專利名稱：平板顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示器，尤其是，涉及一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光器 件，其能夠避免出現(xiàn)缺陷元件，并且通過(guò)減小襯底表面的錐角(taperangle)來(lái)提高圖像質(zhì)量。
背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，有源矩陣有機(jī)發(fā)光器件(AMOLED)中的象素以矩陣形式 排布在襯底上。每個(gè)象素包括一電致發(fā)光(EL )元件和一薄膜晶體管(TFT ), 其中在電致發(fā)光元件中一正電極、 一有機(jī)薄膜層以及一負(fù)電極疊置起來(lái)， 而薄膜晶體管作為一連接于所述EL元件上的有源元件并且用于驅(qū)動(dòng)所述 EL元件。圖la示出了常規(guī)底部發(fā)射OLED的剖面圖。參照?qǐng)Dla,半導(dǎo)體層110 具有形成于絕緣襯底100上的緩沖層105，以及形成于緩沖層105上的源區(qū) 111和漏區(qū)115。在柵極絕緣層120上形成柵極125,并且源電極141和漏 電極145通過(guò)接觸孔131和135形成在層間絕緣層130上，從而分別被連 接到源區(qū)111和漏區(qū)115上。由此，制得所述TFT。連線147，比如數(shù)據(jù)線 或者電源線，形成在層間絕緣層130上。作為經(jīng)由通孔155連接到漏電極145的下電極，正電極170形成在鈍 化層150上，并且在襯底上形成有機(jī)薄膜層185和作為上電極的負(fù)電極190, 由此制得有機(jī)EL元件。圖lb示出了在圖la所示OLED中的R象素發(fā)射區(qū)域內(nèi)的R象素EL元件上的紅色詳細(xì)剖面圖。參照?qǐng)Dlb，下面對(duì)一種用于制造EL 二^f及管的方法進(jìn)行詳細(xì)描述。在形成經(jīng)由通孔155連接于TFT的漏電極上的正電極 170之后，執(zhí)行清潔工藝。接著，利用真空淀積方法使用CuPc在所述襯底 上形成600埃厚的空穴注入層185a,并且在空穴注入層185a上使用NPB 形成300埃厚的空穴遷移層185b。在空穴遷移層185b上淀積200埃厚的 Alq + DCM，以形成紅色發(fā)射層85c。在紅色發(fā)射層185c上形成200埃厚 的Alq3，以形成電子遷移層185d，由此制得有機(jī)薄膜層185。最后，利用 熱蒸發(fā)方法來(lái)淀積作為負(fù)電極l卯的LiF/Al。盡管在附圖中沒(méi)有示出，但 是可以在紅色發(fā)射層185c與電子遷移層185d之間形成空穴阻擋層，或者可 以在電子遷移層185d上形成電子注入層。如圖lb中所示，在于正電極170上形成有機(jī)薄膜層185和負(fù)電極l卯 之后，在絕緣襯底100上涂敷一種密封劑(未示出)，并且將密封襯底 (encapsulating substrate)鍵合到所述絕緣襯底上，來(lái)防止外部的氧氣和濕 氣進(jìn)入其中，由此制得常規(guī)的OLED。具有上述結(jié)構(gòu)的常規(guī)OLED有可能在正電極160的臺(tái)階部分附近、通 孔155的附近以及接觸孔141和145的附近出現(xiàn)針孔缺陷，和/或在所述正 電極與負(fù)電極之間出現(xiàn)短路缺陷。還有，沒(méi)有淀積或者沒(méi)有均勻淀積有機(jī) 發(fā)射層的部分會(huì)比所述正電極臺(tái)階部分附近以及所述接觸孔和通孔附近的 其它部分薄。當(dāng)在正電極與負(fù)電極之間施加高電壓時(shí)，電流密度會(huì)集中在 沒(méi)有淀積或者淀積較薄的有機(jī)發(fā)射層的部分上，從而有可能出現(xiàn)一個(gè)或者 多個(gè)球形黑斑。因此，由于黑斑的出現(xiàn)，發(fā)射區(qū)域會(huì)縮小，并且圖像質(zhì)量 會(huì)降低。氧氣和/或濕氣會(huì)更為容易地透過(guò)沒(méi)有密集形成負(fù)電極的部分。當(dāng)在正 電極與負(fù)電極之間施加高電壓時(shí)，電流密度會(huì)集中在沒(méi)有密集形成所述負(fù) 電極的部分上，并且由于電遷移現(xiàn)象會(huì)在所述負(fù)電極中出現(xiàn)空洞(void)。 由于外部氧氣的流入會(huì)增大電阻，所以會(huì)產(chǎn)生熱量。由此，有可能隨著時(shí) 間的流逝在所述部分中出現(xiàn)^Uj黑斑。為了防止發(fā)生缺陷，比如短路或者黑斑，接觸孔或者通孔可以被形成 為具有較小的錐角。但是，由于高分辨率的平板顯示器設(shè)計(jì)中的困難，所 以對(duì)減d 、所述接觸孔或通孔的錐角存在限制。美國(guó)專利No. 5684365公開了一種技術(shù)，在用于暴露正電極的某些部分的開口邊緣處對(duì)鈍化層的錐角進(jìn)行限制。圖2示出了常規(guī)的底部發(fā)射OLED 的剖面圖。參照?qǐng)D2，在絕緣襯底200上形成緩沖層205，并且在緩沖層205 上形成半導(dǎo)體層210,該半導(dǎo)體層210具有源區(qū)211和漏區(qū)215。在柵極絕 緣層220上形成柵片及225 ，并且源電極241和漏電沖及245形成于層間絕緣層 230上，以^更通過(guò)4妻觸孔231和235分別連4妄到源區(qū)211和漏區(qū)215。在這 種情況下，作為將連接于漏電極245上的下電極，正電極270形成在層間 絕緣層230上。在襯底上淀積了鈍化層250之后，對(duì)該鈍化層250進(jìn)行蝕刻，來(lái)形成 暴露正電極270的某些部分的開口 275，其中鈍化層250由絕緣層制成，比 如氮化硅層，厚度為0.5至1.0/am。在這種情況下，鈍化層250被制成相 對(duì)于在開口 275邊緣處的正電極成10至30度的錐角。接著，在所述襯底 上形成有沖兒薄膜層285和作為上電極的負(fù)電極290。如圖lb中所示，有機(jī) 薄膜層285具有下述層中的至少一個(gè)空穴注入層，空穴遷移層，R、 G或 B發(fā)射層，空穴阻擋層，電子遷移層或者電子注入層。美國(guó)專利No. 6246179公開了 一種技術(shù)，其利用了具有平面化功能的有 機(jī)絕緣層，來(lái)防止在通孔或者接觸孔附近以及臺(tái)階部分處出現(xiàn)缺陷。圖3 示出了具有常規(guī)頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的OLED的剖面圖。參照?qǐng)D3 ，在絕緣襯底 300上形成有緩沖層305,然后在緩沖層305上形成半導(dǎo)體層310，該半導(dǎo) 體層310具有源區(qū)311和漏區(qū)315。在柵極絕緣層320上形成柵極325，并 且源電極341和漏電極345通過(guò)在層間絕緣層330上的接觸孔331和335 分別連接到源區(qū)311和漏區(qū)315。在這種情況下，連線347,比如數(shù)據(jù)線或 者電源線，與在層間絕緣層330上形成源電極341和漏電極345的同時(shí)形 成。