一種克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，屬于電子【技術(shù)領(lǐng)域】。其由≤4mil雙面覆銅基板，單面壓合成3層板增厚，使用雙面覆銅基板達(dá)到使用≥4mil板后需求的設(shè)備，對(duì)≤4mil雙面覆銅基板進(jìn)行電鍍等制作加工后，再進(jìn)行單面壓合成正常的4層板，使原本不具備生產(chǎn)≤4mil雙面覆銅基板的設(shè)備可以滿足≤4mil雙面覆銅基板的生產(chǎn)。過程簡(jiǎn)單方便，可工業(yè)化應(yīng)用。
【專利說明】一種克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，具體的說是使不具備< 4mil覆銅基板薄板生產(chǎn)能力的覆銅基板厚板線設(shè)備達(dá)到能夠生產(chǎn)< 4mil覆銅基板薄板的能力，屬于電子【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]在本發(fā)明作出以前，印刷電路板覆銅基板薄板生產(chǎn)主要是購(gòu)買覆銅基板薄板專用設(shè)備，因覆銅基板薄板設(shè)備對(duì)厚度有嚴(yán)格限制，如厚度超標(biāo)將會(huì)造成印刷電路板卡在設(shè)備內(nèi)對(duì)設(shè)備造成損壞，故一般覆銅基板薄板設(shè)備只能生產(chǎn)薄板，相應(yīng)會(huì)增加設(shè)備成本，增加設(shè)備密集程度，提高維護(hù)費(fèi)用，在覆銅基板薄板產(chǎn)能不足情況下，設(shè)備產(chǎn)能不可共用，將提升生產(chǎn)成本。如高階HDI Anylayer (任意層互連)板的覆銅基板需厚度< 4mil，并需要在(4mil覆銅基板上進(jìn)行水平化銅線、垂直電鍍線、外層前處理、外層顯影線，外層蝕刻線，需厚度> 4mil的板厚，厚板線將會(huì)造成掉板卡板報(bào)廢，不具備覆銅基板< 4mil薄板生產(chǎn)能力的設(shè)備含水平化銅線、垂直電鍍線、外層前處理、外層顯影線，外層蝕刻線等。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于一種克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，其不用變更設(shè)備就能夠滿足< 4mil雙面覆銅基板的生產(chǎn)。
[0004]按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，一種克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，步驟如下:
取覆銅基板薄板，采用第一正面不透光的底片、第一反面線路有圖形的局部透光底片，將覆銅基板薄板曝光顯影，并將覆銅基板薄板反面蝕刻出圖形，并棕化；
將棕化后的覆銅基板薄板反面疊上一張半固化片和銅箔進(jìn)行壓合，得到三層覆銅板，達(dá)到滿足厚板設(shè)備生產(chǎn)的厚度要求；
采用第一正面透光的底片、第二反面線路有圖形的局部透光底片，將覆銅基板薄板曝光顯影，并將覆銅基板薄板正面蝕刻出圖形，并棕化；
最后，將棕化后的覆銅基板薄板正面疊上一張半固化片和銅箔進(jìn)行壓合，得到4層覆銅板，即得到滿足厚度< 4mil雙面覆銅基板。
[0005]所述克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，具體步驟如下:
