專利名稱：均流電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種均流(current-sharing)電3各，特別是涉及一種配 合多個(gè)發(fā)光裝置的均流電路。
背景技術(shù)：
由于冷陰極燈管(cold cathode fluorescent lamp, CCFL)具有燈管細(xì) 小、結(jié)構(gòu)筒單、燈管表面溫度升幅小、燈管表面亮度高、易加工成各種形狀、 使用壽命長(zhǎng)、顯色性好以及發(fā)光均勻等優(yōu)點(diǎn)。因此到目前為止，冷陰極燈管 廣泛應(yīng)用于大尺寸LCD、 LCD TV、掃描儀、廣告燈箱以及筆記型計(jì)算機(jī)等電 子設(shè)備的背光源。然而，發(fā)光二極管(light-emitting diode， LED)比冷陰極燈管具有更 省電、壽命更長(zhǎng)、色彩飽和度高、反應(yīng)速度快、耐震耐壓與體積小等多項(xiàng)優(yōu) 點(diǎn)。所以，采用發(fā)光二極管燈管作為背光光源，是未來(lái)最有希望替代傳統(tǒng)冷 陰極焚光管的技術(shù)。一般而言，若以發(fā)光二極管燈管作為背光光源，上述電子設(shè)備的背光源 也會(huì)采用多根發(fā)光二極管燈管。由于發(fā)光二極管燈管是由點(diǎn)光源組成線光源 的，因此需使用到多顆發(fā)光二極管。為了使每一根發(fā)光二極管燈管的亮度均 等，勢(shì)必使流經(jīng)每一顆發(fā)光二極管的電流相同。否則，整體的發(fā)光二極管燈 管的亮度將不均勻，甚至影響電子設(shè)備的使用質(zhì)量。此外，如果任一根發(fā)光 二極管燈管中的發(fā)光二極管發(fā)生斷路或燒毀，也使得整體的發(fā)光二極管燈管 的光線均勻度下降。因此，本實(shí)用新型的主要范疇在于提供一種配合多個(gè)發(fā)光裝置的均流電 路，以解決上述問(wèn)題。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的一范疇在于提供一種均流電路。該均流電路配合N個(gè)并聯(lián) 的發(fā)光裝置，N為一大于l的正整數(shù)。每一個(gè)發(fā)光裝置包含至少一個(gè)發(fā)光二極管并且具有一各別的低電位端。在根據(jù)本實(shí)用新型的一具體實(shí)施例中，該均流電路包含一恒定電壓源以 及N個(gè)第一晶體管。該恒定電壓源用以提供一恒定電壓。每一個(gè)第一晶體管 對(duì)應(yīng)所述發(fā)光裝置中的一個(gè)發(fā)光裝置并且以其本身的一第一端點(diǎn)電連接至 該對(duì)應(yīng)的發(fā)光裝置的該低電位端。此外，每一個(gè)第一晶體管的一第二端點(diǎn)都 電連接至該恒定電壓源以接收該恒定電壓的輸入，并且每一個(gè)第一晶體管的 一第三端點(diǎn)電連接在一起。關(guān)于本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過(guò)以下的實(shí)用新型詳述及附圖得 到進(jìn)一步的了解。


圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型的一具體實(shí)施例的均流電路的電路圖。圖2示出了圖1中的均流電路進(jìn)一步包含N個(gè)串聯(lián)的檢測(cè)模塊的電路圖。附圖符號(hào)說(shuō)明 10:發(fā)光二極管 Q':第二晶體管 Ll、 L2、 Ln:發(fā)光裝置 Ql、 Q2、 Qn:第一晶體管 VE1、 VE2、 VEn:射極 Dl、 D2、 Dn:檢測(cè)模塊 Vc:控制電壓具體實(shí)施方式
