專利名稱：單晶生長加熱裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種單晶生長加熱裝置，屬單晶硅制備設備技術領域。
背景技術：
隨著節(jié)能技術應用的日益廣泛，單晶硅的需求量日益增大，對單晶硅拉制 爐的要求也日益增高，目前業(yè)內使用的單晶生長加熱裝置的導流筒均為空心錐 形結構，其空心內腔為等厚度環(huán)腔，熱屏蔽效果不夠理想，從而影響拉晶質量 和合格產(chǎn)品的產(chǎn)量，另外、現(xiàn)有大直徑單晶硅生長加熱裝置的坩堝多采用三瓣 堝，在高溫環(huán)境、溫度變化的環(huán)境中容易損壞，更換成本較高，同時、石英堝 的熱變形應力不易得到緩解，影響石英堝的使用壽命，同樣提高了生產(chǎn)成本。

實用新型內容
本實用新型需要解決的技術問題是提供一種單晶生長加熱裝置，通過對其 導流筒和坩堝的結構改進，提高產(chǎn)品的產(chǎn)量和質量，降低生產(chǎn)成本。
為解決上述技術問題，本實用新型所采用的技術方案是
單晶生長加熱裝置，結構中包括，坩堝，坩堝上方設置導流筒，坩堝底部 設置支撐坩堝的坩堝支架，包圍坩堝設置筒狀加熱器，加熱器外圍設置保溫筒， 所述的導流筒結構設計為帶隔熱空腔的環(huán)狀結構，其隔熱空腔下厚上薄。
本實用新型的技術方案的進一步改進在于導流筒內孔上部為錐形導流段， 下部為柱形導流段，二者結合處平滑過渡。
本實用新型的技術方案的進一步改進在于坩堝為豎直均勻分隔的四瓣結構。
由于釆用了上述技術方案，本實用新型取得的技術進步是 本實用新型的導流筒，由于導流筒底部的隔熱層較厚，可在拉晶過程中可 有效屏蔽周圍熱量、提高結晶速度和質量，合理調整導流筒底部與液面的距離可使爐內熱場更加適于拉晶要求。采用四瓣堝可使其壽命延長，降低成本，同 時使石英堝的變形應力得到有效緩解。


圖1是單晶生長加熱裝置的結構剖視示意圖。
其中1、導流筒，1-1、隔熱空腔，1-2、錐形導流段，1-3、柱形導流段, 2、蚶堝，3、加熱器，4、蚶堝支架，5、保溫筒。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型做進一步詳細說明
如圖1所示，本實用新型結構包括，坩堝2,蚶堝2為豎直均勻分隔的四瓣 結構，坩堝2底部設置支撐坩堝2的坩堝支架4，包圍坩堝2設置筒狀加熱器3, 加熱器3外圍設置保溫筒5,坩堝2上方設置導流筒1,導流筒1結構設計為帶 隔熱空腔1-1的環(huán)狀結構，其隔熱空腔1-1下厚上薄，導流筒1內孔上部為錐 形導流段1-2,下部為柱形導流段l-3， 二者結合處平滑過渡。
權利要求1、一種單晶生長加熱裝置，結構中包括，坩堝，坩堝上方設置導流筒，坩堝底部設置支撐坩堝的坩堝支架，包圍坩堝設置筒狀加熱器，加熱器外圍設置保溫筒，其特征在于所述的導流筒結構設計為帶隔熱空腔的環(huán)狀結構，其隔熱空腔下厚上薄。
2、 根據(jù)權利要求1所述的單晶生長加熱裝置，其特征在于所述導流筒內孔 上部為錐形導流段，下部為柱形導流段，二者結合處平滑過渡。
3、 根據(jù)權利要求1所述的單晶生長加熱裝置，其特征在于所述蚶堝為豎直 均勻分隔的四瓣結構。
專利摘要本實用新型公開了一種單晶生長加熱裝置，屬單晶硅制備設備技術領域；結構中包括，坩堝，坩堝上方設置導流筒，坩堝底部設置支撐坩堝的坩堝支架，包圍坩堝設置筒狀加熱器，加熱器外圍設置保溫筒，其特征在于所述的導流筒結構設計為帶隔熱空腔的環(huán)狀結構，其隔熱空腔下厚上薄，本實用新型的導流筒，可在拉晶過程中有效屏蔽周圍熱量、提高結晶速度和質量，合理調整導流筒底部與液面的距離可使爐內熱場更加適于拉晶要求，本新型設備采用四瓣堝、可使其壽命延長從而降低了成本，同時使石英堝的變形應力得到有效緩解。
文檔編號C30B15/14GK201276609SQ20082010568
公開日2009年7月22日 申請日期2008年9月1日 優(yōu)先權日2008年9月1日
發(fā)明者何景輝, 劉彬國, 張呈沛, 張學強 申請人:寧晉晶興電子材料有限公司