專利名稱：用于磁場增強(qiáng)等離子體反應(yīng)器中成形磁場的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體增強(qiáng)的半導(dǎo)體襯底處理系統(tǒng)，以及更尤其涉及一種用 于在磁性增強(qiáng)等離子體反應(yīng)器中成形磁場的方法和裝置。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體晶圓處理腔室通常采用等離子體來增強(qiáng)用于在硅襯底或其它工件 上制造半導(dǎo)體器件的各種工藝的性能。該工藝包括濺射蝕刻、等離子體增強(qiáng)化 學(xué)蝕刻、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積和離子化濺射沉積。在等離子體中的高能 量級別的反應(yīng)物一般增加制造工藝的速度，并降低半導(dǎo)體工件必須保持以執(zhí)行工藝的溫度o磁性增強(qiáng)等離子體腔室(也稱為反應(yīng)室)采用磁場來增加等離子體中帶電 顆粒的密度以進(jìn)一步增加等離子體增強(qiáng)制造工藝的速度。增加工藝速度是非常 有利地，原因在于制造半導(dǎo)體器件的成本與制造所需的時(shí)間成正比。盡管有該優(yōu)點(diǎn)，但是許多商用的等離子體腔室不采用磁性增強(qiáng)，原因在于 已經(jīng)發(fā)現(xiàn)磁性增強(qiáng)增加了破壞晶圓上半導(dǎo)體器件的可能性。該破壞由在晶圓上 的非均勻電子密度引起，原因在于磁場的空間等值線被較差地優(yōu)化。圖1描述了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)適于蝕刻或化學(xué)氣相沉積的磁性增強(qiáng)等離子體腔室5的示意性橫截面視圖。圖2描述了腔室5的橫截面俯視圖。真空腔室5 由八角側(cè)壁12、圓形底壁14和圓形頂壁或蓋16圍繞。蓋16和底壁14可以 為電介質(zhì)或者金屬。電接地的陽極18安裝在蓋16的底部。陽極為有孔的以用 作進(jìn)氣口，穿過該進(jìn)氣口工藝氣體進(jìn)入腔室。側(cè)壁12可以為電介質(zhì)或金屬。 如果側(cè)壁為金屬，則該金屬必須為非磁性金屬，諸如陽極化鋁，以不被由腔室 5外部的一組電磁線圈6、 7、 8和9產(chǎn)生的磁場干擾。如果側(cè)壁為金屬，則其 將用作部分陽極。半導(dǎo)體晶圓或工件20安裝在陰極22上，其反過來，安裝在腔室5的下端 中。真空泵，未示出，通過排氣歧管23排出來自腔室5的氣體并保持腔室5中的總氣壓在足夠低的級別以有助于產(chǎn)生等離子體，通常在10毫托到20托的 范圍中，通常分別利用在該范圍的較低和較高端的壓力進(jìn)行蝕刻或CVD工藝。RF電源24通過串聯(lián)耦合的電容器26或匹配電路(未示出)連接到陰極 底座22。 RF電源24在陰極底座22和接地陽極18之間提供RF電壓，其將腔 室內(nèi)的氣體激發(fā)為等離子體狀態(tài)。等離子體具有相對于陰極或陽極的時(shí)間平均 正DC電勢或電壓，其加速離子化的工藝氣體成分以轟擊陰極和陽極。等離子體的磁性增強(qiáng)最通常是通過陰極和陽極之間區(qū)域中的DC磁場來 實(shí)現(xiàn)。磁場的方向通常與腔室5的縱軸成橫向(transverse)，即，與在陰極和 陽極之間延伸的軸橫向。永久磁體或電磁體的各種配置常規(guī)用于提供該橫向的 磁場。 一種該配置為在圖1中示出的成對線圈6、 7，設(shè)置在柱狀腔室側(cè)壁12 的相對側(cè)上。圖2描述了圖1的腔室的橫截面仰視圖，其示出了相對的線圈對 6、 7、 8和9的方向。 一般地，每個(gè)線圈的直徑約等于兩個(gè)線圈之間的間距。 每對相對線圈6、 7、 8和9串聯(lián)連接并與DC電源同相位，未示出，從而它們 產(chǎn)生了在線圈對之間區(qū)域中附加的橫向磁場。橫向磁場在圖1和圖2中通過沿 著負(fù)X軸的向量B表示出。該磁性增強(qiáng)等離子體腔室的實(shí)施例在1993年6月 1日授權(quán)的共同轉(zhuǎn)讓的美國專利No.5， 215， 619中進(jìn)行了描述，在此引入其 全部內(nèi)容作為參考。因?yàn)榈入x子體具有相對于陰極22的正時(shí)間平均電勢或電壓，在鄰近陰極 的等離子體預(yù)鞘中的時(shí)間平均電場E從等離子體朝向陰極向下導(dǎo)向，從而給在 預(yù)鞘中的自由電子其時(shí)間平均值朝等離子體向上的漂移速度向量，如通過圖1 中的向量Ve表示。響應(yīng)DC磁場向量B，這些自由電子將主要地經(jīng)受qvXB 力，導(dǎo)致電子和離子在一般沿磁場向量的螺旋形路徑中運(yùn)動(dòng)。另外，電子和離 子由于螺旋運(yùn)動(dòng)和電場的結(jié)合而經(jīng)受另一時(shí)間平均力。這通常稱為EXB漂移， 其漂移方向與半導(dǎo)體晶圓20近似共面，并與磁場向量B正交，如通過沿Y軸 定向的EXB向量在圖2中所示。在該討論中，術(shù)語"時(shí)間平均"指等離子體被激發(fā)的RF頻率或多個(gè)頻率 的一個(gè)周期中的平均值，該周期通常小于10-7秒。由于，在一個(gè)RF周期上的 時(shí)間平均與相對于通常具有在大約0.2到4秒旋轉(zhuǎn)周期的工件的磁場可選方向 的時(shí)間平均無關(guān)。電子圍繞磁場向量螺旋運(yùn)動(dòng)的頻率為f-(qB)/27tm，其中q 為電荷，B為磁場強(qiáng)度(高斯)，以及f為頻率(Hertz)。例如，35G的磁場將導(dǎo)致圍繞螺旋持續(xù)大約10一秒的一個(gè)旋轉(zhuǎn)。這比RF頻率長，但是遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于0.2到4秒的磁場旋轉(zhuǎn)。一般認(rèn)為自由電子的EXB漂移是傳統(tǒng)磁性增強(qiáng)等離子體腔室中的主要半 導(dǎo)體器件破壞源。具體地， 一般認(rèn)為EXB漂移可不均勻分布等離子體預(yù)鞘中 的自由電子，并導(dǎo)致離子通量中的不一致。 一般認(rèn)為轟擊晶圓的離子通量的空 間不均勻在晶圓中產(chǎn)生電流，其通常破壞晶圓上的半導(dǎo)體器件。傳統(tǒng)的磁性增強(qiáng)等離子體腔室試圖提供相對于晶圓緩慢地旋轉(zhuǎn)磁場而改 善該不均勻，通常在每秒四分之一至五個(gè)旋轉(zhuǎn)的范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)頻率下。在一些 設(shè)計(jì)中，晶圓20或磁體6、 7、 8和9為物理旋轉(zhuǎn)。在其它設(shè)計(jì)中，如在圖2 中所示，旋轉(zhuǎn)通過提供彼此正交配置的兩個(gè)線圈對6、 7和8、 9而電子執(zhí)行。 通過接連且周期性地將DC電源連接到具有陽極性的第一線圈對6、 7 (2)到 具有陽極性的第二線圈對8、 9; (3)到具有陰極性的第一線圈對6、 7;以及 (4)到具有陰極性的第二線圈對8、 9，磁場可以90°增量旋轉(zhuǎn)?？蛇x地，通 過由具有連接的正交輸出的甚低頻率(在O.l-lOHz的范圍內(nèi))電源替代DC 電源，來向第一線圈對6、 7提供與第二線圈對8、 9中所提供的電流相位偏移 90。的電流，磁場可連續(xù)地旋轉(zhuǎn)。相對于晶圓旋轉(zhuǎn)磁場，將極大地減小轟擊晶圓的離子通量中的時(shí)間平均空 間非均勻性，并從而可提供晶圓表面上的蝕刻速度(在蝕刻腔室中)或沉積速 度(在CVD腔室中)的可接受的空間均勻性。然而，旋轉(zhuǎn)磁場并不能以任何 方式改善晶圓表面上離子通量的瞬間空間均勻性，并因此不能完全地解決在磁 性增強(qiáng)等離子體腔室中半導(dǎo)體器件破壞的問題。2000年9月5日授權(quán)的美國專利6， 113， 731公開了通過驅(qū)動(dòng)經(jīng)過相鄰 的線圈對6、 9和7、 8的電流使得磁場梯度在整個(gè)晶圓表面上橫向地產(chǎn)生而進(jìn) 一步解決E X B漂移問題的一種方法和裝置。在圖2中，由驅(qū)動(dòng)穿過線圈7、 8的第一電流而產(chǎn)生的磁場通過箭頭10 表示出，而由驅(qū)動(dòng)穿過線圈6、9的第二電流而產(chǎn)生的磁場通過箭頭11表示出。 第一電流小于第二電流，從而磁場IO小于磁場11，從而產(chǎn)生磁場梯度，艮P， 磁場成形。電流的比率產(chǎn)生梯度的特定形狀。該比率對于每個(gè)工藝體系優(yōu)化， 以產(chǎn)生幾乎均勻的等離子體。對于多數(shù)工藝體系，電流比率在0.1到0.7的范 圍內(nèi)。通過增加原來具有低蝕刻速度的晶圓區(qū)域中的磁場量，以及通過減小原來具有高蝕刻速度的晶圓區(qū)域中的磁場量，非均勻的磁場在腔室內(nèi)產(chǎn)生更均勻 的離子通量。然后，磁場梯度調(diào)整至使用于每個(gè)工藝條件的離子通量均勻性最 優(yōu)的形狀。最優(yōu)化的磁場梯度取決于用于產(chǎn)生磁場的硬件配置。隨著晶圓上使 用的越來越小的特征尺寸，產(chǎn)生幾乎均勻的離子通量的要求變得越來越嚴(yán)格， 尤其在特定的工藝體系中，以防止對形成于晶圓上的電路的破壞。最優(yōu)化的梯 度可在靜止位置中產(chǎn)生，然而當(dāng)電流轉(zhuǎn)換到下一個(gè)線圈對以使等離子體旋轉(zhuǎn) 時(shí)，等離子體"跳"起90。。該"跳"形成等離子體工藝中非連續(xù)性，其可破 壞襯底或引起非均勻處理。因此，在本領(lǐng)域中需要一種方法和裝置，用于控制磁性增強(qiáng)等離子體腔室 內(nèi)的磁場梯度。發(fā)明內(nèi)容與現(xiàn)有技術(shù)有關(guān)的缺點(diǎn)可通過在磁性增強(qiáng)等離子體反應(yīng)器內(nèi)提供改善的 磁場梯度形狀以產(chǎn)生均勻的等離子體的一種方法和裝置克服。在本發(fā)明的一個(gè) 示例性實(shí)施方式中，提供多個(gè)重疊的主磁線圈部分并且形成一般平行于襯底支 撐構(gòu)件頂表面的磁場。重疊的磁線圈產(chǎn)生具有比現(xiàn)有技術(shù)改善形狀的磁場。在 本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，子磁線圈結(jié)合主磁線圈(無論重疊或者不重疊)使 用以提供對磁場形狀的更大控制。在數(shù)個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)磁場旋轉(zhuǎn)時(shí)，場控制 用于在過渡期間提供瞬時(shí)磁場的最優(yōu)化形狀以及幾乎連續(xù)的場形狀。在一個(gè)實(shí)施方式中， 一種用于在工藝腔室中旋轉(zhuǎn)磁場的方法包括形成具有主形狀(primary shape)的磁場；將所述主形狀該改變?yōu)橹辽賰蓚€(gè)連續(xù)的過 渡形狀；以及將所述過渡形狀改變?yōu)樾D(zhuǎn)后的主形狀?？蛇x地，所述磁場可在 整個(gè)每個(gè)步驟中保持為大約恒定的大小?？蛇x地，供應(yīng)到一個(gè)或多個(gè)磁場產(chǎn)生 線圈的一支電流的最大值等于零或者具有在任何兩個(gè)相鄰步驟之間反轉(zhuǎn)的極 性。


