揚(yáng)聲器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及聲電技術(shù)領(lǐng)域，更為具體地，涉及一種揚(yáng)聲器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，由于揚(yáng)聲器導(dǎo)磁軛的側(cè)壁厚度較大，在揚(yáng)聲器外部尺寸不變的情況下，將導(dǎo)致磁鐵和華司的尺寸相對(duì)稍小，整個(gè)磁路部分得不到合理的分配。
[0003]圖1示出了現(xiàn)有揚(yáng)聲器剖面結(jié)構(gòu)；圖2和圖3分別示出了現(xiàn)有揚(yáng)聲器導(dǎo)磁軛的俯視結(jié)構(gòu)和剖面結(jié)構(gòu)。在圖1至圖3中，dl表示導(dǎo)磁軛長(zhǎng)軸側(cè)壁的厚度，d2表示導(dǎo)磁軛短軸側(cè)壁的厚度，d3表示導(dǎo)磁軛短軸的外側(cè)長(zhǎng)度，d4表示導(dǎo)磁軛短軸的內(nèi)側(cè)長(zhǎng)度，d5表示補(bǔ)強(qiáng)部的長(zhǎng)度，d6表示磁鐵和華司的長(zhǎng)度；目前，dl和d2與底壁的厚度均為0.4mm，此時(shí)，d3為7.96mm, d4為7.16mm, d5為6.80mm, d6為6.24mm?？芍?，過(guò)厚的導(dǎo)磁軛側(cè)壁會(huì)導(dǎo)致音圈及磁鐵的尺寸相對(duì)較小，振膜的補(bǔ)強(qiáng)部面積也相對(duì)較小，進(jìn)而導(dǎo)致?lián)P聲器的聲學(xué)性能相對(duì)偏低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]鑒于上述問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的是提供一種揚(yáng)聲器，采用這種揚(yáng)聲器以解決目前由于導(dǎo)磁軛的側(cè)壁厚度較大，導(dǎo)致磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)尺寸稍小，進(jìn)而造成揚(yáng)聲器聲學(xué)性能沒(méi)有達(dá)到最優(yōu)等問(wèn)題。
[0005]本實(shí)用新型提供的揚(yáng)聲器，包括磁路系統(tǒng)，磁路系統(tǒng)包括導(dǎo)磁軛、設(shè)置在導(dǎo)磁軛一側(cè)的磁鐵、設(shè)置在磁鐵遠(yuǎn)離導(dǎo)磁軛一側(cè)的華司，其中，導(dǎo)磁軛包括底壁及與底壁相垂直的側(cè)壁；側(cè)壁的厚度小于底壁的厚度。
[0006]此外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，側(cè)壁包括長(zhǎng)軸側(cè)壁和短軸側(cè)壁；長(zhǎng)軸側(cè)壁的厚度與底壁的厚度相等；短軸側(cè)壁的厚度小于底壁的厚度。
[0007]此外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，短軸側(cè)壁的厚度為底壁厚度的1/2?3/4。
[0008]此外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，底壁與長(zhǎng)軸側(cè)壁的厚度為0.4mm ;短軸側(cè)壁的厚度壓薄為0.2?0.3mm ;華司和磁鐵在長(zhǎng)軸方向上的長(zhǎng)度為6.44?6.64mm。
[0009]此外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，還包括外殼、與外殼適配連接的前蓋、收容在前蓋與外殼形成的腔體內(nèi)的振動(dòng)系統(tǒng)；其中，振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜、粘貼在振膜一側(cè)的音圈，以及位于振膜另一側(cè)中心位置的補(bǔ)強(qiáng)部。
[0010]此外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，補(bǔ)強(qiáng)部在長(zhǎng)軸方向上的長(zhǎng)度為7.0?7.2mm。
[0011]此外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，補(bǔ)強(qiáng)部的面積為21.7?22.4mm2。
[0012]此外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，短軸側(cè)壁壓薄0.15 mm ；
