專利名稱：電路基板的制造方法以及由該制造方法獲得的電路基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路基板的制造方法以及由該制造方法獲得的電路基板。
背景技術(shù)：
手機(jī)等便攜式信息終端設(shè)備、電腦及其周邊設(shè)備、各種信息家電產(chǎn)品等電氣設(shè)備正在快速地實(shí)現(xiàn)高功能化。隨之，要求裝載于這些電氣設(shè)備的電路基板的電路密度更高。為了滿足此種對于電路的高密度化的要求，需要能夠正確地形成線寬以及線間隔(相鄰的電路與電路之間的部分的寬度)更窄的電路配線的方法。對于實(shí)現(xiàn)了高密度化的電路配線而言，容易在配線之間產(chǎn)生短路或遷移等。作為電路基板的制造方法，由減去法或加成法等在絕緣基材上形成電路的方法等已廣為知曉。所謂減去法，是指除去(減去)金屬箔疊層板表面的欲形成電路的部分以外的金屬箔，由此形成電路的方法。另一方面，所謂加成法，是指僅對絕緣基材上的欲形成電路的部分實(shí)施化學(xué)鍍，由此形成電路的方法。減去法是通過對膜厚的金屬箔進(jìn)行蝕刻，僅保留欲形成電路的部分(電路形成部分)的金屬箔而除去其他部分的方法。根據(jù)該方法，由于會浪費(fèi)被除去的部分的金屬，因此從制造成本的方面等考慮，該方法不利。另一方面，加成法能夠通過化學(xué)鍍僅在欲形成電路的部分形成金屬配線。因此，不會浪費(fèi)金屬，資源的浪費(fèi)少。從該方面考慮，加成法是較為理想的電路形成方法。參照圖5說明利用以往的代表性加成法之一即全加成法來形成由金屬配線構(gòu)成的電路的方法。此外，圖5是用以對利用以往的全加成法形成金屬配線的各工序進(jìn)行說明的模式剖面圖。首先，如圖5 (A)所示，使鍍敷催化劑102沉積于形成有通孔101的絕緣基材100的表面。此外，預(yù)先使絕緣基材100的表面變得粗糙。接下來，如圖5(B)所示，在沉積有鍍敷催化劑102的絕緣基材100上形成光致抗蝕劑層103。接下來，如圖5(C)所示，隔著形成有指定電路圖案的光罩110對所述光致抗蝕劑層103進(jìn)行曝光。接下來，如圖5(D)所示，使經(jīng)曝光的光致抗蝕劑層103顯影，形成電路圖案104。然后，如圖5(E)所示，通過實(shí)施化學(xué)鍍銅等化學(xué)鍍，在由顯影形成的電路圖案104的表面以及通孔101的內(nèi)壁面上形成金屬配線105。通過實(shí)施如上所述的各工序，在絕緣基材100上形成由金屬配線105構(gòu)成的電路。在上述以往的加成法中，鍍敷催化劑102沉積在絕緣基材100的整個表面上。因此產(chǎn)生了如下所述的問題。即，當(dāng)高精度地使光致抗蝕劑層103顯影時，能夠僅在未由光致抗蝕劑保護(hù)的部分形成鍍層。但是當(dāng)未高精度地使光致抗蝕劑層103顯影時，如圖6所示，多余的鍍層部分106有時會殘留于原本不希望形成鍍層的部分。引起這種情況的原因在于 鍍敷催化劑102沉積在絕緣基材100的整個表面上。多余的鍍層部分106在鄰接的電路之間引起短路或遷移等。此種短路或遷移在形成線寬以及線間隔窄的電路的情況下更容易發(fā)生。此外，圖6是用以對由以往的全加成法形成的電路的輪廓形狀進(jìn)行說明的模式剖面圖。另外，作為與上述電路基板的制造方法不同的制造方法，例如可列舉專利文獻(xiàn)1以及專利文獻(xiàn)2所記載的制造方法等。專利文獻(xiàn)1中公開了作為其他加成法的如下所述的方法。首先，在絕緣基板(絕緣基材)上形成溶劑溶解性第一感光性樹脂層和堿溶性第二感光性樹脂層。然后，隔著具有指定的電路圖案的光罩對第一感光性樹脂層以及第二感光性樹脂層進(jìn)行曝光。接下來，使第一感光性樹脂層以及第二感光性樹脂層顯影。接著，使催化劑吸附于包含由顯影產(chǎn)生的凹部的整個表面之后，由堿性溶液使堿溶性第二感光性樹脂溶解，由此僅除去多余的催化劑。然后，通過實(shí)施化學(xué)鍍，僅在存在催化劑的部分正確地形成電路。另外，下述專利文獻(xiàn)2中公開了如下所述的方法。首先，將樹脂的保護(hù)膜涂敷在絕緣基板(絕緣基材)上(第一工序)。接下來，通過機(jī)械加工或照射激光束，在涂敷有所述保護(hù)膜的絕緣基板上單獨(dú)或同時描繪形成對應(yīng)于配線圖案的槽以及通孔(第二工序)。接下來，在所述絕緣基板的整個面上形成活化層(第三工序)。接著，剝離所述保護(hù)膜，除去所述絕緣基板上的活化層，使活化層僅保留在槽以及通孔的內(nèi)壁面上(第四工序)。然后，對所述絕緣基板實(shí)施不使用鍍敷保護(hù)膜的鍍敷，僅在所述經(jīng)活化的槽以及通孔的內(nèi)壁面上選擇性地形成導(dǎo)電層(第五工序)。另外，專利文獻(xiàn)2記載了在將熱硬化性樹脂作為保護(hù)膜而涂敷在絕緣基板上，并進(jìn)行加熱使該熱硬化性樹脂硬化之后，根據(jù)指定的配線圖案對保護(hù)膜以及絕緣基板進(jìn)行切削加工，或利用溶劑除去絕緣基板表面的熱硬化性樹脂(專利文獻(xiàn)2第二頁左下欄的第16 行 右下欄的第11行)。專利文獻(xiàn)1 日本專利公開公報特開昭57-134996號專利文獻(xiàn)2 日本專利公開公報特開昭58-186994號

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠容易地在絕緣基材上形成高精度的電路的電路基板的制造方法。本發(fā)明是一種電路基板的制造方法，其特征在于包括覆膜形成工序，在絕緣基材表面形成樹脂覆膜；電路圖案形成工序，以所述樹脂覆膜的外表面為基準(zhǔn)，形成深度為所述樹脂覆膜的厚度以上的凹部，從而形成電路圖案部；催化劑沉積工序，使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物沉積于所述電路圖案部的表面以及所述樹脂覆膜的表面；覆膜除去工序，從所述絕緣基材上除去所述樹脂覆膜；以及鍍敷處理工序，僅在除去所述樹脂覆膜之后的所述鍍敷催化劑或其前驅(qū)物所殘留的部位形成化學(xué)鍍膜。通過以下的詳細(xì)記載和附圖，使本發(fā)明的目的、特征、側(cè)面和優(yōu)點(diǎn)更加明確。


圖1是用以對第一實(shí)施方式所涉及的電路基板的制造方法中的各工序進(jìn)行說明的模式剖面圖。圖2是用以說明使樹脂覆膜含有熒光性物質(zhì)，且使用從熒光性物質(zhì)發(fā)出的光來檢查覆膜除去缺陷的檢查工序的說明圖。圖3是表示在電路圖案形成工序中，形成超過所述樹脂覆膜厚度地對絕緣基材進(jìn)行雕刻而成的電路圖案部(電路槽)時所形成的化學(xué)鍍膜的模式剖面圖。圖4是用以對制造第二實(shí)施方式所涉及的立體電路基板的各工序進(jìn)行說明的模式剖面圖。圖5是用以對利用以往的全加成法形成金屬配線的各工序進(jìn)行說明的模式剖面圖。圖6是用以對由以往的全加成法形成的電路的輪廓形狀進(jìn)行說明的模式剖面圖。
具體實(shí)施例方式根據(jù)本發(fā)明人等的研究，專利文獻(xiàn)1所記載的方法的制造工序非常復(fù)雜，例如形成溶劑溶解性不同的兩種感光性樹脂層，另外，在顯影時也利用兩種溶劑來顯影，吸附催化劑之后，接著需要由堿性溶液使第二感光性樹脂溶解。另外，在專利文獻(xiàn)2中并未特別地記載用作保護(hù)膜的熱硬化性樹脂的種類。根據(jù)本發(fā)明人等的研究，一般的熱硬化性樹脂存在以下問題由于耐溶劑性優(yōu)異，因此，難以僅由溶劑除去。另外，此種熱硬化性樹脂與樹脂基材的密接性過高，難以正確地僅除去保護(hù)膜而不使保護(hù)膜的碎片殘留于樹脂基材的表面。另外，當(dāng)為了充分地進(jìn)行剝離而使用強(qiáng)溶劑或長時間浸漬時，基材表面的鍍敷催化劑也會被除去。在此情況下，不會在鍍敷催化劑已被除去的部分形成導(dǎo)電層。另外，當(dāng)使用強(qiáng)溶劑或長時間浸漬時，由熱硬化性樹脂構(gòu)成的保護(hù)膜有時會碎裂，保護(hù)膜中的鍍敷催化劑會再次分散至溶劑中。這樣，再次分散至溶劑中的鍍敷催化劑也有可能會再次附著于樹脂基材表面，導(dǎo)致在該部分形成多余的鍍膜。因此，根據(jù)像專利文獻(xiàn)2所公開的方法那樣的方法，難以形成具有正確的輪廓的電路。本發(fā)明是基于如上所述的研究結(jié)果而成的發(fā)明。以下，詳細(xì)地說明本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。[第一實(shí)施方式]本實(shí)施方式所涉及的電路基板的制造方法的特征在于包括覆膜形成工序，在絕緣基材表面形成樹脂覆膜；電路圖案形成工序，以所述樹脂覆膜的外表面為基準(zhǔn)，形成深度為所述樹脂覆膜的厚度以上的凹部，從而形成電路圖案部；催化劑沉積工序，使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物沉積于所述電路圖案部的表面以及所述樹脂覆膜的表面；覆膜除去工序，從所述絕緣基材上除去所述樹脂覆膜；以及鍍敷處理工序，僅在除去所述樹脂覆膜之后的所述鍍敷催化劑或其前驅(qū)物所殘留的部位形成化學(xué)鍍膜。首先說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電路基板的制造方法。圖1是用以對第一實(shí)施方式所涉及的電路基板的制造方法中的各工序進(jìn)行說明的模式剖面圖。首先，如圖I(A)所示，在絕緣基材1的表面上形成樹脂覆膜2。此外，該工序相當(dāng)于覆膜形成工序。接下來，如圖1 (B)所示，以所述樹脂覆膜2的外表面為基準(zhǔn)，形成深度為所述樹脂覆膜2的厚度以上的凹部，從而形成電路圖案部。所述電路圖案部可以是使所述樹脂覆膜2 到達(dá)所述絕緣基材1的表面的凹部，也可以是對所述絕緣基材1進(jìn)行雕刻所成的電路槽3。 