因此，為了獲得并能詳細(xì)理解本發(fā)明的以上陳述特征，參照在附圖中示出 的實(shí)施方式對以上的概述進(jìn)行了對本發(fā)明更加詳細(xì)的描述。然而，應(yīng)該注意附圖僅示出了本發(fā)明的典型實(shí)施方式，因?yàn)椴荒芾斫鉃閷Ρ景l(fā)明范圍的限制，因?yàn)楸景l(fā)明還承認(rèn)其它等效的實(shí)施方式。另外，為了簡潔， 簡化了附圖并且附圖可能并沒有按比例繪出。盡可能地，相同的附圖標(biāo)記用于 指示附圖中共有的元件。圖1是傳統(tǒng)的干刻腔室的橫截面?zhèn)纫晥D；圖2是在圖1中示出的干刻腔室的磁場產(chǎn)生器的橫截面俯視圖； 圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的具有延長寬度的磁線圈的工藝腔室 的俯視示意圖；圖4A-C描述了分別由主線圈、子磁線圈以及主與子磁線圈兩個(gè)所產(chǎn)生的磁場的俯視示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的都具有延長寬度的主磁線圈和子磁線圈的工藝腔室的俯視示意圖；圖6是在圖5中示出的兩個(gè)主磁線圈和子磁線圈的俯視圖；圖7是在圖6中示出的主磁線圈部分和子磁線圈的側(cè)視圖；圖7A描述了圖7的線圈配置的雙線繞方案的示意電路圖；圖8A-8C是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的產(chǎn)生磁場的過渡圖；圖9-17是根據(jù)本發(fā)明的磁線圈配置的各種實(shí)施方式的俯視圖；圖18A-18B描述了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有水平子磁線圈的線圈配置的透視圖；圖19A-19C描述了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的具有垂直和水平子磁線圈的線 圈配置的透視圖；圖20A和圖20B描述了經(jīng)過在圖19A和19B的線圈配置的電流流動(dòng)；圖21描述了根據(jù)本發(fā)明的磁線圈配置的又一透視圖；圖22A-22K描述了本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方式的磁場模擬結(jié)果；圖23描述了 4-線圈腔室的傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)方法；圖24描述了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式旋轉(zhuǎn)磁場的方法的簡化流程圖；圖25描述了示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式并適于用于具有四個(gè)線圈的 工藝腔室中的磁場旋轉(zhuǎn)次序的表格；圖26描述了示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式并適于用于具有四個(gè)線圈的 工藝腔室中的另一磁場旋轉(zhuǎn)次序的表格；圖27A-27C描述了在整個(gè)各種旋轉(zhuǎn)方法中四個(gè)線圈腔室中磁場的示意圖；圖28A和圖28B描述了整個(gè)各種旋轉(zhuǎn)方法中相對線圈電流隨時(shí)間的圖； 圖29描述了在八個(gè)線圈腔室中磁場的示意性俯視圖；圖30A-C描述了在八個(gè)線圈腔室中旋轉(zhuǎn)磁場的方法的實(shí)施方式的示意性 附圖；圖31A-C描述了在整個(gè)各種旋轉(zhuǎn)方法中相對線圈電流隨時(shí)間的圖；圖32描述了示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式并適于用于具有八個(gè)線圈的 工藝腔室中的磁場旋轉(zhuǎn)次序的表格；圖33描述了用于在具有八個(gè)相等尺寸線圈的腔室中旋轉(zhuǎn)斜磁場的方法的 一個(gè)實(shí)施方式的示意性俯視圖和曲線圖；圖34描述了用于在具有八個(gè)相等尺寸線圈的腔室中旋轉(zhuǎn)平磁場的方法的 一個(gè)實(shí)施方式的示意性俯視圖和曲線圖；圖35描述了示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式并適于在具有八個(gè)相等尺寸線圈的工藝腔室中使用的磁場旋轉(zhuǎn)磁場的表格。
具體實(shí)施方式
圖3是根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)施方式的等離子體增強(qiáng)腔室5的圍繞側(cè)壁12 的磁線圈配置300的實(shí)施方式的俯視圖。特別地，圖3描述了主磁線圈302" 3022、 3023和3024 (共同地稱為主磁線圈302)和主電流源306A、 306B、 306C 和306D。同樣地，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，四個(gè)線圈由四支獨(dú)立的電流驅(qū)動(dòng)， 說明性地，線圈配置300的實(shí)施方式描述為具有基本八角形的平面形式。然而， 那個(gè)描述不意欲限制本發(fā)明的范圍。例如，根據(jù)本發(fā)明的線圈配置可以為圍繞 具有每個(gè)線圈覆蓋(或通過被覆蓋)至少部分鄰近線圈的腔室5的外圍的任意 配置。說明性地，每個(gè)主磁線圈302具有延長的寬度，使得每個(gè)線圈的部分重疊 (或被覆蓋)鄰近的主磁線圈302。盡管主磁線圈302描述為具有角落重疊， 但是該描述僅用于示意性目的。主磁線圈302可重疊大于或小于圖3中的描述。 利用重疊線圈的本發(fā)明的其它實(shí)施方式將在以下參照圖9-13和圖21進(jìn)行描 述。在腔室中，磁場一般等值(或成形)以抗擊ExB漂移，從而，在任何指 定時(shí)刻，存在高磁場角落和低磁場角落。相對易于控制位于低磁場角落(點(diǎn)C)中的磁場。然而，當(dāng)控制高磁場角落(點(diǎn)A)中的磁場時(shí)，困難產(chǎn)生。圖3描述了通過利用相對高電流驅(qū)動(dòng)線圈3022和3023 (箭頭304)以及利用相對低的 電流驅(qū)動(dòng)線圈302,和3024 (箭頭308)而產(chǎn)生的磁場的瞬間視圖。較大的磁線 圈(具有延長的寬度的線圈)允許較強(qiáng)地控制高磁場(點(diǎn)A)的大小而不影響 在點(diǎn)B和C處的磁場強(qiáng)度。由磁線圈302環(huán)繞的較大區(qū)域提供改進(jìn)的磁場梯 度。然而，主磁線圈302的尺寸由反應(yīng)腔室的尺寸限制。例如，由于反應(yīng)腔室 的磁場和其輔助硬件的放置， 一般地，磁體不能被制得較高。然而，磁體可制 得較寬以增加線圈面積。同樣，使磁體較寬產(chǎn)生較大的線圈面積以有利于改進(jìn) 的磁場形狀，例如，圖3的線圈302圍繞腔室5的圓周延長大于90°。圖9-21D(將在以下詳細(xì)描述)描述了允許更強(qiáng)地控制磁場形狀的示意性實(shí)施方式。 主電流源306A-D通過每個(gè)主磁線圈302驅(qū)動(dòng)電流。為了生成磁場，主電 流源306A和306B以相同方向電施加流到鄰近的主磁線圈302,和3022。為了 在腔室中產(chǎn)生有效的磁場梯度，電流源306C和306D施加電流以流入主磁線 圈3022和3024。另外，由主磁線圈3023和3024產(chǎn)生的相反磁場308比由主磁 線圈302!和3022產(chǎn)生的磁場的強(qiáng)度(magnitude)小。示意性地，四個(gè)電流源 描述為使電流經(jīng)過每個(gè)主磁線圈302流動(dòng)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)線圈對以在具有可配置磁場(CMF)的反應(yīng)器中產(chǎn)生磁場時(shí)，B-磁場在最接近鄰近線圈處高，即，磁場強(qiáng) 度在點(diǎn)A處的角落中最高，并且在晶圓到點(diǎn)C處降低。然后，電流在線圈對 之間轉(zhuǎn)換以選擇磁場。使用CMF技術(shù)的反應(yīng)器為由CA的Santa Clara的應(yīng)用 材料有限公司制造的eMxP+電介質(zhì)蝕刻反應(yīng)器。該反應(yīng)器為在2000年9月5 日授權(quán)的美國專利號6， 113， 731的主題，在此引入該專利的全部內(nèi)容作為參 考。在一些工藝中，相對的線圈(例如，302,和3023)由成對的電流驅(qū)動(dòng)，以 產(chǎn)生在襯底上延伸的磁場。對于最佳的工藝結(jié)果，期望磁場用平行的磁力線在 腔室上均勻地延伸。然而，如在圖4A中所述，當(dāng)驅(qū)動(dòng)線圈302i和3023時(shí)， 磁場400具有凸形，即，外部磁力線402向外彎曲。為了減輕該凸磁場形狀， 可提供具有凹形的校正磁場。圖4B描述了通過接近主磁線圈302,、 3022、 3023 和3024放置的子磁線圈502,、 5022、 5023和5024產(chǎn)生的凹形校正磁場404。將 在以下詳細(xì)討論，子磁線圈接近主磁線圈的端部放置。如在圖4C中描述，主 磁場和校正磁場的向量形成了在整個(gè)腔室上延伸的均勻磁場406。如在以下討論，增加該子磁線圈502,、 5022、 5023和5024提供大量其它優(yōu)點(diǎn)，包括對所有 瞬間磁場的額外的磁場形狀控制，以及當(dāng)磁場轉(zhuǎn)換以有利于磁場旋轉(zhuǎn)時(shí)用于控 制磁場形狀。校正磁場的應(yīng)用可推廣到由多種線圈配置產(chǎn)生。這些配置包括以圍繞腔室 的水平面、在圍繞腔室的垂直面中，或者兩者中產(chǎn)生校正磁場。利用該校正磁 場的本發(fā)明的可能實(shí)施方式的受限例子將在以下討論。本發(fā)明意欲包括提供校 正磁場用于成形由主線圈生成的磁場的線圈的任意組合。如在圖5中描述，對于在腔室中磁場形狀的更強(qiáng)控制，子磁線圈502"5022、 5023和5024 (共同稱為子磁線圈504)在策略上接近主磁線圈302放置。說明 性地，子磁線圈504接近主磁線圈302的重疊部分放置。子磁線圈504產(chǎn)生磁 場并允許"調(diào)諧"在角落里(例如，在重疊部分)產(chǎn)生的磁場。子磁線圈504 用于控制磁場的形狀。總磁場等值線可通過變化匝數(shù)、角度、寬度和分離的電 流驅(qū)動(dòng)而建立。線圈的角度和寬度允許在反應(yīng)器中放置多個(gè)線圈(即，較強(qiáng)的 磁影響)。在線圈中的更多匝數(shù)還提供較強(qiáng)的磁體。較強(qiáng)的磁體產(chǎn)生較強(qiáng)的磁 場并提供對磁場梯度的更大控制。盡管其便于在重疊部分中放置子線圈一但是 并不是必須的。在本發(fā)明的其它實(shí)施方式中，子磁線圈可鄰近(即，頭對頭) 主磁線圈放置(參見以下的圖16和17)。如將在以下詳細(xì)描述的，當(dāng)使用子 磁線圈時(shí)，主線圈建立磁場的初始形狀，并且子磁線圈然后用于調(diào)整(或糾正) 磁場等值線以實(shí)現(xiàn)最優(yōu)化的磁場形狀。為了實(shí)現(xiàn)期望的磁場等值線，驅(qū)動(dòng)電流通過每個(gè)子磁線圈504。特別地， 電流源308A和308B驅(qū)動(dòng)通過子磁線圈502,和5022的電流，以及電流源308C 和308D驅(qū)動(dòng)通過子磁線圈5023和5024電流。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)子磁 線圈504可由分離的電流源驅(qū)動(dòng)，從而高達(dá)八個(gè)電流源可用于驅(qū)動(dòng)主和子磁線 圈。該獨(dú)立的電流有利于對磁場形狀的全控制。