在鈍化層350上形成平面化層(planarization layer) 360,并且作為下 電極的正電極通過(guò)位于平面化層360上的通孔355連接到源區(qū)341與漏區(qū) 345之間的一個(gè)電極上，比如漏電極345。形成象素定義層365,該象素定 義層365具有用于暴露正電極370的某些部分的開口 375，并且在該象素定 義層365和正電極370上形成有機(jī)薄膜層385和作為上電極的負(fù)電極390。 如圖lb中所示，有機(jī)薄膜層385具有下述層中的至少一個(gè)空穴注入層， 空穴遷移層，R、 G或B發(fā)射層，空穴阻擋層，電子遷移層或者電子注入層。如在上述常規(guī)的OLED中一樣，連接于所述開口內(nèi)的正電極的鈍化層8的錐角被限制在10至30度之間，或者所述象素定義層的錐角被限制為20 至80度之間，由此防止在所述有機(jī)發(fā)射層.中出現(xiàn)缺陷。此外，可以通過(guò)使 用所述平面化層來(lái)解決臺(tái)階部分的問(wèn)題，由此防止所述有機(jī)發(fā)射層的缺陷。但是，在高分辨率的OLED中，由于在設(shè)計(jì)過(guò)程中的困難，對(duì)減小所 述鈍化層或者象素定義層的錐角存在限制。還有，元件的可靠性依賴于象 素定義層與正電極之間的錐角。當(dāng)錐角較大時(shí)，所述有機(jī)發(fā)射層和負(fù)電極 易于在開口的邊緣處劣化。當(dāng)錐角較小時(shí)，由于由連線所致的寄生電容和 臺(tái)階部分的問(wèn)題，會(huì)對(duì)減小所述象素定義層的錐角和厚度存在限制。此外，如上所述，由于淀積在襯底整個(gè)表面上的負(fù)電極沒(méi)有密集地形 成在接觸孔附近、通孔附近以及臺(tái)階部分處，有可能出現(xiàn)黑斑，或者在所發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了 一種能夠防止在接觸孔和通孔中的針孔和短路缺陷的 OLED。本發(fā)明提供了一種能夠通過(guò)減少或者防止有機(jī)EL層的圖案缺陷 (pattern defect)而提高圖像質(zhì)量的OLED 。本發(fā)明提供了一種能夠通過(guò)密集地形成負(fù)電極而減少或者防止氧氣或 者濕氣流入的OLED。本發(fā)明提供了 一種能夠減少或者防止在象素的發(fā)射區(qū)域出現(xiàn)黑斑的 OLED。本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種平板顯示器，其含有 一絕緣襯底； 一下部層(lower layer),其形成于所述絕緣襯底上并且具有相對(duì)于所述襯 底表面的第一臺(tái)階和第一錐角；以及一上部層(upper layer)，其形成于所 述絕緣襯底上并且用于減小所述下部層的錐角，其中所述上部層具有小于 所述下部層的所述第一錐角的第二錐角。根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例， 一種平板顯示器包括 一絕緣襯底， 其包含至少具有源電極和漏電極的薄膜晶體管； 一絕緣層，其形成于所述 絕緣襯底上并且具有用于暴露所述源電極和漏電極之一的通孔； 一有機(jī)EL 元件，該有機(jī)EL元件具有下電極、有機(jī)薄膜層和上電極，所述上電極形成 于所述絕緣層上并通過(guò)所述通孔連接到所述暴露的電極上；以及錐度減小層(taper reducing layer),其形成于所述下電才及上，其中在所述通孔中的錐 度減小層的錐角具有小于該通孔錐角的第一錐角，并且在所述下電極邊緣 處的錐度減小層的錐角具有小于該下電極邊緣的錐角的第二錐角。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例， 一種平板顯示器包括 一絕緣襯底，其包 括至少具有源電極和漏電極的薄膜晶體管； 一第一絕緣層，其形成于所述 絕緣襯底上并且具有用于暴露所述源電極和漏電極之一的通孔； 一下電極， 其形成于第一絕緣層上并且通過(guò)所述通孔連接在所述暴露的電極上； 一第 二絕緣層，其具有用于暴露所述下電極的一部分的開口； 一有機(jī)薄膜層， 其形成于第二絕緣層和所述開口上； 一上電極，其形成于所述有機(jī)薄膜層 上；以及錐度減小層，其形成于所述下電極上，其中所述錐度減小層具有小 于所述開口中第二絕緣層的錐角的錐角。在本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例中， 一種平板顯示器包括 一包含薄膜 晶體管的絕緣襯底，該薄膜晶體管包括具有源區(qū)和漏區(qū)的半導(dǎo)體層、具有 用于暴露所述源區(qū)和漏區(qū)某些部分的接觸孔的第一絕緣層以及通過(guò)所述接 觸孔連接到所述源區(qū)和漏區(qū)的源電極和漏電極； 一第二絕緣層，其形成于 所述絕緣襯底上并且具有用于暴露所述源電極和漏電極之一的通孔；一 EL 元件，其形成于所述第二絕緣層上以通過(guò)所述通孔連接到所述薄膜晶體管 的其中一個(gè)電極上，并且具有下電極、有機(jī)薄膜層和上電極；以及錐度減 小層，其形成于所述下電極上，其中在所述接觸孔中錐度減小層的錐角具 有小于該接觸孔錐角的第 一錐角，在所述通孔中錐度減小層的錐角具有'J、 于該通孔錐角的第二錐角，并且在所述下電極邊緣處錐度減小層的錐角具 有小于該下電極邊緣的錐角的第三錐角。根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例， 一種平板顯示器包括 一包含薄膜 晶體管的絕緣襯底，該薄膜晶體管包括具有源區(qū)和漏區(qū)的半導(dǎo)體層、具有 用于暴露部分所述源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔的第 一絕緣層以及通過(guò)所述接觸孔 連接到所述源區(qū)和漏區(qū)的源電極和漏電極； 一第二絕緣層，其形成于所述 絕緣襯底上并且具有用于暴露所述源電極和漏電極之一的通孔。這種平板 顯示器還包括 一下電極，其形成于所述第二絕緣層上并連接到所述源電 極和漏電極的所述暴露的電極上； 一第三絕緣層，其具有用于暴露所述下 電極的一部分的開口； 一有機(jī)薄膜層，其形成于第三絕緣層和所述開口上； 一上電極，其形成于所述有機(jī)薄膜層上；以及一錐度減小層，其形成于所述下電極上，其中在所述開口中錐度減小層的錐角小于所述開口的錐角。本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例提供了一種平板顯示器，包括 一包含薄膜晶體管的絕緣襯底，該薄膜晶體管包括具有源區(qū)和漏區(qū)的半導(dǎo)體層、具 有用于暴露所述源區(qū)和漏區(qū)某些部分的接觸孔的第一絕緣層以及通過(guò)所述接觸孔連接到所述源區(qū)和漏區(qū)的源電極和漏電極； 一下電極，其與所述源 電極和漏電極形成于相同的第 一絕緣層上并且連接到所述源電極和漏電極 之一；以及一第二絕緣層，其具有用于暴露所述下電極的一部分的開口。 所述平板顯示器還包括 一有機(jī)薄膜層，其形成于第二絕緣層和所述開口 上； 一上電極，其形成于所述有機(jī)薄膜層上；以及錐度減小層，其形成于 所述下電極上，其中在所述接觸孔中錐度減小層的錐角具有小于該接觸孔 錐角的第 一錐角，并且在所述開口中錐度減小層的錐角具有小于該開口的 錐角的第二錐角。本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例提供了一種平板顯示器，包括 一絕緣襯 底； 一下部層，其形成于所述絕緣襯底上并且具有相對(duì)于所述襯底表面的 第一臺(tái)階和第一錐角6 1;以及一上部層，其形成于所述絕緣襯底上并且具 有相對(duì)于所述村底表面的第二錐角6 2以用于減小所述下部層的第一錐角， 其中淀積厚度d0為在第一臺(tái)階處所述下部層的淀積厚度，淀積厚度d2為 在第 一 臺(tái)階上的所述上部層的淀積厚度，并且淀積厚度d3為在除第 一 臺(tái)階 之外的部分處所述上部層的淀積厚度，所述上部層的錐角6 2從下述等式獲 得，tan 6 2 = (1 - d2/(dl - d0)) * tan 6 1 d2 = (dl — d0) * (1 — tan 6 2/tan 6 1)d3 = dl* (1 - tan 6 2/tan 6 1),其中dl為當(dāng)所述上部層的第二錐角變成 0度時(shí)該上部層的淀積厚度。


