專利名稱：形成隔離的敷形屏蔽區(qū)的系統(tǒng)和方法
技術領域：
本發(fā)明的實施例大體涉及敷形涂層，且更具體而言，涉及用于形成用于電氣系統(tǒng) 的圖案化的敷形結構的方法和設備。
背景技術：
近年來，電子裝置領域中的技術進步經(jīng)歷了很大的增長。例如，雖然移動電話正變 得更小及更輕，但是它們的特征和能力同時也在擴展。這就引起了存在于這樣的裝置中的 電氣構件的復雜性和操作的提高，以及用于這樣的構件的可用空間的量的降低。電氣構件 的復雜性的這種提高以及可用空間的量的降低引起了若干挑戰(zhàn)。例如，電路板的大小的減 小在電路板上導致了增大的擁堵。可用空間的減少的量以及其上的電路構件的增大的擁堵引起了關于構件之間的 射頻和電磁干涉(即，RFI與EMI)的挑戰(zhàn)。也就是說，許多電子構件發(fā)射電磁輻射，這可導 致與其它相鄰的電路板構件發(fā)生干涉以及不利地影響整個電路組件的性能。因此，已使用 屏蔽件來防止這樣的構件造成這樣的干涉。還可期望屏蔽件來分離電路板/電路組件上的 以不同的電勢運行的區(qū)域。最常見的RFI/EMI屏蔽件是盒型屏蔽件，其由折疊的或者沖壓的金屬(即金屬罐、 金屬箔覆層等)構成、輪廓設置成以便配合在PC板上或者配合在PC板上的單獨的電路構 件上。必須在電路板上分配空間以便容納這些盒型屏蔽件，這會減少用于其它構件的可用 空間。也就是說，傳統(tǒng)的盒型屏蔽件體積大且占用很大量的空間和體積，該空間和體積的大 部分是電路板與屏蔽件之間的未使用的空氣間隙。這可增加電子裝置(例如移動電話)的 總體厚度。作為盒型屏蔽件的一種備選方案，最近已經(jīng)實現(xiàn)了敷形型式的屏蔽件，以用于屏 蔽電路組件以及屏蔽其上的單獨的電路構件。通常，這樣的屏蔽件由設置在電路組件上的 電介質(zhì)層和金屬層形成。在施用金屬層之前將掩膜層施用在電介質(zhì)層的部分之上，使得“圖 案化的”金屬層可形成于對應于電路組件的電路構件的電介質(zhì)層上。然而，使用這樣的掩膜 層有其限制。也就是說，對于在其上具有非常緊湊地封裝的電路構件的電路組件，對于準確 地施用/形成圖案化的金屬層而言，掩膜層的施用可能不會足夠精確。因此，將期望的是設計可關于具有緊密地封裝的電路構件的電路組件來實施的圖 案化的敷形結構及其制造方法。該設計因而將允許有對于傳統(tǒng)的盒式屏蔽件而言不可能的 更加緊密的構件封裝密度。將進一步期望的是提供用于制造圖案化的敷形結構的高效的方 法，該方法可在圖案化金屬層以形成敷形屏蔽結構時消除對掩膜層的使用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例通過提供用于電氣系統(tǒng)的圖案化的敷形結構及其制造方法而克 服了前述缺點，該圖案化的敷形結構為緊密地封裝的電路板構件提供了防止RF和/或EM 干涉的隔離的屏蔽。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，敷形結構包括定位在電氣系統(tǒng)上的電介質(zhì)涂層，該電氣系 統(tǒng)具有安裝在其上的電路構件，該電介質(zhì)涂層成形為符合電氣系統(tǒng)的表面并且在其中具有 定位在電氣系統(tǒng)的表面上的接觸墊之上的多個開口。該敷形結構還包括鋪設在電介質(zhì)涂層 上以及接觸墊上的導電涂層，使得在導電涂層與接觸墊之間形成電連接。該電介質(zhì)涂層和 導電涂層具有通過它們而形成的多個交迭的路徑開口，以便隔離期望的電路構件或者電路 構件組之上的敷形結構的相應的屏蔽區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種形成圖案化的敷形結構的方法包括將敷形絕緣涂層 施用到電氣系統(tǒng)的步驟，該電氣系統(tǒng)包括電路基底和安裝在其上的多個電路構件。