可對(duì)多普勒頻移進(jìn)行修正的射頻芯片及移動(dòng)終端的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及移動(dòng)通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種可對(duì)多普勒頻移進(jìn)行修正的射頻芯片及移動(dòng)終端。
【背景技術(shù)】
[0002]LTE(長(zhǎng)期演進(jìn)，Long Term Evolut1n)，以其高傳輸速率、高傳輸質(zhì)量和高移動(dòng)性等特征，已經(jīng)成為當(dāng)前移動(dòng)寬帶通信系統(tǒng)最受關(guān)注的熱點(diǎn)之一。LTE系統(tǒng)物理層下行傳輸采用先進(jìn)成熟的OFDMA(正交頻分多址，Orthogonal Frequency Divis1n Multiple Access)技術(shù)，上行傳輸采用單載波SC-FDMA(單載波頻分多址，Single-carrier Frequency-Divis1n Multiple Access)技術(shù)。但二者對(duì)頻率偏差都非常敏感，尤其對(duì)于高頻段的TDD-LTE系統(tǒng)，在高速移動(dòng)環(huán)境下多普勒頻移現(xiàn)象更明顯，嚴(yán)重影響系統(tǒng)性能。
[0003]目前，解決多普勒頻移的主要技術(shù)就是在基站側(cè)進(jìn)行頻偏預(yù)校正，當(dāng)用戶(hù)終端發(fā)射上行信號(hào)，基站側(cè)對(duì)接收到的上行信號(hào)進(jìn)行頻率偏差估計(jì)，利用估計(jì)得到的頻率偏差值對(duì)下行發(fā)送信號(hào)進(jìn)行頻偏預(yù)校正，然后再將數(shù)據(jù)發(fā)射出去。該方法簡(jiǎn)化了接收終端的處理，但增加了基站側(cè)的處理復(fù)雜度，從而增加了對(duì)基站廠(chǎng)家研發(fā)技術(shù)的要求，同時(shí)研發(fā)成本也將直接疊加到整體的建網(wǎng)硬件成本中。同時(shí)，基站側(cè)采用頻偏預(yù)校正的方法會(huì)增加基站系統(tǒng)資源的額外開(kāi)銷(xiāo)，為保證基站與終端間的數(shù)據(jù)傳輸效率，必須限制基站可同時(shí)接入的用戶(hù)數(shù)量，降低了基站的用戶(hù)容量。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種可對(duì)多普勒頻移進(jìn)行修正的射頻芯片及移動(dòng)終端，通過(guò)在終端側(cè)對(duì)下行信號(hào)進(jìn)行頻偏估計(jì)，并根據(jù)估計(jì)結(jié)果對(duì)上行信號(hào)進(jìn)行頻率預(yù)補(bǔ)償，從而在終端側(cè)完成對(duì)多普勒頻移的頻偏校正，以降低基站側(cè)的系統(tǒng)資源開(kāi)銷(xiāo)。本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0005]—種可對(duì)多普勒頻移進(jìn)行修正的射頻芯片，包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器、第一帶通濾波器、第一乘法器、第一低噪聲放大器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器、第二帶通濾波器、第二乘法器、第三帶通濾波器；
[0006]下行信號(hào)依次經(jīng)所述第一低噪聲放大器、第一乘法器、第一帶通濾波器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器處理后形成基頻信號(hào)，上行信號(hào)依次經(jīng)所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器、第二帶通濾波器、第二乘法器、第三帶通濾波器處理后形成射頻信號(hào)，還包括兩個(gè)鎖相環(huán)；
[0007]其中一個(gè)鎖相環(huán)與第一乘法器連接，可對(duì)第一乘法器的輸出信號(hào)進(jìn)行鎖相，另一鎖相環(huán)與第二乘法器連接，可對(duì)第二乘法器的輸出信號(hào)進(jìn)行鎖相。
[0008]進(jìn)一步地，所述鎖相環(huán)包括鑒頻鑒相器、電荷栗、壓控振蕩器、N分頻器;所述鑒頻鑒相器的輸出端連接所述電荷栗的輸入端，所述電荷栗的輸出端連接所述壓控振蕩器的輸入端，所述壓控振蕩器的輸出端連接所述N分頻器的輸入端，所述N分頻器的輸出端連接所述鑒頻鑒相器的輸入端;所述壓控振蕩器還與所述第一乘法器連接。
