本發(fā)明涉及電聲轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種混合揚(yáng)聲器單體以及應(yīng)用了該單體的揚(yáng)聲器模組。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的揚(yáng)聲器包括動(dòng)圈式揚(yáng)聲器和動(dòng)鐵式揚(yáng)聲器。其中，動(dòng)圈式揚(yáng)聲器包括磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)。磁路系統(tǒng)包括t鐵/或者u鐵、永磁鐵、華司等。振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜、音圈和dome。動(dòng)圈式揚(yáng)聲器的中頻效果和低頻效果較好，但高頻效果差。

動(dòng)鐵式揚(yáng)聲器也包括磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)。其中，磁路系統(tǒng)包括電樞、線圈、永磁鐵和磁軛等，永磁鐵和磁軛連接，電樞穿過(guò)線圈和永磁鐵。電樞被交變的線圈極化產(chǎn)生磁場(chǎng)，與永磁鐵相互作用以振動(dòng)發(fā)聲。動(dòng)鐵式揚(yáng)聲器的高頻效果好，但中低頻效果差。

因此，需要提供一種新的方案以提高揚(yáng)聲器高、中、低頻效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種混合揚(yáng)聲器單體以及揚(yáng)聲器模組的新技術(shù)方案。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種混合揚(yáng)聲器單體。該單體包括動(dòng)圈發(fā)聲單元和動(dòng)鐵發(fā)聲單元，所述動(dòng)圈發(fā)聲單元包括振動(dòng)系統(tǒng)和與所述振動(dòng)系統(tǒng)配合的第一磁路系統(tǒng)，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜，所述第一磁路系統(tǒng)包括t鐵，所述t鐵的芯柱具有容納腔，所述動(dòng)鐵發(fā)聲單元包括第二磁路系統(tǒng)、傳動(dòng)桿和膜片，所述第二磁路系統(tǒng)被設(shè)置在所述容納腔中，所述傳動(dòng)桿的一端與所述第二磁路系統(tǒng)連接并且另一端與所述膜片連接，所述膜片與所述振膜連接。

可選地，所述振膜包括中心部和圍繞所述中心部設(shè)置的折環(huán)部，所述膜片被設(shè)置在所述中心部。

可選地，所述膜片為弧面結(jié)構(gòu)。

可選地，所述振膜為圓形、方形或者跑道形。

可選地，所述振膜與所述膜片一體成型。

可選地，所述振膜和所述膜片由熱塑性材料制作而成。

可選地，所述膜片為向內(nèi)凹陷的弧面結(jié)構(gòu)，所述振膜的折環(huán)部為向內(nèi)凹陷型。

可選地，還包括設(shè)置在所述t鐵上的pcb，所述pcb與所述振動(dòng)系統(tǒng)的音圈和所述第二磁路系統(tǒng)的線圈連接。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種揚(yáng)聲器模組。該模組包括本發(fā)明提供的所述混合揚(yáng)聲器單體。

本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有技術(shù)中，現(xiàn)有的揚(yáng)聲器單體都是單磁路系統(tǒng)，無(wú)法同時(shí)得到良好的高頻、中頻、低頻效果。因此，本發(fā)明所要實(shí)現(xiàn)的技術(shù)任務(wù)或者所要解決的技術(shù)問(wèn)題是本領(lǐng)域技術(shù)人員從未想到的或者沒(méi)有預(yù)期到的，故本發(fā)明是一種新的技術(shù)方案。

該混合揚(yáng)聲器單體具有兩個(gè)磁路系統(tǒng)，兩個(gè)磁路系統(tǒng)分別對(duì)振膜和膜片進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，擴(kuò)展了揚(yáng)聲器單體的頻響范圍。

此外，在動(dòng)圈發(fā)生單元中設(shè)置動(dòng)鐵發(fā)聲單元。膜片和振膜連接在一起，并且膜片與第二磁路系統(tǒng)通過(guò)傳動(dòng)桿連接，傳動(dòng)桿能夠支撐膜片。通過(guò)這種方式，能夠降低高頻的分割振動(dòng)，提高了振膜和膜片的高頻延展性，使得揚(yáng)聲器單體的高頻性能優(yōu)良。

此外，由于該混合揚(yáng)聲器單體包括動(dòng)圈發(fā)聲單元和動(dòng)鐵發(fā)聲單元，因此具有優(yōu)良的低頻、中頻和高頻性能。

此外，第二磁路系統(tǒng)設(shè)置在芯柱的容納腔中，膜片與振膜連接，故動(dòng)鐵發(fā)聲單元不占用動(dòng)圈發(fā)生單元外部的空間，使得該混合揚(yáng)聲器單體體積小，順應(yīng)了電子設(shè)備小型化、輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。

通過(guò)以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

附圖說(shuō)明

被結(jié)合在說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同其說(shuō)明一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的混合揚(yáng)聲器單體的分解圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的混合揚(yáng)聲器單體的剖視圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的混合揚(yáng)聲器單體的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