該方法 還包括以下步驟將敷形金屬層沉積在絕緣涂層上，以及通過絕緣涂層和金屬層激光消融 多個路徑開口，以便將敷形絕緣涂層和金屬層分離成定位在期望的電路構件或者電路構件 組之上的隔離的屏蔽區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，一種形成圖案化的敷形結構的方法包括以下步驟將電 絕緣涂層施用到電路板上，該電路板具有安裝在其上的多個電路構件；以及鄰近電路板上 的多個接觸墊中的各個在電絕緣涂層中形成接觸墊開口。該方法還包括以下步驟將導電 層沉積在電絕緣涂層之上以及鄰近該多個接觸墊中的各個的接觸墊開口中，以及激光消融 導電層和電絕緣涂層，以便在多個選定的電路構件中的各個或者電路構件組之上形成隔離 的導電層屏蔽區(qū)。根據(jù)結合附圖提供的對本發(fā)明的優(yōu)選實施例的以下詳細描述，這些和其它優(yōu)點和 特征將更加容易理解。


附圖顯示了當前構思的用于實施本發(fā)明的優(yōu)選實施例。在圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的形成于經(jīng)組裝的印刷電路板上的圖案化的敷 形結構的透視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖案化的敷形結構的截面圖。圖3A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖案化的敷形結構的俯視圖。圖3B是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖案化的敷形結構的俯視圖。圖4-6是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的制造的各個步驟中的圖案化的敷形結構的 截面圖。部件列表10圖案化的敷形結構12電路組件14電路基底16電路構件17釬焊掩膜18電介質(zhì)層19 頂面20 開口
4
22接觸墊
23接地平面
24金屬層
25封裝饋通
26屏蔽結構
27路徑
28互連
具體實施例方式本發(fā)明的實施例提供了圖案化的敷形屏蔽結構。該結構描述為敷形的，因為其形 成為符合或者適應該結構施用于其上的物品的形狀。雖然以下關于與印刷電路板(PCB) — 起使用來描述，但是還構想了本發(fā)明的敷形屏蔽結構可結合其它電氣系統(tǒng)以及電子裝置來 使用。參看圖1，顯示了根據(jù)本發(fā)明的圖案化的敷形結構10的透視圖。該圖案化的敷形 結構10與電路基底14-諸如印刷電路板(PCB)、柔性PCB、剛柔性PCB或多芯片模塊以及設 置在電路基底14上的電路構件16 —起形成電路組件12的一部分。圖案化的敷形結構10 設置在電路基底14和電路構件16上，以便關于構件和電路基底的至少一部分相符合。根 據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所產(chǎn)生的圖案化的敷形結構10通過選擇性地屏蔽單獨的電路構 件16或者構件組為電路組件12提供局部屏蔽。雖然關于與電路基底14和電路構件16 — 起使用來描述，但是還構想了圖案化的敷形結構10可定位在對于RF和EM干涉敏感的其它 電氣系統(tǒng)之上。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，圖案化的敷形結構10進一步提供了用于電路 組件12的、可在電路組件12中起電氣路徑和/或熱路徑的作用的互連。圖案化的敷形結構10在其中包括電介質(zhì)層18和金屬層24，金屬層24為電路構件 16提供保護而使其免受內(nèi)部源和外部源干擾因素的影響，以及為電路組件12提供電氣路 徑和/或熱路徑。也就是說，圖案化的敷形結構10在其中包括局部分組的屏蔽結構26 (即， 分離的屏蔽區(qū))，它們由延伸通過電介質(zhì)層18和金屬層24的激光切割的路徑27限定/分 離。屏蔽結構/屏蔽區(qū)26保護電路構件16免受射頻(RF)干涉、電磁(EM)干涉、靜電放電 以及環(huán)境因素(諸如水分、灰塵和環(huán)境污染)的影響。