專利名稱：半導(dǎo)體裝置和電子器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置和電子器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在具有配線圖案的基板上搭載半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置為眾所周知。而且，只要能夠提高配線圖案和半導(dǎo)體芯片的電極的連接可靠性，就可以提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。
特許文獻(xiàn)1特開平4-352132號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種可靠性高的半導(dǎo)體裝置和電子器件及其制造方法。
本發(fā)明為達(dá)到所述目的其解決方法如下。
(1)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具有有包括多個(gè)岸面(land)的配線圖案的基板、和有多個(gè)電極并以使所述電極與所述岸面對(duì)向的形態(tài)搭載在所述基板上而形成的半導(dǎo)體芯片；所述多個(gè)岸面，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第1直線的多個(gè)第1組的形態(tài)排列，呈在沿著所述第1直線的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述配線圖案包括從所述多個(gè)岸面引出、在與所述第1直線交叉的方向上分別延長(zhǎng)的多個(gè)配線；所述多個(gè)電極，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第2直線的多個(gè)第2組的形態(tài)排列，呈在與所述第2直線交叉的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述多個(gè)岸面和所述多個(gè)電極分別以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊而形成電連接。根據(jù)本發(fā)明，岸面和電極以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊。通過使岸面的長(zhǎng)度方向和電極的長(zhǎng)度方向交叉，即使在將半導(dǎo)體芯片搭載在基板上后兩者發(fā)生位置偏移的情況下，岸面和電極也可以維持對(duì)向的狀態(tài)。因此，岸面和電極的電連接穩(wěn)定，可以提供可靠性高的半導(dǎo)體裝置。
(2)在該半導(dǎo)體裝置中，所述多個(gè)電極，也可以以劃分成分別沿著與所述第2直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第3直線的多個(gè)第3組的形態(tài)排列。
(3)在該半導(dǎo)體裝置中，所述第3直線也可以在與所述第2直線垂直的方向上延長(zhǎng)。
(4)在該半導(dǎo)體裝置中，所述第3直線也可以相對(duì)于所述第2直線傾斜地延長(zhǎng)。
(5)在該半導(dǎo)體裝置中，2個(gè)相鄰的所述第3直線也可以平行地延長(zhǎng)。
(6)在該半導(dǎo)體裝置中，2個(gè)相鄰的所述第3直線也可以是以所述第2直線的垂線作為對(duì)稱軸的線對(duì)稱。
(7)在該半導(dǎo)體裝置中，所述多個(gè)岸面，也可以以劃分成分別沿著與所述第1直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線的多個(gè)第4組的形態(tài)排列。
(8)在該半導(dǎo)體裝置中，從相同的所述第4組的所述岸面分別引出的1組所述配線，也可以從所述相同的第4組的所述岸面的沿著所述第1直線的兩側(cè)中的相同側(cè)引出。
(9)在該半導(dǎo)體裝置中，所述相同的第4組所述岸面，也可以以不同的長(zhǎng)度向沿著所述第1直線的兩側(cè)中的相同側(cè)突出、其突出的長(zhǎng)度以沿任一個(gè)所述第4直線的排列順序變長(zhǎng)的形態(tài)形成。
(10)在該半導(dǎo)體裝置中，從所述相同的第4組的所述岸面分別引出的所述1組配線，也可以在與任一第1所述岸面連接的1個(gè)所述配線的、所述第1岸面的突出的方向的隔壁，配置與所述第1岸面的下一個(gè)突出長(zhǎng)度長(zhǎng)的1個(gè)第2所述岸面連接的1個(gè)所述配線。
(11)本發(fā)明的電子器件具有具有包括多個(gè)第1岸面的第1配線圖案的第1基板、和具有包括多個(gè)第2岸面的第2配線圖案的第2基板；所述多個(gè)第1岸面，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第1直線的多個(gè)第1組的形態(tài)排列，呈在沿著所述第1直線的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述第1配線圖案包括從所述多個(gè)第1岸面引出、在與所述第1直線交叉的方向上分別延長(zhǎng)的第1配線；所述多個(gè)第2岸面，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第2直線的多個(gè)第2組的形態(tài)排列，呈在與所述第2直線交叉的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述第2配線圖案包括從所述多個(gè)第2岸面引出、在與所述第2直線交叉的方向上分別延長(zhǎng)的第2配線；所述多個(gè)第1岸面和所述多個(gè)第2岸面，分別以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)對(duì)向而形成電連接。根據(jù)本發(fā)明，第1岸面和第2岸面以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊。通過使第1岸面的長(zhǎng)度方向和第2岸面的長(zhǎng)度方向交叉，可以維持第1和第2岸面的對(duì)向的狀態(tài)。因此，第1和第2岸面的電連接穩(wěn)定，可以提供可靠性高的電子器件。
(12)在該電子器件中，所述多個(gè)第2岸面，也可以以劃分成分別沿著在與所述第2直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第3直線的多個(gè)第3組的形態(tài)排列。
(13)在該電子器件中，所述第3直線也可以相對(duì)于所述第2直線傾斜地延長(zhǎng)。
(14)在該電子器件中，2個(gè)相鄰的所述第3直線也可以平行地延長(zhǎng)。