另外，根據(jù)需要，也可以在所述絕緣基材1中開孔以形成貫通孔4作為所述電路槽3的一部分。另外，由所述電路槽3來規(guī)定利用化學(xué)鍍而形成有化學(xué)鍍膜的部分即形成有電路的部分。此外，該工序相當(dāng)于電路圖案形成工序。另外，以下以電路槽3為中心來說明電路圖案部。接下來，如圖1 (C)所示，使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5沉積于所述電路槽3的表面以及未形成有所述電路槽3的所述樹脂覆膜2的表面。此外，該工序相當(dāng)于催化劑沉積工序。接下來，如圖I(D)所示，從所述絕緣基材1上除去所述樹脂覆膜2。這樣，可以使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5僅殘留于所述絕緣基材1的形成有所述電路槽3的部分的表面。 另一方面，沉積于所述樹脂覆膜2的表面的鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5在承載于所述樹脂覆膜2的狀態(tài)下，與所述樹脂覆膜2 —起被除去。此外，該工序相當(dāng)于覆膜除去工序。接下來，對所述樹脂覆膜2已被除去的絕緣基材1實(shí)施化學(xué)鍍。這樣，僅在殘存有所述鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5的部分形成化學(xué)鍍膜。即，如圖I(E)所示，在形成有所述電路槽3的部分，形成作為電路6的化學(xué)鍍膜。而且，該電路6可以是由所述化學(xué)鍍膜構(gòu)成的電路，也可以是進(jìn)一步對所述化學(xué)鍍膜實(shí)施化學(xué)鍍(填充式鍍敷)而使膜變得更厚所成的電路。具體而言，例如，也可以如圖I(E)所示，以填埋整個所述電路槽3或所述貫通孔4的方式形成由化學(xué)鍍膜構(gòu)成的電路6，消除所述絕緣基材1與所述電路之間的階差。此外，該工序相當(dāng)于鍍敷處理工序。通過上述各工序形成如圖1 (E)所示的電路基板10。以所述方式形成的電路基板 10在所述絕緣基材1上高精度地形成有所述電路6。以下說明本實(shí)施方式的各結(jié)構(gòu)。<覆膜形成工序>如上所述，覆膜形成工序是使絕緣基材1的表面形成樹脂覆膜2的工序。(絕緣基材)所述覆膜形成工序中所使用的絕緣基材1只要可以用以制造電路基板，則并無特別的限定。具體而言，例如可列舉包含樹脂的樹脂基材等?？蔁o特別限定地采用用以制造電路基板例如多層電路基板的各種有機(jī)基板作為所述樹脂基材。作為有機(jī)基板的具體例，可列舉以往用以制造多層電路基板的例如由環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚苯醚樹脂、氰酸鹽樹脂、 苯并惡嗪樹脂以及對甲基酰胺樹脂等構(gòu)成的基板。所述環(huán)氧樹脂只要是構(gòu)成用以制造電路基板的各種有機(jī)基板的環(huán)氧樹脂，則并無特別的限定。具體而言，例如可列舉雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、芳烷基環(huán)氧樹脂、酚醛型環(huán)氧樹脂、烷基酚醛型環(huán)氧樹脂、雙苯酚型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、二聚環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂、酚類與具有酚性羥基的芳族醛的縮聚物的環(huán)氧化物、異氰尿酸三縮水甘油酯以及脂環(huán)族環(huán)氧樹脂等。此外還可列舉經(jīng)溴化或磷改性以產(chǎn)生阻燃性的上述環(huán)氧樹脂、含氮樹脂以及含硅樹脂等。另外，對于所述環(huán)氧樹脂以及樹脂而言，可以單獨(dú)地使用上述各環(huán)氧樹脂以及樹脂，也可以組合地使用兩種以上的上述各環(huán)氧樹脂以及樹脂。另外，在由上述各樹脂構(gòu)成基材的情況下，一般上述各樹脂含有硬化劑以進(jìn)行硬化。所述硬化劑只要是可以用作硬化劑的物質(zhì)，則并無特別的限定。具體而言，例如可列舉雙氰胺、酚系硬化劑、酸酐系硬化劑、三聚氰胺酚醛系硬化劑以及氰酸鹽樹脂等。作為所述酚系硬化劑，例如可列舉酚醛型、芳烷基型以及松烯型等。此外還可列舉經(jīng)磷改性以產(chǎn)生阻燃性的酚樹脂或經(jīng)磷改性的氰酸鹽樹脂等。另外，對于所述硬化劑而言，可以單獨(dú)地使用上述各硬化劑，也可以組合地使用兩種以上的上述各硬化劑。另外，雖無特別的限定，但由于通過激光加工形成電路圖案，因此，較為理想的是使用IOOnm 400nm的波長區(qū)域中的激光吸收率良好的樹脂等。例如，具體而言可列舉聚酰亞胺樹脂等。另外，所述絕緣基材(絕緣層)中也可含有填料。所述填料可以是無機(jī)微粒子，也可以是有機(jī)微粒子，并無特別的限定。由于含有填料，因此，填料會露出至激光加工部，可以利用填料的凹凸提高鍍層與樹脂之間的密接性。作為構(gòu)成所述無機(jī)微粒子的材料，具體而言，例如可列舉氧化鋁(Al2O3)、氧化鎂 (MgO)、氮化硼(BN)、氮化鋁(AlN)、二氧化硅(SiO2)、鈦酸鋇(BaTiO3)、氧化鈦(TiO2)等高介電常數(shù)填充材料；硬質(zhì)鐵氧體等磁性填充材料；氫氧化鎂(Mg(OH)2)、氫氧化鋁(Al (OH) 2)、 三氧化銻(Sb2O3)、五氧化銻(Sb2O5)、胍鹽、硼酸鋅、鉬化合物、錫酸鋅等無機(jī)系阻燃劑；以及滑石(M^(Si4Oltl) (OH)2)、硫酸鋇(BaSO4)、碳酸鈣(CaCO3)、云母等。對于所述無機(jī)微粒子而言，可以單獨(dú)地使用上述無機(jī)微粒子，也可以組合地使用兩種以上的上述無機(jī)微粒子。這些無機(jī)微粒子的熱傳導(dǎo)性、相對介電常數(shù)、阻燃性、粒度分布以及色調(diào)的自由度等高，因此，當(dāng)使所述無機(jī)微粒子選擇性地發(fā)揮預(yù)期的功能時，能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行調(diào)配以及粒度設(shè)計以容易地實(shí)現(xiàn)高填充化。另外，雖無特別的限定，但較為理想的是使用平均粒徑為絕緣層的厚度以下的填料，而且較佳為使用平均粒徑為0. 01 μ m 10 μ m的填料，平均粒徑更為理想的是 0. 05 μ m 5 μ m。另外，為了提高所述無機(jī)微粒子在所述絕緣基材中的分散性，也可利用硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行表面處理。另外，為了提高所述無機(jī)微粒子在所述絕緣基材中的分散性，所述絕緣基材也可含有硅烷偶聯(lián)劑。所述硅烷偶聯(lián)劑并無特別的限定。具體而言，例如可列舉環(huán)氧硅烷系、巰基硅烷系、氨基硅烷系、乙烯基硅烷系、苯乙烯基硅烷系、甲基丙烯酰氧基硅烷系、 丙烯酰氧基硅烷系以及鈦酸鹽系等的硅烷偶聯(lián)劑等。對于所述硅烷偶聯(lián)劑而言，可以單獨(dú)地使用上述硅烷偶聯(lián)劑，也可以組合地使用兩種以上的上述硅烷偶聯(lián)劑。另外，為了提高所述無機(jī)微粒子在所述絕緣基材中的分散性，所述絕緣基材也可含有分散劑。所述分散劑并無特別的限定。具體而言，例如可列舉烷基醚系、山梨糖醇酯系、 烷基聚醚胺系以及高分子系等的分散劑等。對于所述分散劑而言，可以單獨(dú)地使用上述分散劑，也可以組合地使用兩種以上的上述分散劑。(樹脂覆膜)所述樹脂覆膜2只要是可由所述覆膜除去工序除去的覆膜，則并無特別的限定。 具體而言，例如可列舉可容易地由有機(jī)溶劑或堿性溶液溶解的可溶型樹脂、或包含可由后述的指定的液體(溶脹液)溶脹的樹脂的溶脹性樹脂覆膜等。在這些覆膜中，從容易正確地被除去的方面考慮，溶脹性樹脂覆膜尤為理想。另外，對于所述溶脹性樹脂覆膜而言，例如較為理想的是相對于所述液體(溶脹液)的溶脹度為50%以上。此外，所述溶脹性樹脂覆膜中，不僅包括實(shí)質(zhì)上不會被所述液體(溶脹液)溶解且因溶脹而容易從所述絕緣基材 1表面剝離的樹脂覆膜；而且包括會被所述液體(溶脹液)溶脹且至少一部分發(fā)生溶解，因溶脹或溶解而容易從所述絕緣基材1表面剝離的樹脂覆膜；或會被所述液體(溶脹液)溶解且因溶解而容易從所述絕緣基材1表面剝離的樹脂覆膜。