根據(jù)本發(fā)明的實施例，圖案化的敷形 結構10的局部分組的屏蔽結構26符合電路構件16或者電路構件組，使得各個構件16受 到保護和屏蔽而免受來自電路組件12的其它構件16或來自外部源的潛在干涉的影響。根 據(jù)本發(fā)明的一個實施例，除了為選擇性的構件16提供局部屏蔽之外，圖案化的敷形結構10 還包括可例如起作用以便將屏蔽區(qū)26連接到地或者用作用于改善電路組件12中的散熱的 熱路徑的互連(未顯示)?，F(xiàn)在參看圖2，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，顯示了電路組件12和圖案化的敷形結 構10的截面圖。圖案化的敷形結構10由可適配于該圖案化的敷形結構10設置于其上的電 路基底14和電路構件16(例如電阻器、集成電路組件、電容器、電感器等。)的形狀的適應 性材料形成。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，將釬焊掩膜17施用到電路基底14的表面上。圖 案化的敷形結構10包括電介質(zhì)層或涂層18(即，電絕緣層)，電介質(zhì)層或涂層18定位在電 路基底14的頂面19和定位在該頂面上的電路構件16附近且形成于它們之上。電介質(zhì)層18與電路構件16發(fā)生接觸，從而有助于保護電路基底14上的構件和電路的其它部分免于 電短路。電介質(zhì)層18可由這樣的任何電絕緣材料形成該電絕緣材料可制成為符合電路組 件12的形狀，且在一個實施例中，包括可紫外(UV)固化的聚合物，諸如，例如，Dymax公司 生產(chǎn)的UV光固化敷形涂層。然而，還構想到的是，還可使用其它合適的環(huán)氧樹脂涂層或硅 基涂層來形成電介質(zhì)層18。在電路組件12上沉積電介質(zhì)層18時，可采用噴涂工藝。這樣 的施用工藝提供了電介質(zhì)涂層18在電路組件12上的可控制的和可再生的沉積，從而允許 控制該電介質(zhì)層的厚度。然而，還構想的是，可使用浸涂工藝將電介質(zhì)層18沉積在電路組 件12上，或者可通過熱成型工藝施用和成形電介質(zhì)層18。重要的是，通過以上技術中的一 種將電介質(zhì)涂層18沉積在電路組件12上產(chǎn)生了具有均勻的厚度且無針孔的涂層。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，多個開口 20形成于電介質(zhì)涂層18中，以便暴露位于 電路基底14上的接觸墊22，且根據(jù)一個實施例，暴露從電路基底14向上延伸的封裝饋通 (feed thru) 25 (例如，穿透硅通孔)。暴露接觸墊22和封裝饋通25允許將圖案化的敷形 結構10電聯(lián)接到電路基底14的接地平面23上。在一個示例性實施例中，開口 20通過激 光鉆孔工藝形成。也就是說，激光被引導到接觸墊22和封裝饋通25上方的電介質(zhì)涂層上 的點，以便鉆過(即，燒掉)定位在其之上的任何電介質(zhì)材料。還認識到，暴露接觸墊22還 允許制造者在形成電介質(zhì)層18之后測試電路組件12。在已經(jīng)允許電介質(zhì)層固化之后且在開口 20形成之后，使導電層24形成于電介質(zhì) 層18的頂部上。導電層24由導電且導熱的材料組成，并且可由金屬材料(例如，諸如銅， 銀或者鎳)形成，以便為電路組件12提供局部的RF和EM屏蔽，并且用作電路組件12中的 電氣路徑/熱路徑。根據(jù)一個示例性實施例，導電層24為金屬微粒涂層的形式，該涂層通 過噴施而施用到電介質(zhì)層18上。備選地，導電層24可通過濺射或者鍍覆工藝來施用。雖 然本文中以下被稱為金屬層24，但是還預想了其它合適的材料也可用來形成圖案化的層， 諸如金屬浸漬的環(huán)氧樹脂或充有金屬的涂料，并且將理解的是，用語圖案化的金屬層包括 這樣的變型和等效物。還預想的是，金屬層24可通過沉積多個層(未顯示)來形成，以便 在金屬層24和電介質(zhì)層18之間提供更好的粘附(例如，鄰近電介質(zhì)層的鈦層以及該鈦層 上的通過濺射或者鍍覆工藝形成的銅層)，并且提供改進的屏蔽特性。