(15)在該電子器件中，2個(gè)相鄰的所述第3直線也可以是以所述第2直線的垂線作為對(duì)稱軸的線對(duì)稱。
(16)在該電子器件中，所述多個(gè)第1岸面，也可以以劃分成分別沿著在與所述第1直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線的多個(gè)第4組的形態(tài)排列。
(17)在該電子器件中，從相同的所述第4組的所述第1岸面分別引出的1組所述第1配線，也可以從所述相同的第4組的所述第1岸面的沿著所述第1直線的兩側(cè)中的相同側(cè)引出。
(18)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在具有包括多個(gè)岸面的配線圖案的基板上、以所述電極與所述岸面對(duì)向的形態(tài)搭載具有多個(gè)電極的半導(dǎo)體芯片，使所述電極和所述岸面電連接的工序；以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第1直線的多個(gè)第1組的形態(tài)排列所述多個(gè)岸面，在沿所述第1直線的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述配線圖案包括從所述多個(gè)岸面引出、在與所述第1直線交叉的方向上分別延長(zhǎng)的多個(gè)配線；所述多個(gè)電極，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第2直線的多個(gè)第2組的形態(tài)排列，呈在與所述第2直線交叉的方向上形成擴(kuò)寬的外形；使所述多個(gè)岸面和所述多個(gè)電極分別以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊。根據(jù)本發(fā)明，使岸面和電極以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊。因使岸面的長(zhǎng)度方向和電極的長(zhǎng)度方向交叉，即使在不能嚴(yán)密形成基板和半導(dǎo)體芯片定位的情況下，也可以使電極接觸到目的的岸面。因此，不進(jìn)行嚴(yán)密的定位，就可以制造半導(dǎo)體裝置，可以效率良好地制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。
(19)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述多個(gè)電極，也可以以劃分成分別沿著在與所述第2直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第3直線的多個(gè)第3組的形態(tài)排列。
(20)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述第3直線也可以在與所述第2直線垂直的方向上延長(zhǎng)。
(21)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述第3直線也可以相對(duì)于所述第2直線傾斜地延長(zhǎng)。
(22)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，2個(gè)相鄰的所述第3直線也可以平行地延長(zhǎng)。
(23)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，2個(gè)相鄰的所述第3直線也可以是以所述第2直線的垂線作為對(duì)稱軸的線對(duì)稱。
(24)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述多個(gè)岸面，也可以以劃分成分別沿著在與所述第1直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線的多個(gè)第4組的形態(tài)排列。
(25)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，從相同的所述第4組的所述岸面分別引出的1組所述配線，也可以從所述相同的第4組的所述岸面的沿所述第1直線的兩側(cè)中的相同側(cè)引出。
(26)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述相同的第4組的所述岸面，也可以以以不同的長(zhǎng)度向沿著所述第1直線的兩側(cè)中的相同側(cè)突出、其突出的長(zhǎng)度以沿任一個(gè)所述第4直線的排列順序變長(zhǎng)的形態(tài)形成。
(27)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，從所述相同的第4組的所述岸面分別引出的所述1組所述配線，也可以在與任一個(gè)第1所述岸面連接的1個(gè)所述配線的、所述第1岸面的突出的方向的隔壁，配置與所述第1岸面的下一個(gè)突出長(zhǎng)度長(zhǎng)的1個(gè)第2所述岸面連接的1個(gè)所述配線。
(28)本發(fā)明的電子器件的制造方法包括使設(shè)在第1基板上的第1配線圖案的多個(gè)第1岸面和設(shè)在第2基板上的第2配線圖案的多個(gè)第2岸面對(duì)向而電連接的工序；所述多個(gè)第1岸面，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第1直線的多個(gè)第1組的形態(tài)排列，呈在沿所述第1直線的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述第1配線圖案包括從所述多個(gè)第1岸面引出、在與所述第1直線交叉的方向上分別延長(zhǎng)的第1配線；所述多個(gè)第2岸面，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第2直線的多個(gè)第2組的形態(tài)排列，呈在與所述第2直線交叉的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述第2配線圖案包括從所述多個(gè)第2岸面引出、在與所述第2直線交叉的方向上分別延長(zhǎng)的第2配線；使所述多個(gè)第1岸面和所述多個(gè)第2岸面分別以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊。根據(jù)本發(fā)明，使第1岸面和第2岸面以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊。通過使第1岸面的長(zhǎng)度方向和第2岸面的長(zhǎng)度方向交叉，即使在不能嚴(yán)密形成第1基板和第2基板的定位的情況下，也可以使目的的岸面彼此接觸。因此，不進(jìn)行嚴(yán)密的定位，就可以制造電子器件，可以效率良好地制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。
