專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜電路板、按鍵以及鍵盤(pán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
薄膜電路板、按鍵以及鍵盤(pán)
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型關(guān)于一種薄膜電路板，特別是關(guān)于其內(nèi)用來(lái)隔離上電路層以及下電路層的絕緣層利用涂布的方式所形成的薄膜電路板。背景技術(shù)：
隨著信息化的成長(zhǎng)，信息設(shè)備也跟著日益普及，就以最常接觸的計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，在市面上不僅有各種不同的廠牌與樣式，其觸角更延伸至家庭、工廠、公司、辦公室以及學(xué)校等場(chǎng)所，其使用層面甚至普及至各階層，幾乎成了人們?nèi)粘１貍溆闷贰，F(xiàn)有的計(jì)算機(jī)，包含桌上型計(jì)算機(jī)以及筆記型計(jì)算機(jī)，大多需要搭配鍵盤(pán)，以供使用者進(jìn)行字符輸入等操作。
就目前桌上型計(jì)算機(jī)所使用的鍵盤(pán)而言，大多是使用薄膜式按鍵。而薄膜式按鍵大的基本結(jié)構(gòu)具有按鍵、上導(dǎo)電層、間隔層與下導(dǎo)電層。此外，按鍵具有鍵帽與鍵柱，而上導(dǎo)電層包含有上導(dǎo)電金屬，下導(dǎo)電層包含有下導(dǎo)電金屬。當(dāng)使用者敲下按鍵時(shí)，鍵柱將會(huì)支撐鍵帽作相對(duì)于該基板的垂直移動(dòng)。藉此，當(dāng)鍵帽受到按壓時(shí)，進(jìn)而使得上導(dǎo)電金屬與下導(dǎo)電金屬相互接觸，之后傳送參考訊號(hào)給處理器，用以驅(qū)動(dòng)該處理器輸出適當(dāng)?shù)妮敵鲇嵦?hào)。
由上所述的間隔層顧名思義是用來(lái)將上導(dǎo)電層以及下導(dǎo)電層相互隔離。然而，若能將此間隔層的厚度變薄，亦或是將間隔層移除，即可降低薄膜式鍵盤(pán)的成本，并提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
因此，本實(shí)用新型提供一種薄膜電路板，用以改善習(xí)知薄膜式鍵盤(pán)電路層之間的隔離方式。并且，本實(shí)用新型的薄膜電路板不但可以節(jié)省間隔層的材料，還可以利用印刷的方式來(lái)調(diào)整間隔層的直徑與厚度。故可降低薄膜式鍵盤(pán)的成本并使得制造過(guò)程簡(jiǎn)化，提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種薄膜電路板，包含下電路層、絕緣層以及上電路層。下電路層包含下金屬接點(diǎn)以及預(yù)定區(qū)域，且預(yù)定區(qū)域定義于下電路層上。絕緣層設(shè)置于預(yù)定區(qū)域內(nèi)，且絕緣層材料為紫外線膠。上電路層設(shè)置于下電路層與絕緣層上，上電路層包含對(duì)應(yīng)下金屬接點(diǎn)的上金屬接點(diǎn)。其中絕緣層用以將上金屬接點(diǎn)與下金屬接點(diǎn)隔離，并且絕緣層厚度大于上金屬接點(diǎn)與下金屬接點(diǎn)的厚度總和。
本實(shí)用新型提供一種按鍵，包含薄膜電路板以及按壓模塊。薄膜電路板，包含下電路層、絕緣層以及上電路層。下電路層，包含下金屬接點(diǎn)以及預(yù)定區(qū)域，且預(yù)定區(qū)域定義于下電路層上。絕緣層涂布于預(yù)定區(qū)域內(nèi)。上電路層設(shè)置于下電路層與絕緣層上，上電路層包含對(duì)應(yīng)下金屬接點(diǎn)的上金屬接點(diǎn)，其中下金屬接點(diǎn)與對(duì)應(yīng)的上金屬接點(diǎn)以絕緣層隔離。按壓模塊設(shè)置于薄膜電路板上，用以擠壓上電路層，進(jìn)而使上金屬接點(diǎn)與下金屬接點(diǎn)接觸。
