帶負(fù)載檢測的取電電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開一種用于單火線取電時，對負(fù)載進(jìn)行檢測后進(jìn)行取電的取電電路。其包括可控硅控制電路、開關(guān)電源電路、采樣電路和主控制電路，可控硅控制電路由單火線上取電，采樣電路包括型號為UTP1000的超微功耗寬電壓開關(guān)電源芯片的單火線取電專用模塊和型號為H7533的低功耗穩(wěn)壓器，專用模塊的輸入端與穩(wěn)壓器的輸入端相接，其輸出端與單火線相接；穩(wěn)壓器的輸出端與主控制電路的工作電源相接。本實用新型由單火線取電專用模塊和低功耗穩(wěn)壓器構(gòu)成的采樣電路和由電壓比較電路、開關(guān)電路構(gòu)成的開關(guān)電源電路，對取電線路進(jìn)行檢測，識別負(fù)載待機功耗，對電路取電進(jìn)行調(diào)整。通過對負(fù)載的檢測，識別負(fù)載，減少了取電線路對負(fù)載壽命的影響。
【專利說明】帶負(fù)載檢測的取電電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用新型涉及單火線取電電路，特別涉及一種帶負(fù)載檢測的取電電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在智能家居照明控制系統(tǒng)中，所用的單火線取電控制開關(guān)，取電量小而且不能根據(jù)電路是否帶有負(fù)載進(jìn)行取電，因此，取電狀態(tài)常常因空載或負(fù)載情況受到影響，取電性能不穩(wěn)定，可靠性差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種用于單火線取電時，對負(fù)載進(jìn)行檢測后進(jìn)行取電的取電電路。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案為:
[0005]本實用新型的帶負(fù)載檢測的取電電路，包括可控硅控制電路、開關(guān)電源電路、采樣電路和主控制電路，所述可控硅控制電路由單火線上取電，其控制端與主控制電路相接，所述采樣電路包括單火線取電專用模塊和低功耗穩(wěn)壓器構(gòu)成，其中，單火線取電專用模塊是型號為UTP1000的超微功耗寬電壓開關(guān)電源芯片，低功耗穩(wěn)壓器型號為H7533，專用模塊的輸入端通過第一二極管與穩(wěn)壓器的輸入端相接，專用模塊的輸出端通過第三二極管和第五二極管與單火線相接；穩(wěn)壓器的輸出端第二電感與主控制電路的工作電源相接。
[0006]所述開關(guān)電源電路由電壓比較電路和開關(guān)電路構(gòu)成，其中，電壓比較電路的輸出端與開關(guān)電路的輸入端相接，開關(guān)電路的輸出端通過可控硅控制電路與單火線的出線相接。
[0007]所述電壓比較電路主要由雙運放大器、第十四電阻、第十五電阻、第十五電容、第十一二極管、第一穩(wěn)壓二極管、第十四電容和第十七電阻構(gòu)成，雙運放大器的反相輸入端通過與第十五電容的正端、第十四電阻和第十一二極管的負(fù)極相接，并通過第十四電阻與單火線的入線相接，雙運放大器的同相輸入端通過第十五電阻與第一穩(wěn)壓二極管、第十四電容的正極和第十七電阻相連，并通過第十七電阻接往正12V電源端，雙運放大器的輸出端與開關(guān)電路中的第十九電阻和第十八電阻相接；所述開關(guān)電路由第二晶體管、第三晶體管和功率開關(guān)管構(gòu)成，第二晶體管與第三晶體管的基極共接并通過第十九電阻與第十八電容的并聯(lián)與雙運放大器的輸出端和第十八電阻相接，第二晶體管與第三晶體管的發(fā)射極共接并接于功率開關(guān)管的控制極，第三晶體管的發(fā)射極接于正12V電源，第二晶體管的發(fā)射極與功率開關(guān)管的漏極共接于單火線的入線，功率開關(guān)管的源極通過可控硅控制電路接于單火線的出線上。
[0008]所述可控娃控制電路由雙向可控娃和光電I禹合器構(gòu)成，光電I禹合器的輸入端與主控制電路相接，雙向可控硅的陽極和陰極分別與功率開關(guān)管的源極和單火線的出線相接，其控制端通過光電耦合器、限流電阻與其陽極相接。