(29)在該電子器件的制造方法中，所述多個(gè)第2岸面，也可以以劃分成分別沿著在與所述第2直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第3直線的多個(gè)第3組的形態(tài)排列。
(30)在該電子器件的制造方法中，所述第3直線也可以相對(duì)于所述第2直線傾斜地延長(zhǎng)。
(31)在該電子器件的制造方法中，2個(gè)相鄰的所述第3直線也可以平行地延長(zhǎng)。
(32)在該電子器件的制造方法中，2個(gè)相鄰的所述第3直線也可以是以所述第2直線的垂線作為對(duì)稱軸的線對(duì)稱。
(33)在該電子器件的制造方法中，所述多個(gè)第1岸面，也可以以劃分成分別沿著在與所述第1直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線的多個(gè)第4組的形態(tài)排列。
(34)在該電子器件的制造方法中，從相同的所述第4組的所述第1岸面分別引出的1組所述第1配線，也可以從所述相同的第4組的所述第1岸面的沿所述第1直線的兩側(cè)中的相同側(cè)引出。


圖1是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖2是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖3(A)及圖3(B)是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖4是表示具有適用本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的顯示器件圖。
圖5是表示具有適用本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電子機(jī)器的圖。
圖6是表示具有適用本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電子機(jī)器的圖。
圖7是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖8是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖9是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖10是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖11是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖12是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖13是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖14是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖15是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖16是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖17是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的電子器件的圖。
圖18是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的電子器件的圖。
圖19是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的電子器件的圖。
圖20是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的電子器件的圖。
圖21是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的電子器件的圖。
圖22是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的電子器件的圖。
圖23是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的電子器件的圖。
圖中10-基板，20-配線圖案，22-岸面，24-配線，30-半導(dǎo)體芯片，32-電極，110-第1組，130-第2組，310-第1直線，330-第2直線具體實(shí)施方式
以下，參照

適用本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明不限于以下的實(shí)施方式。
(半導(dǎo)體裝置)圖1～圖3(B)是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。其中，圖1是適用本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1的概略圖。而且，圖2是將半導(dǎo)體裝置1分離成基板10和半導(dǎo)體芯片30的圖。另外，圖3(A)及圖3(B)是半導(dǎo)體裝置1的一部分放大圖。但是，在圖3(A)中，為了說明岸面22和電極32的連接狀態(tài)，省略了基板10和半導(dǎo)體芯片30。另外，圖3(B)是圖3(A)的IIIB-IIIB線的剖面圖。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具有基板10。對(duì)基板10的材料不作特別的限定，也可以由有機(jī)系(例如環(huán)氧基板)、無機(jī)系(例如陶瓷基板、玻璃基板)或者它們的復(fù)合結(jié)構(gòu)(環(huán)氧玻璃基板)構(gòu)成?；?0也可以是剛性基板?；蛘呋?0也可以是聚酯基板或聚酰亞胺基板等的撓性基板(參照?qǐng)D1)?；?0也可以是COF(Chip On Film)用基板。另外，基板10既可以是由單一層構(gòu)成的單層基片，也可以是具有層疊的多層的層疊基板。而且，即使是對(duì)基板10的形狀和厚度，也不作特別的限定。
基板10具有包括多個(gè)岸面22的配線圖案20。配線圖案20也可以由將銅(Cu)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鈦鎢(Ti-W)、金(Au)、鋁(Al)、鎳釩(NiV)、鎢(W)中的任一種層疊或者任一種的一層形成。作為基板10準(zhǔn)備層疊基板的情況下，配線圖案20也可以設(shè)在各層之間。另外，作為基板10利用玻璃基板的情況，配線圖案20也可以通過ITO(氧化錫銦)、Cr、Al等的金屬膜、金屬化合物膜或者其復(fù)合膜形成。對(duì)配線圖案20的形成方法不作特別的限制。例如，既可以通過濺射等形成配線圖案20，也可以使用由非電解鍍層形成配線圖案20的添加法。另外，配線圖案20也可以由軟釬料、錫、金、鎳等電鍍形成。