11：膜片；12：振膜；13：銅環(huán)；14：音圈；15：第二磁路系統(tǒng)；16：華司；17：第一永磁體；18：t鐵；19：容納腔；20：側(cè)壁；21：pcb；22：線圈；23：第二永磁體；24：磁軛；25：傳動(dòng)桿；26：電樞；27：折環(huán)部。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說(shuō)明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。

以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說(shuō)明性的，決不作為對(duì)本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說(shuō)明書(shū)的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種混合揚(yáng)聲器單體。該單體包括動(dòng)圈發(fā)聲單元和動(dòng)鐵發(fā)聲單元。動(dòng)圈發(fā)聲單元包括振動(dòng)系統(tǒng)和與振動(dòng)系統(tǒng)配合的第一磁路系統(tǒng)。振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜12，第一磁路系統(tǒng)包括t鐵18。

在本發(fā)明實(shí)施例中，t鐵18的芯柱具有容納腔19。動(dòng)鐵發(fā)聲單元包括第二磁路系統(tǒng)15、傳動(dòng)桿25和膜片11。第二磁路系統(tǒng)15被設(shè)置在容納腔19中。傳動(dòng)桿25的一端與第二磁路系統(tǒng)15連接并且另一端與膜片11連接。膜片11與振膜12連接。例如，二者位于同一平面，這樣便于連接并且膜片11與振膜12的振動(dòng)方向相同，振動(dòng)更均衡，偏振小。

例如，在使用時(shí)，電子設(shè)備的主控芯片與混合揚(yáng)聲器單體的線圈22和音圈14導(dǎo)通。兩個(gè)發(fā)聲單元同時(shí)振動(dòng)發(fā)聲。

該混合揚(yáng)聲器單體具有兩個(gè)磁路系統(tǒng)，兩個(gè)磁路系統(tǒng)分別對(duì)振膜12和膜片11進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，擴(kuò)展了揚(yáng)聲器單體的頻響范圍。

此外，在動(dòng)圈發(fā)生單元中設(shè)置動(dòng)鐵發(fā)聲單元。膜片11和振膜12連接在一起，并且膜片11與第二磁路系統(tǒng)15通過(guò)傳動(dòng)桿25連接，傳動(dòng)桿25能夠支撐膜片11。通過(guò)這種方式，能夠降低振膜和膜片的高頻的分割振動(dòng)，提高了振膜12和膜片11的高頻延展性，使得揚(yáng)聲器單體的高頻性能優(yōu)良。

此外，由于該混合揚(yáng)聲器單體包括動(dòng)圈發(fā)聲單元和動(dòng)鐵發(fā)聲單元，因此具有優(yōu)良的低頻、中頻和高頻性能。

此外，如圖3所示，第二磁路系統(tǒng)15設(shè)置在芯柱的容納腔19中，膜片11與振膜12連接，故動(dòng)鐵發(fā)聲單元不占用動(dòng)圈發(fā)生單元外部的空間，使得該混合揚(yáng)聲器單體體積小，順應(yīng)了電子設(shè)備小型化、輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的混合揚(yáng)聲器單體的分解圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的混合揚(yáng)聲器單體的剖視圖。

如圖1-2所示，在該實(shí)施例中，振動(dòng)系統(tǒng)包括音圈14和振膜12。振膜12和音圈14連接。例如，振膜12可以是平面振膜12或者折環(huán)振膜12。振膜12為折環(huán)振膜12。折環(huán)振膜12包括中心部、圍繞中心部設(shè)置的折環(huán)部27和圍繞折環(huán)部27設(shè)置的固定部。這種振膜12具有振幅大、頻率范圍廣、使用壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。

可選的是，振膜12為圓形、方形或者跑道形，以適應(yīng)不同形狀的揚(yáng)聲器單體。

當(dāng)然，振膜12也可以是平面形振膜12。膜片11可以根據(jù)需要設(shè)置在平面形振膜12的任意部位。優(yōu)選的是，膜片11設(shè)置在平面形振膜12的中心位置，以保證振動(dòng)的均衡。

第一磁路系統(tǒng)包括t鐵18、第一永磁體17和華司16。例如，第一永磁體17為鐵氧體磁鐵或者釹鐵硼磁鐵。t鐵18包括芯柱和與芯柱連接的基底。第一永磁體17為環(huán)形磁鐵，并且圍繞芯柱設(shè)置。華司16設(shè)置在第一永磁體17上。芯柱與第一永磁體17之間以及華司16與第一永磁體17之間形成磁間隙。

在該實(shí)施例中，振膜12的固定部與銅環(huán)13連接，銅環(huán)13設(shè)置在第一永磁體17上。銅環(huán)13起到支撐的作用，以使振動(dòng)系統(tǒng)懸置在磁路系統(tǒng)上方。音圈14插入磁間隙中。

例如，由芯柱的側(cè)壁20和基底圍合形成容納腔19。第二磁路系統(tǒng)15設(shè)置在容納腔19內(nèi)。第二磁路系統(tǒng)15包括第二永磁體23、線圈22、磁軛24和電樞26。第二永磁體23為鐵氧體磁鐵或者釹鐵硼磁鐵。