對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，通過(guò)參照附圖對(duì)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施 例進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述以及其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更為明顯。 圖la示出了常規(guī)OLED的剖面圖；圖lb示出了在圖la所示OLED中一個(gè)象素的發(fā)射區(qū)域的剖面圖； 圖2示出了具有象素定義層的常規(guī)OLED的剖面圖；圖3示出了具有鈍化層的常規(guī)OLED的剖面圖，其中鈍化層的邊緣發(fā) 生了傾斜；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的采用了錐度減小層的OLED的剖面圖；圖5a示出了沒(méi)有采用根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的錐度減小層的OLED中的 錐角和缺陷產(chǎn)生率；圖5b示出了在圖3所示OLED中錐度減小層的錐角與厚度之間的關(guān)系；圖6a示出了按照本發(fā)明 一 實(shí)施例的底部發(fā)射AMOLED的剖面圖； 圖6b示出了在圖6a所示的底部發(fā)射AMOLED中一個(gè)象素的發(fā)射區(qū)域 的剖面圖；圖6c示出了在圖6a所示的底部發(fā)射AMOLED中一個(gè)象素的發(fā)射區(qū)域 的剖面圖；圖7a示出了在圖6a所示AMOLED中通過(guò)錐度減小層減小的錐角； 圖7b示出了在圖6a所示AMOLED中沒(méi)有出現(xiàn)黑斑的象素； 圖7c示出了當(dāng)在常規(guī)的底部發(fā)射OLED中沒(méi)有采用錐度減小層時(shí)會(huì)在 象素中出現(xiàn)缺陷；圖8示出了按照本發(fā)明一實(shí)施例的具有象素定義層的底部發(fā)射AMOLED的剖面圖；圖9a示出了在圖8所示AMOLED中通過(guò)錐度減小層減小了錐角； 圖9b示出了在圖8所示AMOLED中沒(méi)有出現(xiàn)黑斑的象素； 圖9c示出了在具有常規(guī)象素定義層的OLED中出現(xiàn)黑斑的象素； 圖10示出了按照本發(fā)明第三實(shí)施例的頂部發(fā)射AMOLED的剖面圖； 圖11示出了按照本發(fā)明第四實(shí)施例的具有象素定義層的頂部發(fā)射AMOLED的剖面圖；圖12示出了按照本發(fā)明 一 實(shí)施例的AMOLED的剖面圖。
具體實(shí)施方式
下面將參照附圖更為全面地對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，在附圖中示出了本發(fā) 明的示例性實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以不同的形式加以實(shí)施，而不應(yīng)解 釋為僅局限于在此闡述的實(shí)施例。還有，提供這些實(shí)施例是為了使本公開透徹而完整，并且將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中， 為了清楚起見(jiàn)層以及區(qū)域的厚度均被放大。貫穿本說(shuō)明書，相同的附圖標(biāo) 記表示相同的元件。圖4示出了 OLED的剖面圖，該OLED具有利用本發(fā)明的錐度減小層 減小后的錐角。參照?qǐng)D4,絕緣襯底40具有下部層41，該下部層41具有 用于暴露絕緣村底40的一部分的開口 42。下部層41在開口 42的邊緣處具 有相對(duì)于襯底上表面的預(yù)定錐角。還有，下部層41具有相對(duì)于村底上表面 的預(yù)定臺(tái)階d0。在下部層41和開口 42上形成具有錐角6 2的錐度減小層43。錐度減 小層43的淀積厚度可以依賴于淀積有錐度減小層的襯底表面的臺(tái)階。換句 話說(shuō)，淀積在襯底表面具有較高臺(tái)階的部分上的錐度減小層比淀積在襯底 表面具有較低臺(tái)階的部分上的錐度減小層淀積得更薄。因此，錐度減小層 43在具有臺(tái)階d0的下部層上具有厚度d2,并且在用于暴露襯底的開口 42 上具有大于d2的厚度d3。由于錐度減小層43的厚度依賴于襯底表面的臺(tái) 階，所以錐度減小層43的錐角小于下部層41處的錐角。結(jié)果，錐度減小 層43的錐角6 2小于下部層41的錐角6 1。在本發(fā)明一實(shí)施例的OLED中，當(dāng)下部層41是絕緣層時(shí)，比如層間絕 緣層和柵極絕緣層，開口 42是接觸孔并且暴露源區(qū)和漏區(qū)的某些部分。由 此，所述接觸孔的錐角變?yōu)? 1，并且通過(guò)在絕緣層中的接觸孔形成的相對(duì) 于襯底表面的臺(tái)階為d0。當(dāng)下部層41是鈍化層時(shí)，開口 42是通孔并且暴露源區(qū)和漏區(qū)的一部 分。由此，所述通孔的錐角變?yōu)閑i，并且通過(guò)在鈍化層中的通孔形成的相 對(duì)于襯底表面的臺(tái)階為d0。當(dāng)下部層41是象素定義層時(shí)，開口42暴露象 素電極的一部分。由此，在所述開口的邊緣處象素定義層的錐角變?yōu)? 1, 并且通過(guò)在象素定義層中的開口形成的相對(duì)于襯底表面的臺(tái)階為d0。當(dāng)錐度減小層43形成在所述接觸孔、通孔或者象素電4l的開口內(nèi)時(shí)， 在該錐度減小層43的上方和下方形成導(dǎo)電層，從而使得該錐度減小層43 由例如導(dǎo)電材料形成。有機(jī)層可以用于錐度減小層43，其中該有機(jī)層具有 電荷遷移能力并且可以通過(guò)濕式涂覆方法進(jìn)行涂覆。錐度減小層43可以由 從聚合物有機(jī)層、小分子有機(jī)層或者類似材料中選取的至少一個(gè)有機(jī)層構(gòu) 成。用于所述錐度減小層的小分子有機(jī)層可以選自于?？ㄟ蚧?carbazole-based )、 芳基胺基(arylamine-based )、月宗基(hydrazone-based )、 芪基(stilbene-based )、 呃二哇基(oxadiazole-based )以及星爆炸基(starburst-based )衍生物，并且所述聚合物有機(jī)層選自于PEDOT、 PANI、 口卡唑基、芳基胺基、二萘嵌苯基(perylene-based )、吡略基(pyrrole-based)以及呃二唑基衍生物或者類似材津牛。