所述樹脂覆膜2的形成方法并無特別的限定。具體而言，例如可列舉將能夠形成樹脂覆膜的液狀材料涂敷于所述絕緣基材1的表面之后，使該液狀材料干燥的方法；或?qū)⑺鲆籂畈牧贤糠笥谥位逯螅瑢⑹顾鲆籂畈牧细稍锒纬傻臉渲材まD(zhuǎn)印至絕緣基材1的表面的方法等。此外，液狀材料的涂敷方法并無特別的限定。具體而言，例如可列舉以往已知的旋涂法或輥涂法等。所述樹脂覆膜2的厚度較為理想是10 μ m以下，更為理想的是5 μ m以下。另一方面，所述樹脂覆膜2的厚度較為理想的是0. 1 μ m以上，更為理想的是1 μ m以上。在所述樹脂覆膜2的厚度過厚的情況下，在所述電路圖案形成工序中，由激光加工或機(jī)械加工形成的電路槽或貫通孔等電路圖案部的精度有下降的傾向。另外，在所述樹脂覆膜2的厚度過薄的情況下，有難以形成均勻膜厚的樹脂覆膜的傾向。接下來，舉例說明適合作為所述樹脂覆膜2的溶脹性樹脂覆膜。較為理想的是可使用相對于溶脹液的溶脹度為50%以上的樹脂覆膜作為所述溶脹性樹脂覆膜。而且，更為理想的是相對于溶脹液的溶脹度為100%以上的樹脂覆膜。此外，在所述溶脹度過低的情況下，在所述覆膜除去工序中，溶脹性樹脂覆膜有難以剝離的傾向。所述溶脹性樹脂覆膜的形成方法并無特別的限定，只要是與上述樹脂覆膜2的形成方法相同的方法即可。具體而言，例如可列舉將能夠形成溶脹性樹脂覆膜的液狀材料涂敷于所述絕緣基材1的表面之后，使該溶脹性液狀材料干燥的方法；或?qū)⑺鲆籂畈牧贤糠笥谥位逯?，將使所述液狀材料干燥而形成的溶脹性樹脂覆膜轉(zhuǎn)印至絕緣基材1的表面的方法等。作為能夠形成所述溶脹性樹脂覆膜的液狀材料，例如可列舉彈性體的懸浮液或乳狀液等。作為所述彈性體的具體例，例如可列舉苯乙烯-丁二烯系共聚物等二烯系彈性體、 丙烯酸酯系共聚物等丙烯系彈性體以及聚酯系彈性體等。根據(jù)此種彈性體，通過對分散為懸浮液或乳狀液的彈性體樹脂粒子的交聯(lián)度或凝膠化度等進(jìn)行調(diào)整，可以容易地形成具有預(yù)期的溶脹度的溶脹性樹脂覆膜。另外，所述溶脹性樹脂覆膜特別理想的是溶脹度會隨著溶脹液的pH值發(fā)生變化的覆膜。在使用此種覆膜的情況下，使所述催化劑沉積工序中的液性條件和所述覆膜除去工序中的液性條件不同，這樣，在催化劑沉積工序中的PH值下，溶脹性樹脂覆膜對于絕緣基材可以維持高密接力，在覆膜除去工序中的PH值下，可以容易地剝離溶脹性樹脂覆膜。更具體而言，例如，當(dāng)所述催化劑沉積工序包括例如在pH值處于1 3的范圍的酸性鍍敷催化劑膠溶液(酸性催化劑金屬膠溶液)中進(jìn)行處理的工序，且所述覆膜除去工序包括在PH值處于12 14的范圍的堿性溶液中使溶脹性樹脂覆膜溶脹的工序時，所述溶脹性樹脂覆膜較為理想的是相對于所述酸性鍍敷催化劑膠溶液的溶脹度不足50%且為 40%以下，而且相對于所述堿性溶液的溶脹度為50%以上且為100%以上更為500%以上的樹脂覆膜作為此種溶脹性樹脂覆膜的例子，可列舉由具有指定量的羧基的彈性體形成的片材、由用作使印刷配線板圖案化的干膜抗蝕劑(以下也稱為DFR)等的光硬化性的堿性顯影型的抗蝕劑完全硬化而獲得的片材、或者熱硬化性或堿性顯影型片材等。作為具有羧基的彈性體的具體例，可列舉因含有具有羧基的單體單元作為共聚成分而在分子中具有羧基的苯乙烯-丁二烯系共聚物等二烯系彈性體；丙烯酸酯系共聚物等丙烯系彈性體；以及聚酯系彈性體等。根據(jù)此種彈性體，通過對分散為懸浮液或乳狀液的彈性體的酸當(dāng)量、交聯(lián)度或凝膠化度等進(jìn)行調(diào)整，可以形成具有預(yù)期的堿溶脹度的溶脹性樹脂覆膜。彈性體中的羧基發(fā)揮以下作用，即，使溶脹性樹脂覆膜被堿性水溶液溶脹，從絕緣基材表面剝離溶脹性樹脂覆膜。另外，所謂酸當(dāng)量，是指每當(dāng)量的羧基的聚合物重量。作為具有羧基的單體單元的具體例，可列舉(甲基)丙烯酸、富馬酸、肉桂酸、丁烯酸、衣康酸以及馬來酸酐等。此種具有羧基的彈性體中的羧基的含有比例以酸當(dāng)量計為100 2000，更為理想的是100 800。在酸當(dāng)量過小的情況下，與溶劑或其他組成物之間的相溶性會下降，由此， 對于鍍敷預(yù)處理液的耐受性有下降的傾向。另外，在酸當(dāng)量過大的情況下，相對于堿性水溶液的剝離性有下降的傾向。另外，彈性體的分子量為1萬 100萬，更為理想的是2萬 6萬。在彈性體的分子量過大的情況下，剝離性有下降的傾向，在彈性體的分子量過小的情況下，粘度會下降， 因此，難以使溶脹性樹脂覆膜的厚度維持均勻，并且對于鍍敷預(yù)處理液的耐受性也有變差的傾向。另外，作為所述樹脂覆膜，可列舉由聚合物樹脂或包含所述聚合物樹脂的樹脂組成物構(gòu)成的樹脂覆膜，該聚合物樹脂是通過使(a)在分子中至少具有一個聚合性不飽和基的羧酸或酸酐的至少一種以上的單體、和(b)能夠與所述(a)單體聚合的至少一種以上的單體聚合而獲得的。所述樹脂組成物是以作為主樹脂的所述聚合物樹脂為必需成分，還可添加寡聚物、單體、填料或其他添加劑中的至少一種物質(zhì)。主樹脂較佳為具有熱塑性的線型聚合物。 為了控制流動性、結(jié)晶性等，有時也會進(jìn)行嫁接以產(chǎn)生支鏈。以重量平均分子量計，主樹脂的分子量為1000 500000左右，較為理想的是5000 50000。若分子量過小，則膜的彎曲性或?qū)τ诋a(chǎn)生鍍敷核的化學(xué)藥液的耐受性(耐酸性)有下降的傾向。另外，若分子量過大， 則堿剝離性或形成干膜時的粘貼性有變差的傾向。此外，為了提高對于產(chǎn)生鍍敷核的化學(xué)藥液的耐受性或抑制激光加工時的熱變形，并控制流動，也可以導(dǎo)入交聯(lián)點(diǎn)。如上所述，通過使(a)在分子中至少具有一個聚合性不飽和基的羧酸或酸酐的單體、和(b)能夠與所述(a)單體聚合的單體聚合，獲得作為主樹脂的所述聚合物樹脂的組成。作為該眾所周知的技術(shù)，若非要列舉一例，則例如可列舉日本專利公開公報特開平7481437號或日本專利公開公報特開2000-231190號、日本專利公開公報特開 2001-201851號所記載的技術(shù)等。作為(a)的一例，可列舉(甲基)丙烯酸、富馬酸、肉桂酸、丁烯酸、衣康酸、馬來酸酐、馬來酸半酯以及丙烯酸丁酯等，這些單體可以單獨(dú)使用，或者也可以組合兩種以上的所述單體。作為(b)的例子，一般為非酸性且在分子中具有(一個)聚合性不飽和基的單體，其并無限制。以保持鍍敷工序中的耐受性、硬化膜的柔韌性等各種特性的方式選擇所述單體。具體而言，有(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、 (甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯類。另外有乙酸乙烯酯等乙烯醇的酯類或(甲基)丙烯腈、苯乙烯或者可聚合的苯乙烯衍生物等。另外，即使僅由上述在分子中具有一個聚合性不飽和基的羧酸或酸酐進(jìn)行聚合，仍可以獲得所述單體。此外，可以將環(huán)氧基、 羥基、氨基、酰胺基以及乙烯基等反應(yīng)性官能基導(dǎo)入至選定具有多個不飽和基的單體作為用于聚合物的單體的分子骨架，以能夠進(jìn)行三維交聯(lián)。以酸當(dāng)量計，樹脂中所含的羧基的量較佳為100 2000，較為理想的是100 800。此處，所謂酸當(dāng)量，是指其中具有每當(dāng)量的羧基的聚合物的重量。在該酸當(dāng)量過低的情況下，與溶劑或其他組成物之間的相溶性或?qū)τ阱兎箢A(yù)處理液的耐受性有下降的傾向。另外，在酸當(dāng)量過高的情況下，剝離性有下降的傾向。另夕卜，(a)單體的組成比率為5wt% 70wt%。單體或寡聚物只要對于產(chǎn)生鍍敷核的化學(xué)藥液具有耐受性或可以容易地由堿液除去即可。另外，為了提高干膜(DFR)的粘貼性，考慮將增粘材料用作可塑劑。此外，為了提高各種耐受性而添加交聯(lián)劑。具體而言，有(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、 (甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯類。另外有乙酸乙烯酯等乙烯醇的酯類或(甲基)丙烯腈、苯乙烯或者可聚合的苯乙烯衍生物等。另外，可以僅由上述在分子中具有一個聚合性不飽和基的羧酸或酸酐聚合獲得所述單體或寡聚物。此外，還可包含多官能性不飽和化合物。還可以是上述單體或使單體反應(yīng)而成的寡聚物中的任一種物質(zhì)。除了上述單體以外，還可包含兩種以上的其他光聚合性單體。單體的例子有 1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，4_環(huán)己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基) 丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚氧烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-二(對羥基苯基)丙烷二(甲基)丙烯酸酯、丙三醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚三(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二縮水甘油醚三(甲基)丙烯酸酯、2，2_雙甲基丙烯醯氧基五乙氧基苯基)丙烷以及含有氨基甲酸酯基的多官能(甲基)丙烯酸酯等。還可以是上述單體或使單體反應(yīng)而成的寡聚物中的任一種物質(zhì)。而且，也可以含有填料。填料并無特別的限定，可列舉二氧化硅、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、粘土、高嶺土、氧化鈦、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鋅、滑石、云母、玻璃、鈦酸鉀、硅酸鈣、硫酸鎂、硼酸鋁以及有機(jī)填料等。另外，抗蝕劑的厚度一般薄至Iym 10 μπι，因此，較為理想的是填料尺寸小。較佳為使用平均粒徑小且對粗粒進(jìn)行切割而成的填料，也可以在分散時將粗粒粉碎，或通過過濾除去粗粒。作為其他添加劑，例如可列舉光聚合性樹脂(光聚合引發(fā)劑)、聚合抑制劑、著色劑(染料、顏料、發(fā)色系顏料)、熱聚合引發(fā)劑以及環(huán)氧化物或氨基甲酸酯等的交聯(lián)劑等。在本發(fā)明實(shí)施方式的印刷板加工流程中，例如有時使用激光加工，但在激光加工的情況下，抗蝕劑材料需要具有激光消融性。例如選定二氧化碳激光器或準(zhǔn)分子激光器、 UV-YAG激光器等作為激光加工機(jī)。這些激光加工機(jī)具有各種固有的波長，通過使用對于該波長的吸收率高的材料，可以提高生產(chǎn)率。其中，UV-YAG激光器適合于微細(xì)加工，由于激光波長為355nm的第三高次諧波、266nm的第四高次諧波，因此，較為理想的是抗蝕劑材料對于所述波長的吸收率高。另一方面，有時較為理想的是吸收率一定程度上較低的材料。具體而言，例如若使用UV吸收率低的抗蝕劑，則UV光會透過抗蝕劑，因此，能夠使能量集中于底層的絕緣層加工。