本實(shí)用新型提供一種鍵盤(pán)，包含底板、薄膜電路板以及多個(gè)按鍵。薄膜電路板設(shè)置于底板上，且薄膜電路板包含下電路層、絕緣層以及上電路層。下電路層包含多個(gè)下金屬接點(diǎn)以及預(yù)定區(qū)域，而預(yù)定區(qū)域定義于下電路層上。絕緣層涂布于預(yù)定區(qū)域內(nèi)。上電路層設(shè)置于下電路層與絕緣層上，上電路層包含對(duì)應(yīng)多個(gè)下金屬接點(diǎn)的多個(gè)上金屬接點(diǎn)，其中多個(gè)下金屬接點(diǎn)與對(duì)應(yīng)的多個(gè)上金屬接點(diǎn)以絕緣層隔離。多個(gè)按鍵設(shè)置于薄膜電路板上。每一按鍵用以擠壓上電路層，進(jìn)而使對(duì)應(yīng)的上金屬接點(diǎn)與對(duì)應(yīng)的下金屬接點(diǎn)接觸。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的薄膜電路板，可用以改善習(xí)知薄膜式鍵盤(pán)電路層之間的隔離方式。而本實(shí)用新型的薄膜電路板不但可以節(jié)省間隔層的材料，還可以利用印刷的方式來(lái)調(diào)整間隔層的直徑與厚度，并且進(jìn)而可以調(diào)整按鍵的靈敏度。故可降低薄膜式鍵盤(pán)的成本并使得制造過(guò)程簡(jiǎn)化，提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。


圖1A繪示根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施方式
的薄膜電路板的正視示意圖。
圖1B繪示圖1A中的薄膜電路板的下電路層以及絕緣層的相關(guān)位置俯視圖。
圖2A繪示根據(jù)本實(shí)用新型的另一具體實(shí)施方式
的薄膜電路板的正視示意圖。
圖2B繪示圖2A中的薄膜電路板的下電路層以及絕緣層的相關(guān)位置俯視圖。
圖3A繪示根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施方式
的按鍵的正視示意圖。圖3B繪示圖3A中的按鍵的下電路層以及絕緣層的相關(guān)位置俯視圖。圖4A繪示根據(jù)本實(shí)用新型的另一具體實(shí)施方式
的按鍵的正視示意圖。圖4B繪示圖4A中的按鍵的下電路層以及絕緣層的相關(guān)位置俯視圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1A。圖1A繪示根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施方式
的薄膜電路板3的示意圖。如圖1A所示，本實(shí)用新型的一具體實(shí)施方式
的薄膜電路板3包含下電路層32、絕緣層34以及上電路層36。下電路層32包含下金屬接點(diǎn)321。上電路層36包含下金屬接點(diǎn)361。以下將對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明。
請(qǐng)參閱圖1A且一并參閱圖1B。圖1B繪示圖1A中的薄膜電路板3的下電路層32以及絕緣層34的相關(guān)位置俯視圖。如圖1B所示，絕緣層34可以(但不限于)是利用紫外線膠(UV膠)做為材料并使用(但不限于)印刷涂布的方式，涂布于預(yù)定區(qū)域(圖1B中的網(wǎng)點(diǎn)范圍)內(nèi)。于此實(shí)施方式中，預(yù)定區(qū)域?yàn)橄陆饘俳狱c(diǎn)361的邊緣以外。特別地，其預(yù)定區(qū)域的形狀、面積等不特別加以限定，完全由設(shè)計(jì)者自行規(guī)劃。
再如圖1A所示，本實(shí)用新型的此具體實(shí)施方式