[0009]所述主控制電路主要由型號為ATM88V的萬能計算芯片構(gòu)成。[0010]所述雙運放大器型號為LM358 ;所述功率開關(guān)管的型號為IRLR7843 ;所述雙向可控硅型號為BTA16/600B ;所述光電耦合器型號為M0C3023。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型采用了在單火線取電電路中增加由單火線取電專用模塊和低功耗穩(wěn)壓器構(gòu)成的采樣電路和由電壓比較電路、開關(guān)電路構(gòu)成的開關(guān)電源電路，對取電線路進(jìn)行檢測，識別負(fù)載待機功耗，對電路取電進(jìn)行調(diào)整。通過對負(fù)載的檢測，識別負(fù)載，減少了取電線路對負(fù)載壽命的影響。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本實用新型的電路原理圖之一。
[0013]圖2為本實用新型的電路原理圖之二。
[0014]附圖標(biāo)記:
[0015]可控硅控制電路1、開關(guān)電源電路2、電壓比較電路21、開關(guān)電路22、主控制電路3、采樣電路4、取電專用模塊U2、低功耗穩(wěn)壓器U3、第十四電阻R14、第十五電阻R15、第十七電阻R17、第十八電阻R18、第十九電阻R19、限流電阻R20、第十四電容C14、第十五電容C15、第十八電容C18、第二電感L2、第一二極管D1、第三二極管D3、第五二極管D5、第十一二極管D11、第十二二極管D12、第十三二極管D13、第一穩(wěn)壓二極管ZD1、第二晶體管Q2、第三晶體管Q3、功率開關(guān)管Q4、光電耦合器U5、雙向可控硅Q5、雙運放大器U4、萬能計算芯片U1。
【具體實施方式】
[0016]下面對本實用新型作進(jìn)一步的說明。
[0017]如圖1、2所示，本實用新型的帶負(fù)載檢測的取電電路，包括可控硅控制電路1、開關(guān)電源電路2、采樣電路4和主控制電路3，所述可控硅控制電路I由單火線上取電，其控制端與主控制電路3相接，所述采樣電路4包括單火線取電專用模塊U2和低功耗穩(wěn)壓器U3構(gòu)成，其中，單火線取電專用模塊U2是型號為UTP1000的超微功耗寬電壓開關(guān)電源芯片，低功耗穩(wěn)壓器U3型號為H7533,專用模塊的輸入端通過第一二極管Dl與穩(wěn)壓器U3的輸入端相接，專用模塊的輸出端通過第三二極管D3和第五二極管D5與單火線相接；穩(wěn)壓器U3的輸出端第二電感L2與主控制電路3的工作電源相接。
[0018]所述開關(guān)電源電路2由電壓比較電路21和開關(guān)電路22構(gòu)成，其中，電壓比較電路21的輸出端與開關(guān)電路22的輸入端相接，開關(guān)電路22的輸出端通過可控硅控制電路I與單火線的出線相接。
[0019]所述電壓比較電路21主要由雙運放大器U4、第十四電阻R14、第十五電阻R15、第十五電容C15、第十一二極管D11、第一穩(wěn)壓二極管ZD1、第十四電容C14和第十七電阻R17構(gòu)成，雙運放大器U4的反相輸入端通過與第十五電容C15的正端、第十四電阻R14和第十一二極管Dll的負(fù)極相接，并通過第十四電阻R14與單火線的入線相接，雙運放大器U4的同相輸入端通過第十五電 阻R15與第一穩(wěn)壓二極管ZD1、第十四電容C14的正極和第十七電阻R17相連，并通過第十七電阻R17接往正12V電源端，雙運放大器U4的輸出端與開關(guān)電路22中的第十九電阻R19和第十八電阻R18相接；所述開關(guān)電路22由第二晶體管Q2、第三晶體管Q3和功率開關(guān)管Q4構(gòu)成，第二晶體管Q2與第三晶體管Q3的基極共接并通過第十九電阻R19與第十八電容C18的并聯(lián)與雙運放大器U4的輸出端和第十八電阻R18相接，第二晶體管Q2與第三晶體管Q3的發(fā)射極共接并接于功率開關(guān)管Q4的控制極，第三晶體管Q3的發(fā)射極接于正12V電源,第二晶體管Q2的發(fā)射極與功率開關(guān)管Q4的漏極共接于單火線的入線，功率開關(guān)管Q4的源極通過可控硅控制電路I接于單火線的出線上。
[0020]所述可控娃控制電路I由雙向可控娃Q5和光電f禹合器U5構(gòu)成,光電f禹合器U5的輸入端與主控制電路3相接，雙向可控硅Q5的陽極和陰極分別與功率開關(guān)管Q4的源極和單火線的出線相接，其控制端通過光電耦合器U5、限流電阻R20與其陽極相接。
[0021]所述主控制電路3主要由型號為ATM88V的萬能計算芯片Ul構(gòu)成。
[0022]所述雙運放大器U4型號為LM358 ;所述功率開關(guān)管Q4的型號為IRLR7843 ;所述雙向可控硅Q5型號為BTA16/600B ;所述光電耦合器U5型號為M0S3023。
[0023]工作原理:
