077]步驟5:采用剝離工藝，形成結(jié)構(gòu)型吸波材料。
[0078]使用去膠劑丁酮，并伴隨適當(dāng)超聲，剝離后實(shí)現(xiàn)Ti微結(jié)構(gòu)周期圖形。
[0079]從本實(shí)施例制得的吸波材料掃描電鏡看出，“工”字形Ti微結(jié)構(gòu)線條均勻一致，邊緣光滑，具有良好的吸波效果。
[0080]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0081] 申請(qǐng)人:聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來說明本發(fā)明的詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程，但本發(fā)明并不局限于上述詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程才能實(shí)施。所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對(duì)本發(fā)明的任何改進(jìn)，對(duì)本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種在硅襯底材料上制作吸波材料的方法，包括如下步驟: 1)在襯底上制備金屬膜； 2)采用感應(yīng)耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)生長(zhǎng)含硅層； 3)烘烤后旋涂電子束正性光刻膠，再烘烤； 4)對(duì)光刻膠曝光并顯影后，得到電子束正性光刻膠周期結(jié)構(gòu)圖形； 5)采用電子束蒸發(fā)沉積金屬膜； 6)利用剝離工藝得到具有金屬膜/含硅介質(zhì)層/具周期結(jié)構(gòu)的金屬膜結(jié)構(gòu)的吸波材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟I)中所述襯底經(jīng)過如下處理: 1)將硅襯底放入丙酮溶液中，超聲清洗5-10min； 2)取出襯底放入異丙醇中超聲清洗5-10min； 3)取出襯底用去離子水清洗干凈，使用氮?dú)鈽寣⒁r底吹干； 4)將襯底放入HF和去離子水的混合液中； 5)取出后用去離子水清洗干凈，并吹干。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟I)和步驟5)中所述金屬為Ti和/或Au ； 優(yōu)選地，所述制備金屬膜的方法通過濺射和/或電子束蒸發(fā)工藝得到。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟I)和步驟5)所述金屬膜的厚度為保證電磁波不透過，優(yōu)選為不低于200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)所述含硅層為SiO2膜和/或Si3N4膜； 優(yōu)選地，所述含硅層的厚度根據(jù)波吸收的頻段而定，優(yōu)選為15-35 μ m,進(jìn)一步優(yōu)選為25 μ m0
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)所述烘烤通過熱板和/或烘箱完成； 優(yōu)選地，旋涂電子束正性光刻膠前烘烤的溫度為150-200°C，優(yōu)選180°C;使用熱板烘烤的時(shí)間為4_15min,優(yōu)選為5-lOmin ； 優(yōu)選地，旋涂電子束正性光刻膠后烘烤的溫度為150-200°C，優(yōu)選180°C;使用熱板烘烤的時(shí)間為Ι-lOmin，優(yōu)選為2min，使用烘箱烘烤的時(shí)間為IOmin以上，優(yōu)選為10_60min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)所述電子束正性光刻膠為ZEP520A和/或PMMA。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4)對(duì)光刻膠曝光并顯影通過電子束直寫技術(shù)和/或紫外光刻完成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟6)所述剝離工藝為:使用除膠劑，并加適當(dāng)超聲進(jìn)行； 優(yōu)選地，所述除膠劑為丁酮。
10.一種吸波材料，其特征在于，所述吸波材料通過權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述方法制備。
【文檔編號(hào)】H05K9/00GK103779667SQ201410047908
【公開日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2014年2月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月11日
【發(fā)明者】董鳳良, 徐麗華, 宋志偉, 褚衛(wèi)國(guó) 申請(qǐng)人:國(guó)家納米科學(xué)中心