一種射頻電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種射頻電路。
【背景技術(shù)】
[0002]CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導(dǎo)體)是指互補金屬氧化物半導(dǎo)體存儲器，這是一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料。
[0003]目前，現(xiàn)有的應(yīng)用于寬帶信號發(fā)射的射頻電路中的功率放大器通常是采用砷化鎵材料制作。這是由于砷化鎵材料的電子迀移率是硅材料的數(shù)倍。另外作為基材料，砷化鎵材料的電阻率低，寄生電容也更小，由此造成的噪聲小，擊穿閾值高，因此使得采用砷化鎵材料制成的功率放大器具有更好的高頻特性，能夠滿足高頻率的寬帶信號收發(fā)應(yīng)用環(huán)境中。
[0004]而在CMOS工藝下采用硅材料制成的功率放大器則因為作為基材料的硅材料電阻率較高、寄生電容較大，由此形成的噪聲較大而無法滿足在高頻率的寬帶信號收發(fā)應(yīng)用中。
[0005]可見，現(xiàn)有技術(shù)中存在著CMOS射頻電路中的功率放大器由于采用硅材料作為基材料，其電阻率較高、寄生電容較大，由此在信號收發(fā)過程中容易與射頻電路中的其他電子元器件引起諧振產(chǎn)生較大的干擾，無法應(yīng)用在高頻率的無線信號收發(fā)環(huán)境中的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本申請?zhí)峁┮环N射頻電路，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在著的CMOS射頻電路中的功率放大器由于采用硅材料作為基材料，其電阻率較高、寄生電容較大，由此在信號收發(fā)過程中容易與射頻電路中的其他電子元器件引起諧振產(chǎn)生較大的干擾，無法應(yīng)用在高頻率的無線信號收發(fā)環(huán)境中的技術(shù)問題。
[0007]本申請一方面提供了一種射頻電路，包括:
[0008]本地振蕩器，用以按照第一頻率輸出本振信號，并將所述本振信號與發(fā)射信息疊加生成發(fā)射中頻；
[0009]功率放大器，用以基于所述發(fā)射中頻生成具有第二頻率的發(fā)射信號，并對所述發(fā)射信號進行放大處理，其中，所述第二頻率與所述第一頻率的差值大于等于一預(yù)設(shè)頻率閾值。
[0010]可選地，所述功率放大器，用以在所述本地振蕩器與所述功率放大器之間的基材部分所產(chǎn)生的第一干擾的值大于第一預(yù)設(shè)閾值時，生成具有所述第二頻率的所述發(fā)射信號。
[0011]可選地，所述電路還包括:
[0012]低噪聲放大器；
[0013]所述功率放大器，用以在所述低噪聲放大器與所述功率放大器之間的基材部分所產(chǎn)生的第二干擾的值大于第二預(yù)設(shè)閾值時，生成具有所述第二頻率的所述發(fā)射信號。
[0014]可選地，所述本地振蕩器，用以按照所述第一頻率為所述第二頻率的2*N倍輸出本振信號，N為大于O的整數(shù)。
[0015]可選地，所述功率放大器，用以在所述射頻電路發(fā)射寬帶信號時，生成具有所述第二頻率的所述發(fā)射信號。
[0016]可選地，所述電路還包括:
[0017]第一諧振電路，包括電感和/或電容，設(shè)置在所述功率放大器與所述本地振蕩器之間，用以在所述本地振蕩器和所述功率放大器工作時，產(chǎn)生與所述第一頻率的差值在預(yù)設(shè)閾值范圍內(nèi)的濾波頻率，接收所述功率放大器發(fā)出的輻射電波以在所述第一諧振電路中產(chǎn)生感應(yīng)電流，并將所述感應(yīng)電流通過接地端消耗。
[0018]可選地，所述第一諧振電路，具體為:
[0019]電感墻，包括相對設(shè)置的第一電感與第二電感，所述第一電感的第一輸入端與所述第二電感的第二輸出端連接，且所述第一電感的第一輸出端與所述第二電感的第二輸入端連接；或，