例如，磁軛24為環(huán)狀，磁軛24被固定在基底上。第二永磁體23包括相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)條形磁鐵。兩個(gè)條形磁鐵被設(shè)置在磁軛24內(nèi)，二者之間形成均勻的磁場(chǎng)。線圈22與磁軛24并列地設(shè)置在基底上，線圈22與磁軛24之間具有間隙。

例如，電樞26為l形。電樞26的一條邊的端部固定在基底上，以使另一條邊懸置在容納腔19中。懸置的邊穿過(guò)線圈22內(nèi)部到達(dá)磁場(chǎng)中。電樞26為導(dǎo)磁性材料，例如sus-430等。

傳動(dòng)桿25的一端與懸置的邊連接。例如，傳動(dòng)桿25從線圈22與磁軛24之間的間隙穿出，并且另一端與膜片11連接。

在工作時(shí)，線圈22通交流電后在內(nèi)部產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，交變磁場(chǎng)將電樞26磁化。磁化后的電樞26在磁場(chǎng)中發(fā)生振動(dòng)。電樞26帶動(dòng)傳動(dòng)桿25振動(dòng)。傳動(dòng)桿25帶動(dòng)膜片11振動(dòng)以發(fā)聲。

在一個(gè)例子中，膜片11被設(shè)置在中心部。這樣能夠使振膜12和膜片11的振動(dòng)更均衡。例如，通過(guò)粘結(jié)劑將膜片11粘接在中心部。

優(yōu)選的是，膜片11與振膜12一體成型。例如，通過(guò)注塑的方式將膜片11與振膜12一體注塑成型。通過(guò)這種方式，膜片11與振膜12的連接強(qiáng)度和結(jié)構(gòu)強(qiáng)度更高，進(jìn)一步降低了膜片11的分割振動(dòng)。此外，膜片11和振膜12的順性更好，振動(dòng)效果良好。

可選的是，振膜12和膜片11由熱塑性材料制作而成。例如，這種材料可以是但不局限于熱塑性聚氨酯彈性體材料(thermoplasticpolyurethanes,tpu)膜層、聚醚醚酮材料(polyetheretherketone,peek)膜層、熱塑性彈性體材料(thermoplasticelastomer,tpe)膜層、聚丙烯材料膜層(polypropylene，pp)、合成纖維材料膜層等。

在一個(gè)例子中，膜片11為弧面結(jié)構(gòu)?；∶娼Y(jié)構(gòu)具有更高的彈性，并且結(jié)構(gòu)強(qiáng)度更高。這樣，混合揚(yáng)聲器單體的高頻效果更好。

優(yōu)選的是，膜片11為向內(nèi)凹陷的弧面結(jié)構(gòu)，即，在安裝時(shí)弧面靠近第二磁路系統(tǒng)15。這樣，當(dāng)水滴落在膜片11上時(shí)，膜片11不會(huì)被水滴壓變形，能夠保持良好的振動(dòng)效果。這種結(jié)構(gòu)更適用于防水型揚(yáng)聲器。

進(jìn)一步地，振膜12的折環(huán)部27為向內(nèi)凹陷型，即，在安裝時(shí)折環(huán)部27靠近第一磁路系統(tǒng)。這樣，當(dāng)水滴落在折環(huán)上時(shí)，折環(huán)部27不會(huì)被水滴壓變形，能夠保持良好的振動(dòng)效果。這種結(jié)構(gòu)更適用于防水型揚(yáng)聲器。

在一個(gè)例子中，混合揚(yáng)聲器單體還包括設(shè)置在t鐵18上的pcb21(printedcircuitboard，印刷線路板)。pcb21與振動(dòng)系統(tǒng)的音圈14和第二磁路系統(tǒng)15的線圈22連接。例如，如圖2所示，pcb21被設(shè)置在t鐵18的基底的外側(cè)，以節(jié)省內(nèi)部空間。音圈14和線圈22的引線與pcb21連接。pcb21與電子設(shè)備的主控芯片連接。通過(guò)設(shè)置方式，能夠使混合揚(yáng)聲器單體的信號(hào)連接更穩(wěn)定。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了一種揚(yáng)聲器模組。該揚(yáng)聲器模組包括本發(fā)明提供的混合揚(yáng)聲器單體。

例如，揚(yáng)聲器模組包括外殼。外殼的內(nèi)部具有腔體。混合揚(yáng)聲器單體被設(shè)置在腔體內(nèi)，以將腔體分隔為前聲腔和后聲腔。后聲腔用于調(diào)節(jié)低頻效果。振膜12和膜片11的面向前聲腔。外殼還具有出聲孔。出聲孔用于連通前聲腔與外部空間。

該揚(yáng)聲器模組具有良好的低頻、中頻和高頻效果，并且頻響范圍寬。

雖然已經(jīng)通過(guò)例子對(duì)本發(fā)明的一些特定實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上例子僅是為了進(jìn)行說(shuō)明，而不是為了限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，對(duì)以上實(shí)施例進(jìn)行修改。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來(lái)限定。