的薄膜電路板3的上電路層36設(shè)置于下電路層32的上方。為了避免上電路層36的上金屬接點(diǎn)361直接短路接觸于下電路層32的下金屬接點(diǎn)321，絕緣層34可將上電路層36的上金屬接點(diǎn)361以及下電路層32的下金屬接點(diǎn)321相互隔離。特別地，絕緣層 34為了要能完全地將上電路層36的上金屬接點(diǎn)361以及下電路層32的下金屬 接點(diǎn)321相互隔離，則絕緣層34的厚度必須大于上金屬接點(diǎn)361與下金屬接 點(diǎn)321的厚度總和。舉例來(lái)說(shuō)，假設(shè)下金屬接點(diǎn)321的厚度為0.3 mm。上金 屬接點(diǎn)361的厚度也為0.3 mm。故下金屬接點(diǎn)321與上金屬接點(diǎn)361的總厚 度為0.6mm。此時(shí)，絕緣層34的厚度必須大于0.6mm以上(如0.8mm)才 能達(dá)到完全電性隔離的效果。
請(qǐng)參閱圖2A以及圖2B。圖2A繪示根據(jù)本實(shí)用新型的另一具體實(shí)施方式的薄膜電路板4的示意圖。圖2B繪示圖2A中的薄膜電路板4的下電路層32 以及絕緣層34的相關(guān)位置俯視圖。請(qǐng)注意，由于圖2A與圖1A以及圖2B以 及圖1B只有在絕緣層34涂布的預(yù)定區(qū)域不同，故相同的組件不再重新標(biāo)號(hào)。 接下來(lái)將針對(duì)圖2A以及圖2B進(jìn)行說(shuō)明。
如圖2A以及圖2B所示，其中圖2A中的網(wǎng)點(diǎn)范圍為預(yù)定區(qū)域。而圖2B 與圖1B差別在于，其圖2B的預(yù)定區(qū)域涵蓋部分下金屬接點(diǎn)321的邊緣。此 外，如圖2A所示，涂布于下金屬接點(diǎn)321上的絕緣層34，其厚度相較于旁邊 來(lái)的厚。因此，可以將上電路層36的上金屬接點(diǎn)361以及下電路層32的下金 屬接點(diǎn)321相互隔離。特別地，絕緣層34所涵蓋于下金屬接點(diǎn)321上的面積、 形狀或是厚度等，完全可由設(shè)計(jì)者自行決定，而皆不以此實(shí)施方式為限。
請(qǐng)參閱圖3A。圖3A繪示根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施方式
的按鍵5的 示意圖。如圖3A所示，本實(shí)用新型的一具體實(shí)施方式
的按鍵5包含按壓模塊 52以及薄膜電路板54。薄膜電路板54包含下電路層541、絕緣層542以及上 電路層543。下電路層541包含下金屬接點(diǎn)5411。上電路層543包含下金屬接 點(diǎn)5431。以下將對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖3A且一并參閱圖3B。圖3B繪示圖3A中的按鍵5的下電路層 541以及絕緣層542的相關(guān)位置俯視圖。如圖3B所示，絕緣層542可以(但 不限于)是利用印刷涂布的方式，涂布于網(wǎng)點(diǎn)范圍內(nèi)。此外，網(wǎng)點(diǎn)范圍為由設(shè) 計(jì)者自行定義的預(yù)定區(qū)域。于此實(shí)際例中，預(yù)定區(qū)域涵蓋部分下金屬接點(diǎn)5411 的邊緣。特別地，其預(yù)定區(qū)域(圖3B中的網(wǎng)點(diǎn)范圍)的形狀、面積等不特別 加以限定，完全由設(shè)計(jì)者自行規(guī)劃。以下將對(duì)本實(shí)用新型的按鍵5的結(jié)構(gòu)以及 動(dòng)作模式進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明。
如圖3A所示，本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施方式
的按鍵5的按壓模塊52 設(shè)置于薄膜電路板54的上電路層543的上方。薄膜電路板54的上電路層543 設(shè)置于下電路層541的上方。而為了避免上電路層543的上金屬接點(diǎn)5431直 接短路接觸于下電路層541的下金屬接點(diǎn)5411，因此，絕緣層542可將上電路 層543的上金屬接點(diǎn)5431以及下電路層541的下金屬接點(diǎn)5411相互隔離。