[0020]可調(diào)諧振電路，包括至少一個電容，其中，所述至少一個電容為可變電容。
[0021]可選地，所述可調(diào)諧振電路中的電容為替代第一電子元器件的接地端的電容，其中，所述第一電子元器件為所述功率放大器和所述本地振蕩器之間的電子元器件。
[0022]可選地，所述電路中的基材為采用同一材料一體集成。
[0023]本申請實施例中提供的一個或多個技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點:
[0024]本申請實施例中的技術(shù)方案可以通過將射頻電路的發(fā)射頻率調(diào)整為與本地振蕩器產(chǎn)生的本振頻率的差值大于等于一預(yù)設(shè)頻率閾值的發(fā)射頻率，從而避免所述發(fā)射頻率與所述本振頻率相近造成體傳導(dǎo)干擾，有效降低射頻電路在信號收發(fā)過程中產(chǎn)生的噪音，能夠使采用硅材料作為基材料的CMOS射頻電路也能夠應(yīng)用在高頻率的無線信號收發(fā)環(huán)境中。
[0025]本申請實施例至少還具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點:
[0026]進一步地，本申請實施例中的技術(shù)方案還可以根據(jù)本地振蕩器與功率放大器之間的基材部分所產(chǎn)生的第一干擾的值來判斷是否執(zhí)行本方案。因此，本申請實施例中的技術(shù)方案還具有提高執(zhí)行效率的技術(shù)效果。
[0027]進一步地，本申請實施例中的技術(shù)方案還可以根據(jù)低噪聲放大器與功率放大器之間的基材部分所產(chǎn)生的第二干擾的值來判斷是否執(zhí)行本方案。因此，本申請實施例中的技術(shù)方案還具有進一步提高執(zhí)行效率的技術(shù)效果。
[0028]進一步地，本申請實施例中的技術(shù)方案還可以通過按照所述第一頻率為所述第二頻率的2*N倍的方式輸出本振信號，使干擾信號的數(shù)量較少，并且本地振蕩器和功率放大器之間的體傳導(dǎo)干擾值也屬于可接受范圍內(nèi)。因此，本申請實施例中的技術(shù)方案還具有提高適用性的技術(shù)效果。
[0029]進一步地，為了提高本申請實施例中的技術(shù)方案的執(zhí)行效率，可以在系統(tǒng)檢測到所述射頻電路正在或?qū)⒁l(fā)射寬帶信號時，才生成具有所述第二頻率的所述發(fā)射信號。因此，本申請實施例中的技術(shù)方案具有進一步提高執(zhí)行效率的技術(shù)效果。
[0030]進一步地，本申請實施例中的技術(shù)方案還可以通過在本地振蕩器和功率放大器之間設(shè)置諧振電路并形成感應(yīng)電流的方式，消耗掉因功率放大器在工作過程中產(chǎn)生的輻射電波的能量，進而進一步降低本地振蕩器和功率放大器之間的干擾。因此，本申請實施例中的技術(shù)方案還具有進一步降低所述射頻電路中的干擾的技術(shù)效果。
[0031]進一步地，本申請實施例中的技術(shù)方案可以通過設(shè)置相位相差180度的電感墻諧振電路或設(shè)置可調(diào)諧振電路的方式，對本地振蕩器和功率放大器之間的輻射電波進行過濾。具有提高輻射電波的消耗率或提高諧振電路的適用范圍的技術(shù)效果。
[0032]進一步地，本申請實施例中的技術(shù)方案通過將功率放大器和本地振蕩器之間的電子元器件的接地端制成所述可調(diào)諧振電路中的電容，從而可以有效減少射頻電路中的電子元器件數(shù)量，并降低射頻電路中的空間擁擠度。具有節(jié)約生產(chǎn)成本和降低電子元器件之間發(fā)生短路或電磁干擾的技術(shù)效果。
[0033]進一步地，本申請實施例中的技術(shù)方案可以通過將所述射頻電路中的基材采用同一材料一體集成。因此可以簡化大量加工流程，具有有效降低生產(chǎn)成本的技術(shù)效果。
【附圖說明】
[0034]圖1為本申請實施例提