[0013]此外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，短軸側(cè)壁的厚度為0.25mm ;華司和磁鐵的在長(zhǎng)軸方向上的長(zhǎng)度為6.54mm ;補(bǔ)強(qiáng)部在長(zhǎng)軸方向上的長(zhǎng)度為7.1mm。
[0014]此外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，補(bǔ)強(qiáng)部的面積為22_2。
[0015]從上面的技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型的揚(yáng)聲器，側(cè)壁的厚度小于底壁的厚度，能夠合理分配整個(gè)磁路系統(tǒng)，磁鐵和華司可相應(yīng)地在原來(lái)的長(zhǎng)度基礎(chǔ)上增長(zhǎng)，音圈尺寸和振膜中心的面積也相應(yīng)變大，揚(yáng)聲器的磁力及靈敏度均明顯提高。
【附圖說(shuō)明】
[0016]通過(guò)參考以下結(jié)合附圖的說(shuō)明及權(quán)利要求書的內(nèi)容，并且隨著對(duì)本實(shí)用新型的更全面理解，本實(shí)用新型的其它目的及結(jié)果將更加明白及易于理解。在附圖中:
[0017]圖1為現(xiàn)有揚(yáng)聲器剖面結(jié)構(gòu)不意圖；
[0018]圖2為現(xiàn)有揚(yáng)聲器導(dǎo)磁軛俯視圖；
[0019]圖3為現(xiàn)有揚(yáng)聲器導(dǎo)磁軛剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的揚(yáng)聲器分解結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖5為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的揚(yáng)聲器剖面圖；
[0022]圖6為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的導(dǎo)磁軛俯視圖；
[0023]圖7為圖6中沿A-A處的剖面圖。
[0024]其中的附圖標(biāo)記包括:前蓋1、補(bǔ)強(qiáng)部2、振膜3、音圈4、華司5、磁鐵6、導(dǎo)磁軛7、底壁71、長(zhǎng)軸側(cè)壁72、短軸側(cè)壁73、外殼8、彈片9。
[0025]在所有附圖中相同的標(biāo)號(hào)指示相似或相應(yīng)的特征或功能。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0027]圖4示出了根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的揚(yáng)聲器分解結(jié)構(gòu)；圖5示出了根據(jù)本實(shí)用新型的揚(yáng)聲器剖面結(jié)構(gòu)。
[0028]如圖4和圖5共同所不，本實(shí)用新型具體實(shí)施例的揚(yáng)聲器，包括外殼8、與外殼8適配連接的前蓋1、收容在外殼8與前蓋I形成的腔體內(nèi)的磁路系統(tǒng)，磁路系統(tǒng)包括固定在外殼8上的導(dǎo)磁軛7，設(shè)置在導(dǎo)磁軛7靠近前蓋I 一側(cè)的磁鐵6、設(shè)置在磁鐵6遠(yuǎn)離導(dǎo)磁軛7 —側(cè)的華司5，其中，導(dǎo)磁軛7包括底壁71及與底壁71相垂直的短軸側(cè)壁73和長(zhǎng)軸側(cè)壁72，并且側(cè)壁的厚度小于底壁71的厚度。
[0029]—種較佳的實(shí)施方式為，長(zhǎng)軸側(cè)壁72與底壁71的厚度相等，而短軸側(cè)壁73的厚度與底壁71的厚度不等，具體而言，針對(duì)短軸側(cè)壁73進(jìn)行壓薄處理，優(yōu)選壓薄為底壁71厚度的1/2?3/4?，F(xiàn)有技術(shù)中，長(zhǎng)軸側(cè)壁72、短軸側(cè)壁73與底壁71的厚度均為0.4 mm，那么，本技術(shù)方案中，短軸側(cè)壁73相當(dāng)于在原有0.4mm的基礎(chǔ)上壓薄為0.2?0.3mm ;此時(shí)，華司5和磁鐵6在長(zhǎng)軸方向上的長(zhǎng)度為6.44?6.64mm。