在上述OLED中，利用錐度減小層來(lái)減小錐角的基本原理如下所述。 下部層41具有開口42，比如接觸孔、通孔或者象素定義層的開口區(qū)域，還 具有相對(duì)于襯底表面的臺(tái)階d0和錐角6 1，以及線性斜率tan6 1。錐度減 小層43具有在下部層41上的厚度d2和在開口 42上的厚度d3,錐角6 2， 以及相對(duì)于襯底表面的線性斜率tan 6 2。此外，使得襯底表面平面化所需 的錐度減小層的最小厚度，即，相對(duì)于村底表面使得其錐角(3 2等于0度所 需的錐度減小層43的最小厚度為dl。由此，利用錐度減小層43平面化后的錐角變?yōu)?2，該錐角為在開口 42中的錐度減小層43的錐角。在其被平面化之前的錐角為6 1，該錐角為 在開口 42中的下部層41的錐角。當(dāng)通過(guò)下部層41的錐角6 1形成的斜率 為tan 6 1的直線被假設(shè)為L(zhǎng)l ，并且通過(guò)錐度減小層43的錐角6 2形成的斜 率為tan6 2的直線被假設(shè)為L(zhǎng)2時(shí)，Ll和L2可以一皮表示為下述等式1。在 這種情況下，襯底表面與直線L1交匯的點(diǎn)，即開口42的邊緣部分，為原 點(diǎn)O,在這里襯底的長(zhǎng)度方向?yàn)閄軸，而襯底的高度方向?yàn)閅軸。Ll: yl =tan6 1* xL2: y2 = tan6 2* x + d3 ( 1 )直線L1在X軸方向上的位置xO處穿過(guò)dO,并且直線L2在X軸方向上的位置x0處穿過(guò)d0 + d2。此外，直線L1和L2在X軸方向上的位置xl處穿過(guò)dl。由此，當(dāng)利用X軸和Y軸方向上的值代替等式1中的函數(shù)yl和y2時(shí)， 結(jié)果如下Ll: d0 = tan6 1* x0L2: d0 + d2,n6 2^ x0 + d3由此，d0 + d2可以被表示為下述等式2:d0 + d2 = (tan6 2/tan6 1) * d0 + d3 (2)此外，LI: dl =tan6 1* xl L2: dl =tan6 2*xl+ d3 因此，dl可以被表示為下述等式3: dl = (tan6 2/tane 1) * dl + d3 ( 3 )利用等式2和3，可以從下面的等式4中獲得相對(duì)于錐度減小層43的 錐角6 2的關(guān)系等式。從下面的等式5和6可以獲得分別淀積在下部層41 和開口 42上的錐度減小層43的厚度d2和厚度d3。形成于下部層41上的 部分錐度減小層43的厚度d2可以線性地增加，直至厚度dl - d0,即當(dāng)襯 底表面從下部層41的表面被平面化時(shí)的厚度。形成于開口 42中的部分錐 度減小層43的厚度d3可以線性地增加，直至厚度dl,即當(dāng)襯底表面從開 口 42的表面被平面化時(shí)的厚度。使所述襯底表面平面化所需的最小厚度dl 會(huì)根據(jù)用于錐度減小層的有機(jī)層的平面化能力發(fā)生變化，并且可以根據(jù)溶 液的粘滯性和揮發(fā)性、涂覆工藝的變量以及類似因素發(fā)生變化并且利用實(shí) 驗(yàn)方法獲得。tan6 2 = (l - d2/(dl - d0)) "an6 1 (4) d2 = (dl — d0) * (1 — tan 6 2/tan 6 1) =(dl 一 d0) * (1 — cx ) ( 5 ) d3 = dl*(l - tan 6 2/tan 6 l) = dl*(l - a) (6) 在上述等式中，a是當(dāng)所述錐度減小層形成于襯底上時(shí)襯底表面的平 面化程度(planarizing degree )相對(duì)于當(dāng)下部層自身形成于襯底上時(shí)襯底表 面的平面化程度的比率。該值被定義為相對(duì)平面度，并且表示為a二 tan 6 2/tan 6 1 。例如，下部層41是絕緣層，其具有作為開口 42的通孔，并且厚度為 6000埃，在該通孔中的錐角6 1為75度。當(dāng)最小厚度dl在實(shí)驗(yàn)上假設(shè)為 8000埃以完全平面化所述通孔時(shí)，從前面的等式4和6如下所述那樣計(jì)算 出通過(guò)錐度減小層43使襯底表面平面化的角度6 2和在所述通孔中的錐度 減小層43的厚度d3，以便在下部層41上淀積厚度為1000埃的錐度減小層 43。tan6 2 = ( 1-1000/2000) * tan75 = 0.5 ".73 = 1.87 在所述通孔中的錐度減小層43的錐角6 2如下所述 62,11-|(1.87) = 62度此外，在所述通孔中的錐度減小層43的厚度d3如下所述d3 = dl*( 1 - tan6 2/tan6 1 ) = dl*d2/( dl-d0 ) = 8000*1000/2000 = 4000 因此，當(dāng)所述通孔的錐角為75度并且形成于下部層41上的錐度減小層43的厚度為1000埃時(shí)，形成于所述通孔中的錐度減小層43的厚度d3變?yōu)?000埃。與此同時(shí)，當(dāng)錐度減小層43被淀積為具有通過(guò)錐度減小層43平面化 的角度時(shí)，即在所述通孔中的錐度減小層43的錐角6 2低于40度或者更小 時(shí)，形成于下部層41上的錐度減小層的厚度d2和形成于所述通孔中的錐 度減小層的厚度d3如下所述從等式5和6獲得。d2 = 2000 * ( 1 — tan40/tan75 ) = 2000 * ( 1 — 0.23 ) = 1540d3 = 8000 * ( 1 - tan40/tan75 ) = 8000 Ml- 0.23 ) =6160換句話說(shuō)，當(dāng)所述通孔中的錐度減小層43形成為具有40度的錐角6 2 時(shí)，可以用算術(shù)方法得出在下部層41上的錐度減小層43被制成具有1540 埃的厚度，而在所述通孔中具有6160埃的厚度。圖5a示出了根據(jù)通孔或者接觸孔的錐角的缺陷數(shù)目。參照?qǐng)D5a，所述 通孔或者接觸孔的錐角變得越小，在元件中的缺陷越少。可以看出，當(dāng)所 述接觸孔或者通孔的錐角為60度或者更小時(shí)，初始缺陷變得顯著減少，由 此能夠制造出更為可靠的元件。在這種情況下，初始缺陷可以包括諸如在 驅(qū)動(dòng)OLED之前出現(xiàn)的暗象素(dark pixel)這樣的缺陷。當(dāng)所述通孔或者 接觸孔的錐角為60度時(shí)，利用等式5和6，形成于下部層41上的那部分錐 度減小層43的厚度d2變?yōu)?000埃，并且形成于所述開口中的那部分錐度 減小層43的厚度d3變?yōu)?000埃。圖5b示出了當(dāng)形成于襯底上的下部層41具有預(yù)定錐角6 1和臺(tái)階dl 時(shí)，形成于所述開口中的錐度減小層的錐角62與厚度d3之間的關(guān)系。參 照?qǐng)D5b,為了制造出可靠的元件，當(dāng)厚度為6000埃的下部層41具有75度 的錐角并且錐度減小層43形成至少為8000埃的厚度dl以平面化襯底表面 時(shí)，當(dāng)存在象素定義層時(shí)所述開口的錐角62應(yīng)為40度或者更小，而當(dāng)不 存在象素定義層時(shí)，所述接觸孔或者通孔的錐角6 2應(yīng)為60度或者更小。