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中， 四個(gè)電流源可用于向主磁線圈302和子磁線圈504提供電流。在該例子中，當(dāng) 使用四個(gè)電流源時(shí)，子磁線圈為具有每兩個(gè)繞組連接到不同的相鄰主磁線圈的 "雙線繞式"。該配置使用與在以上指出的現(xiàn)有eMxP+腔室中使用一樣數(shù)目的 電流。圖6是兩個(gè)主磁線圈302 (即，主磁線圈302,和3022)和子磁線圈504， 的俯視圖。主磁線圈302t具有中心部分410和重疊部分402與404。主磁線圈3022具有中心部分412和重疊部分406與408。盡管子線圈504,描述為放置在 主磁線圈302的外圍外部，但是該描述僅用于示意性目的。在圖6和圖7中描 述的實(shí)施方式中，子磁線圈504放置在重疊部分之間以及重疊部分的平面內(nèi)。 圖7是主磁線圈302 (即，主磁線圈302,和3022)和子磁線圈504,的側(cè) 視圖。圖7A描述了圖7的線圈配置的雙線繞式的示意性電路。子磁線圈50^ 為由兩個(gè)線圈504^和50418線繞在單一 "繞線管"上并且每個(gè)線圈5041A和 504,B分別串聯(lián)連接到主線圈302,和3022。另外地，子磁線圈504仏與主線圈 302i和子線圈504iA串聯(lián)布線。因而，四個(gè)電流源306A、 306B、 306C和306D 驅(qū)動(dòng)電流經(jīng)過四組三個(gè)線圈的每一組。同樣，每支電流提供三個(gè)串聯(lián)連接的線 圈驅(qū)動(dòng)，g卩，兩個(gè)子磁線圈和一個(gè)主線圈。每個(gè)主和子磁線圈以該方式線繞并 布線以使四個(gè)電流源成形并控制腔室內(nèi)的磁場。在蝕刻工藝期間，鄰近的磁線 圈以預(yù)定間隔生成相對強(qiáng)的磁場。通過鄰近的磁線圈的電流可在如箭頭所示的 相同方向流動(dòng)。特別地，圖7和圖7A描述了經(jīng)過主磁線圈302,和3022和子 磁線圈50+的電流流動(dòng)方向。注意到經(jīng)過主磁線圈302,和3022和子磁線圈504, 的電流以順時(shí)針方向流動(dòng)。同樣，電流相加并產(chǎn)生比如果電流以相反方向流動(dòng) 更大的磁場。圖8A-8C—起描述了用于旋轉(zhuǎn)蝕刻腔室中的磁場的過渡次序。圖8A描述 了磁場線圈在時(shí)間間隔(或者關(guān)于初始啟動(dòng)點(diǎn)的度數(shù))602、 604和606下的 不同磁場的現(xiàn)有技術(shù)應(yīng)用。例如，圖8A包含現(xiàn)有技術(shù)的磁線圈6、 7、 8和9; 高磁場620;和低磁場622。，在時(shí)間間隔602 (零度)，鄰近的磁線圈8和9 生成彎曲的高磁場620。在該相同的時(shí)間間隔期間，磁線圈6和7生成彎曲的 低磁場622。當(dāng)組合在一起對，這兩個(gè)彎曲的磁場620和622在腔室的襯底上 方形成凹形磁場。在從一對鄰近的線圈到另一對鄰近的線圈的過渡期間，其有 利于磁場旋轉(zhuǎn)，在蝕刻腔室中的等離子體在磁場旋轉(zhuǎn)時(shí)暫時(shí)跳起。為了提供光 滑的磁場，在時(shí)間間隔604 (四十五度)，高磁場624在線圈6和8之間通過 僅向線圈6和8施加電流而生成。在四十五度該高磁場624的生成有助于減少 等離子體中的跳起。在時(shí)間間隔606 (九十度)，彎曲的高磁場626通過磁線 圈6和9生成，同時(shí)低磁場628通過磁線圈7和8生成。在該點(diǎn)，旋轉(zhuǎn)完成。 然而，在時(shí)間間隔604的磁場梯度基本不同于在時(shí)間間隔602和606的梯度。圖8B描述了在時(shí)間間隔614、 616和618 (分別為零、四十五和九十度)高磁場的過渡，同時(shí)根據(jù)本發(fā)明保持現(xiàn)有磁場梯度。例如，圖8B包含主磁線圈302卜3022、 3023和3024;子磁線圈502" 5022、 5023和5024;高磁場630; 和低磁場632。在時(shí)間間隔614，彎曲的高磁場630在主磁線圈302,和3022 處生成，同時(shí)彎曲的低磁場632通過主磁線圈3023和3024生成。時(shí)間間隔616 提供從零到九十度較光滑的過渡，原因在于磁場梯度保持在45。位置。特別地， 電流應(yīng)用到生成高磁場634的子磁線圈5044和504,。另外，低磁場636由子 磁線圈5042和5043生成。注意在時(shí)間間隔616所生成的磁場彎曲使得它們具 有與在零度時(shí)的磁場一樣的形狀和梯度。在蝕刻腔室內(nèi)的一致、獨(dú)立的彎曲磁 場在腔室內(nèi)提供一致的磁場梯度。在時(shí)間間隔618 (90°)，電流應(yīng)用到生成 高磁場638的主磁線圈302,和3022。另外，低磁場640通過向磁線圈3022和 3023施加電流而生成。圖8C描述了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式使用線圈組合以在90。旋轉(zhuǎn)期間 實(shí)現(xiàn)基本光滑的磁場旋轉(zhuǎn)。該電流表示為相對于高磁場線圈電流的歸一化值并 且電流的方向通過正或負(fù)表示出。例如，在時(shí)間t。，磁場"BCD"由鄰近的磁 線圈3022和3023生成(即，磁線圈3023的極性與磁線圈3022的極性相反)。 電流也經(jīng)過子磁線圈504,和5043，以提供磁場"A"，其有助在鄰近的磁線圈 3022和3023的端部成形磁場。注意在子磁線圈50+中的電流極性與在子磁線 圈5 043中的電流極性相反。在tp電流施加到各個(gè)線圈302和504，使得縮減的磁場"CD"由鄰近的 磁線圈3022和3023生成。所描述的數(shù)量和相對極性表示相對的(歸一化的) 強(qiáng)度和所施加電流的極性。例如，經(jīng)過磁線圈302,的電流具有與子磁線圈5043 相反的極性。同樣，通過"A"所表示的磁場部分在5043和302i之間過渡。 子磁線圈504,使由"B"表示的部分磁場在子磁線圈504,和主磁線圈3023處 生成。過渡過程通過增加及減小主磁線圈302和子磁線圈504之間的電流而執(zhí) 行。在12，電流施加到子磁線圈50+和5043并且電流在主磁線圈302,處增加。 結(jié)果，由"B"所表示的磁場在主磁線圈302i和3023之間垂直移動(dòng)。由"C" 表示的部分磁場朝向子磁線圈50+過渡。在13，沒有電流施加到主磁線圈3022，并且施加到主磁線圈302,的電流 增加。因此，由"C"表示的部分磁場在主磁線圈302i和3023之間垂直流動(dòng)。在tp在主磁線圈3022的電流導(dǎo)通，以及在3023的電流降低。因此，由 "D"表示的部分磁場在主磁線圈3022和子磁線圈50+之間流動(dòng)。在15，在子磁線圈5043的電流截止，在主磁線圈3023的電流降低，并且 在主磁線圈3022的電流增加。因此，由"A" 、 "B" 、 "C"和"D"表示的 部分磁場在所示的線圈之間流動(dòng)。最后，在16，電流在主磁線圈3022處增加并且在主磁線圈3 023處截止。 因此，由"A"表示的磁場梯度在子磁線圈5042和5044之間流動(dòng)，以及由"BCD" 表示的磁場在主磁線圈302,和3022之間流動(dòng)，B卩，磁場已經(jīng)旋轉(zhuǎn)卯。同時(shí)在過 渡期間保持梯度。圖8C應(yīng)該考慮為使用本發(fā)明的實(shí)施方式用于旋轉(zhuǎn)磁場的一個(gè)實(shí)施例。其 它電流組合可產(chǎn)生有用的磁場旋轉(zhuǎn)。例如，參照以下根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式用 于旋轉(zhuǎn)磁場的其它方法的描述。圖9描述了圍繞柱狀工藝腔室701的磁線圈配置700的可選實(shí)施方式的俯 視圖。該配置類似于以上圖3和圖5中所示的配置，除了插入主線圈之外，例 如，對于每個(gè)線圈， 一端被重疊且一端重疊。磁線圈配置700包含重疊主磁線 圈702,、7022、 7023和7024(共同地稱為主磁線圈702)和可選的子磁線圈704,、 7042、 7043和7044 (共同地稱為主磁線圈704)。每個(gè)主磁線圈702具有重疊 鄰近主磁線圈的一端(在該處X是線圈號)和被另一鄰近的主磁線圈702重 疊的主磁線圈702x的另一端702xa。例如，該端702,b重疊端7024A以及端7021A 被端7022B重疊。注意定位每個(gè)主磁線圈702，使得任何主磁線圈702的端部 距離工藝腔室701的中心不等距。因?yàn)榫€圈放置在小角度，所以磁線圈可以被 制成比如果它們在共伺的圓柱體上排列的大(寬)。另外，子磁線圈704可以 鄰近主磁線圈702的重疊部分放置，以提供更大的磁場控制，如上關(guān)于圖8B 和圖8C所述。子磁線圈704可以在主線圈的平面中放置(如關(guān)于圖7所討論) 或者主線圈外部。應(yīng)該理解根據(jù)本發(fā)明可以使用其它實(shí)施方式，其利用具有比 在線圈配置700中所描述的主磁線圈702的角度大或小的角度的主磁線圈。圖9A描述了在圖9中的一個(gè)主磁線圈(線圈7024)的透視圖。主磁線圈 7024包含端702仏和7024B、頂部分708、底部分7082和內(nèi)部區(qū)域710。頂部 分708i和底部分7082彎曲并彼此基本平行。頂部分708,和底部分7082經(jīng)由端 部702仏和7024B連接。端702仏和70248基本彼此平行。主磁線圈70&包含由端7024a和7024b形成的內(nèi)部區(qū)域710、頂部分708!和底部分7082。圖10描述了圍繞柱狀工藝腔室701的磁線圈配置800的另一實(shí)施方式的 俯視圖。該配置與在圖3和圖5中所示的配置類似，除了現(xiàn)在腔室701是柱狀 而不是八角形之外。磁線圈800包含主磁線圈802,和8022 (共同地稱為主磁 線圈802)、主磁線圈804,和8042 (共同地稱為主磁線圈804)，和可選的子 磁線圈806,、 8062、 8063和8064 (共同地稱為子磁線圈806)。主磁線圈802 彼此相對設(shè)置，并且朝向彼此稍微彎曲，以部分圍繞工藝腔室701。每個(gè)主磁 線圈802覆蓋腔室701的圓周的約90°。主磁線圈804放置在主磁線圈802的 外部并且偏移主磁線圈802約90°。每個(gè)主磁線圈802、 804具有兩端。特別 地，主磁線圈802x (其中X為線圈號)具有端802xa和802xb，以及主磁線圈 804x具有804xa和804xB。主磁線圈804彼此相對放置并且朝向彼此稍微彎曲， 以部分圍繞工藝腔室701。另外，主磁線圈804重疊主磁線圈802。例如，主 磁端802"和8022B分別被端8041]3和804^重疊。另外，子磁線圈806可放置 在主磁線圈802和804的重疊部分中或附近或者主磁線圈802和804的外部。 圖11描述了圍繞柱狀工藝腔室701的磁線圈配置900的另一實(shí)施方式。 該配置類似于圖10的配置，除了每個(gè)主線圈覆蓋腔室圓周的約180。以及子磁 線圈與主線圈中心對齊。磁線圈配置900包含主磁線圈902,和9022 (共同地 稱為主磁線圈902)、主磁線圈904,和卯42 (共同地稱為主磁線圈904)，和 可選的子磁線圈卯6" 9062 、 9063和卯64 (共同地稱為子磁線圈卯6)。主磁 線圈902t和9022彼此相對設(shè)置，并且朝向彼此稍微彎曲，以部分圍繞工藝腔 室701?？臻g卯8在主磁線圈902的鄰近端之間形成。另外，每個(gè)主磁線圈902 覆蓋工藝腔室701的約180°圓周。