即，根據(jù)激光吸收率的不同，優(yōu)點(diǎn)有所不同，因此，較為理想的是根據(jù)狀況使用對抗蝕劑的激光吸收率進(jìn)行調(diào)整之后的抗蝕劑。另外，可以使用以含有指定量的羧基的丙烯系樹脂、環(huán)氧系樹脂、苯乙烯系樹脂、 酚系樹脂以及氨基甲酸酯系樹脂等作為樹脂成分，且含有光聚合引發(fā)劑的光硬化性樹脂組成物的片材作為DFR。作為此種DFR的具體例，若非要列舉一例，則例如可列舉日本專利公開公報特開2000-231190號、日本專利公開公報特開2001-201851號、日本專利公開公報特開平11-212262號所公開的使光聚合性樹脂組成物的干膜完全硬化而獲得的片材、或作為堿性顯影型的DFR而已有售的例如旭化成株式會社制造的UFG系列等。此外，作為其他溶脹性樹脂覆膜的例子，可列舉含有羧基且以松香為主成分的樹脂(例如吉川化工株式會社制造的“NAZDAR2^”)或以酚為主成分的樹脂(例如 LEKTRACHEM公司制造的“ 104F”)等?？梢酝ㄟ^使用以往已知的旋涂法或輥涂法等涂敷方法在絕緣基材表面涂敷樹脂的懸浮液或乳狀液之后進(jìn)行干燥的方法，來容易地形成溶脹性樹脂覆膜；或可以使用真空層壓機(jī)等將形成于支撐基板的DFR貼合于絕緣基材表面之后，使該DFR完全硬化，由此，容易地形成溶脹性樹脂覆膜。另外，作為所述樹脂覆膜，除了上述樹脂覆膜之外，還可列舉如下所述的樹脂覆膜。例如作為構(gòu)成所述樹脂覆膜的抗蝕劑材料，可列舉如下所述的材料。作為構(gòu)成所述樹脂覆膜的抗蝕劑材料所需的特性，例如可列舉(1)在后述的催化劑沉積工序中，對于浸漬形成有樹脂覆膜的絕緣基材的液體(產(chǎn)生鍍敷核的化學(xué)藥液) 的耐受性高；( 能夠通過后述的覆膜除去工序例如將形成有樹脂覆膜的絕緣基材浸漬于堿液的工序來容易地除去樹脂覆膜(抗蝕劑)；(3)成膜性高；(4)容易實(shí)現(xiàn)干膜(DFR)化； 以及( 保存性高等。產(chǎn)生鍍敷核的化學(xué)藥液在后文敘述，例如在酸性Pd-Sn膠體催化劑系統(tǒng)的情況下，全部為酸性(PH值為1 2)水溶液。另外，在堿性Pd離子催化劑系統(tǒng)的情況下，產(chǎn)生催化劑的活化劑為弱堿性(PH值為8 12)，除此以外為酸性。根據(jù)以上的內(nèi)容，對于產(chǎn)生鍍敷核的化學(xué)藥液的耐受性需要耐受住1 11的PH值，較為理想的是耐受住1 12 WpH 值。此外，所謂可耐受，是指當(dāng)將使抗蝕劑成膜而成的樣品浸漬于化學(xué)藥液時，充分地抑制抗蝕劑的溶脹或溶解，并發(fā)揮作為抗蝕劑的作用。另外，一般而言，浸漬溫度為室溫 60°C， 浸漬時間為1分鐘 10分鐘，抗蝕劑膜厚為Iym 10 μπι左右，但并不限定于此。用于覆膜除去工序的堿性剝離化學(xué)藥液在后文敘述，例如一般為NaOH水溶液或碳酸鈉水溶液。該堿性剝離化學(xué)藥液的PH值為11 14，較為理想的是ρΗ值為12 14， 能夠容易地除去抗蝕劑膜則較為理想。一般而言，在NaOH水溶液濃度為 10%左右， 處理溫度為室溫 50°C，處理時間為1分鐘 10分鐘的條件下進(jìn)行浸漬或噴涂處理，但并不限定于此。由于在絕緣材料上形成抗蝕劑，因此，成膜性也變得重要。需要形成無凹陷等的具有均勻性的膜。另外，為了簡化制造工序或減少材料損耗等而實(shí)現(xiàn)干膜化，但為了確保操作性，薄膜需要具有彎曲性。另外，由層壓機(jī)(利用輥筒，在真空狀態(tài)下)將經(jīng)干膜化的抗蝕劑粘貼至絕緣材料上。粘貼的溫度為室溫 160°C，壓力或時間任意。這樣，在粘貼時需要有粘著性。因此，經(jīng)干膜化的抗蝕劑還兼用于防止灰塵的附著，且一般采用由承載薄膜、覆蓋薄膜包夾的三層構(gòu)造，但并不限定于此。
對于保存性而言，最佳為能夠在室溫下保存，但還需要能夠在冷藏、冷凍下保存。 這樣，需要使干膜的組成在低溫下不會分離或不會因彎曲性下降而裂開?？刮g劑材料的樹脂組成是以主樹脂(粘合樹脂)為必需成分，還可添加寡聚物、單體、填料或其他添加劑中的至少一種物質(zhì)。主樹脂較佳為具有熱塑性的線型聚合物。為了控制流動性、結(jié)晶性等，有時也會進(jìn)行嫁接以產(chǎn)生支鏈。以數(shù)量平均分子量計，主樹脂的分子量為1000 500000左右，較為理想的是5000 50000。若分子量過小，則膜的彎曲性或?qū)τ诋a(chǎn)生鍍敷核的化學(xué)藥液的耐受性(耐酸性)有下降的傾向。另外，若分子量過大，則堿剝離性或形成干膜時的粘貼性有變差的傾向。此外，為了提高對于產(chǎn)生鍍敷核的化學(xué)藥液的耐受性或抑制激光加工時的熱變形，并控制流動，也可以導(dǎo)入交聯(lián)點(diǎn)。通過使(a)在分子中至少具有一個聚合性不飽和基的羧酸或酸酐的單體、和(b) 能夠與(a)單體聚合的單體聚合而獲得主樹脂的組成。作為該眾所周知的技術(shù)，若非要列舉一例，則例如可列舉日本專利公開公報特開平7181437號、日本專利公開公報特開 2000-231190號以及日本專利公開公報特開2001-201851號所記載的技術(shù)等。作為(a)的一例，可列舉(甲基)丙烯酸、富馬酸、肉桂酸、丁烯酸、衣康酸、馬來酸酐、馬來酸半酯以及丙烯酸丁酯等，這些單體可以單獨(dú)使用，或者也可以組合兩種以上的所述單體。作為(b)的例子，一般為非酸性且在分子中具有(一個)聚合性不飽和基的單體，其并無限制。以保持鍍敷工序中的耐受性、硬化膜的柔韌性等各種特性的方式選擇所述單體。具體而言，例如可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯以及(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯類等。另外可列舉乙酸乙烯酯等乙烯醇的酯類或(甲基) 丙烯腈、苯乙烯或者可聚合的苯乙烯衍生物等。另外，可以僅由上述在分子中具有一個聚合性不飽和基的羧酸或酸酐聚合獲得所述單體。此外，可以將環(huán)氧基、羥基、氨基、酰胺基以及乙烯基等反應(yīng)性官能基導(dǎo)入至選定具有多個不飽和基的單體作為用于聚合物的單體的分子骨架，以能夠進(jìn)行三維交聯(lián)。當(dāng)樹脂中含有羧基時，以酸當(dāng)量計，樹脂中所含的羧基的量較佳為100 2000，較為理想的是100 800。此處，所謂酸當(dāng)量，是指其中具有每當(dāng)量的羧基的聚合物的重量。在該酸當(dāng)量過低的情況下，與溶劑或其他組成物之間的相溶性或?qū)τ阱兎箢A(yù)處理液的耐受性有下降的傾向。另外，在酸當(dāng)量過高的情況下，剝離性有下降的傾向。另夕卜，(a)單體的組成比率為5wt% 70wt%。單體或寡聚物只要對于產(chǎn)生鍍敷核的化學(xué)藥液具有耐受性或可以容易地由堿液除去即可。另外，為了提高干膜(DFR)的粘貼性，考慮將增粘材料用作可塑劑。此外，為了提高各種耐受性而添加交聯(lián)劑。具體而言，例如可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基) 丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯以及(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯類等。另外還可列舉乙酸乙烯酯等乙烯醇的酯類或(甲基)丙烯腈、苯乙烯或者可聚合的苯乙烯衍生物等。另外，可以僅由上述在分子中具有一個聚合性不飽和基的羧酸或酸酐聚合獲得所述單體或寡聚物。此外，還可包含多官能性不飽和化合物。還可以是上述單體或使單體反應(yīng)而成的寡聚物中的任一種物質(zhì)。除了上述單體以外，還可包含兩種以上的其他光聚合性單體。作為該單體的例子，例如可列舉1，6_己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，4_環(huán)己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚氧烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-二(對羥基苯基)丙烷丙烷二(甲基)丙烯酸酯、丙三醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、 三羥甲基丙烷三縮水甘油醚三(甲基)丙烯酸酯、雙酚A 二縮水甘油醚三(甲基)丙烯酸酯、2，2-雙甲基丙烯醯氧基五乙氧基苯基)丙烷以及含有氨基甲酸酯基的多官能(甲基)丙烯酸酯等。另外，還可以是上述單體或使單體反應(yīng)而成的寡聚物中的任一種物質(zhì)。而且，也可以含有填料。填料并無特別的限定，具體而言，例如可列舉二氧化硅、 氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、粘土、高嶺土、氧化鈦、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鋅、滑石、云母、玻璃、鈦酸鉀、硅酸鈣、硫酸鎂、硼酸鋁以及有機(jī)填料等。另外，抗蝕劑的厚度一般薄至Iym 10 μ m，因此，較為理想的是填料尺寸小。較佳為使用平均粒徑小且對粗粒進(jìn)行切割而成的填料，也可以在分散時將粗粒粉碎，或通過過濾除去粗粒。作為其他添加劑，例如可列舉光聚合性樹脂(光聚合引發(fā)劑)、聚合抑制劑、著色劑(染料、顏料、發(fā)色系顏料)、熱聚合引發(fā)劑以及環(huán)氧化物或氨基甲酸酯等的交聯(lián)劑等。在本發(fā)明實(shí)施方式的印刷板加工流程中，例如有時使用激光加工，但在激光加工的情況下，抗蝕劑材料需要具有激光消融性。例如選定二氧化碳激光器或準(zhǔn)分子激光器、 UV-YAG激光器等作為激光加工機(jī)。