為了減小作為具有平面化特性的有機(jī)層的錐度減小層的錐角，同時(shí)防 止發(fā)光特性隨著錐度減小層的使用而劣化，當(dāng)錐度減小層43形成為在下部 層41上具有約1000埃至約2000埃的厚度d2時(shí)，應(yīng)該避免驅(qū)動(dòng)電壓的高 增長(zhǎng)。由此，用在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中的錐度減小層優(yōu)選具有平面化特性、用于遷移空穴或者電子的電荷遷移能力以及合適的HOMO (最高已占 分子軌道)和LUMO (最低未填充分子軌道)，從而使得其不會(huì)由于錐度減 小層的淀積厚度增大而導(dǎo)致元件的驅(qū)動(dòng)電壓增大。對(duì)于典型的底部發(fā)射或頂部發(fā)射OLED來(lái)說(shuō)，錐度減小層形成在發(fā)射 層的下方和正電極的上方，可以使用具有空穴遷移能力的有機(jī)層，同時(shí)對(duì) 于所述錐度減小層來(lái)說(shuō)，HOMO為4.5eV或更高，而電荷遷移率為l(T8cm2/Vs 或者更高。對(duì)于倒置型OLED來(lái)說(shuō)，錐度減小層形成在負(fù)電極的上方和發(fā) 射層的下方，可以使用具有電子遷移能力的有機(jī)層，同時(shí)對(duì)于所述錐度減 小層來(lái)說(shuō)，LUMO為3.5eV或者更低，而電荷遷移率為10-8cm2/Vs或者更 高。參照?qǐng)D4，錐度減小層被用于具有開口的絕緣層以減小錐角。但是，即 使在淀積層的臺(tái)階部分中也可以通過(guò)所述錐度減小層來(lái)減小錐角，從而可 以防止元件缺陷。圖6a示出了根據(jù)本發(fā)明 一實(shí)施例的具有錐度減小層的底部發(fā)射OLED 的剖面圖。參照?qǐng)D6a，在絕緣襯底400上形成緩沖層405，并且在緩沖層 405上形成半導(dǎo)體層410,該半導(dǎo)體層410具有源區(qū)411和漏區(qū)415。在柵 才及絕緣層420上形成4冊(cè)極425,并且源電極441和漏電極445通過(guò)位于層間 絕緣層430上的接觸孔431和435連接在源區(qū)411和漏區(qū)415上。連線447, 比如數(shù)據(jù)線或者電源線，與在層間絕緣層430上形成源電極441和445的 同時(shí)形成。接觸孔431和435具有75度的錐角和5000埃的深度。作為經(jīng)由通孔455連接于源電極441和漏電極445之一、比如漏電極 445的下電極，正電極470形成在鈍化層450上。通孔455可具有85度的 錐角和5000埃的深度，并且正電極470可具有1000埃的厚度。在形成正 電極470之后，執(zhí)行清潔工藝?？稍谒鲆r底上依次形成錐度減小層480、 有機(jī)薄膜層485和負(fù)電極490。圖6b示出了在按照本發(fā)明一實(shí)施例的OLED中R象素的發(fā)射區(qū)域的剖 面圖。參照?qǐng)D6b，錐度減小層480形成在正電極470上，并且在錐度減小 層480上形成發(fā)射層485c。作為示例性實(shí)施例，利用旋涂方法在正電極470上形成厚度為1000埃 的具有空穴遷移能力的聚合物有機(jī)層，比如PEDOT,并且在200埃時(shí)利用熱板(hot plate )進(jìn)行5分鐘的退火工藝，由此形成錐度減小層480。在這 種情況下，錐度減小層480的淀積厚度取決于其錐角、該錐度減小層下方 的接觸孔和通孔的深度及錐角、象素電極的厚度以及象素電極邊緣處的錐角。利用真空淀積方法，在錐度減小層480上依次形成厚度為600埃的CuPc 以作為空穴注入層485a,以及厚度為300埃的NPB以作為空穴遷移層485b。 在空穴遷移層485b上淀積厚度為200埃的Alq + DCM以作為紅色發(fā)射層 485c,并且在紅色發(fā)射層485c上形成厚度為200埃的Akj3以作為電子遷移 層485d,由此制得有機(jī)薄膜層485。在本實(shí)施例中，可以在紅色發(fā)射層485c 與電子遷移層485d之間形成空穴阻擋層，并且在電子遷移層485d上形成 電子注入層。最終，通過(guò)熱蒸發(fā)方法淀積作為負(fù)電極490的LiF/Al。在形成了有機(jī)薄膜層485和負(fù)電極4卯之后，如圖6b中所示，在絕緣 襯底400上涂敷密封劑(在附圖中沒(méi)有示出)，來(lái)防止外部氧氣和濕氣進(jìn)入 內(nèi)部。密封襯底4皮4走合到其上，由此制得所述OLED。圖6c示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的OLED中R象素的發(fā)射區(qū)域的另一 剖面圖。參照?qǐng)D6c,錐度減小層480形成在有機(jī)薄膜層485的發(fā)射層485c 與空穴遷移層485b之間。正電極470形成在絕緣層400上，并且有機(jī)薄膜層485的空穴注入層 485a和空穴遷移層485b依次形成在正電極470上。錐度減小層480形成在 空穴遷移層485b上，并且作為有機(jī)發(fā)射層485的R發(fā)射層485c和電子遷 移層485d依次形成在錐度減小層480上。負(fù)電極490形成在電子遷移層485d 上。錐度減小層480可以形成在正電極470上方，并且位于發(fā)射層485c的 下方，如圖6b和6c中所示，并且與此同時(shí)，可以僅僅形成于正電極470 與有機(jī)薄膜層485的發(fā)射層485c之間。有機(jī)薄膜層485具有下述層中的至 少一個(gè)空穴注入層、空穴遷移層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子遷移層和/ 或電子注入層。在第一示例性實(shí)施例中，在形成錐度減小層480之前，接觸孔和通孔 分別具有75度和85度的錐角(641， 642)。在形成了錐度減小層480之 后，所述錐角相對(duì)于襯底表面減小，從而使得所述接觸孔和通孔的錐角(6 43, 644)為60度或者更小。所述正電極具有邊緣錐角6 47,而錐度減小層480可以將邊緣錐角6 45減小至40度。此外，根據(jù)所述錐度減小層的形 成，錐角6 46可以在接觸孔、通孔附近以及連線447的附近減小。錐度減小層480的淀積厚度取決于該錐度減小層的錐角、該錐度減小 層下方的接觸孔和通孔的深度和錐角、象素電極的厚度以及在象素電極邊 緣處的錐角。從圖4和等式4至6可以看出，當(dāng)錐度減小層被淀積為具有 60度或者更小的接觸孔或者通孔的錐角時(shí)，該錐度減小層的淀積厚度取決 于所述接觸孔的錐角和絕緣層的厚度，比如其中形成所述接觸孔的層間絕 緣層和柵極絕緣層，并且還取決于所述通孔的錐角和絕緣層的厚度，比如 其中形成所述通孔的鈍化層。與此同時(shí)，從圖4和等式4至6可以看出， 當(dāng)所述錐形減小層被淀積為在象素電極的邊緣處具有40度或者更小的錐角 時(shí)，該錐形減小層的淀積厚度取決于象素電極邊緣處的錐角和象素電極的 厚度。圖7a示出了在根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的OLED中通孔附近的 SEM照片。