主磁線圈90+和9042放置在主磁線圈902 外部，并向內(nèi)彎曲，并且彼此相對放置?？臻g910在主磁線圈904的鄰近端之 間形成。另外，主磁線圈904從主磁線圈902偏移約90°。每個(gè)主磁線圈904 覆蓋工藝腔室801的約180°圓周。線圈配置900類似于線圈配置800，除了在 線圈配置900中主磁線圈重疊比在線圈配置800中重疊更大部分之外。另外， 可選的子磁線圈卯6分別與主磁線圈902和904的空間908和910并列。在該 配置中，子磁線圈906的中心與各個(gè)主磁線圈902和904的中心對齊。一般地， 180度主磁線圈902和904在產(chǎn)生磁場梯度中不是非常有效。子磁線圈906的 添加改善了線圈配置產(chǎn)生磁場梯度的能力。如果線圈由八支獨(dú)立的電流驅(qū)動(dòng)，則該配置提供磁場形狀的充分控制?？蛇x地，該配置還可通過串聯(lián)布線以下線圈對904,和卯6n 902,和9062; 9042和9063以及9022和9064利用四支電流 操作。圖12描述了圍繞工藝腔室701的磁線圈配置1000的俯視圖的另一實(shí)施方 式。磁線圈配置IOOO包含主磁線圈1002r10028，(共同地稱為主磁線圈1002)。 每個(gè)主磁線圈1002彎曲。每個(gè)主磁線圈1002具有重疊鄰近的磁線圈1002x(其 中X為線圈號)的一端1002xA和被鄰近的另一磁線圈1002x重疊的一端 1002XB。另外，每個(gè)主磁線圈1002覆蓋大約45。以圍繞工藝腔室701。盡管圖 12描述了具有八個(gè)線圈的磁線圈配置IOOO，但是也可以使用其它實(shí)施方式(例 如，十六個(gè)磁線圈)。在使用十六個(gè)線圈的實(shí)施方式中，每個(gè)線圈覆蓋約22.5。 以圍繞工藝腔室701。 一般地，可使用任何號的重疊線圈。注意使用N個(gè)線圈 (其中N為大約1的整數(shù)，其中每個(gè)線圈具有覆蓋大于360/N度的寬度)， 則相對于具有不重疊的N個(gè)線圈的線圈配置，腔室中磁場的形狀改善，艮P， 較寬的線圈改善磁場形狀。圖13描述了圍繞工藝腔室701的磁線圈配置1100的另一實(shí)施方式的俯視 圖。線圈配置1100包含主磁線圈1102卜11022、 11023和11024 (共同地稱為 主磁線圈1102)，以及主磁線圈1104" 11042、 11043和11044 (共同地稱為 主磁線圈1104)。每個(gè)主磁線圈1102覆蓋約90。以圍繞工藝腔室701并具有 鄰近的主磁線圈1102。在每個(gè)鄰近的主磁線圈1102之間形成空間1108。主線 圈1104x彎曲并放置在主磁線圈1102x外部，使得主磁線圈1104的每端重疊 兩個(gè)鄰近的主磁線圈1102的端部(其中X為線圈號)。例如，主磁線圈端11042A 和11042B分別重疊主磁線圈端1 1022a和1102出。每個(gè)主磁線圈1104覆蓋約90° 以圍繞工藝腔室701。在鄰近的主磁線圈1104間形成空間1140。另外，主磁 線圈1104從主磁線圈1102偏移約卯。。圖14描述了圍繞工藝腔室701的磁線圈配置1200的另一實(shí)施方式的俯視 圖。該配置類似于圖3和圖5的配置，除了主線圈不重疊之外。該磁線圈配置 1200包含主磁線圈1202,、 12022、 12023和12024 (共同地稱為主磁線圈1202) 和子磁線圈120+、 12042、 12043和12044 (共同地稱為子磁線圈1204)。每 個(gè)主磁線圈1202向內(nèi)彎曲以圍繞工藝腔室701并覆蓋工藝腔室701的約90° 圓周。每個(gè)主磁線圈1202鄰近另外兩個(gè)主磁線圈1202。鄰近的主磁線圈1202端對端放置，使得在每個(gè)主磁線圈1202的鄰近端之間形成空間1206。子磁線圈1204與在鄰近的主磁線圈1202之間形成的空間1206相鄰放置。 子磁線圈具有從主磁線圈的中心偏移45度放置的中心。子磁線圈1204改善了 腔室內(nèi)產(chǎn)生的磁場形狀。如果線圈由八支獨(dú)立的電流驅(qū)動(dòng)，則該配置提供對在 腔室中產(chǎn)生的磁場形狀顯著改善的控制。說明性地，子磁線圈1204描述為位 于主磁線圈1204的外周邊。在操作中，磁場梯度可在腔室中通過激勵(lì)三個(gè)線圈對而產(chǎn)生，例如，施加 高電流到線圈12022和12023，中間值電流到線圈12042和12044，以及低電流 到線圈1202,和12024。所述主磁線圈對形成凹磁場并且子磁線圈對形成凸磁 場。這些磁場的增加向量在整個(gè)襯底上產(chǎn)生具有改善的平行磁力線的磁場。圖15描述了圍繞工藝腔室701的磁線圈配置1300的另一實(shí)施方式的俯視 圖。磁線圈配置1300包含主磁線圈1202,、 12022、 12023和12024 (共同地稱 為主磁線圈1202)和子磁線圈1204,、 12042、 12043和12044 (共同地稱為子 磁線圈1204);和子磁線圈1304" 13042、 13043和13044 (共同地稱為子磁 線圈1304)。每個(gè)主磁線圈1202向內(nèi)彎曲以圍繞工藝腔室701并覆蓋工藝腔 室701的約90。圓周。每個(gè)主磁線圈1202與另外兩個(gè)主磁線圈1202鄰近。鄰 近的主磁線圈1202端對端放置，使得在每個(gè)主磁線圈1202的鄰近端直接形成 空間1206。子磁線圈1304與子磁線圈1204并列。子磁線圈1304增加了在主 磁線圈1204之間的空間1206附近線繞式放置的線圈數(shù)量。子磁線圈1304的 添加提供了附加到由主磁線圈1202和子磁線圈1204所產(chǎn)生磁場的磁場。在該 實(shí)施方式中，可施加十二支電流以實(shí)現(xiàn)磁場形狀控制中的顯著改善?？蛇x地， 子磁線圈可與鄰近的主線圈串聯(lián)布線，如關(guān)于圖7A所述，使得僅四支電流供 應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)配置。圖16描述了圍繞工藝腔室701的磁線圈配置1400的另一實(shí)施方式的俯視 圖。磁線圈配置1400包含主磁線圈1402^ 14022、 14023和14024 (共同地稱 為主磁線圈1402);.和子磁線圈1404" 14042、 14043和14044 (共同地稱為 子磁線圈1404)。每個(gè)主磁線圈1402和子磁線圈1404彎曲，在同一平面中， 并且端對端交替放置?？臻g1406在每個(gè)交替放置的主磁線圈1402和子磁線圈 1404之間形成。由主磁線圈1402和子磁線圈1404覆蓋的區(qū)域?yàn)楣に嚽皇?01 的大約90。圓周。圖17描述了圍繞工藝腔室701的磁線圈配置1500的另一實(shí)施方式的俯視 圖。磁線圈配置1500包含主磁線圈1402,、 14022、 14023和14024 (共同地稱 為主磁線圈1402);子磁線圈1404、、 14042、 14043和14044 (共同地稱為子 磁線圈1404);和子磁線圈1502,、 15022、 15023和15024 (共同地稱為子磁 線圈1502)。每個(gè)主磁線圈1402和子磁線圈1404彎曲，在同一平面中，并 且端對端交替放置?？臻g1406在每個(gè)交替放置的主磁線圈1402和子磁線圈 1404之間形成。子磁線圈1502與子磁線圈1404并列(即，基本平行)。由 主磁線圈1402和子磁線圈1404覆蓋的區(qū)域?yàn)楣に嚽皇?01的大約90。圓周。 子磁線圈1502的添加通過提供磁場附加到由子磁線圈1404所提供的磁場而增 加磁場。在該實(shí)施方式中，可施加十二支電流以實(shí)現(xiàn)磁場形狀控制中的改善。 可選地，子磁線圈可與鄰近的主線圈串聯(lián)布線，如關(guān)于圖7A所述，使得僅有 四支電流供應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)該配置。圖18A描述了圍繞工藝腔室701的磁線圈配置1600A的另一實(shí)施方式的 透視圖。磁線圈配置1600包含磁線圈配置1600包含主磁線圈1604,、 16042、 16043和16044 (共同地稱為主磁線圈1604)和子磁線圈對1602,、 16022、 16023 和16024 (共同地稱為子磁線圈1602)。在該實(shí)施方式中，子磁線圈對1602 可與相關(guān)的主線圈1604的中心對齊。子磁線圈對1602可位于相關(guān)的主線圈頂 部和底部附近。子磁線圈1602,、 16022、 16023和16024提供校正的磁場以改善 腔室中磁場的形狀。主磁線圈可重疊，如在之前在此所述討論的實(shí)施方式中所 示。圖18B是具有線圈配置1600B的本發(fā)明的實(shí)施方式的透視圖，該配置類 似與圖18A的配置，除了水平的子磁線圈1602放置在由主磁線圈1604圍繞 的區(qū)域外部。圖19A描述了圍繞工藝腔室701的磁線圈配置1700A的另一實(shí)施方式的 透視圖。磁線圈配置1700包含磁線圈配置1600包含主磁線圈1604,、 16042、 16043和16044(共同地稱為主磁線圈1604);和垂直與水平的子磁線圈組1702j、 17022、 17023和17024 (共同地稱為子磁線圈1702)。每個(gè)線圈組設(shè)置，例如， 包含兩個(gè)水平的線圈(例如，線圈170218和17021D)和兩個(gè)垂直的線圈(例 如，H02,a和17021C)。通過利用分離的電流驅(qū)動(dòng)這些二十個(gè)線圈的每一個(gè)提 供對腔室中產(chǎn)生的磁場形狀的充分控制。二十個(gè)線圈還提供產(chǎn)生可最優(yōu)化襯底處理的磁場形狀的適應(yīng)性。可選地，可通過連接串聯(lián)子組線圈使用小于二十支 電流，諸如在圖7A中所示。另外，可選地，主線圈可重疊，如在之前的實(shí)施 方式中在此討論所示。圖19B示出了具有線圈配置1700B的另一實(shí)施方式的透視圖，該配置類 似與圖19A的配置，除了垂直和水平的子磁線圈1704放置在由主磁線圈1604 圍繞的區(qū)域外部之外。在未示出的另一實(shí)施方式中，還可考慮主線圈內(nèi)和主線 圈外部的線圈組合。圖19C描述了具有組合圖5和圖18A的特征的線圈配置1700C的本發(fā)明 的實(shí)施方式的透視圖。特別地，配置1700C包含腔室701，該腔室701由四個(gè) 主磁線圈302" 3022、 3023、 3024，四個(gè)垂直的子磁線圈604" 6042、 6043和 6044，以及八個(gè)水平的子磁線圈1602,、願(yuàn)2、 16023和16024圍繞。四個(gè)垂直 子磁線圈504" 5042、 5043和5044的每個(gè)都鄰近主磁線圈302" 3022、 3023、 3 024的重疊設(shè)置。水平子磁線圈1602,、 16022、 16023、 16024作為線圈對放置， 其中在線圈對中的一個(gè)線圈放置在主線圈的頂部附近以及在線圈對中的一個(gè) 線圈放置在主線圈底部附近。十六支電流可用于獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)每個(gè)線圈?？蛇x地， 該配置可利用與四支電流一樣少的電流驅(qū)動(dòng)。為了完成四支電流系統(tǒng)，垂直的 子磁線圈504" 5042、 5043和5044雙纏繞，并且五個(gè)線圈串聯(lián)布線以被單一線 圈驅(qū)動(dòng)。例如， 一半雙繞組纏繞線圈6042和6043與線圈對1602,和主線圈3023 串聯(lián)連接。在每個(gè)子線圈對的匝數(shù)預(yù)定為最好地成形由主磁線圈產(chǎn)生的磁場。圖20A描述了圖19A的實(shí)施方式的側(cè)視圖，其中子磁線圈1702放置在主 線圈1604內(nèi)部。