[0030]此外，本實(shí)用新型實(shí)施例的揚(yáng)聲器，還包括收容在前蓋I與外殼8形成的腔體內(nèi)的振動(dòng)系統(tǒng)；其中，振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜3、粘貼在振膜一側(cè)的音圈4，以及位于振膜3另一側(cè)中心位置的補(bǔ)強(qiáng)部2。其中，振膜3包括與前蓋I固定連接的固定部、與振膜固定部一體設(shè)置的凹/凸結(jié)構(gòu)的折環(huán)部(位于振膜外圍部位)及位于折環(huán)部?jī)?nèi)的平面部。在振膜平面部設(shè)置有調(diào)節(jié)揚(yáng)聲器聲學(xué)性能的補(bǔ)強(qiáng)部2。
[0031]具體地，導(dǎo)磁軛7固定在外殼8上，華司5、磁鐵6和導(dǎo)磁軛7從上到下依次固定。其中，導(dǎo)磁軛7主要用于固定磁鐵6并修正磁力線，包括長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)的底壁71、與底壁71垂直設(shè)置的四個(gè)側(cè)壁，側(cè)壁包括對(duì)稱設(shè)置的短軸側(cè)壁73和長(zhǎng)軸側(cè)壁72。在磁鐵6和華司5與導(dǎo)磁軛7的側(cè)壁之間形成磁間隙，音圈4懸設(shè)在該磁間隙內(nèi)。
[0032]現(xiàn)有導(dǎo)磁軛7的側(cè)壁厚度為0.4mm,為在保持揚(yáng)聲器整體外部尺寸不變的情況下，適量增大音圈4、磁鐵6和華司5的長(zhǎng)度，以合理配置整個(gè)磁路系統(tǒng)，在本實(shí)用新型中，將導(dǎo)磁軛7的短軸側(cè)壁73壓薄0.1?0.2mm,由于導(dǎo)磁軛短軸側(cè)壁的長(zhǎng)度為1.6mm，在壓薄0.1?0.2mm后對(duì)其性能的損失影響很小，在磁間隙不變的情況下，磁鐵6和華司5的單邊長(zhǎng)軸長(zhǎng)度可以相應(yīng)地加長(zhǎng)0.1?0.2mm (磁鐵6和華司5的整體長(zhǎng)度可增加0.2?0.4mm)，此時(shí)，補(bǔ)強(qiáng)部2的面積可增加0.7?1.4mm2。
[0033]通過(guò)仿真可知，導(dǎo)磁軛7的短軸側(cè)壁的厚度設(shè)置為0.2?0.3mm ;華司5和磁鐵6在長(zhǎng)軸方向上的長(zhǎng)度可以設(shè)置為6.44?6.64mm，揚(yáng)聲器BL(磁力，指磁間隙的磁感應(yīng)強(qiáng)度與有效音圈線長(zhǎng)的乘積)提升0.01?0.015N/A，靈敏度提升0.1?0.2dB。補(bǔ)強(qiáng)部2在長(zhǎng)軸方向上的長(zhǎng)度可以設(shè)置為7.0?7.2mm，補(bǔ)強(qiáng)部2的面積為21.7?22.4mm2，此時(shí)，揚(yáng)聲器的SD(振動(dòng)面積，指在揚(yáng)聲器的振動(dòng)過(guò)程中，振膜的有效振動(dòng)面積)增大，靈敏度提升0.1 ?0.2dB0
[0034]在本實(shí)用新型的一個(gè)【具體實(shí)施方式】中，導(dǎo)磁軛7的短軸側(cè)壁73壓薄0.15_。具體地，圖6示出了根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的導(dǎo)磁軛俯視結(jié)構(gòu)；圖7為圖6中沿A-A處的剖面結(jié)構(gòu)。
[0035]如圖6和圖7共同所示，導(dǎo)磁軛包括長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)的底壁71、與底壁71垂直設(shè)置的四個(gè)側(cè)壁，側(cè)壁包括對(duì)稱設(shè)置的短軸側(cè)壁73和長(zhǎng)軸側(cè)壁72。導(dǎo)磁軛的短軸側(cè)壁73壓薄0.15mm后的厚度為0.25mm，華司和磁鐵在長(zhǎng)軸方形上的長(zhǎng)度(現(xiàn)有技術(shù)中的d6)為6.54mm ;補(bǔ)強(qiáng)部在長(zhǎng)軸方向上的長(zhǎng)度(現(xiàn)有技術(shù)中的d5)為7.1mm，補(bǔ)強(qiáng)部的面積為22mm2。通過(guò)仿真可知，磁鐵華司變大，揚(yáng)聲器BL提升約0.015N/A，靈敏度提升約0.2dB，振膜的SD變大，靈敏度提升約0.15dB，揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能明顯提高。
[0036]通過(guò)上述實(shí)施方式可以看出，本實(shí)用新型提供的揚(yáng)聲器，通過(guò)壓薄導(dǎo)磁軛短軸側(cè)壁的厚度，增加磁鐵、華司、補(bǔ)強(qiáng)部的長(zhǎng)度及面積、能夠提升磁路系統(tǒng)的磁力，擴(kuò)大揚(yáng)聲器的振動(dòng)面積，合理分配整個(gè)磁路系統(tǒng)，提高產(chǎn)品的靈敏度及聲學(xué)性能。