雖然金屬層24最初施用為連續(xù)層(諸如通過噴涂工藝(或者備選地通過濺射或 者鍍覆工藝))，但隨后對金屬層24進行圖案化，使得其采用不連續(xù)層的形式，如圖2所示。 也就是說，金屬層24圖案化為形成了用于電路組件12的構件16的局部的屏蔽結構26。如 圖2中所示，各個屏蔽結構26通過或者接觸墊22或者封裝饋通25電連接到地，以便提供 屏蔽。屏蔽結構26可提供高導熱性熱平面，以用于電路組件12的傳導或者對流冷卻，其中 接觸墊22和/或封裝饋通25用作從電路基底14或構件16到屏蔽結構26的導熱件。根據(jù)本發(fā)明的實施例，對金屬層24進行圖案化以便形成屏蔽結構26是通過激光 消融(即，激光切割)工藝進行的。如圖2中所示，激光消融工藝在電介質(zhì)層18和金屬層 24上執(zhí)行，使得電介質(zhì)層18和金屬層24中的各個被圖案化成包括多個交迭的路徑開口 27 ( S卩，路徑豎直地向下通過電介質(zhì)層18和金屬層24而形成)。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例， 路徑開口 27還向下延伸通過釬焊掩膜17，向下到達電路基底14。還預想了路徑開口 27可 進一步形成為向下延伸通過電路基底14的一部分。仍然參看圖2，電介質(zhì)層18和金屬層24中的激光切割的路徑開口 27形成為使金屬層24的片塊彼此隔離，從而在電路組件12的電路構件16之上限定局部的/隔離的屏蔽 結構26 (即，隔離的屏蔽區(qū)/片塊)。各個路徑開口 27具有這樣的寬度該寬度足以恰當 地使相鄰的電路構件16和相鄰的屏蔽區(qū)26彼此隔離，并且足夠狹窄以便容易地形成于緊 密地封裝的電路構件之間。根據(jù)一個示例性實施例，例如，路徑開口可因此被激光切割為具 有大約25至500微米的寬度，但是也可基于電路構件16在基底14上的布置密度來激光切 割其它更寬或者更窄的寬度的路徑開口。另外，認識到，基于路徑開口的期望的寬度，各個 路徑開口 27可通過單次激光切割形成，或者通過激光的多次移過(即，多次激光切割)來 形成。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，除了通過激光消融形成屏蔽結構26，還可通過激光消 融形成互連28。也就是說，可使用激光切割工藝來在電介質(zhì)層18和金屬層24中形成路徑 開口 27，以限定通過開口 20與電路基底14(和接觸墊22)接觸的互連28。因此可限定互 連28，以便在電路組件12中提供電氣路徑和/或熱路徑?，F(xiàn)在參看圖3A和3B，提供了電路組件12的俯視圖。如圖3A所示，多個激光切割 的路徑開口 27形成于金屬層24和電介質(zhì)層18中，以便使金屬層24的區(qū)域彼此分離，從而 在電路組件12的電路構件16或電路構件組(圖1和2)之上限定隔離的屏蔽區(qū)26。因此， 根據(jù)圖3A所示的實施例，可形成三個不同的屏蔽區(qū)26，例如，它們可通過接觸墊22(圖2) 電連接至電路基底14。現(xiàn)在參看圖3B，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，各個路徑開口 27呈環(huán)繞 金屬層24的片塊的閉環(huán)路徑的形式，從而在電路組件12的電路構件16或電路構件組(圖 1和2)之上限定了隔離的屏蔽區(qū)26。例如，隔離的屏蔽區(qū)26可通過封裝饋通25 (圖2)電 連接至電路基底14。在圖3A和3B的實施例中的各個中，各個屏蔽區(qū)26借助于路徑開口 27的隔離有助于保護和屏蔽各個電路構件或電路構件組免受來自電路組件12的其它構件 16的潛在的干涉，從而使電路構件之間的串擾最小。現(xiàn)在轉到圖4-6，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，示出了在制造/形成圖案化的敷形結 構_諸如圖1-3中顯示的敷形結構10的示例性工藝30中制成的漸進的結構。