同樣，在子磁線圈1702中的電流(以箭頭示出)以與主線圈 1604中的電流一樣的方向流動(dòng)，意味著獨(dú)立線圈的全部電流示為以順時(shí)針方 向流動(dòng)。因而，由這五個(gè)線圈所產(chǎn)生的所有磁場指向相同方向，其為指向紙面 中，并且從而向量相加。另外，在直接鄰近所描述的單一主線圈的每個(gè)子線圈 部分內(nèi)，電流流動(dòng)方向與主線圈的方向相同。相反，圖20B描述了在圖19B 中所描述的實(shí)施方式的側(cè)視圖，其中子磁線圈1704,位于主磁線圈1604,的外 部。如在圖20A中所示，在子磁線圈1702中的電流以與主線圈1604中的電 流一樣的方向流動(dòng)，指所示出的獨(dú)立線圈的所有電流以順時(shí)針方向移動(dòng)。因而， 由這五個(gè)線圈所產(chǎn)生的所有磁場指向相同方向，其指向紙面，并從而向量相力口。 然而，由于子線圈位于主線圈外部，位于直接鄰近所描述的單一主線圈的每個(gè)子線圈部分內(nèi)，電流流動(dòng)的方向與主線圈的電流流動(dòng)方向相反。從視圖的設(shè)計(jì) 點(diǎn)，這指，為了在工件上產(chǎn)生相同校正的磁場，需要與圖19B的實(shí)施方式的子磁線圈1704相比較少匝數(shù)的線以產(chǎn)生圖19A的實(shí)施方式的子磁線圈1604。 圖21描述了本發(fā)明的另一實(shí)施方式的透視圖。在該實(shí)施方式中，子磁線 圈2100分為在腔室701的四側(cè)上垂直堆疊的兩個(gè)線圈2100A和2100B。該實(shí) 施方式描述了主磁線圈2102，其覆蓋180度的腔室圓周并具有主和子磁線圈 排列的中心。子磁線圈2100分成兩部分使十二支電流能用于建立磁場形狀。 也可使用在此所討論的其它主磁線圈的配置。在該實(shí)施方式中，可施加十二支 電流以實(shí)現(xiàn)磁場形狀控制的顯著改善?？蛇x地，子磁線圈可與鄰近的主線圈串 聯(lián)布線，使得僅四支電流供應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)配置，例如，將直接在彼此之上和之下 的子線圈對與相鄰且共有相同的線圈中心的一個(gè)主線圈纏繞。多個(gè)模擬可關(guān)于以上所討論的各個(gè)實(shí)施方式執(zhí)行。圖22A-22K每個(gè)描述 了由現(xiàn)有技術(shù)以及前述本發(fā)明的實(shí)施方式所產(chǎn)生的磁場梯度。圖22A描述了 兩個(gè)鄰近的主線圈被激勵(lì)的圖2的實(shí)施方式產(chǎn)生的磁場梯度。注意磁場梯度從 85G到IOG傾斜。圖22B描述了由當(dāng)兩個(gè)鄰近的線圈被激勵(lì)時(shí)圖3的實(shí)施方 式產(chǎn)生的磁場梯度。這里，延伸寬度的線圈將高的磁場強(qiáng)度側(cè)降低到75G，保 持中心磁場強(qiáng)度在35G，以及將低磁場強(qiáng)度側(cè)增加到12G。同樣，延伸的線圈 "展平"了磁場的梯度。圖22C描述了由圖5的實(shí)施方式產(chǎn)生的磁場，其中兩個(gè)鄰近的主線圈和 兩個(gè)相對的子磁線圈被激勵(lì)。這里，梯度進(jìn)一步展平以及高磁場側(cè)具有可應(yīng)用 子磁線圈的電流強(qiáng)度可調(diào)整的強(qiáng)度。圖22D描述了由具有兩個(gè)鄰近的主線圈 和兩個(gè)鄰近的子磁線圈激勵(lì)的圖11的實(shí)施方式產(chǎn)生的場強(qiáng)。該實(shí)施方式產(chǎn)生 了具有可應(yīng)用子磁線圈電流調(diào)整的高磁場值的基本一致的磁場。圖22E描述了 由具有兩個(gè)鄰近的主磁場線圈和四個(gè)上下子磁線圈以及兩個(gè)相對的角落線圈 被激勵(lì)的圖19C的實(shí)施方式所產(chǎn)生的磁場。該磁場具有明確的梯度并且高值 側(cè)可利用子磁線圈電流控制。因而，從圖22A到圖22B，到圖22C到圖22E 的級數(shù)示出了主線圈加上角落線圈的總和加上上下線圈的總和的疊加修整了 從85G降到60G的高場端，同時(shí)在工件的中心保持為相同的35G，并且同時(shí) 保持較低場強(qiáng)在IOG和15G之間。己經(jīng)示出在高場端的場強(qiáng)中的降低，以改 善瞬時(shí)蝕刻速度均勻性和時(shí)間平均(磁場旋轉(zhuǎn)的)蝕刻速度均勻性。在低場端處磁場的進(jìn)一步控制通過使用第二對主線圈中的電流來實(shí)現(xiàn)。另外，通過控制 在每個(gè)線圈中的相對電流，在工件的高場端處的磁場值完全可控(例如，85G、70G、 60G、 55G等)，以實(shí)現(xiàn)期望的磁場形狀。圖22F描述了通過圖2的現(xiàn)有技術(shù)所產(chǎn)生的磁場，其中兩個(gè)相對的線圈被 激勵(lì)。注意磁場強(qiáng)度在整個(gè)襯底上不是非常均勻，即，磁場強(qiáng)度從79G到39G 變化，對于襯底中心50G的磁場強(qiáng)度為40G的變化范圍。圖22G描述了由圖 3的實(shí)施方式所產(chǎn)生的磁場，其中兩個(gè)相對的延伸寬度的線圈被激勵(lì)。在圖22F 的磁場改善了磁場的均勻性。圖22H描述了由圖5的實(shí)施方式所產(chǎn)生的磁場， 其中具有兩個(gè)相對的主線圈和四個(gè)子磁線圈被激勵(lì)。結(jié)果為改善了磁場的均勻 性。當(dāng)如在圖19C的實(shí)施方式中添加上下線圈并且這些線圈被激勵(lì)時(shí)，結(jié)果 為圖221的磁場?，F(xiàn)在磁場幾乎完全均勻。因而，從圖22F到圖22G到圖22H 到圖22I的級數(shù)(progression)示出了主線圈加上角落線圈的總和加上上下線 圈的總和的疊加改善了磁場強(qiáng)度的均勻性，都用于50G的中心磁場強(qiáng)度，均 勻性從40G的變化范圍提高到6G的變化范圍。對該結(jié)果的進(jìn)一步改善可通過 每個(gè)線圈的形狀和位置的進(jìn)一步修整而獲得，多個(gè)線圈的添加，和激勵(lì)所有適 當(dāng)線圈的電流的精調(diào)整。圖22J描述了圖11的實(shí)施方式所產(chǎn)生的磁場，其中所有四個(gè)180度主線 圈被激勵(lì)。該實(shí)施方式示出了對現(xiàn)有技術(shù)(圖22F)磁場的改善。當(dāng)子磁線圈 也被激勵(lì)時(shí)，磁場均勻性進(jìn)一步改善為圖22K中所示。 磁場旋轉(zhuǎn)在半導(dǎo)體腔室中，執(zhí)行蝕刻和/或沉積工藝的等離子體由中性物質(zhì)和帶電 物質(zhì)形成。帶電物質(zhì)受在短于微秒的時(shí)間量程上發(fā)生的磁力作用。在半導(dǎo)體工 業(yè)中的RF產(chǎn)生器通常使用RF頻率以激勵(lì)在lMHz到200MHz頻率范圍中的 等離子體，其給出在5納秒到1微秒的范圍中振蕩的周期。然而，磁場旋轉(zhuǎn)的 總周期一般非常長。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，磁場旋轉(zhuǎn)的總周期可以為大約 4秒。跟隨電流供應(yīng)的控制信號中的變化，在毫秒的數(shù)量級上測量流經(jīng)電磁線 圈的電流變化。RF匹配電路中(或者調(diào)諧-匹配-固定頻率或者調(diào)諧-頻率固定 的匹配)的變化為100微秒的數(shù)量級，之后等離子體阻抗發(fā)生變化。用于實(shí)現(xiàn) 旋轉(zhuǎn)的磁場形狀變化可在微秒內(nèi)發(fā)生，但是RF調(diào)諧電路起作用超過100毫秒。 同樣，在100毫秒數(shù)量級上的時(shí)間周期，等離子體阻抗和RF調(diào)諧電路將失諧，同時(shí)RF調(diào)諧控制電路起作用并確定適當(dāng)?shù)男缕ヅ淇刂圃O(shè)置。在等離子體阻抗和RF調(diào)諧電路之間的失諧導(dǎo)致反射功率增加。另外，給出四個(gè)第二旋轉(zhuǎn)方案，己經(jīng)發(fā)現(xiàn)在高于期望的反射功率下RF調(diào)諧電路將消耗 大于10%的時(shí)間，從而顯著地降低了在每個(gè)磁場旋轉(zhuǎn)周期傳送到等離子體的總能量。而且，對于具有調(diào)諧匹配固定頻率配置的電路，如果積累的失諧時(shí)間和 強(qiáng)度較大時(shí)，調(diào)諧匹配的機(jī)械部分可能消磨的更快。因此，不僅選擇磁場的適當(dāng)形狀對于改善蝕刻速度均勻性是關(guān)鍵的，而且選擇磁場的適當(dāng)過渡對最小化磁場旋轉(zhuǎn)對RF匹配的影響也很重要，并從而最 大化在每個(gè)磁場旋轉(zhuǎn)周期傳輸?shù)降入x子體的總能量。因此，在磁場旋轉(zhuǎn)期間， 可控制流經(jīng)電磁體的DC電流波形以有助于RF調(diào)諧電路更快地調(diào)整至由旋轉(zhuǎn) 磁場所引起的等離子體阻抗中的變化。在此公開的旋轉(zhuǎn)磁場的方法將磁場控制限定為兩個(gè)基本組分(1)磁場 形狀，其中磁場通常消耗大部分時(shí)間(以下稱為"形狀"或"主要形狀")和 (2)到下一個(gè)磁場形狀的過渡(或多個(gè)過渡)(以下稱為"過渡")。例如， 在具有四個(gè)磁線圈或簡化為實(shí)質(zhì)上四個(gè)磁線圈對稱的實(shí)施方式中(諸如在圖1、圖2、圖3、圖4A、圖8A、圖11、圖18A、圖18B和圖21中所示)，主磁場形狀在任意方向開始，說明性的稱為0度。硬件的控制提供過渡的磁場形狀，之后再次為主磁場形狀，旋轉(zhuǎn)90度。同樣，完整的控制可以簡寫成 形狀(0°) +過渡(0-卯°) +形狀(90°) +過渡(90-180°) +形狀(180°)+過渡(180-270°)+形狀(270°)+過渡(270-0°) +返回至形狀(0°)因此，通過在0度限定形狀以及通過從0度到90度限定過渡，描述了整個(gè)旋 轉(zhuǎn)。應(yīng)該理解旋轉(zhuǎn)可順時(shí)針或逆時(shí)針控制并且多數(shù)過渡可以在主磁場形狀之間 提供。如在此使用，在實(shí)施方式中所指的線圈號可以由方位角確定，在該方位角 處線圈的中心點(diǎn)關(guān)于整個(gè)線圈配置的中心內(nèi)部位置設(shè)置(例如，圍繞其設(shè)置線 圈的工藝腔室中心)。例如，在圖3中所描述的四個(gè)線圈配置中，淺圈302m 的中心點(diǎn)可限定為關(guān)于工藝腔室中心的O、 90、 180和270度。另外，盡管圖 11的實(shí)施方式，描述了八個(gè)線圈(902m和906m)，每個(gè)各個(gè)線圈902和906 具有沿著關(guān)于工藝腔室中心的相同角度的中心點(diǎn)。因此，線圈902M和相應(yīng)的 線圈906M的中心點(diǎn)還可限定為在0、 90、 180和270度。因而，這將考慮四線圈實(shí)施方式，如在此使用的將使用四線圈旋轉(zhuǎn)方案。然而，八個(gè)線圈實(shí)施方式諸如在圖5中所描述的具有關(guān)于腔室中心的0、 45、 90、 135、 180、 225、 270和315度的中心點(diǎn)。從旋轉(zhuǎn)它們的電流驅(qū)動(dòng)器看它們，這將為八線圈配置 且使用八線圈旋轉(zhuǎn)方案。為了便于理解，利用簡化的符號討論供應(yīng)到線圈的較高和較低電流，較高 電流歸一化為+/-1并且較低電流描述為較高電流的百分?jǐn)?shù)(即，小于1的數(shù))。 因而，可通過參照供應(yīng)到線圈的電流來描述磁場的形狀。