特別地，絕緣層542為了要能完全的將上電路層36的上金屬接點(diǎn)5431以 及下電路層32的下金屬接點(diǎn)321相互隔離，則絕緣層542的厚度必須大于上 金屬接點(diǎn)5431與下金屬接點(diǎn)5411的厚度總和。舉例來(lái)說(shuō)，假設(shè)下金屬接點(diǎn)5411 的厚度為0.3 mm。上金屬接點(diǎn)5431的厚度也為0.3 mm。故下金屬接點(diǎn)5411 與上金屬接點(diǎn)5431的總厚度為0.6 mm。此時(shí)，絕緣層541的厚度必須大于0.6 mm以上(如0.8mm)才能達(dá)到完全電性隔離的效果。
于實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)使用者敲擊按壓模塊52時(shí)，按壓模塊52會(huì)受到外力的 影響，使得上金屬接點(diǎn)5431接觸到下金屬接點(diǎn)5411。此時(shí)，下電路層541會(huì) 傳送出壓按訊息至處理單元(未繪示)，完成利用按鍵5輸入的動(dòng)作。
請(qǐng)參閱圖4A以及圖4B。圖4A繪示根據(jù)本實(shí)用新型的另一具體實(shí)施方式的按鍵6的示意圖。圖4B繪示圖4A中的按鍵6的下電路層541以及絕緣層542的相關(guān)位置俯視圖。請(qǐng)注意，由于圖4A與圖3A以及圖4B以及圖3B只 有在絕緣層542涂布的預(yù)定區(qū)域(網(wǎng)點(diǎn)部分)不同，故相同的組件不再重新標(biāo) 號(hào)，并且其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的理念以及方式皆與先前所述相同，故不再加以贅述。在 此只補(bǔ)充說(shuō)明，雖然絕緣層542有涵蓋部分下金屬接點(diǎn)5411的邊緣，但是由 于上電路層543的厚度極薄(例如為0.2 mm)，并且使用具有軟性特性的材質(zhì)。 因此，當(dāng)按壓模塊52受到外力而向下動(dòng)作時(shí)，其上電路層543依然可以向下 動(dòng)作，使得上金屬接點(diǎn)5431可以接觸到下金屬接點(diǎn)5411。
再者，由上所述可以輕易地推論出本實(shí)用新型的按鍵6的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)絕 緣層542涵蓋下金屬接點(diǎn)5411的范圍愈多時(shí)，則上金屬接點(diǎn)5431接觸下金屬 接點(diǎn)5411的困難度會(huì)更高。因此，設(shè)計(jì)者亦可藉由絕緣層542涵蓋下金屬接 點(diǎn)5411的范圍來(lái)調(diào)整按鍵6的接觸靈敏度。此外，特別再次強(qiáng)調(diào)，絕緣層542 所涵蓋于下金屬接點(diǎn)541上的面積、形狀或是厚度等，完全可由設(shè)計(jì)者自行決 定，而皆不以此實(shí)施方式為限。
特別地，于一個(gè)具體實(shí)施方式
中，本實(shí)用新型還提供了一種鍵盤(pán)，該鍵盤(pán) 包含多個(gè)按鍵，并且其中至少一個(gè)按鍵具有如前所述的結(jié)構(gòu)。由于此鍵盤(pán)的特 征以及可達(dá)到的功效與前述相同，因此在這里不再贅述。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的薄膜電路板，可用以改善習(xí)知薄膜式鍵盤(pán) 電路層之間的隔離方式。而本實(shí)用新型的薄膜電路板不但可以節(jié)省間隔層的材 料，還可以利用印刷的方式來(lái)調(diào)整間隔層的直徑與厚度，并且進(jìn)而可以調(diào)整按 鍵的靈敏度。故可降低薄膜式鍵盤(pán)的成本并使得制程簡(jiǎn)化，提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。