(1)顯影:取覆銅基板薄板，在覆銅基板薄板正反兩面的銅面上同時(shí)壓上干膜；在覆銅基板薄板一面使用第一正面透光底片，另一面覆蓋有圖形的局部第二反面不透光底片，進(jìn)行UV曝光；第一正面透光底片下的干膜固化，第一反面不透光底片下的干膜未固化；覆銅基板薄板正反銅面上的干膜進(jìn)行內(nèi)層顯影；覆銅基板薄板正面被固化的干膜完全覆蓋，覆銅基板薄板反面未固化干膜則顯影出銅面；
(2)刻蝕:取步驟(I)顯影后所得的覆銅基板薄板進(jìn)行內(nèi)層水平線酸性刻蝕；由于覆銅基板薄板正面的干膜未被顯影掉，不會(huì)被蝕刻藥水腐蝕掉，而覆銅基板薄板反面未被干膜覆蓋的銅面被酸性藥水腐蝕掉，蝕刻完成后進(jìn)行水平線剝除干膜；
(3)棕化:將步驟(2)所得進(jìn)行酸性刻蝕后的覆銅基板薄板進(jìn)行水平棕化，在銅箔上形成一層棕化層，接著在覆銅基板薄板的反面放上同等大小的第一半固化片，第一半固化片上方再放上第一銅箔，第一銅箔上放置第一離型膜；將上述覆銅基板薄板、第一半固化片和第一銅箔、第一離型膜進(jìn)行壓合，壓合完成后去除第一離型膜形成三層覆銅板，壓合的第一銅箔將會(huì)形成另一個(gè)反面；
(4)化銅及鍍銅:步驟(3)取得到的三層覆銅板經(jīng)基板增厚后可以在板厚要求Mmil的厚度設(shè)備進(jìn)行水平化銅線生產(chǎn)；化銅完成后走垂直電鍍線對(duì)產(chǎn)品鍍上銅層；
(5)顯影刻蝕:電鍍后對(duì)三層覆銅板進(jìn)行刷磨，將三層覆銅板的原正反銅面上同時(shí)壓上第二干膜，并在三層覆銅板的正反面分別使用第一正面不透光底片和第二反面透光底片進(jìn)行UV曝光；曝光后第一正面不透光底片下的干膜將不會(huì)固化，第二反面有圖形的第二反面透光底片下的干膜未被固化，三層覆銅板正反銅面上的干膜進(jìn)行外層顯影；三層覆銅板正面第二干膜將會(huì)被顯影出銅面，三層覆銅板反面被固化的第二干膜完全覆蓋；再走水平蝕刻線將三層覆銅板正面被顯影出銅面進(jìn)行酸性蝕刻，得到圖形；
(6)棕化:將步驟(5)所得酸性刻蝕后的三層覆銅板進(jìn)行水平棕化，在銅箔上形成一層棕化層，接著在覆銅基板薄板的反面放上同等大小的第二半固化片，在第二半固化片上放上第二銅箔，在第二銅箔上放上同等大小的第二離型膜；
將上述三層覆銅板、第二半固化片和第二銅箔、第二離型膜進(jìn)行壓合，壓合完成后去除第二離型膜形成4層覆銅板，即得產(chǎn)品雙面附銅基板。
[0006]步驟(I)中所述覆銅基板薄板的厚度為l_3mil ;干膜厚度為l_2mil ；
步驟(3)所述第一半固化片的 厚度為3mil ;第一銅箔的厚度為0.4-0.8mil ;第一離型膜的厚度為40-50 u m ;三層覆銅板的厚度大于或等于4mil ；
步驟(6)所述第二半固化片厚度為3mil ;第二銅箔的厚度為0.4-0.8mil ;第二離型膜厚度為40-50 um；4層覆銅板厚度為6_7miI。
[0007]所述步驟(I)中，進(jìn)行UV曝光時(shí)，能量為14-20格；內(nèi)層顯影時(shí)，顯影參數(shù)為速度
2.6-3m/min、溫度28-32度，顯影藥水為質(zhì)量濃度為0.8-1.2%的碳酸鈉溶液。
[0008]所述步驟(2)中，蝕刻溫為45-55度、蝕刻藥水為1.2-2.0mol/1L的HCl、15_50g/IL的NaCIO3和95-140g/L的CU2+的混合溶液；蝕刻時(shí)混合溶液的噴壓為1.4-3kg/cm2，速度 2.8-3.2m/min ；
所述水平線剝除干膜(2)采用的藥水為質(zhì)量濃度4±1%的氫氧化鈉，速度3±0.2m/fflin，溫度為50土2度。
[0009]所述步驟(3)中，棕化藥水組成按體積比如下:3%的棕化藥水SM300、質(zhì)量濃度為98%的硫酸15%、3%的雙氧水和純水79%。
[0010]所述步驟(4)中，化銅時(shí)的生產(chǎn)溫度為33±2度，藥水為化學(xué)沉銅藥水；