例如，在具有四個(gè)線 圈的腔室中，或四個(gè)線圈對稱性，磁場的形狀可描述為[+l， -1， -R， +R]，分 別表示在[線圈#1，線圈#2，線圈#3，線圈斜]中的相對電流。正/負(fù)號示出磁場 方向。對于特定線圈，正電流指磁場從線圈指向半導(dǎo)體處理腔室，而負(fù)電流表 示磁場指出腔室(例如，如果磁羅盤放置在腔室中心的底座上，其指針在正常 環(huán)境下指向北，則正電流使該指針朝遠(yuǎn)離單一激勵(lì)線圈指向，而負(fù)電流可使指 針朝向線圈指向)。關(guān)于線圈配置，在如從腔室的頂部看的順時(shí)針方向?qū)€圈 編號。由于以上的段落僅為記號系統(tǒng)，用于方便指在此所討論的方法，將預(yù)期其 它記號系統(tǒng)或以上各種系統(tǒng)的變化還可用于描述本發(fā)明的磁場旋轉(zhuǎn)方法(諸如 以下關(guān)于圖32和圖35所使用的)。例如，R值大于l，或者電流不需要?dú)w一 化，線圈可以任意形式編號，并且特定線圈可線繞，使得正電流使磁場指出工 藝腔室等，或其任何組合。例如，對于現(xiàn)有技術(shù)的原始4-線圈實(shí)施方式，如在圖2中所示，四個(gè)線圈 通常具有在較高電流處的兩個(gè)鄰近線圈對(例如，線圈6、 8),以及在較低 電流處的其它兩個(gè)鄰近線圈對(例如，線圈7、 9)來操作。圖23描述了類似 于圖2中所述的一種腔室的傳統(tǒng)4-線圈腔室的標(biāo)準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)方法。在產(chǎn)生任意形狀 中，指出腔室的B-場量為全部負(fù)數(shù)的總和。在圖23中所描述的實(shí)施方式中， 指向腔室的B-場量為l+R (對于線圈#1為+1加上對于線圈#4的+R)。類似 地，指出腔室的B-場量為-(l+R)。在過渡步驟中，指向腔室的B-場量為+l (對于線圈#1為+1加上對于線圈#4的零)，以及指出腔室的B-場量為-l。隨 著R值增加，在形狀和過渡之間磁場強(qiáng)度的差別也增大。因此，在過渡步驟 期間以及緊跟過渡步驟之后，在歷史上已經(jīng)觀察到對RF調(diào)諧電路失諧的影響， 由于通過電路設(shè)置中的變化和通過在形狀(l+R)和過渡(1)之間所產(chǎn)生的總磁場中的差別所導(dǎo)致，隨著R值增加而變得越來越嚴(yán)重。因此，在此提供旋轉(zhuǎn)磁場的方法，其克服了現(xiàn)有技術(shù)的以上涉及的問題。特別地，圖24描述了用于旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體工藝腔室中磁場的方法2400的一個(gè)實(shí)施 方式的簡化流程圖。該方法2400在步驟2402開始，其中主磁場形狀被限定。 接下來，在步驟2404，磁場變化為第一過渡磁場形狀。在一個(gè)實(shí)施方式中， 到第一過渡磁場形狀的變化通過改變施加到腔室各個(gè)線圈的電流來完成。在步 驟2406，磁場改變?yōu)榈诙^渡磁場形狀?？蛇x地，在步驟2408，磁場可改變 為另外的過渡磁場形狀直到最終，在步驟2410，磁場改變?yōu)樾D(zhuǎn)的主磁場形 狀。在一個(gè)實(shí)施方式中，旋轉(zhuǎn)的主磁場形狀可以為旋轉(zhuǎn)90度的主磁場形狀， 由于腔室和線圈的四個(gè)折疊對稱性。預(yù)期旋轉(zhuǎn)的主磁場形狀可以不同于旋轉(zhuǎn) 90度的主磁場形狀。在步驟2412，步驟2404至2410可隨需要重復(fù)以繼續(xù)旋 轉(zhuǎn)磁場。通過提供在每個(gè)主磁場形狀之間的多個(gè)過渡步驟，方法2400有利地 使得RF調(diào)諧電路有時(shí)間與由在磁場中下一個(gè)變化前磁場中的變化所引起的新 等離子體阻抗匹配。因此，RF調(diào)諧電路在失諧條件下消耗較少時(shí)間，并且， 對于具有機(jī)械調(diào)諧部件的RF調(diào)諧電路，具有減小的磨損?？蛇x地，在整個(gè)方法中指向或指出腔室的總磁場強(qiáng)度可通過選擇施加到各 個(gè)線圈的電流而保持恒定。通過在整個(gè)過渡的每個(gè)步驟中，保持基本恒定的磁 場強(qiáng)度，將使磁場強(qiáng)度變化對等離子體的影響最小化，進(jìn)一步降低了RF調(diào)諧 電路的應(yīng)變(strain)?？蛇x地或者組合地，方法2400可僅為單--線圈提供在 任意隨后步驟之間通過零電流點(diǎn)(即，從正到負(fù)電流過渡或反之亦然)移動(dòng)。 通過控制經(jīng)過零電流的線圈以具有它們時(shí)間交錯(cuò)的零電流力矩，磁場變化的值 和對等離子體的影響進(jìn)一步降低。以上方法2400反映了用于旋轉(zhuǎn)工藝腔室中的磁場的兩個(gè)有利準(zhǔn)則。首先， 在任意時(shí)間指入(和指出)腔室的磁場量大約相同。因而，在蝕刻步驟期間， 磁場的每個(gè)主形狀和在主形狀之間的過渡具有大約相同的磁場強(qiáng)度。第二，每 個(gè)大線圈(例如，所有四-線圈腔室的四個(gè)線圈和八-線圈腔室的四個(gè)大線圈) 不同時(shí)經(jīng)過零電流過渡，指在相同的兩個(gè)步驟之間。因而，方法2400有利地 最小化磁場強(qiáng)度的變化和這些變化對等離子體的影響?？蛇x地，在一些實(shí)施方 式中，在旋轉(zhuǎn)期間，磁場的強(qiáng)度可控制為在所施加的最大強(qiáng)度的20%內(nèi)，或在 一些實(shí)施方式中，在10%內(nèi)。如以上所討論，使磁場的強(qiáng)度變化最小方便地有助于使對等離子體以及對由工藝腔室所采用的RF電路的影響最小。以上方法的實(shí)施方式，和采用一個(gè)或多個(gè)以上準(zhǔn)則的變量，可在傳統(tǒng)工藝 腔室以及在此所公開或具有在此討論的電磁體的未來開發(fā)的工藝腔室中使用。 被控制和旋轉(zhuǎn)的磁場可以為均勻的、傾斜的或不均勻的。對于具有四個(gè)主磁線 圈和有效使用四個(gè)線圈過渡的配置的腔室，在過渡方案之后的邏輯(在過渡期 間RF電路調(diào)諧的時(shí)間，增加步驟、零交叉，B-場強(qiáng)度等)和以上所公開準(zhǔn)則 的使用組成磁場旋轉(zhuǎn)方法，其克服了傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)方法的問題。主磁場形狀可使用以上所述的準(zhǔn)則和符號限定。之后提供了以上方法2400的特定實(shí)施方式的少數(shù)幾個(gè)說明性實(shí)施例。圖25描述了示出適于在具有四個(gè)線圈或有效地四個(gè)線圈的工藝腔室中使 用的磁場旋轉(zhuǎn)次序2500的表格，諸如，但是不限于，在圖l、圖2、圖3、圖 4A、圖8A、圖11、圖18A、圖18A和圖21中所描述的腔室。在次序2500 中的每個(gè)磁場形狀或過渡由施加到工藝腔室的四個(gè)線圈(或線圈組)(在圖 25中識別的線圈#1、 #2、 #3禾脂4)的電流限定。如上所述，電流以歸一化符 號示出，使用數(shù)字1表示最高電流以及字母R用于關(guān)于主磁場形狀(在圖25 中示為形狀O度，90度、180度和270度)的較低電流與較高電流的百分?jǐn)?shù)。次序2500包含在磁場的每個(gè)主形狀之間的兩個(gè)過渡(標(biāo)記為每個(gè)主形狀 的過渡A、 B)。另外，經(jīng)過零電流的任意線圈的過渡(即，從施加到線圈的 正電流到施加到相同線圈的負(fù)電流，或反之亦然)在整個(gè)次序中交錯(cuò)以避免任 意兩個(gè)線圈同時(shí)經(jīng)過零電流。例如，從第1行到第2行(形狀O度到過渡A、 0度)，線圈#4是經(jīng)過零電流的唯一線圈(從第1行的+R到第2行的-(O，R))。 當(dāng)從第2行到第3行繼續(xù)時(shí)，線圈#2是在第2行到第3行中的+R中經(jīng)過零電 流(從-(0.5*R))的唯一線圈。因而，從經(jīng)過零電流的線圈對磁場的影響通 過每次僅允許一個(gè)線圈在整個(gè)次序2500中經(jīng)過零電流而最小化。另外，所施加的以形成主形狀或過渡的正電流的總和和負(fù)電流的總和保持 恒定。例如，在次序2500的任何給定行中(即，任意形狀或過渡)，正電流 的總和為(l+R)以及負(fù)電流的總和為-(l+R)。因而，指向和指出腔室的磁 場強(qiáng)度對于任何給定行是相等的。而且，由于在每行所應(yīng)用的電流大小等于+/-(l+R)，所以在整個(gè)旋轉(zhuǎn)次序2500中電流強(qiáng)度也為恒定。因而，指入和指 出腔室的磁場強(qiáng)度幾乎保持恒定。在圖25中所述的實(shí)施方式中，對用于形成磁場的主形狀的電流每個(gè)提供0.9秒，每個(gè)過渡具有0.05秒的持續(xù)時(shí)間。這些時(shí)間僅是說明性的并且預(yù)期也可使用其它時(shí)間。例如，過渡時(shí)間應(yīng)該至少足夠長以允許在每個(gè)過渡步驟之后RF調(diào)諧電路完全調(diào)整至新的條件。如果在工藝腔室上的特定匹配網(wǎng)絡(luò)較快地響應(yīng)，則可使用較短時(shí)間。相反，如果響應(yīng)較慢，則需要較長的時(shí)間以完全實(shí) 現(xiàn)在此所述的旋轉(zhuǎn)方法的優(yōu)點(diǎn)。預(yù)期還可使用遵循在此所公開的旋轉(zhuǎn)方法準(zhǔn)則的其它過渡方案。例如，圖26描述了示出適于在具有四個(gè)線圈或四-線圈對稱的工藝腔室中使用的磁場旋 轉(zhuǎn)次序2600的磁場的表格。在圖26中所述的表格類似于以上在圖25中所述 的表格，除了在主形狀之間所提供的額外過渡之外(如通過在每個(gè)主形狀之間 的過渡A、 B、 C、 D和E指出)。在以上所述的任何旋轉(zhuǎn)次序中，或者遵循 以上所公開準(zhǔn)則的任何其它旋轉(zhuǎn)次序中，預(yù)期可提供其它數(shù)量的過渡、主形狀 和過渡的其它時(shí)間周期，其它R值，和/或其它相對電流值，同時(shí)仍然遵循以 上概括的一般準(zhǔn)則。圖27A-C分別描述了關(guān)于圖23、圖25和圖26在以上所述的整個(gè)旋轉(zhuǎn)方 法中四個(gè)線圈腔室中磁場的示意圖。特別地，圖27A描述了類似于在圖23中 所示的傳統(tǒng)磁場旋轉(zhuǎn)次序(經(jīng)過四分之一，或90度旋轉(zhuǎn))。如在圖27中所述， 第一主形狀2702經(jīng)過單一過渡2704旋轉(zhuǎn)90度值至旋轉(zhuǎn)后的主形狀2706。圖 27B描述了根據(jù)本發(fā)明的磁場旋轉(zhuǎn)次序(經(jīng)過四分之一，或90度旋轉(zhuǎn))，其 類似于在圖25中所示的方法。如在圖27B中所述，第一主形狀2712經(jīng)過兩 個(gè)過渡2714a和27148旋轉(zhuǎn)90度至旋轉(zhuǎn)后的主形狀2716。圖27C描述了根據(jù) 本發(fā)明的磁場旋轉(zhuǎn)次序(經(jīng)過四分之一，或90度旋轉(zhuǎn))，其類似于在圖26 中所示的方法。如在屈27C中所述，第一主形狀2722經(jīng)過五個(gè)過渡2724A、 2724B、 2724c、 27240和2724e旋轉(zhuǎn)90度至旋轉(zhuǎn)后的主形狀2726。在圖中，點(diǎn) 線表示較小強(qiáng)度的磁場并且僅說明性以示出被施加的磁場的相對強(qiáng)度。