本發(fā)明有關(guān)于無(wú)線(xiàn)通信裝置，更具體地，有關(guān)于具有將集成處理電路和存儲(chǔ)器嵌入同一封裝件(package)的無(wú)線(xiàn)通信裝置、，有關(guān)于具有將射頻單元和存儲(chǔ)器嵌入同一半導(dǎo)體裝置的無(wú)線(xiàn)通信裝置，以及有關(guān)于具有將射頻單元和存儲(chǔ)器嵌入同一半導(dǎo)體模塊的無(wú)線(xiàn)通信裝置。

背景技術(shù)：

在無(wú)線(xiàn)通信模塊中，存儲(chǔ)器封裝件總是安裝在基頻處理封裝件的外部，其中，該基頻處理封裝件用于處理無(wú)線(xiàn)通信模塊的基頻操作。然而，此設(shè)置中需要大量封裝引腳來(lái)用于存儲(chǔ)器封裝件與基頻處理封裝件之間的信號(hào)傳輸。此外，應(yīng)當(dāng)還需要若干pcb導(dǎo)電路徑(conductingpath)用于存儲(chǔ)器封裝件的封裝引腳與基頻處理封裝件之間的信號(hào)傳輸。存儲(chǔ)器封裝件與基頻處理封裝件之間安裝的接口可能占用無(wú)線(xiàn)通信模塊上的大量面積，因此會(huì)導(dǎo)致現(xiàn)代無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)的困難。此外，pcb導(dǎo)電路徑還可能引起信號(hào)質(zhì)量較低和操作速度受限。因此，如何降低無(wú)線(xiàn)通信模塊的引腳數(shù)量從而減少使用pcb導(dǎo)電路徑因此降低成本是無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)領(lǐng)域的重要問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種無(wú)線(xiàn)通信裝置。

本發(fā)明提供一種無(wú)線(xiàn)通信裝置，包括集成處理電路和第一存儲(chǔ)器；其中，集成處理電路包括處理單元以及射頻單元；處理單元用于處理無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)；射頻單元用于執(zhí)行射頻信號(hào)與基頻信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換，其中，該無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)為射頻信號(hào)與基頻信號(hào)的至少其中之一；以及第一存儲(chǔ)器耦接于集成處理電路，第一存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)處理單元使用的數(shù)據(jù)；以及測(cè)試電路，耦接于該第一存儲(chǔ)器，該測(cè)試電路用于測(cè)試該第一存儲(chǔ)器以確定該第一存儲(chǔ)器是否為有效存儲(chǔ)器；其中，該射頻單元與該第一存儲(chǔ)器放置在單一模塊中。

本發(fā)明另提供一種無(wú)線(xiàn)通信裝置，包括集成處理電路、射頻單元以及第一存儲(chǔ)器；其中，集成處理電路包括處理單元；處理單元用于處理無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)；射頻單元用于執(zhí)行射頻信號(hào)與基頻信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換；以及第一存儲(chǔ)器，耦接于集成處理電路，第一存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)處理單元使用的數(shù)據(jù)；以及測(cè)試電路，耦接于該第一存儲(chǔ)器，該測(cè)試電路用于測(cè)試該第一存儲(chǔ)器以確定該第一存儲(chǔ)器是否為有效存儲(chǔ)器；其中，該無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)為該射頻信號(hào)與該基頻信號(hào)的至少其中之一，且該射頻單元以及該第一存儲(chǔ)器位于單個(gè)模塊內(nèi)。

本發(fā)明又提供一種無(wú)線(xiàn)通信裝置，包括：集成處理電路，包括處理單元以及射頻單元；其中，該處理單元用于處理無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)；以及該射頻單元用于執(zhí)行射頻信號(hào)與基頻信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換，其中，該無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)為該射頻信號(hào)與該基頻信號(hào)的至少其中之一；第一存儲(chǔ)器，耦接于該集成處理電路，該第一存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)該處理單元使用的數(shù)據(jù)；以及測(cè)試電路，耦接于該第一存儲(chǔ)器，該測(cè)試電路用于測(cè)試該第一存儲(chǔ)器以確定該第一存儲(chǔ)器是否為有效存儲(chǔ)器；其中，該射頻單元放置在第一封裝件內(nèi)，該第一存儲(chǔ)器放置在第二封裝件內(nèi)，且該第一封裝件和該第二封裝件封裝在單一裝置內(nèi)。