電鍍藥水組成如下:H2S04:120mL/L，CuSO4 ? 5H20:100g/L, CF:60ppm、光亮劑 0.6mL/
L0
[0011]步驟(5)所述顯影參數(shù)如下:速度2.8m/min、溫度28-32度，顯影藥水為質(zhì)量濃度為1%的碳酸鈉溶液；
蝕刻時(shí)溫度為 45-55 度、蝕刻藥水濃度為:HC1:1.2-2.0mol/L,NaClO3:15_50g/L、Cu2+:95_140g/L、噴壓 1.4_3kg/cm2,速度:2.8-3.2m/min。
[0012]步驟(6)所述棕化藥水按體積比組成如下:棕化藥水SM300 3%、濃度98%的硫酸15%、雙氧水3%，純水79%。
[0013]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明由< 4mi I雙面覆銅基板，單面壓合成3層板增厚，使用雙面覆銅基板達(dá)到使用> 4mil板后需求的設(shè)備，對(duì)< 4mil雙面覆銅基板進(jìn)行電鍍等制作加工后，再進(jìn)行單面壓合成正常的4層板，使原本不具備生產(chǎn)< 4mil雙面覆銅基板的設(shè)備可以滿足≤4mil雙面覆銅基板的生產(chǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是覆銅基板薄板示意圖。
[0015]圖2是步驟(I)示意圖。
[0016]圖3是透光底片顯影蝕刻不意圖。
[0017]圖4是棕化層示意圖。
[0018]圖5是步驟(3)示意圖。
[0019]圖6是二層覆銅板不意圖。
[0020]圖7步驟(5)示意圖。
[0021]圖8是第二次透光底片顯影蝕刻示意圖。
[0022]圖9是最終廣品結(jié)構(gòu)不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]以下實(shí)施例中化學(xué)沉銅藥水購(gòu)自超特(無錫)化學(xué)科技有限公司，藥水型號(hào):化學(xué)沉銅藥水；棕化藥水SM300購(gòu)自安美特(中國(guó))化學(xué)有限公司；光亮劑購(gòu)自安美特(中國(guó))化學(xué)有限公司，光亮劑型號(hào):光亮劑藥水S3
實(shí)施例1
所述克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，具體步驟如下:
(1)顯影:取覆銅基板薄板1，在覆銅基板薄板I正反兩面的銅面上同時(shí)壓上干膜2;在覆銅基板薄板I 一面使用第一正面透光底片3，另一面覆蓋有圖形的局部第二反面不透光底片4，進(jìn)行UV曝光；第一正面透光底片3下的干膜固化，第一反面不透光底片4下的干膜未固化；覆銅基板薄板I正反銅面上的干膜2進(jìn)行內(nèi)層顯影；覆銅基板薄板I正面被固化的干膜2完全覆蓋，覆銅基板薄板2反面未固化干膜則顯影出銅面；
(2)刻蝕:取步驟(I)顯影后所得的覆銅基板薄板I進(jìn)行內(nèi)層水平線酸性刻蝕；由于覆銅基板薄板I正面的干膜2未被顯影掉，不會(huì)被蝕刻藥水腐蝕掉，而覆銅基板薄板2反面未被干膜2覆蓋的銅面被酸性藥水腐蝕掉，蝕刻完成后進(jìn)行水平線剝除干膜2 ；
(3)棕化:將步驟(2)所得進(jìn)行酸性刻蝕后的覆銅基板薄板I進(jìn)行水平棕化，在銅箔上形成一層棕化層5，接著在覆銅基板薄板I的反面放上同等大小的第一半固化片6，第一半固化片6上方再放上第一銅箔7，第一銅箔7上放置第一離型膜8 ;將上述覆銅基板薄板1、第一半固化片6和第一銅箔7、第一離型膜8進(jìn)行壓合，壓合完成后去除第一離型膜8形成三層覆銅板9，壓合的第一銅箔7將會(huì)形成另一個(gè)反面；
壓合參數(shù)如下:
【權(quán)利要求】
