應(yīng)用于光接收器的抗干擾電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于光電集成電路領(lǐng)域，尤其是一種應(yīng)用于CMOS工藝全集成數(shù)字信號光接收器的抗干擾電路。
【背景技術(shù)】
[0002]光接收器通常包含光電二極管、跨阻放大器、比較器等其它一些數(shù)字邏輯電路，其與前端的LED等發(fā)光電路一起組成光電耦合器。在一定的應(yīng)用環(huán)境下，光電耦合器易受到某種干擾，會使得LED的驅(qū)動電流出現(xiàn)尖的脈沖，或者干擾會直接導(dǎo)致光電管產(chǎn)生瞬態(tài)窄脈沖大電流。這種瞬態(tài)大電流會使得跨阻放大器輸出窄脈沖大幅值的電壓信號，最終使得整體電路輸出錯誤信號。
[0003]傳統(tǒng)的抗上述干擾的技術(shù)有電荷補充、空間冗余和錯誤檢測、糾正編碼等。它們各有優(yōu)缺點。
[0004]電荷補充技術(shù)就是通過增加節(jié)點電容，等效增加了表示高電平的電量，提高了干擾信號向后傳輸?shù)碾y度，這種方法實施起來比較簡單，其代價是會影響電路的速度和面積。電荷補充技術(shù)這種抗干擾的方法，雖然原理簡單，使用也方便，但是與集成電路的等比例規(guī)則相違背，所以目前這種方法已經(jīng)很少使用了。
[0005]空間冗余技術(shù)就是同時使用三個一模一樣的光接收器，后面再加一個裁決電路。假設(shè)干擾引起一個光接收器輸出錯誤，因為另外兩個沒有受到影響，則裁決電路的輸出也不會受到影響。這種技術(shù)的代價就是面積是原來的三倍。
[0006]在通信領(lǐng)域，數(shù)據(jù)進(jìn)行傳輸?shù)臅r候，有可能會發(fā)生錯誤。所以人們使用了一些錯誤檢測機制，比如奇偶校驗、CRC校驗。同樣，可以使用編碼技術(shù)來提高電路的抗干擾的能力。代價最小的編碼方式是奇偶編碼，也可以使用錯誤糾正碼進(jìn)行編碼，顧名思義這種編碼方式可以自己恢復(fù)正確值，然而它會招致更大的速度和面積的代價。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種應(yīng)用于光接收器的抗干擾電路。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0009]一種應(yīng)用于光接收器的抗干擾電路，由檢測電路模塊、可調(diào)反相器電路模塊組成，檢測電路模塊用以檢測輸入端信號中的窄脈沖大幅值干擾信號，檢測電路模塊的輸入端接跨阻放大器的輸出，檢測電路模塊輸出端接可調(diào)反相器電路模塊的電源端以輸出相應(yīng)的調(diào)節(jié)信號Ictoge給可調(diào)反相器電路模塊，可調(diào)反相器電路模塊接在比較器和輸出邏輯之間，可調(diào)反相器電路模塊輸出邏輯信號由低到高變化的建立時間受檢測電路模塊的輸出調(diào)節(jié)。
[0010]當(dāng)光電耦合器受到某種干擾使得光接收器中光電管響應(yīng)產(chǎn)生瞬態(tài)大電流時，該脈沖電流信號經(jīng)過跨阻放大器轉(zhuǎn)化成窄脈沖大幅度的電壓信號，并會被檢測電路模塊檢測到，同時檢測電路模塊調(diào)節(jié)可調(diào)反相器電路模塊，減小其充電電流，使得該脈沖信號在較窄的時間內(nèi)不能正常建立。