本發(fā)明還提供一種無(wú)線(xiàn)通信裝置，包括：集成處理電路，包括處理單元；該處理單元用于處理無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)；射頻單元，用于執(zhí)行射頻信號(hào)與基頻信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換；以及第一存儲(chǔ)器，耦接于該集成處理電路，該第一存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)該處理單元使用的數(shù)據(jù)；以及測(cè)試電路，耦接于該第一存儲(chǔ)器，該測(cè)試電路用于測(cè)試該第一存儲(chǔ)器以確定該第一存儲(chǔ)器是否為有效存儲(chǔ)器；其中，該無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)為該射頻信號(hào)與該基頻信號(hào)的至少其中之一，該射頻單元放置在第一封裝件內(nèi)，該第一存儲(chǔ)器放置在第二封裝件內(nèi)，且該第一封裝件和該第二封裝件封裝在單一裝置內(nèi)。

本發(fā)明提供的無(wú)線(xiàn)通信裝置可減小無(wú)線(xiàn)通信裝置的尺寸及引腳數(shù)目。

附圖說(shuō)明

圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的無(wú)線(xiàn)通信裝置的方塊示意圖。

圖2為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的無(wú)線(xiàn)通信裝置的方塊示意圖。

圖3為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示意圖。

圖4為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例圖1中所示集成處理電路和第一存儲(chǔ)器的第一變形集成設(shè)計(jì)的示意圖。

圖5為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例圖1中所示集成處理電路和第一存儲(chǔ)器的第二變形集成設(shè)計(jì)的示意圖。

圖6為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的示意圖。

圖7為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例圖1中所示集成處理電路和第一存儲(chǔ)器的第三變形集成設(shè)計(jì)的示意圖。

圖8為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例圖1中所示集成處理電路和第一存儲(chǔ)器的第四變形集成設(shè)計(jì)的示意圖。

圖9為說(shuō)明如何確定安裝在封裝件內(nèi)的存儲(chǔ)器是否為有效存儲(chǔ)器的流程圖。

圖10為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的無(wú)線(xiàn)通信裝置的方塊示意圖。

圖11為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例無(wú)線(xiàn)通信裝置的方塊示意圖。

圖12為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例頻率控制電路執(zhí)行跳頻控制方法的流程圖。

圖13為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例rf信號(hào)的振蕩頻率和第一存儲(chǔ)器的多個(gè)工作頻率的頻譜示意圖。

圖14為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的無(wú)線(xiàn)通信裝置的方塊示意圖。

圖15為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例第一存儲(chǔ)器的工作頻率的時(shí)序示意圖。

具體實(shí)施方式

在說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求書(shū)當(dāng)中使用了某些詞匯來(lái)指稱(chēng)特定的元件。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會(huì)用不同的名詞來(lái)稱(chēng)呼同一個(gè)元件。本說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求書(shū)并不以名稱(chēng)的差異作為區(qū)分元件的方式，而是以元件在功能上的差異作為區(qū)分的準(zhǔn)則。在通篇說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求項(xiàng)中所提及的「包含」為一開(kāi)放式的用語(yǔ)，故應(yīng)解釋成「包含但不限定于」。此外，「耦接」一詞在此包含任何直接及間接的電氣連接手段。因此，若文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則代表第一裝置可直接電氣連接于第二裝置，或透過(guò)其它裝置或連接手段間接地電氣連接至第二裝置。