這些激光加工機(jī)具有各種固有的波長，通過使用對于該波長的吸收率高的材料，可以提高生產(chǎn)率。其中，UV-YAG激光器適合于微細(xì)加工，由于激光波長為355nm的第三高次諧波、266nm的第四高次諧波，因此，較為理想的是抗蝕劑材料對于所述波長的吸收率高。另一方面，有時較為理想的是吸收率一定程度上較低的材料。具體而言，例如若使用UV吸收率低的抗蝕劑，則UV光會透過抗蝕劑，因此，能夠使能量集中于底層的絕緣層加工。即，根據(jù)激光吸收率的不同，優(yōu)點(diǎn)有所不同，因此，較為理想的是根據(jù)狀況使用對抗蝕劑的激光吸收率進(jìn)行調(diào)整之后的抗蝕劑。<電路圖案形成工序>電路圖案形成工序是在絕緣基材1中形成電路槽3等電路圖案部的工序。如上所述，電路圖案部不僅可以是電路槽3，而且可以是使所述樹脂覆膜2到達(dá)所述絕緣基材1的表面的凹部，還可以是貫通孔4。所述電路圖案部的形成方法并無特別的限定。具體而言，例如可列舉從所述樹脂覆膜2的外表面?zhèn)绕饘π纬捎兴鰳渲材?的絕緣基材1實(shí)施激光加工、以及切割加工等切削加工或壓紋加工等機(jī)械加工等，由此，形成具有預(yù)期形狀及深度的電路槽3的方法等。在形成高精度的微細(xì)電路的情況下，較為理想的是使用激光加工。根據(jù)激光加工，可以通過使激光的輸出等發(fā)生變化來自由地調(diào)整切削深度等。另外，對于壓紋加工而言，例如較為理想的是使用納米壓印領(lǐng)域中所使用的利用微細(xì)樹脂模具的壓紋加工。另外，也可以形成用以形成導(dǎo)通孔等的貫通孔4作為所述電路槽3的一部分。通過所述工序，規(guī)定所述電路槽3的形狀及深度或所述貫通孔4的直徑及位置等電路圖案部的形狀。另外，所述電路圖案形成工序只要雕刻所述樹脂覆膜2的厚度以上的厚度即可，且可以雕刻與所述樹脂覆膜2的厚度相當(dāng)?shù)暮穸?，也可以超過所述樹脂覆膜2的厚度地進(jìn)行雕刻。由所述電路圖案形成工序形成的電路槽3等電路圖案部的寬度并無特別的限定。 此外，在使用激光加工的情況下，也能夠容易地形成線寬為20 μ m以下的微細(xì)電路。另外，在通過填充式鍍敷消除電路與絕緣基材之間的階差的情況下，電路槽的深度成為本實(shí)施方式中形成的電路的深度。<催化劑沉積工序>催化劑沉積工序是使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物沉積于所述電路槽3等電路圖案部的表面以及所述樹脂覆膜2的表面的工序。此時，在已形成有貫通孔4的情況下，也使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物沉積于貫通孔4的內(nèi)壁表面。所述鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5是為了僅在所述鍍敷處理工序中欲由化學(xué)鍍形成化學(xué)鍍膜的部分形成化學(xué)鍍膜而給予的催化劑。鍍敷催化劑只要是作為用于化學(xué)鍍的催化劑而廣為知曉的催化劑，則可以無特別限定地使用。另外，也可以預(yù)先使鍍敷催化劑的前驅(qū)物沉積，在除去樹脂覆膜之后產(chǎn)生鍍敷催化劑。作為鍍敷催化劑的具體例，例如可列舉金屬鈀(Pd)、鉬(Pt)以及銀(Ag)等或產(chǎn)生這些物質(zhì)的前驅(qū)物等。作為使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5沉積的方法，例如可列舉由在pH值為1 3的酸性條件下經(jīng)處理的酸性Pd-Sn膠溶液進(jìn)行處理之后，由酸溶液進(jìn)行處理的方法等。具體而言，例如可列舉如下所述的方法。首先，在界面活性劑的溶液(Cleaner & Conditioner)中，以指定時間對形成有電路槽3以及貫通孔4的絕緣基材1的表面所附著的油成分等進(jìn)行熱水洗。接下來，根據(jù)需要，由過硫酸鈉-硫酸系的軟蝕刻劑進(jìn)行軟蝕刻處理。然后，在PH值為1 2的硫酸水溶液或鹽酸水溶液等酸性溶液中進(jìn)一步進(jìn)行酸洗。接下來進(jìn)行預(yù)浸處理，即，將絕緣基材1浸漬于以濃度為0. 左右的二氯化錫水溶液等作為主成分的預(yù)浸液，使氯化物離子吸附于絕緣基材1表面。然后，將絕緣基材1進(jìn)一步浸漬于包含二氯化錫與氯化鈀的PH值為1 3的酸性Pd-Sn膠體等酸性鍍敷催化劑膠溶液中，由此，使Pd以及Sn凝聚并吸附于絕緣基材1表面。然后，使吸附的二氯化錫與氯化鈀之間產(chǎn)生氧化還原反應(yīng) (SnCl2+PdCl2 - SnCl4+Pd丨)。由此，作為鍍敷催化劑的金屬鈀析出。此外，可以使用眾所周知的酸性Pd-Sn膠體催化劑溶液等作為酸性鍍敷催化劑膠溶液，也可以使用利用了酸性鍍敷催化劑膠溶液的市場上售賣的鍍敷流程。此種流程例如由羅門哈斯(Rohm and Haas)電子材料株式會社經(jīng)過系統(tǒng)化而被銷售。通過如上所述的催化劑沉積處理，可以使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5沉積于所述電路槽3的表面、所述貫通孔4的內(nèi)壁表面以及所述樹脂覆膜2的表面。〈覆膜除去工序〉覆膜除去工序是從實(shí)施了所述催化劑沉積工序的絕緣基材1上除去所述樹脂覆膜2的工序。所述樹脂覆膜2的除去方法并無特別的限定。具體而言，例如可列舉由指定的溶液(溶脹液)使所述樹脂覆膜2溶脹之后，從所述絕緣基材1上剝離所述樹脂覆膜2的方法；由指定的溶液(溶脹液)使所述樹脂覆膜2溶脹，接著使一部分溶解之后，從所述絕緣基材1上剝離所述樹脂覆膜2的方法；以及由指定的溶液(溶脹液)使所述樹脂覆膜2溶解，從而除去所述樹脂覆膜2的方法等。所述溶脹液只要能夠使所述樹脂覆膜2溶脹，則并無特別的限定。另外，例如使由所述樹脂覆膜2覆蓋的所述絕緣基材1在所述溶脹液中浸漬指定時間，由此進(jìn)行所述溶脹或溶解。而且，也可以通過在所述浸漬過程中照射超聲波來提高除去效率。此外，當(dāng)使所述樹脂覆膜2溶脹之后將其剝離時，也可以輕柔的力量將其剝下。另外，說明將所述溶脹性樹脂覆膜用作所述樹脂覆膜2的情況。使所述溶脹性樹脂覆膜2溶脹的液體(溶脹液)只要是能夠使所述溶脹性樹脂覆膜2溶脹或溶解而實(shí)質(zhì)上不會使所述絕緣基材1及所述鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5分解或溶解的液體，則可以無特別限定地使用。另外，較為理想的是能夠使所述溶脹性樹脂覆膜2溶脹至容易地剝離的程度的液體。可以根據(jù)溶脹性樹脂覆膜2的種類或厚度適當(dāng)?shù)剡x擇如上所述的溶脹液。具體而言，例如當(dāng)溶脹性樹脂覆膜由如二烯系彈性體、丙烯系彈性體以及聚酯系彈性體之類的彈性體、或聚合物樹脂或包含所述聚合物樹脂的樹脂組成物、含羧基的丙烯系樹脂形成時，可以較佳地使用例如濃度為 10%左右的氫氧化鈉水溶液等堿性水溶液，所述聚合物樹脂是通過使(a)在分子中至少具有一個聚合性不飽和基的羧酸或酸酐的至少一種以上的單體、和(b)能夠與所述(a)單體聚合的至少一種以上的單體聚合而獲得的。此外，當(dāng)在催化劑沉積工序中，使用在如上所述的酸性條件下進(jìn)行處理的鍍敷流程時，較為理想的是溶脹性樹脂覆膜2由例如二烯系彈性體、丙烯系彈性體以及聚酯系彈性體之類的彈性體、聚合物樹脂或包含所述聚合物樹脂的樹脂組成物、含羧基的丙烯系樹脂形成，所述彈性體在酸性條件下的溶脹度不足50%，較為理想的是40%以下，且在堿性條件下的溶脹度為50%以上，所述聚合物樹脂是通過使(a)在分子中至少具有一個聚合性不飽和基的羧酸或酸酐的至少一種以上的單體、和(b)能夠與所述(a)單體聚合的至少一種以上的單體聚合而獲得的。此種溶脹性樹脂覆膜容易由PH值為12 14的堿性水溶液例如濃度為 10%左右的氫氧化鈉水溶液等溶脹，然后剝離。此外，為了提高剝離性， 也可以在浸漬過程中照射超聲波。另外，也可以根據(jù)需要以輕柔的力量剝下所述溶脹性樹脂覆膜，由此進(jìn)行剝離。作為使溶脹性樹脂覆膜2溶脹的方法，可列舉將由溶脹性樹脂覆膜2覆蓋的絕緣基材1在溶脹液中浸漬指定時間的方法。另外，為了提高剝離性，尤為理想的是在浸漬過程中照射超聲波。此外，當(dāng)并不僅僅通過溶脹進(jìn)行剝離時，也可以根據(jù)需要以輕柔的力量剝下所述溶脹性樹脂覆膜?！村兎筇幚砉ば颉靛兎筇幚砉ば蚴菍Τニ鰳渲材?之后的所述絕緣基材1實(shí)施化學(xué)鍍處理的工序。作為所述化學(xué)鍍處理的方法，可以使用如將部分地沉積有鍍敷催化劑或其前驅(qū)物 5的絕緣基材1浸漬于化學(xué)鍍液，僅在沉積有鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5的部分使化學(xué)鍍膜 (鍍層)析出之類的方法等。作為化學(xué)鍍中使用的金屬，可列舉銅(Cu)、鎳(Ni)、鈷(Co)以及鋁(Al)等。其中，從導(dǎo)電性優(yōu)異的方面考慮，較為理想的是以Cu為主成分的鍍層。另外，在包含M的情況下，從耐腐蝕性或與焊錫之間的密接性優(yōu)異的方面考慮較為理想?；瘜W(xué)鍍膜6的膜厚并無特別的限定。具體而言，例如為0. 1 μ m 10 μ m，更為理想的是1 μ m 5 μ m左右。特別是通過使所述電路槽3的深度加深，鍍層的膜厚大，能夠容易地形成剖面積大的金屬配線。在此情況下，從能夠提高金屬配線的強(qiáng)度的方面考慮較為理