請(qǐng)參考圖1。圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型的一具體實(shí)施例的均流電路的 電路圖。均流電路可以配合N個(gè)并聯(lián)的發(fā)光裝置L1、 L2…Ln， N為一大于1 的正整數(shù)。每一個(gè)發(fā)光裝置L1、 L2…Ln包含至少一個(gè)發(fā)光二極管10。舉例 而言，發(fā)光裝置L1、 L2…Ln可以是LCD、 LCD TV、掃描儀、廣告燈箱、筆記型計(jì)算機(jī)等的背光源。如圖1所示，每一個(gè)發(fā)光裝置L1、 L2…Ln可以包含多個(gè)發(fā)光二極管1020:恒定電壓源VL1、 VL2、 VLn: j氐電位端VB1、 VB2、 VBn RE1、 RE2、 REn Tl、 T2、 Tn基極 電阻第三晶體管并且具有一低電位端VL1、 VL2…VLn。根據(jù)本實(shí)用新型的均流電路包含恒定 電壓源20以及N個(gè)第一晶體管Ql、 Q2…Qn。恒定電壓源20用以提供一恒定 電壓。每一個(gè)第一晶體管Q1、 Q2…Qn對(duì)應(yīng)N個(gè)發(fā)光裝置Ll、 L2…Ln中的一個(gè) 發(fā)光裝置并且以其本身的第一端點(diǎn)電連接至對(duì)應(yīng)的一個(gè)發(fā)光裝置Ll 、 L2... Ln 的低電位端VL1、 VL2…VLn。此外，每一個(gè)第一晶體管Ql、 Q2…Qn的第二端 點(diǎn)都電連接至恒定電壓源2Q以接收恒定電壓的輸入，并且每一個(gè)第一晶體 管Q1、 Q2…Qn的第三端點(diǎn)電連接在一起。在實(shí)際應(yīng)用中，每一個(gè)第一晶體管Q1、 Q2…Qn可以是一雙接面晶體管 (bipolar junction transistor, BJT)。如圖1所示，在此實(shí)施例中，該雙 接面晶體管為一 NPN型晶體管。因此，第一端點(diǎn)為NPN型晶體管的集極 (Collector),第二端點(diǎn)為NPN型晶體管的基極(Base) VB1、 VB2…VBn,并 且第三端點(diǎn)為NPN型晶體管的射極(Emitter) VE1、 VE2…VEn。在實(shí)際應(yīng)用中，恒定電壓源20可以使用一第二晶體管Q，以產(chǎn)生恒定電 壓。舉例而言，第二晶體管Q，可以是一雙接面晶體管。在此實(shí)施例中，該雙 接面晶體管可以是一NPN型晶體管，但不以此為限。另外，每一個(gè)第一晶體 管Q1、 Q2…Qn的基極VBl、 VB2 VBn可以連接至第二晶體管Q，的射極。請(qǐng)參考圖1。以下將說(shuō)明根據(jù)本實(shí)用新型的均流電路如何達(dá)到均流的效 果。由于每一個(gè)第一晶體管Ql、 Q2…Qn的基極VBl、 VB2…VBn都連接至第 二晶體管Q，的射極，因此每一個(gè)第一晶體管Ql、 Q2…Qn的基極VBl、 VB2… VBn具有相同的電位。依照NPN型晶體管的特性，當(dāng)NPN型晶體管導(dǎo)通時(shí)， 基極與射極之間具有固定的電壓降。藉此，當(dāng)每一個(gè)第一晶體管Q1、 Q2…Qn 導(dǎo)通時(shí)，每一個(gè)第一晶體管Ql、 Q2…Qn的射極VEl、 VE2…VEn也具有相同 的電位。也就是說(shuō)，如圖l所示，每一個(gè)第一晶體管Q1、 Q2…Qn的射極VEl、 VE2…VEn所串接的電阻REl、 RE2…REn的一端點(diǎn)具有相同的電位。此外，電 阻RE1、 RE2…REn的另一端點(diǎn)電連接在一起，因此也具有相同的電位。由此可知，每一個(gè)第一晶體管Q1、 Q2…Qn的射極VEl、 VE2…VEn電流 均相同。當(dāng)每一個(gè)發(fā)光裝置L1、 L2…Ln在正常工作狀態(tài)下時(shí)，NPN型晶體管 會(huì)導(dǎo)通，并且依照NPN型晶體管的特性，每一個(gè)第一晶體管Q1、 Q2…Qn的 集極電流大致上等于射極VE1、 VE2…VEn電流。由于每一個(gè)第一晶體管Ql、 Q2…Qn的集極電流流經(jīng)相對(duì)應(yīng)的發(fā)光裝置Ll、 L2…Ln，藉此，根據(jù)本實(shí)用新型的均流電路可以使流經(jīng)每一個(gè)發(fā)光裝置Ll、 L2…Ln的電流大致上相等， 因此實(shí)現(xiàn)均流的效果。請(qǐng)參考圖2。