請(qǐng)參考圖1，圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的無(wú)線(xiàn)通信裝置100的方塊示意圖。無(wú)線(xiàn)通信裝置100包括集成處理電路102、第一存儲(chǔ)器104和第二存儲(chǔ)器106。集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104封裝于單個(gè)半導(dǎo)體封裝件108內(nèi)，而第二存儲(chǔ)器106封裝于另一個(gè)半導(dǎo)體封裝件110內(nèi)。第二存儲(chǔ)器106可通過(guò)至少一個(gè)pcb導(dǎo)電路徑112或適用于半導(dǎo)體封裝件108與半導(dǎo)體封裝件110之間信號(hào)傳輸?shù)娜魏纹渌麑?dǎo)電路徑外部耦接于半導(dǎo)體封裝件108。集成處理電路102包括處理單元以用于處理無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)。第一存儲(chǔ)器104耦接于集成處理電路102，且第一存儲(chǔ)器104用于存儲(chǔ)處理單元在處理無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)或任何其他信號(hào)時(shí)使用的數(shù)據(jù)。第二存儲(chǔ)器106可為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(non-volatilememory)，例如串行閃存、并行閃存等。此外，第二存儲(chǔ)器106可用于存儲(chǔ)處理單元使用的數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)無(wú)線(xiàn)通信裝置100電源開(kāi)啟時(shí)，首先將第二存儲(chǔ)器106中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換至第一存儲(chǔ)器104，然后處理單元讀取數(shù)據(jù)以執(zhí)行無(wú)線(xiàn)通信裝置100的初始化過(guò)程。此外，第二存儲(chǔ)器106的數(shù)據(jù)可以壓縮數(shù)據(jù)的形式進(jìn)行存儲(chǔ)。應(yīng)注意的是，處理單元除了處理無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)之外，也用于執(zhí)行無(wú)線(xiàn)通信裝置100的其他功能。例如，可運(yùn)用處理單元執(zhí)行無(wú)線(xiàn)通信裝置200的應(yīng)用軟件、電話(huà)簿或待辦清單(to-dolist)的過(guò)程數(shù)據(jù)等。

在此優(yōu)選實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)器104可為揮發(fā)性存儲(chǔ)器(volatilememory)或非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，揮發(fā)性存儲(chǔ)器可例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)、偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(pseudosram)等，非揮發(fā)性存儲(chǔ)器可例如串行閃存、并行閃存等。傳統(tǒng)的第一存儲(chǔ)器104設(shè)置于集成處理電路102外部，而本實(shí)施例中第一存儲(chǔ)器104包含在半導(dǎo)體封裝件108中。換句話(huà)說(shuō)，將集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104設(shè)置為系統(tǒng)級(jí)封裝件(system-in-package，sip)。相應(yīng)地，集成處理電路102與第一存儲(chǔ)器104之間的接口不需要封裝引腳。更具體地，集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104為同一個(gè)半導(dǎo)體封裝件108中的兩個(gè)晶片(die)，因此，通過(guò)焊線(xiàn)(bondingwire)而無(wú)需pcb導(dǎo)電路徑即可實(shí)現(xiàn)集成處理電路102與第一存儲(chǔ)器104之間的接口。

由于集成處理電路102與第一存儲(chǔ)器104之間的信號(hào)轉(zhuǎn)換在半導(dǎo)體封裝件108內(nèi)部，因此不需要建立集成處理電路102與第一存儲(chǔ)器104之間的封裝引腳。此外，也可減少連接半導(dǎo)體封裝件108與半導(dǎo)體封裝件110進(jìn)而連接集成處理電路102與第二存儲(chǔ)器106的pcb導(dǎo)電路徑112的總數(shù)目。例如，如果第二存儲(chǔ)器106為串行閃存，可使用串行外設(shè)接口(serialperipheralinterface，spi)式總線(xiàn)接口連接半導(dǎo)體封裝件110與半導(dǎo)體封裝件108。其中，spi總線(xiàn)接口僅需要4至6個(gè)引腳。因而也相應(yīng)地減少了半導(dǎo)體封裝件108與半導(dǎo)體封裝件110的引腳總數(shù)目。因此，包含集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104的半導(dǎo)體封裝件108的尺寸小于具有獨(dú)立集成處理電路和第一存儲(chǔ)器的傳統(tǒng)封裝件的總尺寸，且半導(dǎo)體封裝件108、pcb導(dǎo)電路徑112以及半導(dǎo)體封裝件110的總尺寸也小于具有獨(dú)立的集成處理電路、第一存儲(chǔ)器以及第二存儲(chǔ)器的傳統(tǒng)無(wú)線(xiàn)通信模塊的總尺寸。

由于集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104封裝在同一個(gè)半導(dǎo)體封裝件108中，相較于以pcb導(dǎo)電路徑進(jìn)行連接的傳統(tǒng)封裝件，集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104之間信號(hào)傳輸?shù)男盘?hào)質(zhì)量(例如，信號(hào)眼圖)可得到改進(jìn)。此外，在此優(yōu)選實(shí)施例中，由于集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104之間不存在pcb導(dǎo)電路徑，可將第一存儲(chǔ)器104升級(jí)為具有更高的操作速度來(lái)用于增加集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104之間的數(shù)據(jù)傳輸速度。應(yīng)注意的是，將集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104安裝于同一個(gè)半導(dǎo)體封裝件108的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于，由于兩個(gè)晶片的負(fù)載低于兩封裝件之間的負(fù)載，可將集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104的驅(qū)動(dòng)功率設(shè)定為低于傳統(tǒng)封裝件，從而減少了功耗。