通過鍍敷處理工序，僅在絕緣基材1表面的鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5所殘留的部分析出化學(xué)鍍膜。因此，能夠僅在欲形成電路圖案部的部分正確地形成導(dǎo)電層。另一方面， 能夠抑制在未形成電路圖案部的部分析出化學(xué)鍍膜。因此，即使在以狹窄的間隔形成多條線寬狹窄的微細(xì)電路的情況下，多余的鍍膜也不會殘留在鄰接的電路之間。因此，能夠抑制產(chǎn)生短路或遷移?！礄z查工序〉在本實(shí)施方式所涉及的電路基板的制造方法中，所述樹脂覆膜2含有熒光性物質(zhì)，在所述覆膜除去工序之后，還可包括使用從所述熒光性物質(zhì)發(fā)出的光來檢查覆膜除去缺陷的檢查工序。即，由于所述樹脂覆膜2含有熒光性物質(zhì)，因此，在覆膜除去工序之后，可以使用因?qū)z查對象面照射紫外光或近紫外光而從熒光性物質(zhì)發(fā)出的光，檢查覆膜除去缺陷的有無或覆膜除去缺陷的部位。本實(shí)施方式的制造方法能夠形成線寬以及線間隔極端狹窄的電路。在形成線寬以及線間隔極端狹窄的電路的情況下，例如，如圖2所示，樹脂覆膜有可能未被完全除去而殘留在形成于絕緣基材1表面的相鄰電路8之間。在此種情況下會在該部分形成化學(xué)鍍膜，從而可能引起遷移或短路等。即使在此種情況下，只要設(shè)置上述檢查工序，就能夠檢查出覆膜除去缺陷的有無或覆膜除去缺陷的部位。此外，圖2是用以說明使樹脂覆膜含有熒光性物質(zhì)，且使用從熒光性物質(zhì)發(fā)出的光來檢查覆膜除去缺陷的檢查工序的說明圖。所述檢查工序中使用的可包含于樹脂覆膜2的熒光性物質(zhì)只要因由指定光源照射出光而表現(xiàn)出發(fā)光特性，則并無特別的限定。作為該熒光性物質(zhì)的具體例，例如可列舉熒光素(Fluoresceine)、曙紅(Eosine)以及焦寧 G(Pyronine G)等。被本檢查工序檢測出從熒光性物質(zhì)發(fā)出的光的部分是殘留有樹脂覆膜2的殘渣加的部分。因此，通過除去被檢測出發(fā)光的部分，能夠抑制在該部分形成化學(xué)鍍膜。由此， 能夠預(yù)先抑制產(chǎn)生遷移或短路等?！慈ャ@污處理工序〉另外，本實(shí)施方式所涉及的電路基板的制造方法還可包括在實(shí)施所述鍍敷處理工序之后，具體而言在實(shí)施填充式鍍敷之前或之后，實(shí)施去鉆污處理的去鉆污處理工序。通過實(shí)施去鉆污處理，能夠除去附著于化學(xué)鍍膜的多余的樹脂。另外，在假設(shè)多層電路基板包括獲得的電路基板的情況下，使所述絕緣基材的未形成有化學(xué)鍍膜的部分的表面粗糙，從而可以提高與所述電路基板的上層等之間的密接性。而且，也可以對導(dǎo)通孔底部實(shí)施去鉆污處理。這樣，能夠除去附著于導(dǎo)通孔底部的多余的樹脂。另外，所述去鉆污處理并無特別的限定，可以使用眾所周知的去鉆污處理。具體而言，例如可列舉浸漬于高錳酸溶液等的處理寸。經(jīng)由如上所述的工序形成如圖I(E)所示的電路基板10。此外，在所述電路圖案形成工序中，當(dāng)超過所述樹脂覆膜2的厚度地進(jìn)行雕刻時， 如圖3所示，能夠在絕緣基材1的深部分形成由化學(xué)鍍膜6a構(gòu)成的電路。另外，也可以在多個導(dǎo)電層之間的深度互不相同的位置(例如圖3中的6a與6b)形成電路。此外，如圖3 的6c、6d所示，當(dāng)在絕緣基材1中形成具有指定深度的電路槽之后，由化學(xué)鍍處理以埋設(shè)電路槽的方式形成電路時，能夠容易地形成剖面積大的電路，因此，從能夠增加電路的電容量的方面考慮較為理想。[第二實(shí)施方式]在所述第一實(shí)施方式中，說明了在平面的絕緣基材上形成電路而獲得的電路基板，但本發(fā)明并不特別限定于此。具體而言，即使使用具有階差狀的立體面的三維形狀的絕緣基材作為絕緣基材，仍可獲得包括正確的配線電路的電路基板(立體電路基板)。以下說明第二實(shí)施方式所涉及的立體電路基板的制造方法。圖4是用以對制造第二實(shí)施方式所涉及的立體電路基板的各工序進(jìn)行說明的模式剖面圖。首先，如圖4(A)所示，在具有階差部分的立體絕緣基材51的表面上形成樹脂覆膜 2。此外，該工序相當(dāng)于覆膜形成工序?？梢詿o特別限定地使用以往已知的能夠用于制造立體電路基板的各種樹脂成形體作為所述立體絕緣基材51。從生產(chǎn)效率的方面考慮，較為理想的是通過注射成形獲得如上所述的成形體。作為用以獲得樹脂成形體的樹脂材料的具體例，例如可列舉聚碳酸酯樹脂、聚酰胺樹脂、各種聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂以及聚苯硫醚樹脂等。所述樹脂覆膜2的形成方法并無特別的限定。具體而言，例如可列舉與所述第一實(shí)施方式的情況相同的形成方法等。接下來，如圖4 (B)所示，以所述樹脂覆膜2的外表面為基準(zhǔn)，形成深度為所述樹脂覆膜2的厚度以上的電路槽3等電路圖案部。電路圖案部的形成方法并無特別的限定。具體而言，例如可列舉與所述第一實(shí)施方式的情況相同的形成方法等。由所述電路槽3等電路圖案部來規(guī)定利用化學(xué)鍍而形成有化學(xué)鍍膜的部分即形成有電路的部分。此外，該工序相當(dāng)于電路圖案形成工序。接下來，如圖4(C)所示，使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5沉積于所述電路槽3等電路圖案部的表面以及未形成有所述電路圖案部的所述樹脂覆膜2的表面。使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5沉積的方法并無特別的限定。具體而言，例如可列舉與所述第一實(shí)施方式的情況相同的方法等。此外，該工序相當(dāng)于催化劑沉積工序。通過此種催化劑沉積處理，如圖4(C) 所示，能夠使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5沉積于電路槽3等電路圖案部的表面以及樹脂覆膜 2的表面。接下來，如圖4(D)所示，從所述立體絕緣基材51上除去所述樹脂覆膜2。這樣，可以使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5僅殘留于所述立體絕緣基材51的形成有所述電路槽3等電路圖案部的部分的表面。另一方面，沉積于所述樹脂覆膜2的表面的鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5在承載于所述樹脂覆膜2的狀態(tài)下，與所述樹脂覆膜2 —起被除去。另外，所述樹脂覆膜2的除去方法并無特別的限定。具體而言，例如可列舉與所述第一實(shí)施方式的情況相同的方法等。此外，該工序相當(dāng)于覆膜除去工序。接下來，如圖4(E)所示，對所述樹脂覆膜2已被除去的立體絕緣基材51實(shí)施化學(xué)鍍。這樣，僅在殘存有所述鍍敷催化劑或其前驅(qū)物5的部分形成化學(xué)鍍膜6。S卩，在形成有所述電路槽3或所述貫通孔4的部分，形成作為電路的化學(xué)鍍膜6。化學(xué)鍍膜6的形成方法并無特別的限定。具體而言，例如可列舉與所述第一實(shí)施方式的情況相同的形成方法等。 此外，該工序相當(dāng)于鍍敷處理工序。通過上述各工序，形成如圖4(E)所示的在三維形狀的立體絕緣基材51上形成有電路6的電路基板60。對于以所述方式形成的電路基板60而言，即使形成在絕緣基材上的電路的線寬以及線間隔狹窄，仍能夠高精度地形成電路。另外，對于本實(shí)施方式所涉及的電路基板而言，在立體電路基板的具有階差部的面上也正確且容易地形成有電路。以上詳細(xì)地說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但上述說明對于全部的側(cè)面而言是例示， 本發(fā)明并不限定于上述說明。未例示的無數(shù)個變形例被理解成可不脫離本發(fā)明的范圍地被設(shè)想到。[實(shí)施例]以下，通過實(shí)施例來更具體地說明本實(shí)施方式的制造方法。此外，本發(fā)明的范圍完全不受以下實(shí)施例限定地被解釋。(實(shí)施例1)在厚度為ΙΟΟμπι的環(huán)氧樹脂基材(松下電工(株)制造的R1766)的表面形成 2μπι厚的苯乙烯-丁二烯共聚物(SBR)的覆膜。此外，將苯乙烯-丁二烯共聚物(SBR)的甲基乙基酮(MEK)懸浮液(日本瑞翁(株)制造，酸當(dāng)量為600，粒子徑為200nm，固含量為 15% )涂敷于所述環(huán)氧樹脂基材的主面，在80°C下干燥30分鐘，由此形成覆膜。接著，通過激光加工，對形成有覆膜的環(huán)氧樹脂基材進(jìn)行形成寬度為20 μ m、深度為30 μ m且剖面大致呈長方形的槽的加工。此外，激光加工中使用包括UV-YAG激光器的 ESI公司制造的M0DEL5330。接下來，將形成有槽的環(huán)氧樹脂基材浸漬于Cleaner & Conditioner (界面活性劑溶液，口11值< 1 羅門哈斯電子材料(株)制造的C/N3320)中，然后進(jìn)行水洗。接下來，由過硫酸鈉-硫酸系的pH< 1的軟蝕刻劑進(jìn)行軟蝕刻處理。接著，使用PD404(aiipley Far East (株)制造，？!1值< 1)進(jìn)行預(yù)浸工序。然后，通過浸漬于包含二氯化錫與氯化鈀的PH 值為1的酸性Pd-Sn膠溶液(CAT44，Shipley Far East (株)制造)，使成為化學(xué)鍍銅核的鈀在錫-鈀膠體的狀態(tài)下吸附于環(huán)氧樹脂基材。接下來，通過浸漬于？!1值< 1的化學(xué)加速劑(ACC19E，Shipley Far East (株)制造)，產(chǎn)生鈀核。接著，將環(huán)氧樹脂基材在PH值為14的5%氫氧化鈉水溶液中浸漬10分鐘， 并且進(jìn)行超聲波處理。由此，表面的SBR覆膜溶脹，并完全被剝離。此時，SBR覆膜的碎片等未殘留在環(huán)氧樹脂基材表面上。接著，將環(huán)氧樹脂基材浸漬于化學(xué)鍍液(CM328A、CM328L、 CM328C，Shipley Far East (株)制造)以進(jìn)行化學(xué)鍍銅處理。通過化學(xué)鍍銅處理，厚度為3 5 μ m的化學(xué)鍍銅膜析出。由SEM(掃描式顯微鏡) 對經(jīng)過化學(xué)鍍銅處理的環(huán)氧基材表面進(jìn)行觀察時，僅在經(jīng)過切削加工的部分正確地形成了
