專利名稱：用于晶體生長的保溫罩的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種用于晶體生長的保溫罩。
背景技術(shù)：
藍(lán)寶石具有高硬度，耐高溫、耐腐蝕、透過光譜范圍寬、透過率高、優(yōu)良的介電性能。藍(lán)寶石以其優(yōu)良的性能廣泛應(yīng)用于國防、軍事、科研等一系列高技術(shù)領(lǐng)域，同時(shí)在民用エ業(yè)上也有很廣泛的應(yīng)用。由于藍(lán)寶石生長溫度高(生長溫度在2050度，導(dǎo)致單晶生長爐功率高)、溫場變量多、輔助時(shí)間長(非生產(chǎn)時(shí)間占到整個(gè)エ序的三分之一以上)，導(dǎo)致生產(chǎn)成本過高。導(dǎo)模法則具有晶體生長速度快，尺寸可以精確控制，節(jié)省材料，時(shí)間和能源，提高經(jīng)濟(jì)效益，是最有發(fā) 展前景的藍(lán)寶石生長方法之一?，F(xiàn)有的晶體生長爐的保溫罩的觀察孔一般設(shè)置在與晶體生長爐正面觀察窗正對位置，這種設(shè)計(jì)不僅降低了保溫罩的保溫效果，降低了爐內(nèi)溫場的穩(wěn)定性，從而增加了晶體生長爐的加熱功率,增加了能耗和成本。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供ー種用于晶體生長的保溫罩，控制晶體生長爐的加熱功率,降低生產(chǎn)成本和提高晶體質(zhì)量。本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下—種用于晶體生長的保溫罩，包括有晶體生長爐，其特征在干所述的晶體生長爐上固定有疊置在一起的上、下外罩，所述上外罩的上表面設(shè)有貫通上、下外罩且通向晶體生長爐中部的通孔，所述的通孔與上、下外罩的中軸線之間具有夾角。所述的用于晶體生長的保溫罩，其特征在干所述的上、下外罩采用保溫材料制成。本實(shí)用新型的有益效果本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)合理，取消了原有保溫罩上與爐體正面觀察窗正對的觀察孔，而在保溫罩的上表面設(shè)置傾斜的觀察孔，提升了保溫罩的保溫效果，増加了爐內(nèi)溫場的穩(wěn)定性，降低了晶體生長爐的加熱功率，從而達(dá)到控制晶體生長成本的目的。

圖I為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
參見圖1，ー種用于晶體生長的保溫罩，包括有晶體生長爐1，晶體生長爐I上固定有疊置在一起的采用保溫材料制成的上、下外罩3、2，上外罩3的上表面設(shè)有貫通上、下外罩3、2且通向晶體生長爐I中部的通孔4，通孔4與上、下外罩3、2的中軸線之間具有夾角。[0013]本實(shí)用新型還取消了爐體側(cè)面的觀察孔，使?fàn)t內(nèi)溫場更加對稱，提高了 晶體質(zhì)量。
權(quán)利要求1.一種用于晶體生長的保溫罩，包括有晶體生長爐，其特征在于所述的晶體生長爐上固定有疊置在一起的上、下外罩，所述上外罩的上表面設(shè)有貫通上、下外罩且通向晶體生長爐中部的通孔，所述的通孔與上、下外罩的中軸線之間具有夾角。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于晶體生長的保溫罩，其特征在于所述的上、下外罩采用保溫材料制成。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于晶體生長的保溫罩，包括有晶體生長爐，晶體生長爐上固定有疊置在一起的上、下外罩，上外罩的上表面設(shè)有貫通上、下外罩且通向晶體生長爐中部的通孔，通孔與上、下外罩的中軸線之間具有夾角。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)合理，取消了原有保溫罩上與爐體正面觀察窗正對的觀察孔，而在保溫罩的上表面設(shè)置傾斜的觀察孔，提升了保溫罩的保溫效果，增加了爐內(nèi)溫場的穩(wěn)定性，降低了晶體生長爐的加熱功率，從而達(dá)到控制晶體生長成本的目的。
文檔編號(hào)C30B29/20GK202482488SQ201220021309
公開日2012年10月10日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月18日
發(fā)明者李紅星, 梁志安, 王愿愿, 胡高華, 賈建國, 陳怡新 申請人:鴻福晶體科技(安徽)有限公司