專利名稱：防腐蝕單晶爐上爐體的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及單晶硅拉制領域，特別是一種防腐蝕單晶爐上爐體。
背景技術：
單晶硅是具有基本完整的點陣結構的晶體，是一種良好的半導材料，用 于制造半導體器件、太陽能電池等。單晶硅是用高純度的多晶硅在單晶爐內 拉制而成。硅片直徑越大，技術要求越高，越有市場前景，價值也就越高。 因此，對單晶硅拉制裝置及拉制工藝的改進將對半導體工業(yè)產(chǎn)生深遠的影 響?，F(xiàn)有的單晶硅拉制裝置為單晶爐，它是由爐底、下爐室、上爐室、爐蓋、 翻板箱、副室六大部分組成?，F(xiàn)有的單晶爐上爐體是用雙層不銹鋼材料制成 的，其內層和外層之間有水夾層，在拉制單晶硅的過程中，在水夾層充入水 以降低內壁的溫度。但是，水中含有許多的礦物質，水在加熱后容易在水夾 層內形成水垢，對單晶爐造成腐蝕，縮短其使用壽命。 發(fā)明目的
本實用新型主要是針對上面提到的單晶爐上爐體的水夾層在拉制單晶 硅過程中容易受到腐蝕的問題，提供一種抗腐蝕性能好的單晶爐上爐體。
實現(xiàn)本實用新型的技術方案如下 防腐蝕單晶爐上爐體，其包括爐體內層、爐體外層，用來連接爐蓋的上接口和 用來連接下爐體的下接口，所述的爐體內層與爐體外層之間設置有水夾層，在 爐體外層設置有與水夾層相通的進水孔座、出水孔座和鎂棒接口，鎂棒接口的 位置靠近進水孔座，鎂棒接口中插有鎂棒。
因為現(xiàn)有的單晶爐上爐體是用不銹鋼材料制成的，在拉制單晶硅的過程中，在單晶拉制過程中，水通過進水孔座進入水夾層，水從出水孔座流出，對單晶 爐上爐體進行冷卻，降低其溫度，因為現(xiàn)有的單晶爐上爐體是用不銹鋼材料制 成的，在水中含有很多的礦物質，這些礦物質會對水夾層造成一定的腐蝕， 而鎂是比鐵更活躍的金屬，在水夾層內插入鎂棒后，鎂將代替單晶爐上爐體 的鐵與水中的礦物質發(fā)生化學反應，對單晶爐上爐體水夾層起到保護作用， 延長單晶爐上爐體的壽命。

圖1為本實用新型的示意圖中1為上接口， 2為出水孔座，3為鎂棒接口， 4為鎂棒，5為進水 孔座，6為下接口， 7為爐體內層，8為爐體外層，9為水夾層。
具體實施方式

防腐蝕單晶爐上爐體，其包括爐體內層7、爐體外層8，用來連接爐蓋的上 接口 1和用來連接下爐體的下接口 6，所述的爐體內層7與爐體外層8之間設置 有水夾層9，在爐體外層8設置有與水夾層9相通的迸水孔座5、出水孔座2和 鎂棒接口 3，鎂棒接口 3的位置靠近進水孔座5，鎂棒接口 3中插有鎂棒4。
進水孔座5設置于爐體外層8靠近下接口 6的位置，出水孔座2設置于爐 體外層8靠近上接口 1的位置，鎂棒接口 3與爐體外層8之間為液密封配合。
在單晶拉制過程中，水通過進水孔座5進入水夾層9，水從出水孔座2流出， 對單晶爐上爐體進行冷卻，降低其溫度，因為現(xiàn)有的單晶爐上爐體是用不銹鋼 材料制成的，在水中含有很多的礦物質，這些礦物質會對水夾層造成一定的 腐蝕，而鎂是比鐵更活躍的金屬，在水夾層內插入鎂棒4后，鎂將代替單晶 爐上爐體的鐵與水中的礦物質發(fā)生化學反應，對單晶爐上爐體水夾層9起到保護作用，延長單晶爐上爐體的壽命。
權利要求1、防腐蝕單晶爐上爐體，其包括爐體內層、爐體外層，用來連接爐蓋的上接口和用來連接下爐體的下接口，其特征為所述的爐體內層與爐體外層之間設置有水夾層，在爐體外層設置有與水夾層相通的進水孔座、出水孔座和鎂棒接口，鎂棒接口的位置靠近進水孔座，鎂棒接口中插有鎂棒。
2、 根據(jù)權利要求1所述的防腐蝕單晶爐上爐體，其特征在于所述的進 水孔座設置于爐體外層側面靠近下接口的位置。
3、 根據(jù)權利要求1所述的防腐蝕單晶爐上爐體，其特征在于所述的出 水孔座設置于爐體外層側面靠近上接口的位置。
4、 根據(jù)權利要求1所述的防腐蝕單晶爐上爐體，其特征在于所述的鎂 棒接口設置于爐體外側面靠近下接口的位置。
5、 根據(jù)權利要求1所述的防腐蝕單晶爐上爐體，其特征在于所述的鎂 棒接口與爐體外層之間為液密封配合。
專利摘要本實用新型公開了一種防腐蝕單晶爐上爐體，其包括爐體內層、爐體外層，用來連接爐蓋的上接口和用來連接下爐體的下接口，所述的爐體內層與爐體外層之間設置有水夾層，在爐體外層設置有與水夾層相通的進水孔座、出水孔座和鎂棒接口，鎂棒接口的位置靠近進水孔座，鎂棒接口中插有鎂棒。本實用新型的單晶爐上爐體具有使用壽命長的優(yōu)點。
文檔編號C30B15/00GK201395644SQ20092003969
公開日2010年2月3日 申請日期2009年4月20日 優(yōu)先權日2009年4月20日
發(fā)明者潘國強, 潘燕萍 申請人:潘燕萍;潘國強