如圖2所示，所述多個(gè)岸面22，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第1直線310的多個(gè)第1組110的形態(tài)排列。而且，多個(gè)岸面22分別在沿著第1直線310的方向上形成擴(kuò)寬的外形。如圖2所示，多個(gè)岸面22，也可以以劃分成分別沿著在與第1直線310交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線320的多個(gè)第4組120的形態(tài)排列。此時(shí)，2個(gè)相鄰的第4直線320也可以平行地延長(zhǎng)。而且，配線圖案20包括從岸面22引出、在與第1直線310交叉的方向上分別延長(zhǎng)的配線24。如圖2所示，以劃分成多個(gè)第4組120的形態(tài)排列岸面22的情況下，從相同的第4組120的岸面22分別引出的1組配線24，也可以從相同的第4組120的岸面22的沿第1直線310的兩側(cè)中的相同側(cè)引出。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體芯片30(參照?qǐng)D1)。半導(dǎo)體芯片30具有多個(gè)電極32。如圖2所示，所述多個(gè)電極32，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第2直線330的多個(gè)第2組130的形態(tài)排列。而且，電極32分別在與第2直線330交叉的方向上形成擴(kuò)寬的外形。如圖2所示，多個(gè)電極32，也可以以劃分成分別沿著在與第2直線330交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第3直線340的多個(gè)第3組140的形態(tài)排列。而且，多個(gè)第3直線340也可以相對(duì)于第2直線330傾斜地延長(zhǎng)，2個(gè)相鄰的第3直線340也可以平行地延長(zhǎng)(參照?qǐng)D2)。另外，電極32也可以沿著半導(dǎo)體芯片30的有源面的平行的兩邊(或者4邊)、在其端部附近并列?；蛘咭部梢詫㈦姌O32在半導(dǎo)體芯片30的有源面的全面上設(shè)成區(qū)域陣列狀。半導(dǎo)體芯片30也還可以具有由晶體管和存儲(chǔ)元件等構(gòu)成的集成電路31(參照?qǐng)D3(B))。而且電極32也可以與半導(dǎo)體芯片30的內(nèi)部電連接。電極32也可以與集成電路31電連接。或者也可以包括與集成電路31不電連接的電極，稱為電極32。電極32也可以包括例如臺(tái)和在該臺(tái)上形成的突出(未圖示)。
半導(dǎo)體芯片30搭載在基板10上(參照?qǐng)D1及圖3(B))。以電極32與岸面22對(duì)向的形態(tài)搭載半導(dǎo)體芯片30(參照?qǐng)D3(B))。而且，如圖3(A)所示，岸面22和電極32以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊而形成電連接。通過使岸面22的長(zhǎng)度方向和電極32的長(zhǎng)度方向重疊，即使在將半導(dǎo)體芯片30搭載在基板10上后兩者發(fā)生位置偏移的情況下，岸面22和電極32也可以維持對(duì)向的狀態(tài)。因此，岸面22和電極32的電連接穩(wěn)定，可以提供可靠性高的半導(dǎo)體裝置。另外，岸面22和電極32的電連接也可以由兩者接觸來實(shí)現(xiàn)?；蛘咭部梢允箤?dǎo)電粒子夾在岸面22和電極32之間，借助于它們謀求兩者的電連接(未圖示)。或者岸面22和電極32的電連接也可以利用合金接合(例如Au-Au或Au-Sn接合)。另外，如圖3(B)所示，半導(dǎo)體裝置1也還可以具有粘合基板10和半導(dǎo)體芯片30的增強(qiáng)部21。增強(qiáng)部21的材料也可以是樹脂，但對(duì)此不作限定。通過增強(qiáng)部21可以提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置如上所述而構(gòu)成。以下，說明其制造方法。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在具有包括多個(gè)岸面22的配線圖案20的基板上，以電極32與岸面22對(duì)向的形態(tài)搭載具有多個(gè)電極32的半導(dǎo)體芯片30，使電極32和岸面22電連接的。如前所述，岸面22在沿第1直線310的方向上形成擴(kuò)寬的外形。另外，電極32在與第2直線330交叉的方向上形成擴(kuò)寬的外形。而且，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法使岸面22和電極32以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊。由此，基板10和半導(dǎo)體芯片30的定位容易。詳細(xì)地說，由于使岸面22和電極32的長(zhǎng)度方向彼此交叉，即使在不能嚴(yán)密形成兩者定位的情況下，也可以使電極32接觸到目的的岸面22。因此，不進(jìn)行嚴(yán)密的定位，就能使兩者電連接，可以效率良好地制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。另外，對(duì)于岸面22和電極32的電連接，也可以使用絕緣樹脂接合(例如使用NCP或NCF的接合)、各向異性導(dǎo)電材料接合(例如使用ACF或ACP的接合)、金屬接合(例如Au-Au或Au-Sn的接合)、軟釬焊接合等已公知的任一種的方式。而且，也可以經(jīng)過形成粘合基板10和半導(dǎo)體芯片30的增強(qiáng)部21的工序等制造半導(dǎo)體裝置1(參照?qǐng)D1)。而且，圖4表示具有半導(dǎo)體裝置1的顯示器件1000。顯示器件1000例如也可以是液晶顯示器件和EL(電致發(fā)光)顯示器件。另外，作為具有半導(dǎo)體裝置1的電子機(jī)器，圖5表示筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)2000，圖6表示便攜式電話3000。
(變形例)本發(fā)明不限于所述實(shí)施方式，可以有各種變形。以下說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的變形例。另外，即使是以下的變形例，也盡可能使用已說明的內(nèi)容。