如圖4中所 示，該工藝開始于步驟32，在步驟32處，將電介質(zhì)層/涂層18施用到電路基底14和電路構 件16-例如，電阻器、集成電路組件、電容器、電感器等(電介質(zhì)層/涂層18設置在該基底 及構件上)上。電介質(zhì)層18(即，電絕緣層)定位成鄰近電路基底14的頂面19和定位在 其上的電路構件16并且形成于它們之上，并且與電路構件16發(fā)生接觸，以便有助于保護電 路基底14上的構件和電路的其它部分免于電短路。電介質(zhì)層18可由可制成符合電路組件 12的形狀的任何電絕緣材料形成，并且在一個實施例中，包括可紫外(UV)固化的聚合物， 諸如，例如，由Dymax公司生產(chǎn)的UV光固化敷形涂層。然而，還預想了，也可使用其它合適 的環(huán)氧樹脂涂層或硅基涂層來形成電介質(zhì)層18。在步驟32中將電介質(zhì)層18沉積在電路組 件12上時，可采用噴涂工藝，以便提供電介質(zhì)涂層18在電路組件12上的可控制的和可再 生的沉積，從而允許控制電介質(zhì)層的厚度。然而，還預想了可使用浸涂工藝在電路組件12 上沉積電介質(zhì)層18，或者電介質(zhì)層18可通過熱成型工藝來施用及成形。重要的是，通過以 上技術中的一種在電路組件12上沉積電介質(zhì)涂層18會導致具有均勻的厚度且無針孔的涂 層。同樣在步驟32中，開口 20形成于電介質(zhì)層18中，以暴露位于電路基底14上的接 觸墊22，且根據(jù)一個實施例，暴露已形成為從電路基底14和/或構件16起向上延伸的封裝饋通25。暴露接觸墊22和封裝饋通25允許敷形結構10 (即，金屬層24)電聯(lián)接到電路基 底14的接地平面23上，如將在圖5-6中所闡述的。在一個示例性實施例中，在步驟32中 通過激光鉆孔工藝形成開口 20。也就是說，激光被引導到接觸墊22和封裝饋通25上方的 電介質(zhì)涂層上的點處，以便鉆過(即，燒掉)定位在其之上的任何電介質(zhì)材料?，F(xiàn)在參看圖5，在電介質(zhì)層18中形成開口 20以及開口 20固化之后，工藝30在步 驟34處繼續(xù)，在該步驟中，將金屬層24施用到電介質(zhì)層18上以及在開口 20內(nèi)施用金屬層 24。該金屬層24由導電且導熱的材料組成，且可由銅，銀或鎳形成，或者備選地由金屬浸漬 的環(huán)氧樹脂或者充有金屬的涂料形成，以便為電路組件12提供局部的RF和EM屏蔽，并且 用作電路組件12中的電氣互連和熱路徑。根據(jù)該工藝的一個示例性實施例，通過噴施將金 屬層24施用到電介質(zhì)層18，并且由此金屬層24呈金屬微粒涂層或涂料的形式。備選地，構 想了可通過濺射或者鍍覆工藝施用導電層24。將金屬層24施用到電介質(zhì)層18上，使得其 至少具有以便提供均勻的和完整的金屬覆蓋的最小厚度(例如，l"2kA)，并且提供電路組 件12的足夠的RF和EM屏蔽。雖然在圖5中顯示為通過金屬材料的單次噴施形成為單層， 但是還認識到金屬層24可通過兩步驟的工藝來形成。也就是說，可如以上所闡述通過噴施 來增加薄的第一金屬層，且然后可通過另一次噴施對第一金屬層增加第二金屬層，以便增 大總體金屬層24的厚度，從而在敷形結構10中提供改進的屏蔽。除了沉積在電介質(zhì)層18之上，金屬層24還沉積在開口 20中，以便與接觸墊22 (和 封裝饋通25)形成電連接。金屬層24和接觸墊22/封裝饋通25之間的該電連接提供了圖 案化的敷形結構10到電路基底14的聯(lián)接，并且提供了增強的屏蔽，以便降低進入或者離開 受保護的區(qū)域的RF發(fā)射。現(xiàn)在參看圖6，在工藝30的下一步驟中，在步驟36中圖案化電介質(zhì)層18和金屬 層24。更具體地講，電介質(zhì)層18和金屬層24在步驟36中被激光消融或者激光切割，以形 成通過其中的多個路徑開口 27，這些路徑開口 27向下延伸(通過釬焊掩膜17)到電路基 底14。