在此優(yōu)選實(shí)施例中，無(wú)線(xiàn)通信裝置100可更包括射頻(radiofrequency，rf)單元和電源管理單元(powermanagementunit，pmu)。rf單元用于執(zhí)行rf信號(hào)與基頻信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換，其中，集成處理電路102處理的無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)可為rf信號(hào)與基頻信號(hào)的其中之一或多個(gè)。pmu用于管理集成處理電路102與第一存儲(chǔ)器104中至少一個(gè)的功耗。應(yīng)注意的是，集成處理電路102中可包括rf單元和/或pmu，rf單元和/或pmu可設(shè)置于半導(dǎo)體封裝件108的內(nèi)部或者也可設(shè)置于半導(dǎo)體封裝件108外部。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，rf單元和/或pmu安裝于集成處理電路102內(nèi)部。在另一個(gè)實(shí)施例中，rf單元和/或pmu安裝于半導(dǎo)體封裝件108的外部。

請(qǐng)參考圖2，圖2為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的無(wú)線(xiàn)通信裝置200的方塊示意圖。無(wú)線(xiàn)通信裝置200包括集成處理電路202、第一存儲(chǔ)器204和第二存儲(chǔ)器206。相較于前述的第一實(shí)施例，集成處理電路202、第一存儲(chǔ)器204和第二存儲(chǔ)器206皆封裝在單個(gè)半導(dǎo)體封裝件208中。集成處理電路202包括處理單元以用于處理無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)。第一存儲(chǔ)器204耦接于集成處理電路202，且第一存儲(chǔ)器204用于存儲(chǔ)處理單元在處理無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)或任何其他信號(hào)時(shí)使用的數(shù)據(jù)。第二存儲(chǔ)器206耦接于集成處理電路202。此外，第二存儲(chǔ)器206可用于存儲(chǔ)處理單元使用的數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)無(wú)線(xiàn)通信裝置200電源開(kāi)啟時(shí)，首先將第二存儲(chǔ)器206中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換至第一存儲(chǔ)器204，然后處理單元讀取數(shù)據(jù)以執(zhí)行無(wú)線(xiàn)通信裝置200的初始化過(guò)程。此外，第二存儲(chǔ)器206的數(shù)據(jù)可以壓縮數(shù)據(jù)的形式進(jìn)行存儲(chǔ)。應(yīng)注意的是，除了處理無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)之外，處理單元也用于執(zhí)行無(wú)線(xiàn)通信裝置200的其他功能。例如，可運(yùn)用處理單元執(zhí)行無(wú)線(xiàn)通信裝置200的應(yīng)用軟件、電話(huà)簿或待辦清單的過(guò)程數(shù)據(jù)等。

在此優(yōu)選實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)器204和第二存儲(chǔ)器206可為揮發(fā)性存儲(chǔ)器或非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，揮發(fā)性存儲(chǔ)器可例如dram、偽sram等，非揮發(fā)性存儲(chǔ)器可例如串行閃存、并行閃存等。傳統(tǒng)的第一存儲(chǔ)器204和第二存儲(chǔ)器206設(shè)于集成處理電路202外部，而本實(shí)施例中第一存儲(chǔ)器204和第二存儲(chǔ)器206包含在半導(dǎo)體封裝件208中。第一存儲(chǔ)器204也可為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(例如串行閃存、并行閃存等)。換句話(huà)說(shuō)，將集成處理電路202、第一存儲(chǔ)器204和第二存儲(chǔ)器206設(shè)置為系統(tǒng)級(jí)封裝件。相應(yīng)地，集成處理電路202與第一存儲(chǔ)器204之間的接口，以及集成處理電路202與第二存儲(chǔ)器206之間的接口不需要封裝引腳。更具體地，集成處理電路202、第一存儲(chǔ)器204以及第二存儲(chǔ)器206為同一個(gè)半導(dǎo)體封裝件208中的三個(gè)晶片，因此，通過(guò)焊線(xiàn)而無(wú)需pcb導(dǎo)電路徑即可實(shí)現(xiàn)集成處理電路202與第一存儲(chǔ)器204之間的接口以及集成處理電路202與第二存儲(chǔ)器206之間的接口。