在圖7及圖8所示的例中，多個(gè)電極32，以劃分成分別沿著在與第2直線330交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第3直線345的多個(gè)第3組145的形態(tài)排列。多個(gè)第3直線345相對(duì)于第2直線330傾斜地延長(zhǎng)。而且，如圖7所示，多個(gè)第3直線345分別平行地延長(zhǎng)。即，所有的第3直線345也可以平行地延長(zhǎng)。此時(shí)，岸面22，也可以以劃分成分別沿著在與第1直線310交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線325的多個(gè)第4組125的形態(tài)排列，多個(gè)第4直線325也可以分別平行地延長(zhǎng)。而且，如圖8所示，岸面22和電極32以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊，以形成電連接。
在圖9及圖10所示的例中，多個(gè)電極32，以劃分成分別沿著多個(gè)第3直線350的多個(gè)第3組150的形態(tài)排列。第3直線350在與第2直線330交叉的方向上延長(zhǎng)，2個(gè)相鄰的第3直線350形成將第2直線330的垂線作為對(duì)稱軸的線對(duì)稱。此時(shí)，岸面22，也可以以劃分成分別沿著在與第1直線310交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線360的多個(gè)第4組160的形態(tài)排列，2個(gè)相鄰的第4直線360也可以形成以第1直線310的垂線作為對(duì)稱軸的線對(duì)稱。而且，如圖10所示，岸面22和電極32以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊，以形成電連接。
在圖11及圖12所示的例中，多個(gè)電極32，以劃分成分別沿著多個(gè)第3直線370的多個(gè)第3組170的形態(tài)排列。而且，如圖11所示，第3直線370在與第2直線330垂直的方向上延長(zhǎng)。此時(shí)，多個(gè)岸面23，也可以以劃分成分別沿著多個(gè)第4直線380的多個(gè)第4組180的形態(tài)排列。如圖11所示，第4直線380，也可以在與第1直線310垂直的方向上延長(zhǎng)。而且，相同的第4組180的岸面23，也可以以不同的長(zhǎng)度向沿著第1直線310的兩側(cè)中的相同側(cè)突出、其突出的長(zhǎng)度以沿任一個(gè)第4直線380的排列順序變長(zhǎng)的形態(tài)形成。此時(shí)，從相同的第4組180的岸面23分別引出的1組配線24，也可以從相同的第4組180的岸面23的沿第1直線310的兩側(cè)中的相同側(cè)引出。如圖11所示，各自的配線24也可以從岸面23的沿著第1直線310的兩側(cè)中的岸面23突出的一側(cè)引出。2個(gè)相鄰的第4組180的岸面23也可以向沿著第1直線310的兩側(cè)中的相同側(cè)突出。如圖11所示，多個(gè)第4組180也可以包括由向沿著第1直線310的兩側(cè)中一側(cè)突出的岸面構(gòu)成的組、和由向不同側(cè)突出的岸面構(gòu)成的組。進(jìn)而，從相同的第4組180的岸面23分別引出的1組配線24，也可以與任一個(gè)第1岸面連接的配線的、第1岸面的突出的方向的隔壁上配置有與第1岸面的下一個(gè)突出長(zhǎng)度長(zhǎng)的第2岸面連接的配線。而且，如圖12所示，岸面23和電極32，以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊，形成電連接。另外，在本變形例中，如圖13所示，也可以是所有的第4組180的岸面23向沿著第1直線310的兩側(cè)中的相同側(cè)突出。圖14是表示此時(shí)岸面23和電極32的連接狀態(tài)的圖?；蛘呷鐖D15所示，2個(gè)相鄰的第4組180的岸面23也可以分別向沿著第1直線310相反的方向突出。圖16是表示此時(shí)的岸面23和電極32的連接狀態(tài)的圖。
即使由這些變形例，也可以達(dá)到與所述實(shí)施方式同樣的效果。另外，對(duì)于其它的構(gòu)成例，可以適用已經(jīng)說明的任一內(nèi)容。
(電子器件)圖17～圖19是用于說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的電子器件的圖。另外，即使有關(guān)以下說明的電子器件，也盡可能使用已說明的內(nèi)容。
圖17是適用本發(fā)明的實(shí)施方式的電子器件2的概略圖。而且，圖18是將電子器件2分離成第1基板50和第2基板70的圖。另外，圖19是用于說明第1岸面62和第2岸面82連接狀態(tài)的圖。
本實(shí)施方式的電子器件具有第1基板50和第2基板70。第1基板50例如也可以是玻璃基板。第1基板50也可以是電光學(xué)面板(液晶面板·電致發(fā)光面板等)的一部分。另外，第2基板70例如也可以是撓性基板或薄膜。但是，第1及第2基板50、70并不限于這些。例如，作為第1基板也可以利用撓性基板，作為第2基板也可以利用玻璃基板。
如圖18所示，第1基板50具有第1配線圖案60。第1配線圖案60包括多個(gè)第1岸面62。多個(gè)第1岸面62，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第1直線710的多個(gè)第1組510的形態(tài)排列。而且，第1岸面62在沿著第1直線710的方向上分別形成擴(kuò)寬的外形。如圖18所示，多個(gè)第1岸面62，也可以以劃分成分別沿著在與第1直線710交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線720的第4組520的形態(tài)排列。第4直線720也可以相對(duì)于第1直線710傾斜地延長(zhǎng)，此時(shí)，2個(gè)相鄰的第4直線720也可以平行地延長(zhǎng)(參照?qǐng)D18)。而且，第1配線圖案60包括從第1岸面62引出、在與第1直線710交叉的方向上分別延長(zhǎng)的第1配線64。如圖1 8所示，在以劃分成多個(gè)第4組520的形態(tài)排列第1岸面62的情況，從相同的第4組520的第1岸面62分別引出的1組的第1配線64，也可以從相同的第4組520的第1岸面62的沿第1直線710的兩側(cè)中的相同側(cè)引出。