圖2示出了圖1中的均流電路進(jìn)一步包含N個(gè)串聯(lián)的檢測(cè) 模塊D1、 D2…Dn的電路圖。N個(gè)檢測(cè)模塊D1、 D2…Dn用以檢測(cè)N個(gè)發(fā)光裝 置Ll、 L2…Ln中的每一個(gè)發(fā)光裝置的異常狀態(tài)。異常狀態(tài)可以指任一個(gè)發(fā) 光裝置Ll、 L2…Ln中的發(fā)光二極管1Q斷路或燒毀。如圖2所示，每一個(gè)檢測(cè)模塊D1、 D2…Dn可以耦接于對(duì)應(yīng)的第一晶體 管Q1、 Q2…Qn的集極及對(duì)應(yīng)的發(fā)光裝置Ll、 L2…Ln的低電位端VL1 、 VL2… VLn之間。此外，每一個(gè)檢測(cè)模塊D1、 D2…Dn包含一第三晶體管Tl、 T2… Tn,并且第三晶體管T1、 T2…Tn的一第四端點(diǎn)電連接至對(duì)應(yīng)的發(fā)光裝置Ll、 L2…Ln的低電位端VL1、 VL2…VLn。在實(shí)際應(yīng)用中，第三晶體管Tl、 T2…Tn 可以是一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, M0SFET)或一雙4妻面晶體管。在此實(shí)施例中， 第三晶體管Tl、 T2…Tn可以是一 麗0S晶體管，并且麗0S晶體管的柵極電 連接至對(duì)應(yīng)的發(fā)光裝置Ll、 L2…Ln的低電位端VL1、 VL2…VLn。根據(jù)每一個(gè)NM0S晶體管的柵極的輸入電壓，N個(gè)檢測(cè)模塊D1、 D2…Dn 可以輸出一相對(duì)應(yīng)的控制電壓Vc至一保護(hù)電路(未顯示于圖2中)。舉例而 言，當(dāng)每一個(gè)發(fā)光裝置Ll、 L2…Ln在正常工作狀態(tài)下時(shí)，每一個(gè)第一晶體 管Q1、 Q2…Qn都會(huì)導(dǎo)通，此時(shí)N個(gè)檢測(cè)模塊D1、 D2…Dn可以輸出高位準(zhǔn)的 控制電壓Vc至保護(hù)電路。但是，當(dāng)任一個(gè)發(fā)光裝置L1、 L2…Ln其中一個(gè)發(fā) 光二極管10斷路或燒毀時(shí)，N個(gè)檢測(cè)模塊D1、 D2…Dn則可以輸出低位準(zhǔn)的 控制電壓Vc至保護(hù)電路。接著，根據(jù)實(shí)務(wù)上的需求，保護(hù)電路可以將供應(yīng)N 個(gè)發(fā)光裝置Ll、 L2…Ln的一電壓源Vs關(guān)閉，以避免更多發(fā)光二極管10受 損。或者，保護(hù)電路可以發(fā)出一警告訊號(hào)，以告知使用者發(fā)光裝置L1、 L2… Ln發(fā)生異常狀態(tài)。相較于現(xiàn)有技術(shù)，根據(jù)本實(shí)用新型的均流電路可以使流經(jīng)每一根發(fā)光二 極管燈管的電流均等，使得整體的發(fā)光二極管燈管的亮度具有一致性。此外， 根據(jù)本實(shí)用新型的均流電路也包含多個(gè)檢測(cè)模塊，以檢測(cè)任一根發(fā)光二極管燈管是否發(fā)生異常狀態(tài)，進(jìn)一步采取相關(guān)的配套措施。通過(guò)以上較佳具體實(shí)施例的詳述，希望能更加清楚描述本實(shí)用新型的特以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本實(shí)用 新型的權(quán)利要求的范疇內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的權(quán)利要求的范疇?wèi)?yīng)該根據(jù)上 述的說(shuō)明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。