形成電介質(zhì)層18和金屬層24中的激光切割的路徑開口 27，以便使金屬層24的片 塊彼此隔離，從而在電路組件12的電路構件16之上限定隔離的屏蔽區(qū)26。根據(jù)本發(fā)明的 一個實施例，各個路徑開口可被激光切割為具有大約25到500微米的寬度。了解到，步驟 36可包括單個激光切割步驟，以形成各個路徑開口 27，或者可包括多個激光切割步驟(即， 激光的多次移過)，以便形成各個路徑開口 27。在單個或者多個步驟中形成各個路徑開口 27可基于電路組件12的設計要求，諸如用于控制串擾等的金屬層24的相鄰的元件之間的 期望的距離。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，可在步驟36中執(zhí)行對金屬層24的另外的激光切 割，以便在電路組件12中形成互連28或者提供電氣布線和/或熱路徑的區(qū)域。在步驟36完成之后，所得到的圖案化的金屬層24因此呈現(xiàn)不連續(xù)層的形式，且可 在其中包括屏蔽部分26 (即，屏蔽區(qū))和電氣/熱路徑或者互連28。有益的是，屏蔽部分 26的選擇性的形成允許在電路基底14上的構件16 (或者構件組)周圍形成隔離的法拉第 氏罩。此外，充當導熱件的互連28的形成提供了與屏蔽區(qū)26分離的結構，其可用作用于對 電路組件12進行額外的傳導或者對流冷卻的高導熱性熱平面。雖然已僅僅結合有限數(shù)量的實施例詳細地描述了本發(fā)明，但是將容易地理解的 是，本發(fā)明不限于這樣的所公開的實施例。相反，可修改本發(fā)明，以便結合在此之前尚未描 述但是與本發(fā)明的精神和范圍相稱的任何數(shù)量的變型，備選方案，替代物或等效布置。另外，雖然已描述了本發(fā)明的多個實施例，但是將理解的是，本發(fā)明的各方面可僅僅包括所描 述的實施例中的一些。因此，本發(fā)明不應視為由前述描述所限制，而是僅受所附的權利要求 書的范圍限制。因此，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，敷形結構包括定位在電氣系統(tǒng)上的電介質(zhì)涂層， 電氣系統(tǒng)具有安裝在其上的電路構件，該電介質(zhì)涂層成形為符合該電氣系統(tǒng)的表面，并且 在其中具有定位在電氣系統(tǒng)的表面上的接觸墊之上的多個開口。該敷形結構還包括導電涂 層，該導電涂層鋪設在電介質(zhì)涂層和接觸墊上，使得電連接形成于導電涂層和接觸墊之間。 電介質(zhì)涂層和導電涂層具有通過其中而形成的多個交迭的路徑開口，以便隔離期望的電路 構件或電路構件組之上的敷形結構的相應的屏蔽區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，一種形成圖案化的敷形結構的方法包括將敷形絕緣涂 層施用到電氣系統(tǒng)上的步驟，該電氣系統(tǒng)包括電路基底和安裝在其上的多個電路構件。該 方法還包括以下步驟在絕緣涂層上沉積敷形金屬層，以及通過絕緣涂層和金屬層激光消 融多個路徑開口，以便將敷形絕緣涂層和金屬層分離成定位在期望的電路構件或電路構件 組之上的隔離的屏蔽區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，一種形成圖案化的敷形結構的方法包括以下步驟將 電絕緣涂層施用到電路板上(該電路板具有安裝在其上的多個電路構件)，以及鄰近電路 板上的多個接觸墊中的各個在電絕緣涂層中形成接觸墊開口。該方法還包括以下步驟在 電絕緣涂層之上以及在鄰近該多個接觸墊中的各個的接觸墊開口中沉積導電層，以及激光 消融導電層和電絕緣涂層，以便在多個選定的電路構件中的各個或者電路構件組之上形成 隔離的導電層屏蔽區(qū)。聲明為新的且希望受到專利保護的內(nèi)容見權利要求書。
權利要求