權(quán)利要求1、一種薄膜電路板，其特征在于包含下電路層，包含至少一個(gè)下金屬接點(diǎn)，該下電路層上具有預(yù)定區(qū)域；絕緣層，設(shè)置于該預(yù)定區(qū)域內(nèi)；以及上電路層，設(shè)置于該下電路層與該絕緣層上，該上電路層包含對(duì)應(yīng)該下金屬接點(diǎn)的上金屬接點(diǎn)；其中該絕緣層將該上金屬接點(diǎn)與該下金屬接點(diǎn)隔離。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電路板，其特征在于該絕緣層為紫外線 膠。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電路板，其特征在于該預(yù)定區(qū)域位于該 下金屬接點(diǎn)的邊緣以外。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電路板，其特征在于該預(yù)定區(qū)域涵蓋部 分該下金屬接點(diǎn)的邊緣。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電路板，其特征在于該絕緣層厚度大于 該上金屬接點(diǎn)與該下金屬接點(diǎn)的厚度總和。
6、 一種按鍵，其特征在于包含根據(jù)權(quán)利要求1至5項(xiàng)中任意一項(xiàng)所述的薄膜電路板；以及按壓模塊，設(shè)置于該薄膜電路板上，用以擠壓該上電路層，進(jìn)而使該 上金屬接點(diǎn)與該下金屬接點(diǎn)接觸。
7、 一種鍵盤(pán)，其特征在于包含 底板；薄膜電路板，設(shè)置于該底板上，該薄膜電路板包含下電路層，該下電路層包含多個(gè)下金屬接點(diǎn)，該下電路層上具有 預(yù)定區(qū)域；絕緣層，設(shè)置于該預(yù)定區(qū)域內(nèi)；以及上電路層，設(shè)置于該下電路層與該絕緣層上，該上電路層包含對(duì) 應(yīng)該等下金屬接點(diǎn)的多個(gè)上金屬接點(diǎn)，其中該等下金屬接點(diǎn)與該等上金屬 接點(diǎn)以該絕緣層隔離；所述鍵盤(pán)還包括多個(gè)按鍵，設(shè)置于該薄膜電路板上，所述每一按鍵用 以擠壓該上電路層，進(jìn)而使對(duì)應(yīng)的上金屬接點(diǎn)與對(duì)應(yīng)的下金屬接點(diǎn)接觸。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的鍵盤(pán)，其特征在于該絕緣層為紫外線膠。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的鍵盤(pán)，其特征在于該預(yù)定區(qū)域定義于該等下 金屬接點(diǎn)的邊緣以外；或者該預(yù)定區(qū)域涵蓋部分該等下金屬接點(diǎn)的邊緣。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的鍵盤(pán)，其特征在于該絕緣層厚度大于該上金 屬接點(diǎn)與該下金屬接點(diǎn)的厚度總和。
專(zhuān)利摘要一種薄膜電路板、按鍵以及鍵盤(pán)，涉及薄膜電路板領(lǐng)域。本實(shí)用新型的薄膜電路板包含下電路層、絕緣層以及上電路層。下電路層包含下金屬接點(diǎn)以及預(yù)定區(qū)域，且預(yù)定區(qū)域定義于下電路層上。絕緣層涂布于預(yù)定區(qū)域內(nèi)。上電路層設(shè)置于下電路層與絕緣層上。上電路層包含對(duì)應(yīng)下金屬接點(diǎn)的上金屬接點(diǎn)。其中絕緣層用以將上金屬接點(diǎn)與下金屬接點(diǎn)隔離。
文檔編號(hào)H05K1/02GK201435869SQ20092000509
公開(kāi)日2010年3月31日 申請(qǐng)日期2009年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月6日
發(fā)明者柴永年, 蔡溫育 申請(qǐng)人:蘇州達(dá)方電子有限公司;達(dá)方電子股份有限公司