1.一種克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，其特征是步驟如下: 取覆銅基板薄板，采用第一正面不透光的底片、第一反面線路有圖形的局部透光底片，將覆銅基板薄板曝光顯影，并將覆銅基板薄板反面蝕刻出圖形，并棕化； 將棕化后的覆銅基板薄板反面疊上一張半固化片和銅箔進(jìn)行壓合，得到三層覆銅板，達(dá)到滿足厚板設(shè)備生產(chǎn)的厚度要求； 采用第一正面透光的底片、第二反面線路有圖形的局部透光底片，將覆銅基板薄板曝光顯影，并將覆銅基板薄板正面蝕刻出圖形，并棕化； 最后，將棕化后的覆銅基板薄板正面疊上一張半固化片和銅箔進(jìn)行壓合，得到4層覆銅板，即得到滿足厚度< 4mil雙面覆銅基板。
2.如權(quán)利要求1所述克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，其特征是具體步驟如下: (1)顯影:取覆銅基板薄板(I)，在覆銅基板薄板(I)正反兩面的銅面上同時(shí)壓上干膜(2);在覆銅基板薄板(I)一面使用第一正面透光底片(3)，另一面覆蓋有圖形的局部第二反面不透光底片(4)，進(jìn)行UV曝光；第一正面透光底片(3)下的干膜固化，第一反面不透光底片(4)下的干膜未固化；覆銅基板薄板(I)正反銅面上的干膜(2)進(jìn)行內(nèi)層顯影；覆銅基板薄板(I)正面被固化的干膜(2)完全覆蓋，覆銅基板薄板(2)反面未固化干膜則顯影出銅面； (2)刻蝕:取步驟(I)顯影后所得 的覆銅基板薄板(I)進(jìn)行內(nèi)層水平線酸性刻蝕；由于覆銅基板薄板(I)正面的干膜(2)未被顯影掉，不會(huì)被蝕刻藥水腐蝕掉，而覆銅基板薄板(2)反面未被干膜(2)覆蓋的銅面被酸性藥水腐蝕掉，蝕刻完成后進(jìn)行水平線剝除干膜(2)； (3)棕化:將步驟(2)所得進(jìn)行酸性刻蝕后的覆銅基板薄板(I)進(jìn)行水平棕化，在銅箔上形成一層棕化層(5)，接著在覆銅基板薄板(I)的反面放上同等大小的第一半固化片(6)，第一半固化片(6)上方再放上第一銅箔(7)，第一銅箔(7)上放置第一離型膜(8);將上述覆銅基板薄板(I)、第一半固化片(6)和第一銅箔(7)、第一離型膜(8)進(jìn)行壓合，壓合完成后去除第一離型膜(8)形成三層覆銅板(9)，壓合的第一銅箔(7)將會(huì)形成另一個(gè)反面； (4)化銅及鍍銅:步驟(3)取得到的三層覆銅板(9)經(jīng)基板增厚后可以在板厚要求Mmil的厚度設(shè)備進(jìn)行水平化銅線生產(chǎn)；化銅完成后走垂直電鍍線對(duì)產(chǎn)品鍍上銅層(10)； (5)顯影刻蝕:電鍍后對(duì)三層覆銅板(9)進(jìn)行刷磨，將三層覆銅板(9)的原正反銅面上同時(shí)壓上第二干膜(11)，并在三層覆銅板(9)的正反面分別使用第一正面不透光底片(12)和第二反面透光底片(13)進(jìn)行UV曝光；曝光后第一正面不透光底片(12)下的干膜將不會(huì)固化，第二反面有圖形的第二反面透光底片(13)下的干膜未被固化，三層覆銅板(9)正反銅面上的干膜進(jìn)行外層顯影；三層覆銅板(9)正面第二干膜(11)將會(huì)被顯影出銅面，三層覆銅板(9)反面被固化的第二干膜(11)完全覆蓋；再走水平蝕刻線將三層覆銅板(9)正面被顯影出銅面進(jìn)行酸性蝕刻，得到圖形； (6)棕化:將步驟(5)所得酸性刻蝕后的三層覆銅板(9)進(jìn)行水平棕化，在銅箔上形成一層棕化層(14)，接著在覆銅基板薄板的反面放上同等大小的第二半固化片(15)，在第二半固化片(15)上放上第二銅箔(16)，在第二銅箔(16)上放上同等大小的第二離型膜(17); 將上述三層覆銅板(9)、第二半固化片(15)和第二銅箔(16)、第二離型膜(17)進(jìn)行壓合，壓合完成后去除第二離型膜(17)形成4層覆銅板(18)，即得產(chǎn)品雙面附銅基板。