化學(xué)鍍膜。此外，按照以下方式求出溶脹性樹脂覆膜的溶脹度。將為了形成溶脹性樹脂覆膜而涂敷的SBR懸浮液涂敷到脫模紙上，在80°C下干燥 30分鐘。由此形成2μπι厚的樹脂覆膜。接著，通過強(qiáng)制地剝離形成的覆膜來獲得試料。接著，稱量出0.02g左右的已獲得的試料。將此時的試料重量設(shè)為溶脹前重量 m(b)。然后，將稱量出的試料在20士2°C的5%氫氧化鈉水溶液IOml中浸漬15分鐘。另夕卜， 同樣地將其他試料在20士2°C的5%鹽酸水溶液(pH值為1) IOml中浸漬15分鐘。接著，使用離心分離器在1000G下進(jìn)行約10分鐘的離心分離處理，除去附著于試料的水分等。然后，測定離心分離之后的已溶脹的試料的重量，將該重量設(shè)為溶脹后重量m(a)。根據(jù)獲得的溶脹前重量m(b)以及溶脹后重量m(a)，并根據(jù)“溶脹度SW =(m(a)-m(b))/m(b)X100(%)”的式子算出溶脹度。此外，其他條件依據(jù)JIS L1015 8. 27 (堿溶脹度的測定方法)。此時，相對于pH值為14的5%氫氧化鈉水溶液的溶脹度為750%。另一方面，相對于PH值為1的5%鹽酸水溶液的溶脹度為3%。(實(shí)施例2)使用含羧基聚合物(日本瑞翁(株)制造，酸當(dāng)量為500，重量平均分子量為 25000，固含量為20%)代替苯乙烯-丁二烯共聚物(SBR)的甲基乙基酮(MEK)懸浮液(日本瑞翁(株)制造，酸當(dāng)量為600，粒子徑為200nm，固含量為15% )，除此以外，與實(shí)施例1 同樣地進(jìn)行。此時，相對于pH值為14的5%氫氧化鈉水溶液的溶脹度為1000%。另一方面，相對于PH值為1的5%鹽酸水溶液的溶脹度為30%。如上所述，若使用本實(shí)施方式所涉及的制造方法，則通過剝離溶脹性樹脂覆膜，能夠使鍍敷催化劑僅沉積于基材表面的欲形成電路的部分。因此，僅在沉積有鍍敷催化劑的部分正確地形成化學(xué)鍍膜。另外，由于能夠通過溶脹作用容易地剝離溶脹性樹脂覆膜，因此，還能夠容易且正確地進(jìn)行覆膜除去工序。如上所述，本說明書公開了各種形態(tài)的技術(shù)，以下歸納其中的主要技術(shù)。本發(fā)明是一種電路基板的制造方法，其特征在于包括覆膜形成工序，在絕緣基材表面形成樹脂覆膜；電路圖案形成工序，以所述樹脂覆膜的外表面為基準(zhǔn)，形成深度為所述樹脂覆膜的厚度以上的凹部，從而形成電路圖案部；催化劑沉積工序，使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物沉積于所述電路圖案部的表面以及所述樹脂覆膜的表面；覆膜除去工序，從所述絕緣基材上除去所述樹脂覆膜；以及鍍敷處理工序，僅在除去所述樹脂覆膜之后的所述鍍敷催化劑或其前驅(qū)物所殘留的部位形成化學(xué)鍍膜。根據(jù)此種制造方法，在絕緣基材上形成樹脂覆膜之后，使用激光加工等形成指定的電路圖案部，在由所述樹脂覆膜保護(hù)未形成有鍍膜的部分的狀態(tài)下，使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物沉積于所述電路圖案部的表面以及所述樹脂覆膜的表面。然后，通過從所述絕緣基材上除去所述樹脂覆膜，可以容易地使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物僅殘留于欲形成鍍膜的部分，并可以從其他部分除去鍍敷催化劑或其前驅(qū)物。由此，通過實(shí)施形成化學(xué)鍍膜的鍍敷處理工序，可以容易地僅在所述鍍敷催化劑或其前驅(qū)物所殘留的部位即欲形成鍍膜的部分形成化學(xué)鍍膜。因此，可以容易地在絕緣基材上形成高精度的電路。即，可以高精度地維持所形成的電路的輪廓。結(jié)果，例如即使在隔開一定的間隔地形成多個電路的情況下，也可抑制化學(xué)鍍膜的碎片等殘留在電路之間，由此，能夠抑制產(chǎn)生短路或遷移等。另外，可以形成預(yù)期深度的電路。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，較為理想的是，所述覆膜除去工序是在由指定的液體使所述樹脂覆膜溶脹之后，或在由指定的液體使所述樹脂覆膜的一部分溶解之后，從所述絕緣基材上剝離所述樹脂覆膜的工序。根據(jù)此種制造方法，可以容易地從所述絕緣基材上剝離所述樹脂覆膜。由此，可以更容易地在絕緣基材上形成高精度的電路。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，較為理想的是，所述樹脂覆膜相對于所述液體的溶脹度為50%以上。通過使用此種溶脹度的樹脂覆膜，可以容易地從所述絕緣基材上剝離所述樹脂覆膜。由此，可以更容易地在絕緣基材上形成高精度的電路。此外，所述樹脂覆膜還包括相對于所述液體的溶脹度大且會被所述液體溶解的樹脂覆膜。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，較為理想的是，所述催化劑沉積工序包括在酸性催化劑金屬膠溶液中進(jìn)行處理的工序，所述覆膜除去工序中的指定的液體為堿性溶液，所述樹脂覆膜相對于所述酸性催化劑金屬膠溶液的溶脹度不足50 %，且相對于所述堿性溶液的溶脹度為50%以上。根據(jù)此種制造方法，在以酸性條件進(jìn)行處理的催化劑沉積工序中，所述樹脂覆膜不易被剝離，在所述催化劑沉積工序之后的利用堿性溶液進(jìn)行處理的覆膜除去工序中，所述樹脂覆膜容易被剝離。由此，所述樹脂覆膜在所述覆膜除去工序中被選擇性地剝離。因此，在催化劑沉積工序中，可以正確地保護(hù)未形成有化學(xué)鍍膜的部分，在鍍敷催化劑或其前驅(qū)物的沉積之后的覆膜除去工序中，可以容易地剝離樹脂覆膜。因此，能夠更正確地形成電路。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，較為理想的是，所述覆膜除去工序是由指定的液體使所述樹脂覆膜溶解，并除去所述樹脂覆膜的工序。根據(jù)此種制造方法，可以容易地從所述絕緣基材上除去所述樹脂覆膜。由此，可以更容易地在絕緣基材上形成高精度的電路。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，較為理想的是，所述樹脂覆膜是在所述絕緣基材表面涂敷彈性體的懸浮液或乳狀液之后，通過干燥而形成的樹脂覆膜。若使用此種樹脂覆膜，則可以容易地在絕緣基材表面形成樹脂覆膜。由此，可以更容易地在絕緣基材上形成高精度的電路。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，較為理想的是，所述樹脂覆膜是通過將形成在支撐基板上的樹脂覆膜轉(zhuǎn)印至所述絕緣基材表面而形成的樹脂覆膜。另外，更為理想的是，所述用于轉(zhuǎn)印的樹脂覆膜是在支撐基板表面涂敷彈性體的懸浮液或乳狀液之后， 通過干燥而形成的樹脂覆膜。若使用此種樹脂覆膜，則由于可以預(yù)先準(zhǔn)備多個樹脂覆膜，因此，從量產(chǎn)性優(yōu)異的方面考慮較為理想。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，較為理想的是，所述彈性體選自由具有羧基的二烯系彈性體、丙烯系彈性體以及聚酯系彈性體構(gòu)成的群組。另外，更為理想的是， 所述二烯系彈性體是苯乙烯-丁二烯系共聚物。根據(jù)此種彈性體，通過調(diào)整交聯(lián)度或凝膠化度，可以容易地形成具有預(yù)期的溶脹度的樹脂覆膜。另外，能夠進(jìn)一步增大相對于所述覆膜除去工序中使用的所述液體的溶脹度，還可以容易地形成會被所述液體溶解的樹脂覆膜。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，還可以較佳地使用以包含具有酸當(dāng)量為100 800的羧基的丙烯系樹脂的樹脂為主成分的覆膜作為所述樹脂覆膜。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，較為理想的是，所述樹脂覆膜由聚合物樹脂或包含所述聚合物樹脂的樹脂組成物構(gòu)成，所述聚合物樹脂是通過使(a)在分子中至少具有一個聚合性不飽和基的羧酸或酸酐的至少一種以上的單體、和(b)能夠與所述(a) 單體聚合的至少一種以上的單體聚合而獲得的。若使用此種樹脂覆膜，則可以容易地在絕緣基材表面形成樹脂覆膜。由此，可以更容易地在絕緣基材上形成高精度的電路。另外，在多數(shù)情況下，此種樹脂覆膜是可以由所述覆膜除去工序中使用的液體溶解的樹脂覆膜，不僅可以被有效地剝離除去，而且可以被有效地溶解除去。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，較為理想的是，在所述樹脂覆膜中，所述聚合物樹脂的酸當(dāng)量為100 800。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，從能夠高精度地形成微細(xì)電路的方面考慮，較為理想的是所述樹脂覆膜的厚度為10 μ m以下。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，從能夠形成需要微細(xì)加工的天線電路等的方面考慮，較為理想的是所述電路圖案部包括寬度為20 μ m以下的部分。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，當(dāng)所述電路圖案形成工序是由激光加工形成電路圖案部的工序時，從能夠高精度地形成更微細(xì)的電路的方面考慮較為理想。