一種敷形結構(10)，包括定位在電氣系統(tǒng)(12)上的電介質(zhì)涂層(18)，所述電氣系統(tǒng)(12)具有安裝在該電氣系統(tǒng)(12)上的電路構件(16)，所述電介質(zhì)涂層(18)成形為符合所述電氣系統(tǒng)(12)的表面，并且在該電介質(zhì)涂層(18)中具有定位在所述電氣系統(tǒng)的表面上的接觸墊(22)之上的多個開口(20)；以及導電涂層(24)，該導電涂層(24)鋪設在所述電介質(zhì)涂層(18)上和所述接觸墊(22)上，使得在所述導電涂層(24)與所述接觸墊(22)之間形成電連接；其中，所述電介質(zhì)涂層(18)與所述導電涂層(24)具有通過它們形成的多個交迭的路徑開口(27)，以便隔離期望的電路構件(16)或電路構件(16)組之上的所述敷形結構的相應的屏蔽區(qū)(26)。
2.根據(jù)權利要求1所述的敷形結構(10)，其特征在于，所述電路構件中的各個之上的 相應的屏蔽區(qū)(26)包括所述電路構件之上的所述電介質(zhì)涂層(18)及所述導電涂層(24) 的隔離的片塊。
3.根據(jù)權利要求1所述的敷形結構(10)，其特征在于，所述多個交迭的路徑開口(27) 中的各個包括環(huán)繞該敷形結構的相應的屏蔽區(qū)(26)的閉環(huán)路徑。
4.根據(jù)權利要求1所述的敷形結構(10)，其特征在于，所述導電涂層(24)包括微粒金 屬噴涂層、濺射的金屬涂層以及鍍覆的金屬涂層中的一種。
5.根據(jù)權利要求1所述的敷形結構(10)，其特征在于，所述多個交迭的路徑開口(27) 中的各個具有介于大約25與500微米之間的寬度。
6.根據(jù)權利要求1所述的敷形結構(10)，其特征在于，所述多個交迭的路徑開口(27) 包括激光切割的路徑開口。
7.根據(jù)權利要求1所述的敷形結構(10)，其特征在于，所述敷形結構(10)還包括定位 在所述電介質(zhì)涂層(18)與所述電氣系統(tǒng)(12)的表面之間的釬焊層(17)，并且，其中，所述 釬焊層(17)包括通過該釬焊層(17)而形成的、與所述電介質(zhì)涂層和導電涂層(18，24)中 的所述多個交迭的路徑開口(27)相交迭的多個路徑開口(27)。
8.根據(jù)權利要求1所述的敷形結構(10)，其特征在于，所述電氣系統(tǒng)(12)包括印刷電 路板(PCB)、柔性PCB、剛柔性PCB以及模塊中的一種。
9.根據(jù)權利要求1所述的敷形結構(10)，其特征在于，所述敷形結構(10)還包括從所 述電氣系統(tǒng)(12)延伸到所述隔離的屏蔽區(qū)(26)中的各個的封裝饋通(25)，從而使所述隔 離的屏蔽區(qū)(26)電接地至所述電氣系統(tǒng)(12)。
10.根據(jù)權利要求1所述的敷形結構(10)，其特征在于，所述導電涂層(24)包括第一金屬涂層，該第一金屬涂層鋪設在所述電介質(zhì)涂層(18)上和所述多個開口(20)中，使得在所述第一金屬涂層與所述接觸墊(22)之間形成電連接；和鋪設在所述第一金屬涂層上的第二金屬涂層。
全文摘要
本發(fā)明涉及形成隔離的敷形屏蔽區(qū)的系統(tǒng)和方法。公開了形成用于電氣系統(tǒng)(12)的圖案化的敷形結構(10)的系統(tǒng)和方法。該敷形結構包括定位在電氣系統(tǒng)上的電介質(zhì)涂層(18)，該電氣系統(tǒng)具有安裝在其上的電路構件(16)，該電介質(zhì)涂層成形為符合電氣系統(tǒng)的表面，并且在其中具有定位在電氣系統(tǒng)的表面的接觸墊(22)之上的多個開口(20)。該敷形結構還包括導電涂層(24)，導電涂層鋪設在電介質(zhì)涂層上和接觸墊(22)上，使得在導電涂層與接觸墊之間形成電連接。電介質(zhì)涂層和導電涂層具有通過其中而形成的多個交迭的路徑開口(27)，以便隔離期望的電路構件或電路構件組之上的敷形結構的相應的屏蔽區(qū)(26)。
文檔編號H05K9/00GK101932223SQ20101021931
公開日2010年12月29日 申請日期2010年6月22日 優(yōu)先權日2009年6月22日
發(fā)明者C·J·卡普斯塔, D·P·坎寧安 申請人:通用電氣公司