由于集成處理電路202與第一和第二存儲(chǔ)器204、206之間的信號(hào)轉(zhuǎn)換在半導(dǎo)體封裝件208內(nèi)部，不需要建立集成處理電路202與第一和第二存儲(chǔ)器204、206之間的封裝引腳。因此可減少半導(dǎo)體封裝件208的引腳總數(shù)目。因而，包含集成處理電路202與第一和第二存儲(chǔ)器204、206的半導(dǎo)體封裝件208的尺寸小于具有獨(dú)立的集成處理電路與第一和第二存儲(chǔ)器的傳統(tǒng)封裝件的總尺寸。

類(lèi)似于前述實(shí)施例，相較于以pcb導(dǎo)電路徑進(jìn)行連接的傳統(tǒng)封裝件，集成處理電路202與第一和第二存儲(chǔ)器204、206之間信號(hào)傳輸?shù)男盘?hào)質(zhì)量(例如，信號(hào)眼圖)可變得更好。由于集成處理電路202與第一和第二存儲(chǔ)器204、206之間不存在pcb導(dǎo)電路徑，可將第一存儲(chǔ)器204和第二存儲(chǔ)器206升級(jí)為具有更高的操作速度來(lái)用于增加集成處理電路202與第一和第二存儲(chǔ)器204、206之間的數(shù)據(jù)傳輸速度。此外，可將集成處理電路202與第一和第二存儲(chǔ)器204、206的驅(qū)動(dòng)功率設(shè)定為低于傳統(tǒng)封裝件，從而減少功耗。

無(wú)線(xiàn)通信裝置200可更包括rf單元和pmu。rf單元和pmu的設(shè)置類(lèi)似于無(wú)線(xiàn)通信裝置100的設(shè)置，為簡(jiǎn)潔，在此省略詳細(xì)描述。

對(duì)于圖1中所示的實(shí)施例，集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104可為同一個(gè)半導(dǎo)體封裝件108內(nèi)的兩個(gè)晶片。然而，此僅用于說(shuō)明目的，并非意在限制本發(fā)明。圖3為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示意圖。半導(dǎo)體裝置30可包括多個(gè)半導(dǎo)體封裝件301和302，其中，rf單元303可放置在一個(gè)半導(dǎo)體封裝件301內(nèi)，而存儲(chǔ)器304可放置在另一個(gè)半導(dǎo)體封裝件302內(nèi)。舉例而言(而非做為限制)，多個(gè)半導(dǎo)體封裝件(例如，301和302)可通過(guò)使用二維(two-dimensional，2d)封裝或者三維(three-dimensional，3d)封裝方式封裝在單一裝置(例如，半導(dǎo)體裝置30)內(nèi)。例如，可將諸如封裝件疊層(package-on-package，pop)或封裝件內(nèi)置封裝件(package-in-package，pip)的封裝疊層(stacking)技術(shù)用于將半導(dǎo)體封裝件301和302封裝于半導(dǎo)體裝置30內(nèi)。應(yīng)注意，本發(fā)明對(duì)于將多個(gè)半導(dǎo)體封裝件集成在單一裝置中的封裝方法并無(wú)限制。即，具有包括rf單元在內(nèi)的一個(gè)半導(dǎo)體封裝件和具有包括存儲(chǔ)器在內(nèi)的另一個(gè)半導(dǎo)體封裝件的單一裝置都落在本發(fā)明范圍內(nèi)。