圖28A和圖28B描述了比較在圖23、圖25和圖26中所描述的每個(gè)旋轉(zhuǎn) 次序的單一旋轉(zhuǎn)次序的相對線圈電流隨時(shí)間的曲線圖。在圖28A中的曲線圖 比較在圖23、圖25和圖26中所描述的旋轉(zhuǎn)次序，其中使用低值R(RK).33)。 在圖28B中的曲線圖比較在圖23、圖25和圖26中所描述的旋轉(zhuǎn)次序，其中 使用低值R(R-1)。如可以從圖28A和圖28B中所見，可增加在主磁場形狀之間的過渡數(shù)量以有助于減小磁場中每個(gè)變化的強(qiáng)度，另外，可調(diào)整所施加的 電流以最小化在旋轉(zhuǎn)次序期間磁場強(qiáng)度的變化，而且，可增加和/或調(diào)整進(jìn)行 過渡的時(shí)間總量以有助于允許直接或間接地受磁場變化影響的調(diào)諧電路和/或 其它組件適應(yīng)所述變化。每個(gè)這些準(zhǔn)則，單一地或組合，從而有利地改善在整 個(gè)旋轉(zhuǎn)循環(huán)中腔室中等離子體的穩(wěn)定性。磁場的形狀可進(jìn)一步由施加到線圈的相對電流控制(例如，通過控制R值)。例如，通過提供低值的R，諸如小于或等于約0.33，可產(chǎn)生傾斜的磁場 并使用以上所公開的任何本發(fā)明的旋轉(zhuǎn)次序旋轉(zhuǎn)?？蛇x地，提供提供高值的R， 諸如約1，可產(chǎn)生平磁場并且可使用以上所公開的任何本發(fā)明的旋轉(zhuǎn)次序旋 轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)用于指定工藝的特定R值可取決于多個(gè)因素，諸如工藝壓力、在陰 極上RF功率、工藝氣體選擇、緊接晶圓邊緣的工藝套件的設(shè)計(jì)等等。在2000 年9月5日授權(quán)給Shan等人的美國專利No.6， 113， 731中公開了關(guān)于選擇和 使用特定R值的其它細(xì)節(jié)，在此引入其全部內(nèi)容作為參考。本發(fā)明的控制磁場過渡的方法還可應(yīng)用于具有在其它配置中排列的磁線 圈的工藝腔室(如在圖4B-C、圖5-7、圖8B-C、圖9-10、圖12-17和圖19A-C 或其它配置)中。在一個(gè)實(shí)施方式中，在O度的形狀可包含經(jīng)過所有八個(gè)線圈 的電流?？蛇x地，對于其中期望更大對稱的實(shí)施方式，在0度的形狀可包括在 八個(gè)線圈的子集中流動(dòng)的電流。例如，圖29描述了具有圍繞具有四折疊對稱 性的襯底支撐底座2920設(shè)置的八個(gè)磁線圈2910的處理腔室2900的示意性俯 視圖(例如，四個(gè)大側(cè)線圈和四個(gè)較小的角落線圈)。線2930、 2932和2934 描述了由八個(gè)線圈2910的六個(gè)線圈所產(chǎn)生的磁場的方向和相對強(qiáng)度。如之前 所述，對晶圓性能、蝕刻速度均勻性的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于可通過降低點(diǎn)A處磁場 強(qiáng)度同時(shí)保持在點(diǎn)B和C處幾乎相同的強(qiáng)度來獲得。這可通過降低大側(cè)線圈 (例如，圖29中的線圈2912和2914)中的較高電流同時(shí)補(bǔ)償角落線圈(例 如，圖29中的線圈2916和2918)中的增加來完成。當(dāng)由八個(gè)線圈配置過渡時(shí)，可確定遵循以上指定準(zhǔn)則的多個(gè)旋轉(zhuǎn)方案。關(guān) 于保持指向和指出腔室的磁場量保持大約一致的準(zhǔn)則，現(xiàn)在有更多線圈供選 擇。關(guān)于當(dāng)每個(gè)大線圈經(jīng)過零電流時(shí)交錯(cuò)時(shí)間的原則，現(xiàn)在再次存在多個(gè)選項(xiàng) 關(guān)于如何實(shí)現(xiàn)。不同旋轉(zhuǎn)方案可基于在特定半導(dǎo)體蝕刻和/或沉積設(shè)備以及特 定電流源、線圈、計(jì)算機(jī)控制電路、RF等離子體制度、等離子體化學(xué)性質(zhì)、RF功率級別、壓力、RF調(diào)諧電路等等上它們的性能來評定。對于一組工藝條 件和硬件的期望旋轉(zhuǎn)方案不需要為另一組工藝條件和硬件的期望旋轉(zhuǎn)方案。在接下來的實(shí)施方式中，大多數(shù)時(shí)間可以使用相同的主磁場形狀，僅具有 應(yīng)用于過渡步驟的變化。在這些方案中的主要差別為在每個(gè)各個(gè)過渡中的步驟 的配置。預(yù)期遵循以上教條可使用具有其它差別諸如過渡步驟數(shù)量、所施加的 電流值、在施加到不同線圈之間的關(guān)系等等的其它旋轉(zhuǎn)方案。例如，圖30A-C圖解地示出了使用八個(gè)線圈和八支電流的磁場旋轉(zhuǎn)的示 例性方法。特別地，圖30A-C分別示出了主形狀3002、 3012和3022經(jīng)過過 渡3004a-e、 3014A-e和3024A.e旋轉(zhuǎn)至旋轉(zhuǎn)后的主形狀3006、 3016和3026。然 而，在圖27A中所描述的中間步驟(稱為傳統(tǒng)的四個(gè)線圈旋轉(zhuǎn)方法)為均勻 場，在圖30A-C中的所有中間步驟為傾斜的，正好如主磁場為傾斜的。盡管 圖30A-C示出了在標(biāo)準(zhǔn)磁場形狀之間的五個(gè)過渡歩驟，但是可調(diào)整每個(gè)主磁 場形狀的過渡數(shù)量以視需要控制等離子體穩(wěn)定性，如以上^f討論。圖31A-C 分別描述了對應(yīng)于圖30A-C的旋轉(zhuǎn)方案的相對側(cè)線圈和角落線圈電流的曲線 圖，并具有對應(yīng)其上表示旋轉(zhuǎn)次序的時(shí)間，該旋轉(zhuǎn)次序通過對應(yīng)各個(gè)主形狀、 過渡或旋轉(zhuǎn)后的主形狀的附圖標(biāo)記表示。圖32描述了具有使用四個(gè)主線圈和四個(gè)角落線圈(諸如在圖29中所示以 及分別由圖30A-C圖解表示)的8-線圈配置的工藝腔室的不同旋轉(zhuǎn)方案的步 驟的電流和示例性持續(xù)時(shí)間的表格。對于每個(gè)方案，所提供的數(shù)據(jù)是用于主， 或側(cè)線圈和相應(yīng)的角落線圈。對于四-折疊-對稱旋轉(zhuǎn)方案，整個(gè)方案可通過將 該方案劃分為四個(gè)部分而外推。在剩余線圈2、 3和4中的電流可通過隨時(shí)間 移動(dòng)四分之一電流來描述。類似地，對于八-相等-線圈的方案，你可以將該方 案劃分為八個(gè)部分。為了簡便，該線圈可順時(shí)針編號，如從頂部看。另外，每 個(gè)旋轉(zhuǎn)方案可通過因子A、 B和C來表示，其限定了主磁場形狀，并通過進(jìn)一 步精調(diào)諧該方案的因子D (在方案V中)以及因子D和E (在方案W和X中) 來表示。對于方案V， 0蘭DS1;對于方案W， 05D^0.5且0^E50.5;并 且對于方案X， 0 且OSES 0.5。在等離子體穩(wěn)定性持續(xù)時(shí)間(以下將進(jìn)一步討論)內(nèi)，發(fā)現(xiàn)因子D和E進(jìn)一步有利地提供對于等離子體穩(wěn)定 性的控制。以上的方案進(jìn)一步示出了比傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)方案改進(jìn)的提出的磁場旋轉(zhuǎn)方案中的適應(yīng)性。例如，在過渡期間(例如，通過圖27A中的附圖標(biāo)記2704所述)， 傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)方案具有均勻的(即，平)磁場形狀，而方案V、 W和X有利地 提供了傾斜的磁場(例如，分別通過圖30A-E中的附圖標(biāo)記3004A.e、 3014A.E、 3024a.e所描述)。傾斜的磁場是優(yōu)選的，原因在于主磁場形狀為傾斜的(例 如，如在圖27A-C和圖30A-C中所描述的)。另外，在此所公開的旋轉(zhuǎn)方案是在它們可利用一個(gè)或多個(gè)以上所討論準(zhǔn)原 理(即，在整個(gè)過渡中均勻的磁場強(qiáng)度、增加的過渡步驟數(shù)、經(jīng)過零電流的每 個(gè)線圈的交錯(cuò)時(shí)間等等)的方案中是靈活的，以提供優(yōu)于傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)方案的優(yōu)點(diǎn)。 例如，旋轉(zhuǎn)方案V和W具有增加的過渡步驟數(shù)，但是同時(shí)減少了兩個(gè)側(cè)線圈。 方案X具有增加的過渡步驟，并且在其側(cè)部線圈經(jīng)過零電流時(shí)交錯(cuò)時(shí)間。等離子體穩(wěn)定性同時(shí)利用在此所公開的旋轉(zhuǎn)方案在可從California的 Santa Clara的應(yīng)用材料有限公司購得的300mm eMAX CT Plus腔室上進(jìn)行評 價(jià)一具有經(jīng)過內(nèi)置數(shù)據(jù)獲取能力的8-線圈硬件(如在圖5中所排列的)?？蛇x 擇高功率菜單用于評估并且磁場可在大約40G進(jìn)行操作。在與等效的4-線圈 結(jié)果進(jìn)行比較之后，發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生高達(dá)10倍的數(shù)個(gè)不同的8-線圈旋轉(zhuǎn)方案增加了 優(yōu)于4-線圈標(biāo)準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)的等離子體穩(wěn)定性(如通過VRF變化的標(biāo)準(zhǔn)偏差所測量 的)，原因在于可配置的磁場(CMF)比率大約等于l。因而，8-線圈配置可 有利地提供與傳統(tǒng)的4-線圈配置相比更平滑的等離子體屬性。而且，以上優(yōu)點(diǎn) 適應(yīng)于具有其它值的CMF比率的磁場。除了具有四-折疊對稱的八個(gè)線圈配置外，以上磁場旋轉(zhuǎn)原理可有利地用 于具有八個(gè)相等尺寸的線圈中(如在圖12-13中所示)。例如，圖33描述了 旋轉(zhuǎn)具有八個(gè)相等磁場線圈的腔室中傾斜磁場的次序3300。該次序從主形狀 3302開始，說明性地經(jīng)過四個(gè)過渡3304a.d旋特到與主形狀3302成45度順時(shí) 針的旋轉(zhuǎn)后的主形狀3306。曲線圖3310示出了旋轉(zhuǎn)方案的相對線圈電流，該 方案具有以上通過對應(yīng)于各個(gè)主形狀、過渡或旋轉(zhuǎn)后主形狀的附圖標(biāo)記所表示 的相應(yīng)旋轉(zhuǎn)次序的時(shí)間。作為另一實(shí)施例，圖34描述了在具有八個(gè)相等尺寸 線圈的腔室中旋轉(zhuǎn)傾斜磁場的次序3400，其從主形狀3402開始以及經(jīng)過四個(gè) 過渡3404A.d說明性地旋轉(zhuǎn)到與主形狀3402成45度順時(shí)針的旋轉(zhuǎn)后主形狀 3406。曲線圖3410示出了旋轉(zhuǎn)方案的相對線圈電流，該方案具有相應(yīng)于由對 應(yīng)于以上各個(gè)主形狀、過渡或旋轉(zhuǎn)后主形狀的附圖標(biāo)記所表示的相應(yīng)旋轉(zhuǎn)次序的時(shí)間。圖35描述了具有八個(gè)相等尺寸線圈配置的工藝腔室的傾斜旋轉(zhuǎn)方案的步 驟的電流和示例性持續(xù)時(shí)間的表格(諸如在圖33中所示)。所提供的數(shù)據(jù)是 用于一個(gè)線圈并且整個(gè)方案可提供將該方案劃分為八個(gè)部分來外推。