本實(shí)用新型涉及光纖通信技術(shù)領(lǐng)域，更確切地說涉及一種光發(fā)射模塊。

背景技術(shù)：

在高速光電傳輸系統(tǒng)中，光信號(hào)收發(fā)器中的光發(fā)射模塊至關(guān)重要，特別是針對(duì)25G以上的高速激光器。在這種光發(fā)射模塊中，激光器芯片（LD Chip）與激光器驅(qū)動(dòng)芯片（LDD）之間的連接線的長(zhǎng)度會(huì)嚴(yán)重影響信號(hào)傳輸?shù)钠焚|(zhì)，因此，激光器芯片與激光器驅(qū)動(dòng)芯片之間的距離越短，信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量就越好，同時(shí)還需要把激光器封裝做到最小，以及對(duì)于激光器芯片的發(fā)射光強(qiáng)做精確的監(jiān)控。監(jiān)控探測(cè)器用于檢測(cè)激光器芯片發(fā)射的光信號(hào)?，F(xiàn)有技術(shù)的光發(fā)射模塊設(shè)于激光器芯片的后端，激光器芯片的前端用于發(fā)射激光，激光器芯片的后端會(huì)漏出少量的光，監(jiān)控探測(cè)器用來感應(yīng)激光器芯片后端發(fā)出的光，從而可以對(duì)激光器進(jìn)行監(jiān)控。此種現(xiàn)有技術(shù)的光發(fā)射模塊存在以下缺陷：由于該光發(fā)射模塊的監(jiān)控探測(cè)器放置在激光器芯片的后端，接收激光器芯片背面的光，所以，高低溫會(huì)有很大的誤差，同時(shí)由于不同激光器的前后分光比不同，所以，監(jiān)控電流的分布也很廣，無法對(duì)激光器芯片進(jìn)行精確的監(jiān)控。此外，此種現(xiàn)有技術(shù)的光發(fā)射模塊的監(jiān)控探測(cè)器與基體兩者是相互獨(dú)立的元件，此種光發(fā)射模塊疊加的元件較多，制作工藝復(fù)雜，直通率比較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是，提供一種光發(fā)射模塊，該光發(fā)射模塊能對(duì)激光器芯片進(jìn)行精確的監(jiān)控，而且制作工藝簡(jiǎn)單，直通率高。

本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是，提供一種具有以下結(jié)構(gòu)的光發(fā)射模塊，包括基體、激光器芯片及監(jiān)控探測(cè)器，所述的激光器芯片設(shè)于所述的基體的上表面上；所述的監(jiān)控探測(cè)器集成在所述的基體上且該監(jiān)控探測(cè)器的光接收區(qū)域露置在所述的基體的上表面上，所述的光接收區(qū)域位于所述的激光器芯片的前方的下側(cè)。

采用以上結(jié)構(gòu)后，本實(shí)用新型的光發(fā)射模塊，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：

由于本實(shí)用新型的光發(fā)射模塊的監(jiān)控探測(cè)器設(shè)于所述的激光器芯片的前側(cè)，接收部分激光器芯片正面發(fā)出的光，直接監(jiān)測(cè)激光器芯片正面發(fā)出的光，可以對(duì)激光器芯片進(jìn)行精確的監(jiān)控。此外，將監(jiān)控探測(cè)器與基體集成在一起，使得元件較少，制作工藝較簡(jiǎn)單，直通率高。

作為改進(jìn)，所述的基體為硅基底，所述的光接收區(qū)域?yàn)殒N材料，所述的光接收區(qū)域由硅基底生長(zhǎng)鍺制作而成。采用此種結(jié)構(gòu)后，采用硅技術(shù)生長(zhǎng)的鍺制作監(jiān)控探測(cè)器成本較低，而且位置精準(zhǔn)。

作為改進(jìn)，所述的光接收區(qū)域的光接收面積不大于150um。采用此種結(jié)構(gòu)后，在保證監(jiān)測(cè)效果的前提下，可有效控制激光器芯片的成本。

作為改進(jìn)，所述的激光器芯片射到所述的光接收區(qū)域上的光的發(fā)射角度a為大于等于50°且小于等于70°。采用此種結(jié)構(gòu)后，使得監(jiān)控探測(cè)器在不影響正常光路傳輸?shù)那闆r下，能接收到最大的光。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的光發(fā)射模塊的使用狀態(tài)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型的光發(fā)射模塊的使用狀態(tài)示意圖。

圖3是本實(shí)用新型的光發(fā)射模塊的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中所示：1、基體，2、激光器驅(qū)動(dòng)芯片，3、激光器芯片，4、監(jiān)控探測(cè)器，6、透鏡，7、隔離器，8、光釬，a、激光器芯片射到所述的光接收區(qū)域上的光的發(fā)射角度。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的光發(fā)射模塊的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示：基體1上設(shè)有監(jiān)控探測(cè)器4、激光器芯片3以及激光器驅(qū)動(dòng)芯片2，監(jiān)控探測(cè)器4被放置在激光器芯片3的正后方，為了避免監(jiān)控探測(cè)器4的光接收面接收到的光反射回激光器芯片3中，采用監(jiān)控探測(cè)器4接收面與激光器芯片3發(fā)射的光軸成一定角度。為了使得激光器芯片3和激光器驅(qū)動(dòng)芯片2之間的距離較近，將激光器芯片3和監(jiān)控探測(cè)器4設(shè)置在激光器驅(qū)動(dòng)芯片2的側(cè)方，使得激光器芯片3靠近激光器驅(qū)動(dòng)芯片2。此種光發(fā)射模塊的監(jiān)控探測(cè)器4放置在激光器芯片3的后端，接收激光器芯片3背面的光，所以，高低溫會(huì)有很大的誤差，而且激光器的前后分光比不同，信號(hào)又是激光器前端發(fā)送，因此，此光發(fā)射模塊無法對(duì)激光器芯片3進(jìn)行精確的監(jiān)控。

圖2為本實(shí)用新型的光發(fā)射模塊的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示：本實(shí)用新型的光發(fā)射模塊包括基體1、激光器芯片3及監(jiān)控探測(cè)器4，所述的激光器芯片3設(shè)于所述的基體1的上表面上；所述的監(jiān)控探測(cè)器4集成在所述的基體1上且該監(jiān)控探測(cè)器4的光接收區(qū)域4.1露置在所述的基體1的上表面上，所述的光接收區(qū)域4.1位于所述的激光器芯片3的前方的下側(cè)。

圖3所示，所述的基體1為硅基底，所述的光接收區(qū)域4.1為鍺材料，所述的光接收區(qū)域4.1由硅基底生長(zhǎng)鍺制作而成。本實(shí)用新型的監(jiān)控探測(cè)器4采用半導(dǎo)體的長(zhǎng)晶技術(shù)，在硅基底上生長(zhǎng)鍺的光接收區(qū)域4.1，作為監(jiān)控探測(cè)器。將監(jiān)控探測(cè)器集成在基體1上，最終的結(jié)構(gòu)是，長(zhǎng)有監(jiān)控探測(cè)器4的基體1和激光器芯片3兩個(gè)元件實(shí)現(xiàn)了光發(fā)射模塊，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制作成本低。

所述的光接收區(qū)域的面積不大于150um。所述的激光器芯片（3）射到所述的光接收區(qū)域4.1上的光的發(fā)射角度（a）為大于等于50°且小于等于60°。