參照?qǐng)D7a，在所述通孔內(nèi)錐度減小層形成在正電極上的厚度為 d73的部分比在具有臺(tái)階部分的絕緣層上方錐度減小層形成在正電極上厚 度為d72的部分淀積得更厚，從而使得所述通孔中的錐角被減小至50度。 圖7b示出了一張顯微鏡照片，其用于表示當(dāng)?shù)谝皇纠詫?shí)施例中的OLED 被驅(qū)動(dòng)時(shí)是否會(huì)在發(fā)射區(qū)域中出現(xiàn)邊緣缺陷。參照?qǐng)D7b，當(dāng)通過(guò)所述錐度 減小層使襯底表面被平面化時(shí)，在象素邊緣處減小了錐角，所以在發(fā)射區(qū) 域邊緣處可以減少或者消除缺陷。圖7c示出了一張顯微鏡照片，其用于表 示當(dāng)具有和圖la和lb所示的相同結(jié)構(gòu)的OLED被驅(qū)動(dòng)時(shí)，在發(fā)射區(qū)域邊 緣處是否會(huì)出現(xiàn)邊緣缺陷。參照?qǐng)D7c,可以看到當(dāng)沒(méi)有使用所述錐度減小 層時(shí)，在發(fā)射區(qū)域的邊緣處會(huì)出現(xiàn)黑斑。在這種情況下，附圖標(biāo)記71表示 的是通孔附近的黑斑，而72表示的是接觸孔附近的黑斑。圖8示出了按照本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的底部發(fā)射OLED的剖面圖。 參照?qǐng)D8,在絕緣襯底500上形成緩沖層505,并且在緩沖層505上形成半 導(dǎo)體層510,該半導(dǎo)體層510具有源區(qū)511和漏區(qū)515。在柵極絕緣層520 上形成柵極525，并且源電極541和漏電極545通過(guò)接觸孔531和535形成 在層間絕緣層530上。在這種情況下，在層間絕緣層530上形成源電極541 和漏電極545的同時(shí)，形成數(shù)據(jù)線547。作為通過(guò)通孔555連接于源電極541和漏電極545之一、比如漏電^f及545的下電極，正電極570形成在鈍化層550上。在整個(gè)襯底上方淀積了厚 度為5000埃的象素定義層565之后，將該象素定義層565蝕刻使其具有60 度的錐角6 51，從而形成開口 575。在形成象素定義層565之后，在所述襯 底上淀積有機(jī)層，比如PEDOT,從而形成錐度減小層580,其中該有機(jī)層 通過(guò)濕式涂覆方法進(jìn)行涂覆，并且具有空穴遷移能力。在這種情況下，錐 度減小層580可以具有40度或者更小的開口 575的錐角6 51，并且錐度減 小層580的淀積厚度取決于該錐度減小層580的錐角、象素定義層585的 厚度以及開口 575的錐角。在錐度減小層580上淀積了有機(jī)薄膜層585、比如在圖6a所示的第一 實(shí)施例中，并且通過(guò)熱蒸發(fā)方法在有機(jī)薄膜層585上淀積了用于負(fù)電極5卯 的LiF/Al之后，鍵合密封襯底(未示出)從而制得根據(jù)本發(fā)明第二示例性 實(shí)施例的OLED。圖9a示出了在根據(jù)第二示例性實(shí)施例的OLED的發(fā)射區(qū)域附近的SEM 照片。參照?qǐng)D9a，可以看到由于形成了錐度減小層，在所述開口邊緣處的 錐角被減小至40度。圖9b示出了當(dāng)應(yīng)用了根據(jù)第二示例性實(shí)施例的錐度 減小層的OLED被驅(qū)動(dòng)時(shí)，發(fā)射區(qū)域邊緣的顯微鏡照片。參照?qǐng)D9b，可以 看到通過(guò)在象素定義層上形成錐度減小層，缺陷、比如發(fā)射區(qū)域邊緣處的 黑斑可以減少或者消除。圖9c示出了當(dāng)具有象素定義層并且采用了常規(guī)錐 度減小層的OLED被驅(qū)動(dòng)時(shí)，在發(fā)射區(qū)域邊緣處的顯微鏡照片。參照?qǐng)D9c， 可以看到即使使用了所述象素定義層，如果在開口邊緣處的錐角很大，仍 然會(huì)出現(xiàn)黑斑。圖10示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的頂部發(fā)射OLED的剖面 圖。參照?qǐng)D10,在絕緣層600上形成緩沖層605,并且在緩沖層605上形 成半導(dǎo)體層610，該半導(dǎo)體層610具有源區(qū)611和漏區(qū)615。在柵極絕緣層 620上形成柵極625,并且源電極641和漏電極645通過(guò)接觸孔631和635 形成在層間絕緣層630上。在這種情況下，當(dāng)在層間絕緣層630上形成源 電極641和漏電沖及645時(shí)，形成連線647,比如lt據(jù)線或者電源線。在鈍化層650上形成平面化層660，并且作為通過(guò)通孔655連接于源電 極641和漏電極645之一、比如漏電極645的下電極，正電極670形成在 平面化層660上。作為可通過(guò)濕式涂覆方法進(jìn)行涂覆并且具有空穴遷移能 力的有機(jī)層，PEDOT可被淀積在所述襯底上，從而形成錐度減小層680。在這種情況下，錐度減小層680可以具有60度或者更小的通孔錐角，并且 錐度減小層680的淀積厚度取決于該錐度減小層的錐角、平面化層660的 厚度以及所述通孔的錐角。在于錐度減小層680上形成有機(jī)薄膜層685和作為上電極的負(fù)電極690 之后、比如在第一示例性實(shí)施例中那樣，使用密封襯底(在附圖中沒(méi)有示 出)從而制得根據(jù)第三示例性實(shí)施例的OLED。圖11示出了根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的頂部發(fā)射OLED的剖面 圖。參照?qǐng)D11,在絕緣襯底700上形成緩沖層705，并且在緩沖層705上 形成半導(dǎo)體層710,該半導(dǎo)體層710具有源區(qū)711和漏區(qū)715。在柵極絕緣 層720上形成柵極725,并且源電才及741和漏電極745通過(guò)接觸孔731和 735形成在層間絕緣層730上。在這種情況下，當(dāng)在層間絕緣層730上形成 源電極741和漏電極745時(shí)，形成連線747,比如數(shù)據(jù)線或者電源線。在鈍化層750上形成平面化層760,并且作為通過(guò)通孔755連接于源電 極741和漏電極745之一、比如漏電極745的下電極，正電極770形成在 平面化層760上。接著形成象素定義層765,該象素定義層765具有用于暴 露正電極770的一部分的開口 775。作為可通過(guò)濕式涂1_方法進(jìn)行涂覆并且 具有空穴遷移能力的有機(jī)層，PEDOT可以被淀積在所述襯底上，從而形成 錐度減小層780。在這種情況下，錐度減小層780可以具有40度或者更小 的開口 775的錐角，并且錐度減小層780的淀積厚度取決于該錐度減小層 的錐角、象素定義層的厚度以及象素定義層的錐角。在于錐度減小層780 上形成用于上電極的負(fù)電極790和有機(jī)薄膜層785之后，比如在第一示例 性實(shí)施例中那樣，使用密封襯底(在附圖中沒(méi)有示出)來(lái)制得根據(jù)第四示 例性實(shí)施例的OLED。圖12示出了根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例的底部發(fā)射OLED的剖面 圖。參照?qǐng)D12,在絕緣襯底800上形成緩沖層805,并且在緩沖層805上 形成半導(dǎo)體層810,該半導(dǎo)體層810具有源區(qū)811和漏區(qū)815。