[0037]如上參照附圖以示例的方式描述了根據(jù)本實(shí)用新型提出的揚(yáng)聲器。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對(duì)于上述本實(shí)用新型所提出的揚(yáng)聲器，還可以在不脫離本【實(shí)用新型內(nèi)容】的基礎(chǔ)上做出各種改進(jìn)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)由所附的權(quán)利要求書的內(nèi)容確定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種揚(yáng)聲器，包括磁路系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)包括導(dǎo)磁軛、設(shè)置在所述導(dǎo)磁軛一側(cè)的磁鐵、設(shè)置在所述磁鐵遠(yuǎn)離所述導(dǎo)磁軛一側(cè)的華司，其特征在于， 所述導(dǎo)磁軛包括底壁及與所述底壁相垂直的側(cè)壁； 所述側(cè)壁的厚度小于所述底壁的厚度。2.如權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其特征在于， 所述側(cè)壁包括長(zhǎng)軸側(cè)壁和短軸側(cè)壁； 所述長(zhǎng)軸側(cè)壁的厚度與所述底壁的厚度相等； 所述短軸側(cè)壁的厚度小于所述底壁的厚度。3.如權(quán)利要求2所述的揚(yáng)聲器，其特征在于， 所述短軸側(cè)壁的厚度為所述底壁厚度的1/2?3/4。4.如權(quán)利要求3所述的揚(yáng)聲器，其特征在于， 所述底壁與所述長(zhǎng)軸側(cè)壁的厚度為0.4mm ； 所述短軸側(cè)壁的厚度壓薄為0.2?0.3mm ; 所述華司和磁鐵在長(zhǎng)軸方向上的長(zhǎng)度為6.44?6.64mm。5.如權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，還包括外殼、與所述外殼適配連接的前蓋、收容在所述前蓋與外殼形成的腔體內(nèi)的振動(dòng)系統(tǒng)；其中， 所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜、粘貼在所述振膜一側(cè)的音圈，以及位于所述振膜另一側(cè)中心位置的補(bǔ)強(qiáng)部。6.如權(quán)利要求5所述的揚(yáng)聲器，其特征在于， 所述補(bǔ)強(qiáng)部在長(zhǎng)軸方向上的長(zhǎng)度為7.0?7.2_。7.如權(quán)利要求6所述的揚(yáng)聲器，其特征在于， 所述補(bǔ)強(qiáng)部的面積為21.7?22.4mm2。8.如權(quán)利要求2所述的揚(yáng)聲器，其特征在于， 所述短軸側(cè)壁壓薄0.15 mm。9.如權(quán)利要求8所述的揚(yáng)聲器，其特征在于， 所述短軸側(cè)壁的厚度為0.25mm。 所述華司和磁鐵的在長(zhǎng)軸方向上的長(zhǎng)度為6.54mm ； 所述補(bǔ)強(qiáng)部在長(zhǎng)軸方向上的長(zhǎng)度為7.1_。10.如權(quán)利要求9所述的揚(yáng)聲器，其特征在于， 所述補(bǔ)強(qiáng)部的面積為22mm2。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種揚(yáng)聲器，包括磁路系統(tǒng)，磁路系統(tǒng)包括導(dǎo)磁軛、設(shè)置在導(dǎo)磁軛一側(cè)的磁鐵、設(shè)置在磁鐵遠(yuǎn)離導(dǎo)磁軛一側(cè)的華司，其中，導(dǎo)磁軛包括底壁及與底壁相垂直的側(cè)壁；側(cè)壁的厚度小于底壁的厚度。利用本實(shí)用新型，能夠增大振膜補(bǔ)強(qiáng)部及磁鐵和華司的面積，提升揚(yáng)聲器的靈敏度。
【IPC分類】H04R9/06, H04R9/02
【公開號(hào)】CN204906699
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520481279
【發(fā)明人】郭甜麗, 董文強(qiáng), 葛連山
【申請(qǐng)人】歌爾聲學(xué)股份有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請(qǐng)日】2015年7月6日