[0009]—種包括如上所述的任意一種射頻芯片的移動(dòng)終端，還包括基帶芯片和晶體振蕩器;所述晶體振蕩器與所述射頻芯片的兩個(gè)鎖相環(huán)和基帶芯片連接，用于為兩個(gè)鎖相環(huán)和基帶芯片提供基準(zhǔn)頻率；
[0010]所述基帶芯片與兩個(gè)鎖相環(huán)連接，用于通過(guò)與第一乘法器連接的鎖相環(huán)檢測(cè)接收的下行信號(hào)相對(duì)于所述基準(zhǔn)頻率的頻率偏移，并通過(guò)與第一乘法器連接的鎖相環(huán)控制所述第一乘法器的輸出信號(hào)的頻率，同時(shí)，通過(guò)與第二乘法器連接的鎖相環(huán)對(duì)上行信號(hào)進(jìn)行頻率預(yù)補(bǔ)償，使第二乘法器的輸出信號(hào)的頻率相對(duì)于所述基準(zhǔn)頻率產(chǎn)生與所述頻率偏移大小相同方向相反的偏移。
[0011]進(jìn)一步地，所述移動(dòng)終端還包括應(yīng)用處理器，所述應(yīng)用處理器與所述基帶芯片連接。
[0012]進(jìn)一步地，所述移動(dòng)終端還包括第二低噪聲放大器、功率放大器、雙通道濾波器、天線(xiàn)，所述雙通道濾波器包括用于接收下行信號(hào)的下行信號(hào)通道和用于發(fā)射上行信號(hào)的上行信號(hào)通道;所述天線(xiàn)通過(guò)所述下行信號(hào)通道與所述第二低噪聲放大器的輸入端連接，所述第二低噪聲放大器的輸出端與所述第一低噪聲放大器的輸入端連接;所述第三帶通濾波器的輸出端與所述功率放大器的輸入端連接，所述功率放大器的輸出端通過(guò)所述上行信號(hào)通道與所述天線(xiàn)連接。
[0013]進(jìn)一步地，所述晶體振蕩器為溫度補(bǔ)償晶體振蕩器。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型通過(guò)在終端側(cè)引入雙鎖相環(huán)，其中一個(gè)鎖相環(huán)檢測(cè)并跟蹤下行信號(hào)的頻率偏差，另一鎖相環(huán)對(duì)上行信號(hào)進(jìn)行頻率預(yù)補(bǔ)償，從而在終端側(cè)實(shí)現(xiàn)對(duì)多普勒頻移的頻偏校正，降低了基站側(cè)的系統(tǒng)資源開(kāi)銷(xiāo)，從而提高了基站可同時(shí)接入的用戶(hù)數(shù)量。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1:本實(shí)用新型實(shí)施例提供的移動(dòng)終端的組成示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0017]圖1示出了本實(shí)用新型提供的移動(dòng)終端的組成示意圖，圖中只示出了與本實(shí)用新型有關(guān)的部分。根據(jù)圖1所示，該移動(dòng)終端包括射頻芯片1、基帶芯片2、晶體振蕩器3、應(yīng)用處理器4、第二低噪聲放大器5、功率放大器6、天線(xiàn)7和雙通道濾波器8。
[0018]射頻芯片I可以是包括TDD-LTE射頻芯片在內(nèi)的任何射頻芯片。射頻芯片I包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器12、第一帶通濾波器13、第一乘法器14、第一低噪聲放大器15、數(shù)模轉(zhuǎn)換器16、第二帶通濾波器17、第二乘法器18、第三帶通濾波器19。射頻芯片I中，下行信號(hào)依次經(jīng)第一低噪聲放大器15、第一乘法器14、第一帶通濾波器13、模數(shù)轉(zhuǎn)換器12處理后形成基頻信號(hào)，上行信號(hào)依次經(jīng)數(shù)模轉(zhuǎn)換器16、第二帶通濾波器17、第二乘法器18、第三帶通濾波器19處理后形成射頻信號(hào)。
[0019]本實(shí)用新型中，射頻芯片I還包括兩個(gè)鎖相環(huán)11，其中一個(gè)鎖相環(huán)11與第一乘法器14連接，可對(duì)第一乘法器14的輸出信號(hào)進(jìn)行鎖相，另一鎖相環(huán)11與第二乘法器18連接，可對(duì)第二乘法器18的輸出信號(hào)進(jìn)行鎖相。對(duì)第一乘法器14和第二乘法器18的輸出信號(hào)進(jìn)行鎖相的結(jié)果是，可以使第一乘法器14和第二乘法器18的輸出頻率在固定的頻帶范圍內(nèi)或固定的頻率值上。第一乘法器14的輸出信號(hào)為中頻信號(hào)，該中頻信號(hào)將繼續(xù)經(jīng)第一帶通濾波器13、模數(shù)轉(zhuǎn)換器12處理后成為基帶信號(hào)，輸入基帶芯片2進(jìn)行處理。與第一乘法器14連接的鎖相環(huán)11通過(guò)控制第一乘法器14的輸出信號(hào)的頻率可對(duì)接收到的下行信