3.如權(quán)利要求2所述克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，其特征是:步驟(1)中所述覆銅基板薄板(1)的厚度為l-3mil ;干膜厚度為l-2mil ； 步驟(3)所述第一半固化片(6)的厚度為3mil ;第一銅箔(7)的厚度為0.4-0.8mil ；第一離型膜(8)的厚度為40-50 iim;三層覆銅板(9)的厚度大于或等于4miI ； 步驟(6)所述第二半固化片(15)厚度為3mil ;第二銅箔(16)的厚度為0.4-0.8mil ；第二離型膜(17)厚度為40-5011111;4層覆銅板(18)厚度為6-71-1。
4.如權(quán)利要求2所述克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，其特征是:所述步驟(I)中，進(jìn)行UV曝光時(shí)，能量為14-20格；內(nèi)層顯影時(shí)，顯影參數(shù)為速度2.6-3m/min、溫度28-32度，顯影藥水為質(zhì)量濃度為0.8-1.2%的碳酸鈉溶液。
5.如權(quán)利要求2所述克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，其特征是:所述步驟(2)中，蝕刻溫為45-55度、蝕刻藥水為1.2-2.0mol/1L的HC1、15_50g/lL的NaCIO3和95-140g/L的CU2+的混合溶液；蝕刻時(shí)混合溶液的噴壓為1.4-3kg/cm2，速度2.8-3.2m/min ； 所述水平線剝除干膜(2)采用的藥水為質(zhì)量濃度4±1%的氫氧化鈉，速度3±0.2m/fflin，溫度為50土2度。
6.如權(quán)利要求2所述克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，其特征是:所述步驟(3)中，棕化藥水組成按體積比如下:3%的棕化藥水SM300、質(zhì)量濃度為98%的硫酸15%、3%的雙氧水和純水79%。
7.如權(quán)利要求2所述克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，其特征是:所述步驟(4)中，化銅時(shí)的生產(chǎn)溫度為33±2度，藥水為化學(xué)沉銅藥水； 電鍍藥水組成如下:H2S04:120mL/L，CuSO4 ? 5H20:100g/L, CF:60ppm、光亮劑 0.6mL/l。
8.如權(quán)利要求2所述克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，其特征是:步驟(5)所述顯影參數(shù)如下:速度2.8m/min、溫度28-32度，顯影藥水為質(zhì)量濃度為1%的碳酸鈉溶液； 蝕刻時(shí)溫度為 45-55 度、蝕刻藥水濃度為:HC1:1.2-2.0mol/L,NaClO3:15_50g/L、Cu2+:95_140g/L、噴壓 1.4_3kg/cm2,速度:2.8-3.2m/min。
9.如權(quán)利要求2所述克服印刷電路板覆銅基板薄板作業(yè)限制的方法，其特征是:步驟(6)所述棕化藥水按體積比組成如下:棕化藥水SM3003%、濃度98%的硫酸15%、雙氧水3%，純水79%。
【文檔編號(hào)】H05K3/46GK103458630SQ201310346452
【公開日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2013年8月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月9日
【發(fā)明者】鄭方榮 申請(qǐng)人:高德（無錫）電子有限公司