權(quán)利要求1.一種均流電路，該均流電路配合N個(gè)并聯(lián)的發(fā)光裝置，N為一大于1的正整數(shù)，每一個(gè)發(fā)光裝置包含至少一個(gè)發(fā)光二極管并且具有一各別的低電位端，其特征是，該均流電路包含一恒定電壓源，該恒定電壓源用以提供一恒定電壓；以及N個(gè)第一晶體管，每一個(gè)第一晶體管對(duì)應(yīng)所述發(fā)光裝置中的一個(gè)發(fā)光裝置并且以其本身的一第一端點(diǎn)電連接至該對(duì)應(yīng)的發(fā)光裝置的該低電位端；其中每一個(gè)第一晶體管的一第二端點(diǎn)都電連接至該恒定電壓源以接收該恒定電壓的輸入，每一個(gè)第一晶體管的一第三端點(diǎn)電連接在一起。
2. 如權(quán)利要求1所述的均流電路，其特征是，其中每一個(gè)第一晶體管為 一雙接面晶體管。
3. 如權(quán)利要求2所述的均流電路，其特征是，其中該雙接面晶體管為一 NPN型晶體管，該第一端點(diǎn)為該NPN型晶體管的集極，該第二端點(diǎn)為該NPN 型晶體管的基極，該第三端點(diǎn)為該NPN型晶體管的射極。
4. 如權(quán)利要求3所述的均流電路，其特征是，其中該恒定電壓源使用一 第二晶體管。
5. 如權(quán)利要求4所述的均流電路，其特征是，其中該第二晶體管為一雙 接面晶體管。
6. 如權(quán)利要求5所述的均流電路，其特征是，其中該雙接面晶體管為一 NPN型晶體管，并且每一個(gè)第一晶體管的該第二端點(diǎn)連接至該NPN型晶體管 的射極。
7. 如權(quán)利要求1所述的均流電路，其特征是，進(jìn)一步包含N個(gè)串聯(lián)的檢測(cè)模塊，每一個(gè)檢測(cè)模塊耦接于一個(gè)第一晶體管的該第一 端點(diǎn)及該第一晶體管所對(duì)應(yīng)的一個(gè)發(fā)光裝置的該低電位端之間，每一個(gè)檢測(cè) 模塊包含一第三晶體管，該第三晶體管的 一第四端點(diǎn)電連接至該對(duì)應(yīng)的發(fā)光 裝置的該低電位端。
8. 如權(quán)利要求7所述的均流電路，其特征是，其中該第三晶體管為一金 屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管或一雙接面晶體管。
9. 如權(quán)利要求7所述的均流電路，其特征是，其中根據(jù)該第四端點(diǎn)的輸 入電壓，該N個(gè)檢測(cè)模塊輸出一相對(duì)應(yīng)的控制電壓至一保護(hù)電路。
10. 如權(quán)利要求9所述的均流電路，其特征是，其中該保護(hù)電路用以將供應(yīng)該N個(gè)發(fā)光裝置的一電壓源關(guān)閉或產(chǎn)生一警告訊號(hào)。
11. 如權(quán)利要求7所述的均流電路，其特征是，其中該N個(gè)檢測(cè)模塊用 以檢測(cè)該N個(gè)發(fā)光裝置中的每一個(gè)發(fā)光裝置的異常狀態(tài)。
12. 如權(quán)利要求11所述的均流電路，其特征是，其中該異常狀態(tài)指該發(fā) 光裝置中的 一發(fā)光二極管斷路或燒毀。
專利摘要本實(shí)用新型披露一種均流電路。該均流電路配合N個(gè)并聯(lián)的發(fā)光裝置，N是一大于1的正整數(shù)。每一個(gè)發(fā)光裝置包含至少一個(gè)發(fā)光二極管并且具有一各別的低電位(low-potential)端。根據(jù)本實(shí)用新型的均流電路包含一恒定電壓源以及N個(gè)第一晶體管。該恒定電壓源用以提供一恒定電壓。每一個(gè)第一晶體管對(duì)應(yīng)所述發(fā)光裝置中的一個(gè)發(fā)光裝置并且以其本身的一第一端點(diǎn)電連接至該對(duì)應(yīng)的發(fā)光裝置的該低電位端。此外，每一個(gè)第一晶體管的一第二端點(diǎn)都電連接至該恒定電壓源以接收該恒定電壓的輸入，并且每一個(gè)第一晶體管的一第三端點(diǎn)電連接在一起。
文檔編號(hào)H05B37/00GK201167423SQ200820001978
公開日2008年12月17日 申請(qǐng)日期2008年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月16日
發(fā)明者吳家坤, 張洪德 申請(qǐng)人:達(dá)方電子股份有限公司