[0024]市電經(jīng)整流后，在采樣電路4中的第三電阻R3與第七電阻R7處進(jìn)行分壓調(diào)節(jié)，使與其連接的端口 Ml準(zhǔn)確捕捉外部負(fù)載信號電壓，并且將該信號傳輸?shù)街骺刂齐娐?中的萬能計算芯片Ul中進(jìn)行識別，從而確認(rèn)負(fù)載的是否接入。
【權(quán)利要求】
1.一種帶負(fù)載檢測的取電電路，包括可控硅控制電路(I)、開關(guān)電源電路(2)、采樣電路⑷和主控制電路(3)，所述可控硅控制電路(I)由單火線上取電，其控制端與主控制電路(3)相接，其特征在于:所述采樣電路(4)包括單火線取電專用模塊(U2)和低功耗穩(wěn)壓器(U3)構(gòu)成，其中，單火線取電專用模塊(U2)是型號為UTP1000的超微功耗寬電壓開關(guān)電源芯片，低功耗穩(wěn)壓器(U3)型號為H7533，專用模塊的輸入端通過第一二極管(Dl)與穩(wěn)壓器(U3)的輸入端相接，專用模塊的輸出端通過第三二極管(D3)和第五二極管(D5)與單火線相接；穩(wěn)壓器(U3)的輸出端通過第二電感(L2)與主控制電路(3)的工作電源相接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶負(fù)載檢測的取電電路，其特征在于:所述開關(guān)電源電路(2)由電壓比較電路(21)和開關(guān)電路(22)構(gòu)成，其中，電壓比較電路(21)的輸出端與開關(guān)電路(22)的輸入端相接，開關(guān)電路(22)的輸出端通過可控硅控制電路(I)與單火線的出線相接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶負(fù)載檢測的取電電路，其特征在于:所述電壓比較電路(21)主要由雙運放大器(U4)、第十四電阻(R14)、第十五電阻(R15)、第十五電容(C15)、第十一二極管(Dll)、第一穩(wěn)壓二極管(ZDl)、第十四電容(C14)和第十七電阻(R17)構(gòu)成，雙運放大器(U4)的反相輸入端通過與第十五電容(C15)的正端、第十四電阻(R14)和第十一二極管(Dll)的負(fù)極相接，并通過第十四電阻(R14)與單火線的入線相接，雙運放大器(U4)的同相輸入端通過第十五電阻(R15)與第一穩(wěn)壓二極管(ZDl)、第十四電容(C14)的正極和第十七電阻(R17)相連，并通過第十七電阻(R17)接往正12V電源端，雙運放大器(U4)的輸出端與開關(guān)電路(22)中的第十九電阻(R19)和第十八電阻(R18)相接；所述開關(guān)電路(22)由第二晶體管(Q2)、第三晶體管(Q3)和功率開關(guān)管(Q4)構(gòu)成，第二晶體管(Q2)與第三晶體管(Q3)的基極共接并通過第十九電阻(R19)與第十八電容(C18)的并聯(lián)與雙運放大器(U4)的輸出端和第十八電阻(R18)相接，第二晶體管(Q2)與第三晶體管(Q3)的發(fā)射極共接并接于功率開關(guān)管(Q4)的控制極，第三晶體管(Q3)的發(fā)射極接于正12V電源，第二晶體管(Q2)的發(fā)射極與功率開關(guān)管(Q4)的漏極共接于單火線的入線，功率開關(guān)管(Q4)的源極通過可控硅控制電路(I)接于單火線的出線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶負(fù)載檢測的取電電路，其特征在于:所述可控硅控制電路(I)由雙向可控娃(Q5)和光電I禹合器(U5)構(gòu)成,光電I禹合器(U5)的輸入端與主控制電路(3)相接，雙向可控硅(Q5)的陽極和陰極分別與功率開關(guān)管(Q4)的源極和單火線的出線相接，其控制端通過光電耦合器(U5)、限流電阻(R20)與其陽極相接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2—4中任一項所述的帶負(fù)載檢測的取電電路，其特征在于:所述主控制電路⑶主要由型號為ATM88V的萬能計算芯片(Ul)構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶負(fù)載檢測的取電電路，其特征在于:所述雙運放大器(U4)型號為LM358 ;所述功率開關(guān)管(Q4)的型號為IRLR7843 ;所述雙向可控娃(Q5)型號為BTA16/600B ;所述光電耦合器(U5)型號為M0C3023。
【文檔編號】H05B37/02GK203761621SQ201320775014
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】杜光東 申請人:深圳市盈廣現(xiàn)代網(wǎng)絡(luò)設(shè)備有限公司