本發(fā)明屬于快堆冷卻劑特性技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及液態(tài)金屬鈉連續(xù)噴射的方法及所用回路。

背景技術(shù)：
快堆采用液態(tài)金屬鈉作為冷卻劑，為解決退役后大量放射性鈉的處理，需要全面開展快堆退役后放射性鈉處理技術(shù)研究工作，而實施鈉的連續(xù)噴射是連續(xù)處理大量放射性鈉的前提條件。因而急需一種能夠?qū)崿F(xiàn)液態(tài)金屬鈉連續(xù)噴射的方法，并建立一條鈉噴射的回路，來保證鈉連續(xù)噴射的順利實施。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
（一）發(fā)明目的根據(jù)現(xiàn)有的技術(shù)需求，本發(fā)明提供了一種能夠使液態(tài)金屬鈉連續(xù)噴射的方法及回路。（二）技術(shù)方案本發(fā)明提供的液態(tài)金屬鈉連續(xù)噴射的方法，是將鈉加熱后使鈉經(jīng)過沉降、冷阱除雜后，在噴射支路中的鈉噴射接收罐中實現(xiàn)連續(xù)噴射，其包括以下步驟：（1）除雜將鈉加熱到150℃～250℃后輸送到沉降罐中初步沉降，將沉降后的鈉輸送到膨脹箱中，并通過電磁泵使鈉在擴(kuò)散型冷阱、膨脹箱中循環(huán)流動，鈉通過擴(kuò)散型冷阱時進(jìn)一步將雜質(zhì)除去。（2）測量通過阻塞計測量旁路對凈化后的鈉進(jìn)行在線測量，當(dāng)雜質(zhì)含量小于50ppm，將鈉輸送至噴射支路。（3）鈉的噴射小流量噴射時，將鈉先注入到鈉計量筒，再將其注入噴射支路；大流量噴射時，將膨脹箱中鈉通過電磁泵驅(qū)動輸送到噴射支路的鈉噴射接收罐，實現(xiàn)鈉的連續(xù)霧化噴射。本發(fā)明提供的實現(xiàn)液態(tài)金屬鈉連續(xù)噴射的回路，該回路包括鈉回路、阻塞計測量旁路、噴射支路；所述鈉回路由電磁泵、擴(kuò)散型冷阱、膨脹箱、電熱元件組成，原料鈉首先輸送到沉降罐中將鈉中的雜質(zhì)初步沉降，雜質(zhì)經(jīng)沉降罐下方的排放管排出，將初步凈化后的鈉排入儲鈉罐后注入膨脹箱，關(guān)閉V117，通過電磁泵將膨脹箱的鈉在鈉回路中運行，鈉中的雜質(zhì)在擴(kuò)散型冷阱中進(jìn)一步除去。所述阻塞計測量旁路主要由阻塞計構(gòu)成，在線監(jiān)測鈉中雜質(zhì)含量。所述噴射支路由鈉計量筒和鈉噴射接收罐構(gòu)成，小流量噴射時，將鈉由膨脹箱先注入標(biāo)定的鈉計量筒，再將其注入鈉噴射接收罐。大流量噴射時，膨脹箱中鈉通過電磁泵驅(qū)動輸送到鈉噴射接收罐。其中鈉噴射接收罐鈉主要由引流裝置、噴嘴、鈉接收盤、導(dǎo)向裝置、導(dǎo)排裝置組成，所述的噴嘴為葉片式窄角實心錐形噴嘴。引流裝置從鈉噴射接收罐的頂部進(jìn)入其內(nèi)部，其上配備有電加熱及保溫裝置，該噴射裝置將液體鈉噴射到密閉容器中；導(dǎo)向裝置位于鈉接收盤的下方，實現(xiàn)對鈉接收盤的過渡支撐。鈉接收盤位于密閉容器的下部，用于接收噴射的鈉，其邊緣的弧形導(dǎo)流板能將噴射到鈉接收盤邊緣的鈉滴引流到支撐架上設(shè)置的漏鈉口中；從漏鈉口流出的鈉經(jīng)排放口進(jìn)入鈉導(dǎo)排裝置。支撐架位于導(dǎo)向裝置的下方，用于支撐鈉接收盤。（三）有益效果采用本發(fā)明提供的液態(tài)金屬鈉連續(xù)噴射的方法及所用回路，使鈉在噴射前經(jīng)過沉降罐及擴(kuò)散型冷阱兩步除雜，并且在回路中還有阻塞計測量裝置，能夠在線監(jiān)測鈉中雜質(zhì)含量，使液態(tài)金屬鈉連續(xù)噴射、不堵塞噴射裝置?；芈分械拟c噴射接收罐可以實現(xiàn)在密閉環(huán)境下對鈉進(jìn)行噴射、軌跡和溫度測量及導(dǎo)排。附圖說明圖1：液態(tài)金屬鈉連續(xù)噴射的回路示意圖；1.沉降罐；2.鈉蒸汽阱；3.鈉計量筒；4.1號加熱器；5.阻塞計；6.冷阱；7.1號風(fēng)機(jī)；8.電磁泵；9.膨脹箱；10.電熱元件；11.儲鈉罐；12.鈉噴射接收罐；13.風(fēng)機(jī)；14.真空泵；圖2：鈉噴射接收罐；15.引流裝置、16.多支式熱電偶裝置、17.密閉容器、18.窺視窗、19.鈉接收盤、20.導(dǎo)向裝置、21.鈉排放口、22.電加熱裝置、23.導(dǎo)排裝置、24.