[0011]作為優(yōu)選方式，所述檢測電路模塊由NMOS管MNp MN2, MN3、MN4,以及PMOS管MPpMP2, MP3, MP4,以及電阻Rp民所組成，NMOS管麗i的柵極為檢測電路的輸入端，NMOS管麗i的漏極接電源Vdd，NMOS管源極接NMOS管麗2的源極和電阻R工的上端，電阻R工的下端接地Gnd，NMOS管MN2的柵極接電阻R 2的上端，電阻R2的下端接NMOS管麗3的漏極，NMOS管MN3的柵極與漏極相接，NMOS管麗3的源極接NMOS管麗4的漏極，NMOS管麗4的柵極和漏極相接，NMOS管MN4的源極接地Gnd，PMOS管MP i的源極接電源Vdd，PMOS管MP ^勺漏極、柵極和NMOS管漏極相接，PMOS管MP 2的源極接電源Vdd，PMOS管MP 2的柵極接PMOS管MP^柵極，PMOS管MP 2的漏極接PMOS管MP 3的漏極，PMOS管MP 3的源極接電源Vdd，PMOS管柵極接PMOS管MP 4的柵極并外接基準(zhǔn)偏置，PMOS管MP 4的源極接電源Vdd，PMOS管皿匕的漏極輸出調(diào)節(jié)信號Icharge給可調(diào)反相器電路模塊。
[0012]作為優(yōu)選方式，可調(diào)反相器電路模塊由NMOS管MN5、PMOS管MP5和負(fù)載電容Ce組成，NMOS管MNjP PMOS管MP 5的柵極相接，為輸入端；NM0S管MN 5和PMOS管MP 5的漏極相接，為輸出端；NM0S管MN5的源極接地Gnd，負(fù)載電容Ce的上端接NMOS管MN 5的漏極，負(fù)載電容Ce的下端接地Gnd，PMOS管1?5的源極接檢測電路模塊的輸出調(diào)節(jié)信號Icharge。
[0013]如上所述，本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明是在綜合考慮傳統(tǒng)方法的優(yōu)缺點后提出的，其相對的優(yōu)點就是節(jié)省了面積和降低了功耗，主要包括兩個子模塊電路，分別為窄脈沖大幅值檢測電路和充電電流可調(diào)節(jié)的反相器，以下簡稱為檢測電路模塊和可調(diào)反相器電路模塊。當(dāng)光電管響應(yīng)產(chǎn)生瞬態(tài)大電流時，檢測電路會檢測到跨阻放大器輸出的強窄脈沖電壓信號，進(jìn)而對可調(diào)反相器進(jìn)行調(diào)節(jié)阻止誤信號向后傳輸。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明應(yīng)用于光接收器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為檢測電路模塊的結(jié)構(gòu)圖；
[0016]圖3為可調(diào)反相器電路模塊的結(jié)構(gòu)圖；
[0017]圖4為含本發(fā)明的抗干擾電路的光接收器的瞬態(tài)仿真波形圖。
【具體實施方式】
[0018]以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0019]一種應(yīng)用于光接收器的抗干擾電路，由檢測電路模塊、可調(diào)反相器電路模塊組成，檢測電路模塊用以檢測輸入端信號中的窄脈沖大幅值干擾信號，檢測電路模塊的輸入端接跨阻放大器的輸出，檢測電路模塊輸出端接可調(diào)反相器電路模塊的電源端以輸出相應(yīng)的調(diào)節(jié)信號Ictoge給可調(diào)反相器電路模塊，可調(diào)反相器電路模塊接在比較器和輸出邏輯之間，可調(diào)反相器電路模塊輸出邏輯信號由低到高變化的建立時間受檢測電路模塊的輸出調(diào)節(jié)。
[0020]當(dāng)光電耦合器受到某種干擾使得光接收器中光電管響應(yīng)產(chǎn)生瞬態(tài)大電流時，該脈沖電流信號經(jīng)過跨阻放大器轉(zhuǎn)化成窄脈沖大幅度的電壓信號，并會被檢測電路模塊檢測到，同時檢測電路模塊調(diào)節(jié)可調(diào)反相器電路模塊，減小其充電電流，使得該脈沖信號在較窄的時間內(nèi)不能正常建立。
[0021]所述檢測電路模塊由NMOS管MNpMN^MNrMN4,以及PMOS管MP1、MP2、MP3、MP4,以及電阻札、民所組成，NMOS管MN i的柵極為檢測電路的輸入端，NMOS管麗i的漏極接電源Vdd，NMOS管源極接NMOS管麗2的源極和電阻R 上