如圖18所示，第2基板70具有第2配線圖案80。第2配線圖案80包括多個(gè)第2岸面82。多個(gè)第2岸面82，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第2直線730的多個(gè)第2組530的形態(tài)排列。而且，第2岸面82在與第2直線730交叉的方向上分別形成擴(kuò)寬的外形。如圖18所示，多個(gè)第2岸面82，也可以以劃分成分別沿著在與第2直線730交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第3直線740的多個(gè)第3組540的形態(tài)排列。第3直線740也可以相對(duì)于第2直線730傾斜地延長(zhǎng)，此時(shí)，如圖18所示，2個(gè)相鄰的第3直線740也可以平行地延長(zhǎng)。而且，第2配線圖案80包括從第2岸面82引出、在與第2直線730交叉的方向上分別延長(zhǎng)的第2配線84。
在本實(shí)施方式的電子器件中，如圖19所示，第1岸面62和第2岸面82以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)對(duì)向而形成電連接。通過使第1岸面62和第2岸面82以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)對(duì)向，第1和第2岸面62、82的電連接穩(wěn)定，可以提供可靠性高的電子器件。
本實(shí)施方式的電子器件以如上所述地構(gòu)成。以下，說明其制造方法。
本實(shí)施方式的電子器件的制造方法包括使設(shè)在第1基板50上的第1配線圖案60的多個(gè)第1岸面62和設(shè)在第2基板70上的第2配線圖案80的多個(gè)第2岸面82對(duì)向而電連接的工序。如前所述，第1岸面62在沿著第1直線710的方向上形成擴(kuò)寬的外形。另外，第2岸面82在與第2直線730交叉的方向上形成擴(kuò)寬的外形。而且，在本實(shí)施方式的電子器件的制造方法中，使第1及第2岸面62、82以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊。由此，第1及第2基板50、70的定位容易，可以效率良好地制造可靠性高的電子器件。
(變形例)本發(fā)明不限于實(shí)施方式，可以有各種變形。以下說明適用本發(fā)明的實(shí)施方式的電子器件的變形例。另外，即使是以下的變形例，也盡可能使用已說明的內(nèi)容。
在圖20及圖21所示的例中，多個(gè)第2岸面82，以劃分成分別沿著在與第2直線730交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第3直線745的多個(gè)第3組545的形態(tài)排列(參照?qǐng)D20)。多個(gè)第3直線745相對(duì)于第2直線730傾斜地延長(zhǎng)。而且，多個(gè)第3直線745分別平行地延長(zhǎng)。此時(shí)，第1岸面62，也可以以劃分成分別沿著在與第1直線710交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線725的多個(gè)第4組525的形態(tài)排列，多個(gè)第4直線725也可以分別平行地延長(zhǎng)。而且，如圖21所示，第1及第2岸面62、82分別以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊，以形成電連接。
在圖22及圖23所示的例中，第2岸面82，也可以以劃分成分別沿著在與第2直線730交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第3直線750的多個(gè)第3組550的形態(tài)排列。第3直線750也可以相對(duì)于第2直線730傾斜地延長(zhǎng)，2個(gè)相鄰的第3直線750形成以第2直線730的垂線作為對(duì)稱軸的線對(duì)稱。此時(shí)，第1岸面62，也可以以劃分成分別沿著在與第1直線710交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線760的多個(gè)第4組560的形態(tài)排列。2個(gè)相鄰的第4直線760形成以第1直線710的垂線作為對(duì)稱軸的線對(duì)稱。而且，如圖23所示，第1及第2岸面62、82以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊，以形成電連接。
即使由這些變形例，也可以達(dá)到與所述實(shí)施方式同樣的效果。另外，對(duì)于其它的構(gòu)成例，可以適用已經(jīng)說明的任一內(nèi)容。
另外，本發(fā)明不限于所述實(shí)施方式，可以有各種變形。例如，本發(fā)明包括實(shí)質(zhì)上與在實(shí)施方式中說明的構(gòu)成相同的構(gòu)成(例如，功能、方法及結(jié)果相同的構(gòu)成或者目的和效果相同的構(gòu)成)。另外，本發(fā)明包括置換了在實(shí)施方式中說明的非實(shí)質(zhì)性構(gòu)成部分的構(gòu)成。另外，本發(fā)明包括與實(shí)施方式中說明的構(gòu)成發(fā)揮相同作用效果的構(gòu)成、或者可以達(dá)到同一目的的構(gòu)成。另外，本發(fā)明包括對(duì)實(shí)施方式中說明的構(gòu)成附加公知的技術(shù)的構(gòu)成。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有有包括多個(gè)岸面的配線圖案的基板、和有多個(gè)電極，并以使所述電極與所述岸面對(duì)向的形態(tài)搭載在所述基板上而成的半導(dǎo)體芯片；所述多個(gè)岸面，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第1直線的多個(gè)第1組的形態(tài)排列，呈在沿著所述第1直線的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述配線圖案包括從所述多個(gè)岸面引出、在與所述第1直線交叉的方向上分別延長(zhǎng)的多個(gè)配線；所述多個(gè)電極，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第2直線的多個(gè)第2組的形態(tài)排列，呈在與所述第2直線交叉的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述多個(gè)岸面和所述多個(gè)電極分別以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊而形成電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述多個(gè)電極，以劃分成分別沿著在與所述第2直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第3直線的多個(gè)第3組的形態(tài)排列而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第3直線在與所述第2直線垂直的方向上延長(zhǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第3直線相對(duì)于所述第2直線傾斜地延長(zhǎng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，2個(gè)相鄰的所述第3直線平行地延長(zhǎng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，2個(gè)相鄰的所述第3直線是以所述第2直線的垂線作為對(duì)稱軸的線對(duì)稱。