在柵極絕緣 層820上形成4冊(cè)極825，并且源電極841和漏電才及845通過(guò)4姿觸孔831和 835形成在層間絕緣層830上。在這種情況下，在層間絕緣層830上形成正 電極870以連接到源電極841和漏電極845之一 、比如漏電極845 。在所述襯底上形成鈍化層850,該鈍化層850具有用于暴露正電極870 的一部分的開口 855。在開口 855和鈍化層850上形成錐度減小層880,該錐度減小層880由導(dǎo)電有機(jī)層制成，比如PEDOT,所述導(dǎo)電有機(jī)層可以通 過(guò)濕式涂覆方法進(jìn)行涂覆。錐度減小層880可以具有40度或者更小的開口 中的錐角，并且錐度減小層880的厚度取決于該錐度減小層880的錐角、 鈍化層850的厚度以及所述開口的錐角。在于錐度減小層880上形成用于 上電極的負(fù)電極890和有機(jī)薄膜層885之后，比如在第一示例性實(shí)施例中 那樣，鍵合密封襯底(在附圖中沒(méi)有示出)從而制得按照第五示例性實(shí)施 例的OLED。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，有機(jī)薄膜層具有空穴注入層，空穴遷移 層，R、 G或B有機(jī)發(fā)射層以及電子遷移層。但是，它可以具有下述層中的 至少一個(gè)空穴注入層，空穴遷移層，R、 G或B有機(jī)發(fā)射層，空穴阻擋層， 電子遷移層和/或電子注入層。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，其中有機(jī)發(fā)射層被淀積在正電極上的頂 部發(fā)射和底部發(fā)射OLED均將具有空穴遷移能力的有機(jī)層用于錐度減小層。 但是，在其中有機(jī)發(fā)射層被淀積在負(fù)電極上的倒置型OLED中也可以將具 有電子遷移能力的有機(jī)層用于錐度減小層。此外，在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，錐度減小層被表示為形成于正電 極和有機(jī)薄膜層之間。但是，在頂部發(fā)射和底部發(fā)射OLED中，也能夠?qū)?錐度減小層形成在存在于有機(jī)薄膜層的發(fā)射層與正電極之間的任何層上。 還能夠在倒置型OLED中將所述錐度減小層形成在存在于有機(jī)薄膜層的發(fā) 射層與負(fù)電極之間的任何層上。此外，通過(guò)使用本發(fā)明的錐度減小層來(lái)減小襯底表面的錐角的方法可 以使用各種方法來(lái)形成機(jī)發(fā)射層，比如淀積方法、噴射方法(inkjet method) 以及激光誘導(dǎo)熱成像，但并不局限于此。如上所述，通過(guò)按照本發(fā)明的示例性實(shí)施例形成能夠減小有機(jī)發(fā)射層 與下電極之間的錐角的有機(jī)薄膜層，可以防止在接觸孔和通孔附近以及下 電極的臺(tái)階部分處的缺陷，并且防止有機(jī)發(fā)射層的缺陷，并改善了可靠性 和成品率。盡管已經(jīng)參照各種示例性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是需要理解 的是，提供本公開是為了通過(guò)實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明，而并非限制本發(fā)明的范圍。 本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的范圍和實(shí)質(zhì)的條件下對(duì)本發(fā)明的示 例性實(shí)施例進(jìn)4亍》務(wù)改和變化。
權(quán)利要求
1、一種平板顯示器，包括一絕緣襯底，其包括至少具有源電極和漏電極的一薄膜晶體管；一絕緣層，其形成于所述絕緣襯底上并且具有用于暴露所述源電極和漏電極之一的一通孔；一有機(jī)EL元件，其形成于所述絕緣層上并且通過(guò)所述通孔連接到所述暴露的一個(gè)電極，該有機(jī)EL元件具有一下電極、一有機(jī)薄膜層以及一上電極；以及一錐度減小層，其形成于所述下電極上，其中在所述通孔中的所述錐度減小層的錐角具有小于該通孔的錐角的一第一錐角，并且在所述下電極邊緣處的所述錐度減小層的錐角具有小于該下電極邊緣的錐角的一第二錐角。
2、 如權(quán)利要求1中所述的平板顯示器，其中所述有機(jī)薄膜層包括發(fā)射 層、或者發(fā)射層和從空穴注入層、空穴遷移層、空穴阻擋層、電子遷移層 以及電子注入層構(gòu)成的組中選取的至少一個(gè)，以及所述發(fā)射層是從通過(guò)激光誘導(dǎo)熱成像形成的有機(jī)薄膜層、通過(guò)噴射方 法形成的有機(jī)薄膜層以及通過(guò)淀積方法形成的有機(jī)薄膜層所構(gòu)成的組中選 取的任何一個(gè)。
3、 如權(quán)利要求2中所述的平板顯示器，其中所述錐度減小層是一導(dǎo)電 有機(jī)層，該導(dǎo)電有機(jī)層通過(guò)濕式涂覆方法被涂覆并且具有電荷遷移能力， 所述錐度減小層形成在所述上電極與所述發(fā)射層之間。
4、 如權(quán)利要求3中所述的平板顯示器，其中所述錐度減小層包括從小 分子有機(jī)層和聚合物有機(jī)層構(gòu)成的組中選取的至少一個(gè)，所述小分子有機(jī) 層選自?？ㄟ蚧⒎蓟坊?、腙基、芪基、呃二唑基以及星爆炸基衍生物， 并且所述聚合物有機(jī)層選自于PEDOT、 PANI、?？ㄟ蚧?、芳基胺基、二萘嵌 苯基、吡咯基以及呃二唑基衍生物。
5、 如權(quán)利要求1中所述的平板顯示器，其中所述錐度減小層的所述第一 錐角為60度或者更小，而所述錐度減小層的所述第二錐角為40度或者更小。
6、 如權(quán)利要求5中所述的平板顯示器，其中所述絕緣層包括從鈍化層 和平面化層構(gòu)成的組中選取的至少一個(gè)，以及所述錐度減小層的淀積厚度取決于該錐度減小層的所述第 一和第二錐 角、所述鈍化層和所述平面化層的厚度，所述通孔的錐角以及正電極邊緣 的錐角。
7、 如權(quán)利要求1中所述的平板顯示器，其中所述下電極是一反射電極， 所述上電極是一透明電極，從所述發(fā)射層發(fā)出的光被導(dǎo)向所述絕緣襯底的 沖目反方向，以及當(dāng)所述下電極是正電極時(shí)，所述錐度減小層具有空穴遷移能力，至少4.5eV的最高已占分子軌道，以及至少l(r8cm2/Vs的電荷遷移率，而當(dāng)所述 下電極是負(fù)電極時(shí)，所述錐度減小層具有電子遷移能力，至少3.5eV的最低 未填充分子軌道，以及至少l(T8cm2/Vs的電荷遷移率。
8、 一種平板顯示器，包括一絕緣襯底，其包括一薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括一具有源區(qū)和 漏區(qū)的半導(dǎo)體層、 一具有用于暴露所述源區(qū)和漏區(qū)的一部分的接觸孔的第 一絕緣層以及通過(guò)所述接觸孔連接到所述源區(qū)和漏區(qū)的源電極和漏電極；一第二絕緣層，其形成于所述絕緣襯底上并且具有用于暴露所述源電 才及和漏電4及之一 的 一通孔；一電致發(fā)光元件，其形成于所述第二絕緣層上并且通過(guò)所述通孔連接 到所述薄膜晶體管的一個(gè)電極，該電致發(fā)光元件具有一下電極、 一有機(jī)薄 膜層以及一上電極；以及一錐度減小層，其形成于所述下電極上，其中在所述接觸孔中的所述錐度減小層的錐角具有小于該接觸孔的錐 角的一第一錐角，在所述通孔中的所述錐度減小層的錐角具有小于該通孔 的錐角的一第二錐角，并且在所述下電極邊緣處的所述錐度減小層的錐角 具有小于該下電極邊緣的錐角的一第三錐角。