根據(jù)圖3中所示的提出的半導(dǎo)體裝置，本發(fā)明更提出圖1中所示半導(dǎo)體封裝件108的變形。圖4為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例圖1中所示集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104的第一變形集成設(shè)計(jì)的示意圖。圖5為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例圖1中所示集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104的第二變形集成設(shè)計(jì)的示意圖。可將無(wú)線(xiàn)通信裝置(例如，100)修改為由半導(dǎo)體裝置40或半導(dǎo)體裝置50替換半導(dǎo)體封裝件(例如，108)，上述取決于實(shí)際設(shè)計(jì)考量。半導(dǎo)體裝置40和50之間的主要區(qū)別在于rf單元1032的位置。rf單元1032可配置為執(zhí)行rf信號(hào)和基頻信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換。處理單元1031可配置為處理無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)，其中，該無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)可為rf信號(hào)和基頻信號(hào)中的一或多個(gè)。對(duì)于圖4中所示的實(shí)施例，rf單元1032和處理單元1031可都包括在集成處理電路102中，集成處理電路102可放置在半導(dǎo)體封裝件401中，而第一存儲(chǔ)器104可放置在另一半導(dǎo)體封裝件402中。對(duì)于圖5中所示的實(shí)施例，rf單元1032可在集成處理電路102的外部，集成處理電路102和rf單元1032可放置在半導(dǎo)體封裝件501中，而第一存儲(chǔ)器104可放置在另一半導(dǎo)體封裝件502中。

在圖4和圖5所示的實(shí)施例中，rf單元1032和處理單元1031可放置在同一半導(dǎo)體封裝件401/501中。然而，此僅用于說(shuō)明目的，并非意在限制本發(fā)明。此外，處理單元1031可配置為放置在rf單元1032所在的半導(dǎo)體封裝件401的外部。簡(jiǎn)而言之，采用圖3所示提出的半導(dǎo)體裝置設(shè)計(jì)的集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104的任何集成設(shè)計(jì)都落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。

此外，在一些實(shí)施例中，提出的集成處理電路(或rf單元)及第一存儲(chǔ)器可放置在單一模塊(即單一半導(dǎo)體模塊)中。圖6為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的示意圖。rf單元603和存儲(chǔ)器605可放置在單一模塊(即，半導(dǎo)體模塊60)，其中，該單一模塊可以多種半導(dǎo)體模塊實(shí)現(xiàn)。舉例而言(但并非作為限制)，半導(dǎo)體模塊60可以具有保護(hù)層或覆模(over-mold)封裝的半導(dǎo)體模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如系統(tǒng)級(jí)封裝(system-in-package，sip)模塊。又例如，半導(dǎo)體模塊60可以沒(méi)有管套(casing)安裝在其上的模塊內(nèi)系統(tǒng)(system-in-module)實(shí)現(xiàn)。又例如，半導(dǎo)體模塊60可以多封裝模塊(multipackagemodule，mpm)實(shí)現(xiàn)。應(yīng)注意，本發(fā)明并不限制rf單元和存儲(chǔ)器位于其內(nèi)的單一半導(dǎo)體模塊的類(lèi)型。換言之，內(nèi)含rf單元和存儲(chǔ)器的單一模塊落在本發(fā)明范圍內(nèi)。

根據(jù)如圖6所示的半導(dǎo)體模塊設(shè)計(jì)，本發(fā)明更提出圖1中所示半導(dǎo)體封裝件108的的變形。圖7為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例圖1中所示集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104的第三變形集成設(shè)計(jì)的示意圖。圖8為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例圖1中所示集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104的第四變形集成設(shè)計(jì)的示意圖。可將無(wú)線(xiàn)通信裝置(例如100)修改為由半導(dǎo)體模塊70或半導(dǎo)體模塊80替換半導(dǎo)體封裝件(例如，108)，上述取決于實(shí)際設(shè)計(jì)考量。半導(dǎo)體模塊70和80之間的主要區(qū)別在于rf單元1032的位置。rf單元1032可配置為執(zhí)行rf信號(hào)和基頻信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換。處理單元1031可配置為處理無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)，其中，該無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)可為rf信號(hào)和基頻信號(hào)中的一或多個(gè)。對(duì)于圖7中所示的實(shí)施例，rf單元1032和處理單元1031可都包括在集成處理電路102中，其中，rf單元1032和第一存儲(chǔ)器104放置在單一模塊中(即半導(dǎo)體模塊70)。對(duì)于圖8中所示的實(shí)施例，rf單元1032可在集成處理電路102的外部，其中，rf單元1032和第一存儲(chǔ)器104可放置在單一模塊中(即半導(dǎo)體模塊80)。