7.根據(jù)權(quán)利要求2～權(quán)利要求6的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述多個(gè)岸面，以劃分成分別沿著在與所述第1直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線的多個(gè)第4組的形態(tài)排列而成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，從相同的所述第4組的所述岸面分別引出的1組所述配線，可以從所述相同的第4組的所述岸面的沿著所述第1直線的兩側(cè)中的相同側(cè)引出而成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述相同的第4組的所述岸面，以不同的長(zhǎng)度向沿著所述第1直線的兩側(cè)中的相同側(cè)突出、其突出的長(zhǎng)度以沿任一個(gè)所述第4直線的排列順序變長(zhǎng)的形態(tài)形成而成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，從所述相同的第4組的所述岸面分別引出的所述1組配線，可以在與任一個(gè)第1所述岸面連接的1個(gè)所述配線的、所述第1岸面的突出的方向的隔壁，配置與所述第1岸面的下一個(gè)突出長(zhǎng)度長(zhǎng)的1個(gè)第2所述岸面連接的1個(gè)所述配線而成。
11.一種電子器件，其特征在于，具有具有包括多個(gè)第1岸面的第1配線圖案的第1基板、和具有包括多個(gè)第2岸面的第2配線圖案的第2基板；所述多個(gè)第1岸面以劃分為分別沿著多個(gè)平行的第1直線的多個(gè)第1組的形態(tài)排列，呈在沿著所述第1直線的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述第1配線圖案包括從所述多個(gè)第1岸面引出、在與所述第1直線交叉的方向上分別延長(zhǎng)的第1配線；所述多個(gè)第2岸面，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第2直線的多個(gè)第2組的形態(tài)排列，呈在與所述第2直線交叉的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述第2配線圖案包括從所述多個(gè)第2岸面引出、在與所述第2直線交叉的方向上分別延長(zhǎng)的第2配線；所述多個(gè)第1岸面和所述多個(gè)第2岸面分別以在長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)對(duì)向而形成電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子器件，其特征在于，所述多個(gè)第2岸面，以劃分成分別沿著在與所述第2直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第3直線的多個(gè)第3組的形態(tài)排列而成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子器件，其特征在于，所述第3直線相對(duì)于所述第2直線傾斜地延長(zhǎng)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子器件，其特征在于，2個(gè)相鄰的所述第3直線平行地延長(zhǎng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子器件，其特征在于，2個(gè)相鄰的所述第3直線是以所述第2直線的垂線作為對(duì)稱軸的線對(duì)稱。
16.根據(jù)權(quán)利要求12～權(quán)利要求15任一項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于，所述多個(gè)第1岸面，以劃分成分別沿著在與所述第1直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線的多個(gè)第4組的形態(tài)排列而成。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子器件，其特征在于，從相同的所述第4組的所述第1岸面分別引出的1組所述第1配線，從所述相同的第4組的所述第1岸面的沿著所述第1直線的兩側(cè)中的相同側(cè)引出而成。
18.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在具有包括多個(gè)岸面的配線圖案的基板上、以所述電極與所述岸面對(duì)向的形態(tài)搭載具有多個(gè)電極的半導(dǎo)體芯片，使所述電極和所述岸面電連接的工序；以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第1直線的多個(gè)第1組的形態(tài)排列所述多個(gè)岸面，呈在沿所述第1直線的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述配線圖案包括從所述多個(gè)岸面引出、在與所述第1直線交叉的方向上分別延長(zhǎng)的多個(gè)配線；所述多個(gè)電極，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第2直線的多個(gè)第2組的形態(tài)排列，呈在與所述第2直線交叉的方向上擴(kuò)寬的外形；使所述多個(gè)岸面和所述多個(gè)電極分別以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)進(jìn)行重疊。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述多個(gè)電極，以劃分成分別沿著在與所述第2直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第3直線的多個(gè)第3組的形態(tài)排列而成。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述第3直線在與所述第2直線垂直的方向上延長(zhǎng)。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述第3直線相對(duì)于所述第2直線傾斜地延長(zhǎng)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，2個(gè)相鄰的所述第3直線平行地延長(zhǎng)。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，2個(gè)相鄰的所述第3直線是以所述第2直線的垂線作為對(duì)稱軸的線對(duì)稱。