另外，通過激光的輸出等發(fā)生變化，可以容易地調(diào)整切削深度等，由此，從能夠容易地對形成的電路槽等的深度進(jìn)行調(diào)整的方面考慮也較為理想。另外，通過使用激光加工，可以形成用于層間連接的貫通孔，或可以將電容器埋入至絕緣基材內(nèi)。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，當(dāng)所述電路圖案形成工序是使用壓紋法形成電路圖案部的工序時，從能夠通過模具沖壓來容易地形成電路圖案部的方面考慮較為理想。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，較為理想的是，在所述電路圖案形成工序中，當(dāng)形成電路圖案部時，在所述絕緣基材中形成貫通孔。根據(jù)此種制造方法，可以形成在形成電路圖案部時能夠用作導(dǎo)通孔或內(nèi)部導(dǎo)通孔的貫通孔。而且，通過對形成的貫通孔實(shí)施化學(xué)鍍來形成導(dǎo)通孔或內(nèi)部導(dǎo)通孔。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，較為理想的形態(tài)是所述絕緣基材具有形成為階差狀的階差面，所述絕緣基材表面為所述階差面。即，較為理想的形態(tài)是所述絕緣基材具有形成為階差狀的階差面，對所述階差面實(shí)施所述覆膜形成工序、所述電路圖案形成工序、所述催化劑沉積工序、所述覆膜除去工序以及所述鍍敷處理工序。根據(jù)此種制造方法，可以容易地形成逾越階差的電路。另外，對于上述電路基板的制造方法而言，較為理想的是所述樹脂覆膜含有熒光性物質(zhì)，在所述覆膜除去工序之后，還包括使用從所述熒光性物質(zhì)發(fā)出的光來檢查覆膜除去缺陷的檢查工序。對于如上所述的制造方法而言，在線寬以及線間隔變得極端狹窄的情況下，本應(yīng)除去的樹脂覆膜也有可能會未被完全除去而稍微殘留在相鄰的電路圖案部與電路圖案部之間。另外，形成電路圖案部時被除去的樹脂覆膜的碎片也有可能會進(jìn)入并殘留于形成的電路圖案部。當(dāng)樹脂覆膜殘留在電路圖案部之間時，導(dǎo)致在該部分形成化學(xué)鍍膜， 從而有可能引起遷移或短路等。另外，當(dāng)樹脂覆膜的碎片殘留于形成的電路圖案部時，也會引起電路的耐熱性缺陷或傳輸損耗。在此種情況下，如上所述，使樹脂覆膜含有熒光性物質(zhì)，在覆膜除去工序之后，將指定的發(fā)光源照射至已除去覆膜的面，由于熒光性物質(zhì)僅會使殘留有樹脂覆膜的部分發(fā)光，因此，可以檢查出覆膜除去缺陷的有無或覆膜除去缺陷的部位。另外，本發(fā)明是一種由所述電路基板的制造方法獲得的電路基板。根據(jù)此種結(jié)構(gòu)， 可獲得在絕緣基材上形成有高精度的電路的電路基板。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
根據(jù)本發(fā)明，提供能夠高精度地維持由化學(xué)鍍膜形成的電路的輪廓且能夠容易地在絕緣基材上形成高精度的電路的電路基板的制造方法。由此，提供以下電路基板的制造方法，該電路基板的制造方法可以抑制多余的化學(xué)鍍膜的碎片等殘留于電路形成部分以外的部分，從而可以抑制產(chǎn)生短路或遷移等。
權(quán)利要求
1.一種電路基板的制造方法，其特征在于包括 覆膜形成工序，在絕緣基材表面形成樹脂覆膜；電路圖案形成工序，以所述樹脂覆膜的外表面為基準(zhǔn)，形成深度為所述樹脂覆膜的厚度以上的凹部，從而形成電路圖案部；催化劑沉積工序，使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物沉積于所述電路圖案部的表面以及所述樹脂覆膜的表面；覆膜除去工序，從所述絕緣基材上除去所述樹脂覆膜；以及鍍敷處理工序，僅在除去所述樹脂覆膜之后的所述鍍敷催化劑或其前驅(qū)物所殘留的部位形成化學(xué)鍍膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板的制造方法，其特征在于所述覆膜除去工序是在由指定的液體使所述樹脂覆膜溶脹之后，或在由指定的液體使所述樹脂覆膜的一部分溶解之后，從所述絕緣基材上剝離所述樹脂覆膜的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路基板的制造方法，其特征在于 所述樹脂覆膜相對于所述液體的溶脹度為50%以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路基板的制造方法，其特征在于所述催化劑沉積工序包括在酸性催化劑金屬膠溶液中進(jìn)行處理的工序， 所述覆膜除去工序中的指定的液體為堿性溶液，所述樹脂覆膜相對于所述酸性催化劑金屬膠溶液的溶脹度不足50%，且相對于所述堿性溶液的溶脹度為50%以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板的制造方法，其特征在于所述覆膜除去工序是由指定的液體使所述樹脂覆膜溶解，并除去所述樹脂覆膜的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的電路基板的制造方法，其特征在于所述樹脂覆膜是在所述絕緣基材表面涂敷彈性體的懸浮液或乳狀液之后，通過干燥而形成的樹脂覆膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的電路基板的制造方法，其特征在于 所述樹脂覆膜是通過將形成在支撐基板上的樹脂覆膜轉(zhuǎn)印至所述絕緣基材表面而形成的樹脂覆膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路基板的制造方法，其特征在于所述彈性體選自由具有羧基的二烯系彈性體、丙烯系彈性體以及聚酯系彈性體構(gòu)成的群組。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路基板的制造方法，其特征在于 所述二烯系彈性體為苯乙烯-丁二烯系共聚物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的電路基板的制造方法，其特征在于 所述樹脂覆膜以包含具有100 800的羧基的丙烯系樹脂的樹脂作為主成分。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的電路基板的制造方法，其特征在于所述樹脂覆膜由聚合物樹脂或包含所述聚合物樹脂的樹脂組成物構(gòu)成，所述聚合物樹脂是通過使(a)在分子中至少具有一個聚合性不飽和基的羧酸或酸酐的至少一種以上的單體、和(b)能夠與所述(a)單體聚合的至少一種以上的單體聚合而獲得的。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路基板的制造方法，其特征在于 所述聚合物樹脂的酸當(dāng)量為100 800。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的電路基板的制造方法，其特征在于 所述樹脂覆膜的厚度為10 μ m以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的電路基板的制造方法，其特征在于 所述電路圖案部包括寬度為20 μ m以下的部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項所述的電路基板的制造方法，其特征在于 所述電路圖案形成工序是由激光加工形成電路圖案部的工序。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項所述的電路基板的制造方法，其特征在于 所述電路圖案形成工序是使用壓紋法形成電路圖案部的工序。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項所述的電路基板的制造方法，其特征在于在所述電路圖案形成工序中，當(dāng)形成電路圖案部時，在所述絕緣基材中形成貫通孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項所述的電路基板的制造方法，其特征在于 所述絕緣基材具有形成為階差狀的階差面，所述絕緣基材表面為所述階差面。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至18中任一項所述的電路基板的制造方法，其特征在于 所述樹脂覆膜含有熒光性物質(zhì)，在所述覆膜除去工序之后，還包括使用從所述熒光性物質(zhì)發(fā)出的光來檢查覆膜除去缺陷的檢查工序。
20.一種電路基板，其特征在于由權(quán)利要求1至19中任一項所述的電路基板的制造方法獲得。
全文摘要
本發(fā)明是一種電路基板的制造方法，其特征在于包括覆膜形成工序，在絕緣基材表面形成樹脂覆膜；電路圖案形成工序，以所述樹脂覆膜的外表面為基準(zhǔn)，形成深度為所述樹脂覆膜的厚度以上的凹部，從而形成電路圖案部；催化劑沉積工序，使鍍敷催化劑或其前驅(qū)物沉積于所述電路圖案部的表面以及所述樹脂覆膜的表面；覆膜除去工序，從所述絕緣基材上除去所述樹脂覆膜；以及鍍敷處理工序，僅在除去所述樹脂覆膜之后的所述鍍敷催化劑或其前驅(qū)物所殘留的部位形成化學(xué)鍍膜。
文檔編號H05K3/18GK102224770SQ20098014803
公開日2011年10月19日 申請日期2009年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月2日
發(fā)明者吉岡慎悟, 藤原弘明 申請人:松下電工株式會社