一種寬頻阻抗變換器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電子元器件，具體涉及一種寬頻阻抗變換器。
【背景技術(shù)】
[0002]電子管是一個(gè)高電壓小電流的高阻放大器件，在輸出功率推動(dòng)低阻抗的耳機(jī)和揚(yáng)聲器時(shí)必須阻抗變換，比如一個(gè)大功率的電子管陽(yáng)極阻抗是6000歐姆，推動(dòng)8歐姆的喇叭必須把6000歐姆轉(zhuǎn)化為8歐姆才能和揚(yáng)聲器很好的對(duì)接功率輸送，以前的阻抗變換器不能達(dá)到音頻的頻響范圍(音頻要求20HZ-20KHZ)，目前就是號(hào)稱世界頻響最寬的日本的鐵木蘭(TAMRAD10)和天狗(TANGO)也只能做到20HZ-20KHZ-1.5DB，包括美國(guó)、瑞士、法國(guó)、德國(guó)、英國(guó)等的國(guó)家都是在音頻范圍內(nèi)衰減很大，都具有一定的技術(shù)局限性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為克服上述缺陷，本發(fā)明的目的即在于提供一種寬頻阻抗變換器。
[0004]本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:
[0005]本發(fā)明的一種寬頻阻抗變換器，包括有變換器本體，所述變換器本體包括有數(shù)量為3-5層的高阻端層及與高阻端層依次層狀設(shè)置的低阻端層，所述高阻端層及低阻端層之間還設(shè)置有絕緣隔離層；
[0006]每一個(gè)高阻端層包括3個(gè)以上依次串聯(lián)的高阻端，每一個(gè)低阻端層包括依次串聯(lián)的且與每一個(gè)高阻端層包括的高阻端數(shù)量相同的低阻端;所述高阻端層的末高阻端與下一層高阻端層的首高阻端電連接;每一個(gè)低阻端層的首低阻端依次電連接，每一個(gè)低阻端層的末低阻端依次電連接。
[0007]進(jìn)一步，所述層狀設(shè)置的最上層為高阻端層。
[0008]進(jìn)一步，所述高阻端與低阻端上下位置相對(duì)應(yīng)。
[0009]進(jìn)一步，所述變換器本體還包括有鐵芯，所述高阻端層及低阻端層均纏繞在鐵芯上形成層狀設(shè)置。
[0010]進(jìn)一步，所述高阻端層的數(shù)量為4層，每一個(gè)高阻端層包括6個(gè)依次串聯(lián)的高阻端。
[0011]進(jìn)一步，所述高阻端層的數(shù)量為3層，每一個(gè)高阻端層包括3個(gè)依次串聯(lián)的高阻端。
[0012]更進(jìn)一步，所述高阻端層的數(shù)量為5層，每一個(gè)高阻端層包括8個(gè)依次串聯(lián)的高阻端。
[0013]本發(fā)明提供的一種寬頻阻抗變換器，當(dāng)變換器的低阻部分高于8歐姆時(shí)采用分層分段處理，分層分段處理可以把分布電容減少，即分布電容的存在把高頻部分旁路造成輸送損失，大幅度的減少分布電容，克服分布電容的影響，繼而克服變換器阻抗變換的瓶頸，使得電子管變換器的頻寬可以做到和晶體管的那么寬，甚至可以達(dá)到10HZ-80KHZ-0.1DB的技術(shù)效果，同時(shí)該變換器具有輸出阻抗低、控制能力強(qiáng)、高音潤(rùn)滑、中音飽滿、低音不會(huì)拖泥帶水等特點(diǎn)。其還可以應(yīng)用到其他領(lǐng)域，如雷達(dá)和需要阻抗變換的任何地方。
【附圖說(shuō)明】
[0014]為了易于說(shuō)明，本發(fā)明由下述的較佳實(shí)施例及附圖作詳細(xì)描述。
[0015]圖1為本發(fā)明一種寬頻阻抗變換器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為本發(fā)明一種寬頻阻抗變換器工作中整機(jī)頻響測(cè)試圖；
[0017]圖3為本發(fā)明一種寬頻阻抗變換器工作中整機(jī)頻響另一測(cè)試圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0019]請(qǐng)參閱圖1-3，本發(fā)明的一種寬頻阻抗變換器，包括有變換器本體，該變換器本體包括有數(shù)量為3-5層的高阻端層a及與高阻端層a依次層狀設(shè)置的低阻端層b，該高阻端層a及低阻端層b之間還設(shè)置有絕緣隔離層c;作為優(yōu)選，該高阻端與低阻端上下位置相對(duì)應(yīng)，層狀設(shè)置的最上層為高阻端層a。
[0020]每一個(gè)高阻端層a包括3個(gè)以上依次串聯(lián)的高阻端，每一個(gè)低阻端層b包括依次串聯(lián)的且與每一個(gè)高阻端層a包括的高阻端數(shù)量相同的低阻端;該高阻端層a的末高阻端與下一層高阻端層a的首高阻端電連接;每一個(gè)低阻端層b的首低阻端依次電連接，每一個(gè)低阻端層b的末低阻端依次電連接，即依次串聯(lián)。
[0021]下面以具體的實(shí)施例對(duì)該寬頻阻抗變換器進(jìn)行詳細(xì)描述:
[0022]具體參見(jiàn)圖1，該寬頻阻抗變換器為4層6段分布，即是高阻端層a的數(shù)量為4層，每一個(gè)高阻端層a包括6個(gè)依次串聯(lián)的高阻端，該分布可以獲得較佳的分布效果，可以更好的把分布電容減少;作為優(yōu)選，該寬頻阻抗變換器可以為3層3段分布或5層8段分布，該兩種分布也可以較好的把分布電容減少。其高阻端層a及低阻端層b均纏繞在鐵芯15上，高阻端層a的首高阻端分別為首高阻端1、5、9、13，高阻端層a的末高阻端分別為末高阻端2、6、10、14，其中的末高阻端2與首高阻端5連接，末高阻端6與首高阻端9連接，末高阻端10與首高阻端13連接;低阻端層b的首低阻端分別為首低阻端3、7、11，低阻端層b的末低阻端分別為末低阻端4、8、12，其中的首低阻端3、7、11依次電連接，末低阻端4、8、12依次電連接，即是3個(gè)低阻端層b相并聯(lián);最下層的高阻端層a與鐵芯15之間可設(shè)置低阻端層b，也可以不設(shè)置，如圖1為不設(shè)置的情況。
[0023]參見(jiàn)圖2，為本寬頻阻抗變換器的測(cè)試圖，一格為0.5DB，可達(dá)到20-20KHZ-0.1DB，中間直的一段為20HZ-20KHZ;參見(jiàn)圖3，為本寬頻阻抗變換器的另一測(cè)試圖，即是WEILY阻抗變換器帶載測(cè)試圖，每一格為0.5DB，整段為20-80KHZ，其衰減就在80KHZ附近-0.1-0.2左右。
[0024]本發(fā)明提供的一種寬頻阻抗變換器，當(dāng)變換器的低阻部分低于8歐姆時(shí)，不使用分段處理；當(dāng)變換器的低阻部分高于8歐姆時(shí)采用分層分段處理，分層分段處理的分布電容的存在把高頻部分旁路造成輸送損失，大幅度的減少分布電容，克服分布電容的影響，繼而克服變換器阻抗變換的瓶頸，使得電子管變換器的頻寬可以做到和晶體管的那么寬，甚至可以達(dá)到10HZ-80KHZ-0.1DB的技術(shù)效果，同時(shí)該變換器具有輸出阻抗低、控制能力強(qiáng)、高音潤(rùn)滑、中音飽滿、低音不會(huì)拖泥帶水等特點(diǎn)。其還可以應(yīng)用到其他領(lǐng)域，如雷達(dá)和需要阻抗變換的任何地方。
[0025]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種寬頻阻抗變換器，包括有變換器本體，其特征在于，所述變換器本體包括有數(shù)量為3-5層的高阻端層及與高阻端層依次層狀設(shè)置的低阻端層，所述高阻端層及低阻端層之間還設(shè)置有絕緣隔離層； 每一個(gè)高阻端層包括3個(gè)以上依次串聯(lián)的高阻端，每一個(gè)低阻端層包括依次串聯(lián)的且與每一個(gè)高阻端層包括的高阻端數(shù)量相同的低阻端;所述高阻端層的末高阻端與下一層高阻端層的首高阻端電連接;每一個(gè)低阻端層的首低阻端依次電連接，每一個(gè)低阻端層的末低阻端依次電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬頻阻抗變換器，其特征在于，所述層狀設(shè)置的最上層為高阻端層。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種寬頻阻抗變換器，其特征在于，所述高阻端與低阻端上下位置相對(duì)應(yīng)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種寬頻阻抗變換器，其特征在于，所述變換器本體還包括有鐵芯，所述高阻端層及低阻端層均纏繞在鐵芯上形成層狀設(shè)置。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種寬頻阻抗變換器，其特征在于，所述高阻端層的數(shù)量為4層，每一個(gè)高阻端層包括6個(gè)依次串聯(lián)的高阻端。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種寬頻阻抗變換器，其特征在于，所述高阻端層的數(shù)量為3層，每一個(gè)高阻端層包括3個(gè)依次串聯(lián)的高阻端。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種寬頻阻抗變換器，其特征在于，所述高阻端層的數(shù)量為5層，每一個(gè)高阻端層包括8個(gè)依次串聯(lián)的高阻端。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電子元器件，特別涉及一種寬頻阻抗變換器。其變換器本體包括有數(shù)量為3-5層的高阻端層及與高阻端層依次層狀設(shè)置的低阻端層，所述高阻端層及低阻端層之間還設(shè)置有絕緣隔離層；每一個(gè)高阻端層包括3個(gè)以上依次串聯(lián)的高阻端，每一個(gè)低阻端層包括依次串聯(lián)的且與每一個(gè)高阻端層包括的高阻端數(shù)量相同的低阻端；所述高阻端層的末高阻端與下一層高阻端層的首高阻端電連接；每一個(gè)低阻端層的首低阻端依次電連接，每一個(gè)低阻端層的末低阻端依次電連接。其分層分段處理的分布電容的處理把高頻部分旁路造成輸送損失，大幅度的減少分布電容，克服分布電容的影響，使得電子管變換器的頻寬可以做到和晶體管的那么寬，可以達(dá)到10HZ-80KHZ-0.1DB的技術(shù)效果。
【IPC分類】H04R1/28
【公開(kāi)號(hào)】CN105554624
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510904034
【發(fā)明人】韋利躍, 韋曉娟
【申請(qǐng)人】韋曉娟
【公開(kāi)日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2015年12月9日