24.根據(jù)權(quán)利要求19～權(quán)利要求23的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述多個(gè)岸面，以劃分成分別沿著在與所述第1直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線的多個(gè)第4組的形態(tài)排列而成。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，從相同的所述第4組的所述岸面分別引出的1組所述配線，從所述相同的第4組的所述岸面的沿所述第1直線的兩側(cè)中的相同側(cè)引出而成。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述相同的第4組的所述岸面，以不同的長(zhǎng)度向沿著所述第1直線的兩側(cè)中的相同側(cè)突出、其突出的長(zhǎng)度以沿任一個(gè)所述第4直線的排列順序變長(zhǎng)的形態(tài)形成而成。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，從所述相同的第4組的所述岸面分別引出的所述1組所述配線，在與任一個(gè)第1所述岸面連接的1個(gè)所述配線的、所述第1岸面的突出的方向的隔壁，配置與所述第1岸面的下一個(gè)突出長(zhǎng)度長(zhǎng)的1個(gè)第2所述岸面連接的1個(gè)所述配線而成。
28.一種電子器件的制造方法，其特征在于，包括使設(shè)在第1基板上的第1配線圖案的多個(gè)第1岸面和設(shè)在第2基板上的第2配線圖案的多個(gè)第2岸面對(duì)向而電連接的工序；所述多個(gè)第1岸面，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第1直線的多個(gè)第1組的形態(tài)排列，呈在沿所述第1直線的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述第1配線圖案包括從所述多個(gè)第1岸面引出、在與所述第1直線交叉的方向上分別延長(zhǎng)的第1配線；所述多個(gè)第2岸面，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第2直線的多個(gè)第2組的形態(tài)排列，呈在與所述第2直線交叉的方向上形成擴(kuò)寬的外形；所述第2配線圖案包括從所述多個(gè)第2岸面引出、在與所述第2直線交叉的方向上分別延長(zhǎng)的第2配線；使所述多個(gè)第1岸面和所述多個(gè)第2岸面分別以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)進(jìn)行重疊。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的電子器件的制造方法，其特征在于，所述多個(gè)第2岸面，以劃分成分別沿著在與所述第2直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第3直線的多個(gè)第3組的形態(tài)排列而成。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的電子器件的制造方法，其特征在于，所述第3直線相對(duì)于所述第2直線傾斜地延長(zhǎng)。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的電子器件的制造方法，其特征在于，2個(gè)相鄰的所述第3直線平行地延長(zhǎng)。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的電子器件的制造方法，其特征在于，2個(gè)相鄰的所述第3直線是以所述第2直線的垂線作為對(duì)稱軸的線對(duì)稱。
33.根據(jù)權(quán)利要求29～權(quán)利要求32的任一項(xiàng)所述的電子器件的制造方法，其特征在于，所述多個(gè)第1岸面，以劃分成分別沿著在與所述第1直線交叉的方向上延長(zhǎng)的多個(gè)第4直線的多個(gè)第4組的形態(tài)排列而成。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的電子器件的制造方法，其特征在于，從相同的所述第4組的所述第1岸面分別引出的1組所述第1配線，從所述相同的第4組的所述第1岸面的沿所述第1直線的兩側(cè)中的相同側(cè)引出而成。
全文摘要
本發(fā)明可以提供可靠性高的半導(dǎo)體裝置和電子器件及其制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具有具有包括多個(gè)岸面(22)的配線圖案(20)的基板(10)，和具有多個(gè)電極(32)、以使電極(32)與岸面(22)對(duì)向的形態(tài)搭載在基板(10)上而形成的半導(dǎo)體芯片(30)。多個(gè)岸面(22)，以劃分成沿著多個(gè)平行的第1直線(310)的多個(gè)第1組(110)的形態(tài)排列，在沿著第1直線(310)的方向上形成擴(kuò)寬的外形。多個(gè)電極(32)，以劃分成分別沿著多個(gè)平行的第2直線(330)的多個(gè)第2組(130)的形態(tài)排列，在與第2直線(330)交叉的方向上形成擴(kuò)寬的外形。岸面(22)和電極(32)以長(zhǎng)度方向交叉的形態(tài)重疊而形成電連接。
文檔編號(hào)H05K3/36GK1627514SQ20041009825
公開日2005年6月15日 申請(qǐng)日期2004年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月12日
發(fā)明者湯澤秀樹 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社