氬氣保護(hù)用輸送裝置、25.支撐架、26.漏鈉口、27.噴嘴。具體實施方式下面結(jié)合說明書附圖和具體實施方式對本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。本發(fā)明提供的液態(tài)金屬鈉連續(xù)噴射的方法，是將鈉加熱到150℃～250℃，使鈉經(jīng)過沉降、冷阱除雜后，在噴射支路中的鈉噴射接收罐12中實現(xiàn)連續(xù)噴射，其包括以下步驟：（1）除雜將鈉加熱到150℃～250℃后輸送到沉降罐1中初步沉降，將沉降后的鈉輸送到膨脹箱9中，并通過電磁泵8使鈉在擴(kuò)散型冷阱6、膨脹箱9中循環(huán)流動，鈉通過擴(kuò)散型冷阱6時進(jìn)一步將雜質(zhì)除去。（2）測量通過阻塞計測量旁路對凈化后的鈉進(jìn)行在線測量，當(dāng)雜質(zhì)含量小于50ppm，將鈉輸送至噴射支路。（3）鈉的噴射小流量噴射時，將鈉先注入到鈉計量筒3，再將其注入噴射支路；大流量噴射時，將膨脹箱9中鈉通過電磁泵8驅(qū)動輸送到噴射支路的鈉噴射接收罐12，實現(xiàn)鈉的連續(xù)霧化噴射。本發(fā)明提供的實現(xiàn)液態(tài)金屬鈉連續(xù)噴射的回路，如圖1所示，該回路包括鈉回路、阻塞計測量旁路、噴射支路；所述鈉回路由電磁泵8、擴(kuò)散型冷阱6、膨脹箱9、電熱元件10組成，原料鈉首先輸送到沉降罐1中將鈉中的雜質(zhì)初步沉降，雜質(zhì)經(jīng)沉降罐1下方的排放管排出，將初步凈化后的鈉排入儲鈉罐11后注入膨脹箱9，關(guān)閉V117，通過電磁泵8將膨脹箱9的鈉在鈉回路中運行，鈉中的雜質(zhì)在擴(kuò)散型冷阱6中進(jìn)一步除去。所述阻塞計測量旁路主要由阻塞計5構(gòu)成，在線監(jiān)測鈉中雜質(zhì)含量。所述噴射支路由鈉計量筒3和鈉噴射接收罐12構(gòu)成，小流量噴射時，將鈉由膨脹箱9先注入標(biāo)定的鈉計量筒3，再將其注入鈉噴射接收罐12。大流量噴射時，膨脹箱9中鈉通過電磁泵8驅(qū)動輸送到鈉噴射接收罐12。如圖2所示，鈉噴射接收罐12主要由引流裝置15、噴嘴27、鈉接收盤19、導(dǎo)向裝置20、導(dǎo)排裝置23組成，所述的噴嘴27為葉片式窄角實心錐形噴嘴。引流裝置15從鈉噴射接收罐12的頂部進(jìn)入其內(nèi)部，其上配備有電加熱及保溫裝置，該噴射裝置將液體鈉噴射到密閉容器中；導(dǎo)向裝置20位于鈉接收盤19的下方，實現(xiàn)對鈉接收盤19的過渡支撐。鈉接收盤19位于密閉容器的下部，用于接收噴射的鈉，其邊緣的弧形導(dǎo)流板能將噴射到鈉接收盤19邊緣的鈉滴引流到支撐架25上設(shè)置的漏鈉口26中；從漏鈉口26流出的鈉經(jīng)鈉排放口21進(jìn)入鈉導(dǎo)排裝置23。支撐架25位于導(dǎo)向裝置20的下方，用于支撐鈉接收盤19，并且在支撐架25上設(shè)置有漏鈉口26。實施例1將原料鈉加熱到150℃分多次輸送到沉降罐1中，當(dāng)沉降罐1中鈉液位達(dá)到高液位時，停止從外界進(jìn)鈉。然后將沉降罐1中的鈉加熱到300℃，并自然冷卻到120℃，然后將閥門打開，將沉積在罐底的雜質(zhì)排出。隨后將儲鈉罐11及沉降罐與儲鈉罐11間的管道等設(shè)備預(yù)熱到250℃，將沉降罐1中的鈉充入到儲鈉罐11的高液位為止。鈉回路運行前，將儲鈉罐11中的鈉注入到膨脹箱9中，關(guān)閉V117閥門。將鈉回路及設(shè)備預(yù)熱到250℃，啟動電磁泵使鈉在回路中運行，并通過調(diào)節(jié)冷阱溫度，將鈉中的雜質(zhì)沉積在冷阱中，連續(xù)運行1周后，啟動阻塞計回路，在線測量鈉中雜質(zhì)含量，雜質(zhì)含量為30ppm。開啟噴射支路鈉閥V115、V116、V119、V121和V122將純鈉引向鈉噴射接收罐12，帶壓的液態(tài)鈉與噴射裝置中的擾流葉片接觸后，被迫產(chǎn)生高速旋轉(zhuǎn)進(jìn)入渦流室，液態(tài)鈉在渦流室內(nèi)霧化后沿著噴口呈實心圓錐形高速噴射到鈉噴射接收罐12中，對噴射鈉的軌跡及粒徑進(jìn)行測量分析，為快堆退役中放射性鈉處理技術(shù)的研究提供設(shè)計依據(jù)，并推動快堆退役技術(shù)的發(fā)展。實施例2與實施例1中所用的方法及回路相同，將原料鈉加熱到200℃。實施例3與實施例1中所用的方法及回路相同，將原料鈉加熱到250℃。