9、 如權(quán)利要求8中所述的平板顯示器，其中所述有機(jī)薄膜層包括發(fā)射 層、或者發(fā)射層和從空穴注入層、空穴遷移層、空穴阻擋層、電子遷移層 以及電子注入層構(gòu)成的組中選取的至少一個(gè)，并且所述發(fā)射層是從通過(guò)激 光誘導(dǎo)熱成像形成的有機(jī)薄膜層、通過(guò)噴射方法形成的有機(jī)薄膜層以及通 過(guò)淀積方法形成的有機(jī)薄膜層所構(gòu)成的組中選取的一個(gè)有機(jī)層。
10、 如權(quán)利要求9中所述的平板顯示器，其中所述錐度減小層是一導(dǎo) 電有機(jī)層，該導(dǎo)電有機(jī)層通過(guò)濕式涂覆方法被涂覆并且具有電荷遷移能力，所述錐度減小層形成在所述上電極與所述發(fā)射層之間。
11、 如權(quán)利要求10中所述的平板顯示器，其中所述錐度減小層由從小 分子有機(jī)層和聚合物有機(jī)層構(gòu)成的組中選取的至少一個(gè)所組成，所述小分 子有機(jī)層選自吵唑基、芳基胺基、腙基、芪基、呃二唑基以及星爆炸基衍生物，并且所述聚合物有機(jī)層選自于PEDOT、 PANI、?？ㄟ蚧?、芳基胺基、 二萘嵌苯基、吡咯基以及呃二唑基衍生物。
12、 如權(quán)利要求8中所述的平板顯示器，其中所述第一、第二和第三 錐角分別為60度或者更小、60度或者更小以及40度或者更小。
13、 如權(quán)利要求8中所述的平板顯示器，其中所述絕緣層由從鈍化層 和平面化層構(gòu)成的組中選取的任何一個(gè)組成，以及所述錐度減小層的淀積厚度取決于該錐度減小層的所述第 一、第二和 第三錐角、所述絕緣層的厚度、所述通孔和接觸孔的錐角、所述下電極的 厚度以及所述下電極邊緣處的錐角。
14、 如權(quán)利要求8中所述的平板顯示器，其中所述下電極是一透明電 極，所述上電極是一反射電極，從所述發(fā)射層發(fā)出的光被導(dǎo)向所述絕緣襯 底，以及當(dāng)所述下電極是正電極時(shí)，所述錐度減小層具有空穴遷移能力，至少 4.5eV的最高已占分子軌道，以及至少l(T8cm2/Vs的電荷遷移率，而當(dāng)所述 下電極是負(fù)電極時(shí)，所述錐度減小層具有電子遷移能力，至少3.5eV的最低 未填充分子軌道，以及至少lCT8cm2/Vs的電荷遷移率。
15、 一種平板顯示器，包括一絕緣襯底，其包括一薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括一具有源區(qū)和 漏區(qū)的半導(dǎo)體層、 一具有用于暴露所述源區(qū)和漏區(qū)的某些部分的接觸孔的 第一絕緣層，并且薄膜晶體管具有通過(guò)所述接觸孔連接到所述源區(qū)和漏區(qū) 的源電4及和漏電才及；一下電極，其與所述源電極和漏電極形成于相同的所述第 一絕緣層上 并且連接到所述源電極和漏電極之一；一第二絕緣層，其具有用于暴露所述下電極的一部分的一開口；一有機(jī)薄膜層，其形成于所述第二絕緣層和所述開口上；一上電極，其形成于所述有機(jī)薄膜層上；以及一錐度減小層，其形成于所述下電極上，其中在所述接觸孔中的所述錐度減小層的錐角具有小于該接觸孔的錐 角的一第一錐角，并且在所述開口中的所述錐度減小層的錐角具有小于該 開口的錐角的一第二錐角。
16、 如權(quán)利要求15中所述的平板顯示器，其中所述有機(jī)薄膜層包括發(fā)射層、或者發(fā)射層和從空穴注入層、空穴遷移層、空穴阻擋層、電子遷移 層以及電子注入層構(gòu)成的組中選取的至少 一 個(gè)，以及所述發(fā)射層是從通過(guò)激光誘導(dǎo)熱成像形成的有機(jī)薄膜層、通過(guò)噴射方 法形成的有機(jī)薄膜層以及通過(guò)淀積方法形成的有機(jī)薄膜層所構(gòu)成的組中選 耳又的一個(gè)。
17、 如權(quán)利要求16中所述的平板顯示器，其中所述錐度減小層是一導(dǎo) 電有機(jī)層，該導(dǎo)電有機(jī)層通過(guò)濕式涂覆方法被涂覆并且具有電荷遷移能力， 所述錐度減小層形成在所述上電極與所述發(fā)射層之間。
18、 如權(quán)利要求17中所述的平板顯示器，其中所述錐度減小層由從小 分子有機(jī)層和聚合物有機(jī)層構(gòu)成的組中選取的至少一個(gè)所組成，所述小分 子有機(jī)層選自?？ㄟ蚧?、芳基胺基、腙基、芪基、呃二唑基以及星爆炸基衍 生物，并且所述聚合物有機(jī)層選自PEDOT、 PANI、。卡唑基、芳基胺基、二 萘嵌苯基、吡咯基以及呃二唑基衍生物。
19、 如權(quán)利要求15中所述的平板顯示器，其中所述錐度減小層的所述 第一錐角為60度或者更小，而所述錐度減小層的所述第二錐角為40度或 者更小。
20、 如權(quán)利要求15中所述的平板顯示器，其中所述第一絕緣層是一層 間絕緣層；所述第二絕緣層是一鈍化層；并且所述錐度減小層的淀積厚度 取決于該錐度減小層的所述第一和第二錐角、所述層間絕緣層和所述鈍化 層的厚度以及所述接觸孔和開口的錐角。
21、 如權(quán)利要求15中所述的平板顯示器，其中所述下電極是一透明電 極，所述上電極是一反射電極，從所述發(fā)射層發(fā)出的光被導(dǎo)向所述絕緣襯 底，以及當(dāng)所述下電極是正電極時(shí)，所述錐度減小層具有空穴遷移能力，至少 4.5eV的最高已占分子軌道，以及至少l(T8cm2/Vs的電荷遷移率，而當(dāng)所述 下電極是負(fù)電極時(shí)，所述錐度減小層具有電子遷移能力，至少3.5eV的最低 未填充分子軌道，以及至少l(T8cm2/Vs的電荷遷移率。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光器件，其通過(guò)減小襯底表面的錐角來(lái)防止元件缺陷并提高圖像質(zhì)量。本發(fā)明的平板顯示器包括一絕緣襯底；一下部層，其形成于絕緣襯底上并且具有相對(duì)于襯底表面的第一臺(tái)階和第一錐角；以及一上部層，其形成于絕緣襯底上，用于減小下部層的錐角。上部層具有小于下部層的第一錐角的第二錐角。上部層是一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層可通過(guò)濕式涂覆方法被涂覆并且具有電荷遷移能力，該導(dǎo)電層選自小分子有機(jī)層和聚合物有機(jī)層中的至少一個(gè)，其中小分子有機(jī)層包括咔唑基、芳胺基、腙基、芪基、呃二唑基以及星爆炸基衍生物，聚合物有機(jī)層包括PEDOT、PANI、咔唑基、芳基胺基、二萘嵌苯基、吡咯基以及呃二唑基衍生物。
文檔編號(hào)H05B33/22GK101257038SQ20081008199
公開日2008年9月3日 申請(qǐng)日期2004年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月26日
發(fā)明者宋明原, 李城宅, 金茂顯, 陳炳斗 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社