在剩余線 圈中的電流可通過隨時(shí)間移動(dòng)八分之一電流來描述。為了簡便，線圈可順時(shí)針編號，如從頂部看出。另外，旋轉(zhuǎn)方案由因數(shù)A、 B和C表示，其限定了基本的磁場形狀。盡管以上所述的過渡磁場的方法涉及在單獨(dú)工藝菜單步驟中旋轉(zhuǎn)磁場，但 是以上的教導(dǎo)也可在多步等離子體輔助工藝(諸如，初步蝕刻、主或體蝕刻， 和過蝕刻步驟)的步驟之間或在以任何順序步驟使用等離子體的多步工藝(諸 如使用第一組工藝化學(xué)物質(zhì)和/或條件蝕刻第一層以及使用第二組工藝化學(xué)物 質(zhì)和/或條件蝕刻第二層)的步驟之間應(yīng)用以過渡磁場。例如，當(dāng)改變磁場強(qiáng) 度的(即，影響等離子體的任何工藝參數(shù))偏置功率、源功率、腔室壓力、工 藝氣體或多種氣體中的一個(gè)或多個(gè)時(shí)，使用類似于以上所述實(shí)施方式的其中之一以及使用考慮工藝參數(shù)中的相關(guān)變化的算法，可調(diào)整磁場過渡以提供RF調(diào)諧電路給出最優(yōu)化的響應(yīng)。以這種方式在工藝步驟之間使用磁場過渡可結(jié)合在2006年3月10日提交的美國專利申請序列號No.11/372， 752中所公開的原理 使用，在此引入該專利的全部內(nèi)容作為參考。如以上所討論的，過渡磁場的發(fā)明方法有利地提供了更穩(wěn)定的等離子體和 在襯底上更均勻的蝕刻速度。另外，還發(fā)現(xiàn)發(fā)明方法進(jìn)一歩有利地減小了對襯 底和處理腔室的破壞，原因在于對等離子體穩(wěn)定性的改善，從而降低了可能在 等離子體中發(fā)生的任何大瞬時(shí)現(xiàn)象的可能性。例如，在等離子體中的大瞬時(shí)可 能導(dǎo)致設(shè)置在襯底上的部分連接的晶體管中的不期望電流，其可破壞襯底。另外，磁場導(dǎo)致在腔室周界以及襯底上方增加的等離子體密度，從而增加 了腔室內(nèi)表面的腐蝕。這些表面通常由諸如陽極化鋁、硅、硅碳化物、石英、 鋁氧化物、鋁氮化物和/或釔氧化物等組成。腔室表面中的不規(guī)則可加劇那些 表面的侵蝕速度，諸如由于在這些不規(guī)則腔室表面周圍修正的等離子體鞘屬性 而使在表面涂層變薄或等離子體密度局部較高處的入口附近。與使用現(xiàn)有技術(shù) 的四個(gè)線圈硬件的等效工藝條件相比，使用八個(gè)線圈硬件和在此所述的旋轉(zhuǎn)方 法降低了腔室周界以及指定蝕刻工藝條件的襯底處的最大磁場強(qiáng)度。因此，使用在此公開的本發(fā)明的八個(gè)線圈的旋轉(zhuǎn)方法降低了腔室周界處的等離子體密 度，并從而降低了涂敷內(nèi)腔室周界的表面的侵蝕速度。對于最差的侵蝕速度位 置(例如，在內(nèi)部腔室表面中近似不規(guī)則)，侵蝕速度可降低高達(dá)50%，從而 有利地有助于使用減薄的腔室涂層和/或這些腔室涂層的較不昂貴的制造方 法。因而，在此提供的旋轉(zhuǎn)磁場的方法克服了現(xiàn)有技術(shù)的問題。特別地，本發(fā)明的旋轉(zhuǎn)方法提供了磁場過渡，其有利地允許RF調(diào)諧電路有時(shí)間與由在磁場 中下一個(gè)變化之前的磁場中的變化所導(dǎo)致的新等離子體阻抗匹配。另外，還可 控制在主形狀之間的過渡，以保持在整個(gè)每個(gè)過渡步驟中恒定的磁場強(qiáng)度，從 而使磁場強(qiáng)度中的變化對等離子體的影響最小。而且，可進(jìn)一步控制過渡，以 確保經(jīng)過零電流的任何線圈具有交錯(cuò)時(shí)間的零電流的力矩，從而降低磁場變化 的值和對等離子體的影響。因而，通過最小化等離子體阻抗的變化以及通過為 RF調(diào)諧電路提供時(shí)間來匹配當(dāng)旋轉(zhuǎn)磁場時(shí)磁場中的變化所導(dǎo)致的新等離子體 阻抗，本發(fā)明的磁場旋轉(zhuǎn)方法有利地有助于RF調(diào)諧電路適應(yīng)由磁場旋轉(zhuǎn)所導(dǎo) 致的等離子體阻抗變化。因而，從這些模擬，使用延伸寬度的線圈改善了在腔室中產(chǎn)生的磁場形狀。 為了進(jìn)一步改善磁場形狀，可使用提供校正場的額外線圈。另外，雖然在以上實(shí)施方式中半導(dǎo)體晶圓處理腔室為干刻腔室，但是本發(fā) 明可應(yīng)用于其它類型的半導(dǎo)體晶圓處理腔室，諸如其中提供使用電磁體激勵(lì)等 離子體形成的CVD腔室。雖然前述涉及本發(fā)明的各種實(shí)施方式，但是在不脫離本發(fā)明的基本范圍 下，本發(fā)明可設(shè)計(jì)其它和進(jìn)一步的實(shí)施方式，并且本發(fā)明的范圍由以下的權(quán)利 要求書所確定。
權(quán)利要求
1.一種旋轉(zhuǎn)工藝腔室中磁場的方法，包含形成具有主形狀的磁場；將所述主形狀改變?yōu)橹辽賰蓚€(gè)連續(xù)的過渡形狀；以及將所述過渡步驟改變?yōu)樾D(zhuǎn)后的主形狀。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成具有所述主形狀的所 述磁場包含(a) 將第一組電流供應(yīng)到設(shè)置在所述工藝腔室周圍的多個(gè)磁場產(chǎn)生線圈 以產(chǎn)生第一磁場；其中改變主形狀為至少兩個(gè)連續(xù)過渡形狀包含(b) 順序地將第二組電流供應(yīng)到所述多個(gè)磁場產(chǎn)生線圈以產(chǎn)生第一過渡 磁場；以及(c) 順序地將第三組電流供應(yīng)到所述多個(gè)磁場產(chǎn)生線圈以產(chǎn)生第二個(gè)過 渡磁場；以及其中將所述過渡形狀改變?yōu)樗鲂D(zhuǎn)后的主形狀包含(d) 順序地將第四組電流供應(yīng)到所述多個(gè)磁場產(chǎn)生線圈以產(chǎn)生與旋轉(zhuǎn)約 90度的所述第一磁場互相關(guān)聯(lián)的第二磁場。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2的任意權(quán)項(xiàng)所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含在整個(gè)每個(gè)步驟中保持所述磁場在大約恒定的強(qiáng)度。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2的任意權(quán)項(xiàng)所述的方法，其特征在于，供應(yīng)到一 個(gè)或多個(gè)磁場產(chǎn)生線圈的一支電流的最大值等于零或者具有在任何兩個(gè)鄰近 步驟之間反轉(zhuǎn)的極性。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或2的任意權(quán)項(xiàng)所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含在比保持所述過渡形狀的持續(xù)時(shí)間長的期間內(nèi)，保持所述主形狀和旋轉(zhuǎn)后 的主形狀。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在大約相同的持續(xù)時(shí)間內(nèi) 保持所述主形狀或旋轉(zhuǎn)后的主形狀并且其中所述過渡形狀保持大約相同的持續(xù)時(shí)間。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)后的主形狀關(guān)于所述主形狀旋轉(zhuǎn)大約90度。
8、 根據(jù)權(quán)利要求2或7的任意權(quán)項(xiàng)所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含重復(fù)所述變化步驟，以在工藝期間以大約90度的增量繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述磁場。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成具有主形狀的所述步驟進(jìn)一步包含將第一多支電流供應(yīng)到設(shè)置在所述工藝腔室周圍的多個(gè)磁場產(chǎn)生線圈。
10、 根據(jù)權(quán)利要求2或9的任意權(quán)項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述多 個(gè)磁場產(chǎn)生線圈為四個(gè)磁場產(chǎn)生線圈。
11、 根據(jù)權(quán)利要求2或9的任意權(quán)項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述多個(gè) 磁場產(chǎn)生線圈耦接到四個(gè)電流供應(yīng)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述改變所述主形狀的步驟進(jìn)一步包含將所述主形狀改變?yōu)橹辽傥鍌€(gè)連續(xù)的過渡形狀。
13、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在步驟(c)和(d)之間進(jìn)一步包含(e) 順序地將第五組電流供應(yīng)到所述多個(gè)磁場產(chǎn)生線圈以產(chǎn)生第三過渡磁場；(f) 順序地將第六組電流供應(yīng)到所述多個(gè)磁場產(chǎn)生線圈以產(chǎn)生第四過渡 磁場；以及(g) 順序地將第七組電流供應(yīng)到所述多個(gè)磁場產(chǎn)生線圈以產(chǎn)生第五過渡磁場。
14、 根據(jù)權(quán)利要求1或2的任意權(quán)項(xiàng)所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含重復(fù)所述改變步驟以在第一等離子體工藝中旋轉(zhuǎn)所述磁場；以及 從所述第一等離子體工藝過渡到第二等離子體工藝，同時(shí)通過經(jīng)過至少兩個(gè)連續(xù)過渡形狀改變所述磁場形狀來控制所述磁場過渡以形成用于所述第二等離子體工藝的所述磁場的主形狀。
15、根據(jù)權(quán)利要求1或2的任意權(quán)項(xiàng)所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含在所述改變步驟期間控制所述磁場，以減小在工藝腔室中被處理的襯底上 的至少一個(gè)器件破壞或者減小由于等離子體導(dǎo)致的工藝腔室表面侵蝕。
全文摘要
在此提供一種用于在工藝腔室中旋轉(zhuǎn)磁場的方法。在一個(gè)實(shí)施方式中，一種用于旋轉(zhuǎn)工藝腔室中的磁場的方法包括形成具有主形狀的磁場；將所述主形狀該改變?yōu)橹辽賰蓚€(gè)連續(xù)的過渡形狀；以及將所述過渡步驟改變?yōu)樾D(zhuǎn)后的主形狀?？蛇x地，所述磁場可在整個(gè)每個(gè)蝕刻步驟中保持為大約恒定的大小?？蛇x地，供應(yīng)到一個(gè)或多個(gè)磁場產(chǎn)生線圈的一支電流的最大值等于零或者具有在任何兩個(gè)鄰近步驟之間反轉(zhuǎn)的極性。
文檔編號H05H1/10GK101222813SQ20071030183
公開日2008年7月16日 申請日期2007年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月18日
發(fā)明者丹尼爾·J·霍夫曼, 斯科特·A·霍根遜, 羅杰·艾倫·林迪 申請人:應(yīng)用材料股份有限公司