在圖7和圖8所示的實(shí)施例中，rf單元1032和處理單元1031可放置在同一半導(dǎo)體模塊70/80中。然而，此僅用于說(shuō)明目的，并非意在限制本發(fā)明。此外，處理單元1031/集成處理電路102可配置為放置在rf單元1032所在的半導(dǎo)體模塊的外部。簡(jiǎn)而言之，采用圖6所示提出的半導(dǎo)體模塊設(shè)計(jì)的集成處理電路102和第一存儲(chǔ)器104的任何集成設(shè)計(jì)都落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。在上述實(shí)施例中，將存儲(chǔ)器(例如第一存儲(chǔ)器104和/或第二存儲(chǔ)器206)安裝于包括集成處理電路/rf電路的半導(dǎo)體封裝件/半導(dǎo)體裝置/半導(dǎo)體模塊內(nèi)可能會(huì)產(chǎn)生兩個(gè)問(wèn)題。第一個(gè)問(wèn)題是如何確定安裝在半導(dǎo)體封裝件/半導(dǎo)體裝置/半導(dǎo)體模塊內(nèi)的存儲(chǔ)器是否為有效存儲(chǔ)器。第二個(gè)問(wèn)題是當(dāng)存儲(chǔ)器安裝在半導(dǎo)體封裝件/半導(dǎo)體裝置/半導(dǎo)體模塊內(nèi)時(shí)如何減少存儲(chǔ)器產(chǎn)生的干擾。

對(duì)于第一個(gè)問(wèn)題，請(qǐng)參考圖9，圖9為說(shuō)明如何確定安裝在半導(dǎo)體封裝件/半導(dǎo)體裝置/半導(dǎo)體模塊內(nèi)的存儲(chǔ)器是否為有效存儲(chǔ)器的流程圖。對(duì)于無(wú)線(xiàn)通信裝置100的實(shí)例，在可將第一存儲(chǔ)器104安裝在半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40/50或半導(dǎo)體模塊70/80)內(nèi)之前，可由例如第一存儲(chǔ)器104或無(wú)線(xiàn)通信裝置100的制造商對(duì)第一存儲(chǔ)器104執(zhí)行測(cè)試程序(例如芯片探針(chipprobe,cp))以確定第一存儲(chǔ)器104是否為有效記憶體。當(dāng)?shù)谝淮鎯?chǔ)器104進(jìn)行測(cè)試程序失敗時(shí)，可丟棄第一存儲(chǔ)器104。而當(dāng)?shù)谝淮鎯?chǔ)器104通過(guò)測(cè)試程序時(shí)，可以識(shí)別標(biāo)記(identification)對(duì)第一存儲(chǔ)器104進(jìn)行簽名或標(biāo)記，其中，該識(shí)別標(biāo)記用于指示第一存儲(chǔ)器104為有效存儲(chǔ)器。換言之，如圖9所示，可將識(shí)別標(biāo)記看作第一存儲(chǔ)器104的有效id(goodid)。

當(dāng)?shù)谝淮鎯?chǔ)器104識(shí)別標(biāo)記為有效存儲(chǔ)器時(shí)，經(jīng)過(guò)一程序可將第一存儲(chǔ)器104與集成處理電路102/rf單元1032一起包括在半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40/50或半導(dǎo)體模塊70/80)內(nèi)從而形成無(wú)線(xiàn)通信裝置100的至少一部分。當(dāng)完成程序時(shí)，可對(duì)半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40/50或半導(dǎo)體模塊70/80)執(zhí)行另一個(gè)測(cè)試。在此階段，可使用測(cè)試裝置(圖未示)讀取第一存儲(chǔ)器104的識(shí)別標(biāo)記，即有效id1042，其中，該測(cè)試裝置可外部耦接于半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40/50或半導(dǎo)體模塊70/80)。當(dāng)該測(cè)試裝置確定第一存儲(chǔ)器104中存在有效id1042時(shí)，可確認(rèn)至少第一存儲(chǔ)器104不是丟棄存儲(chǔ)器(discardedmemory)。換言之，使用測(cè)試裝置測(cè)試有效id1042的存在可幫助確認(rèn)放在半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40/50或半導(dǎo)體模塊70/80)中的第一存儲(chǔ)器104是有效存儲(chǔ)器。

確定放在半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40/50或半導(dǎo)體模塊70/80)內(nèi)的第一存儲(chǔ)器104是否為有效存儲(chǔ)器的另一種方法是通過(guò)測(cè)試電路1022測(cè)試第一存儲(chǔ)器104的功能從而確認(rèn)第一存儲(chǔ)器104是否運(yùn)作良好。應(yīng)注意的是，在一些實(shí)施例中，可如圖9所示在集成處理電路102內(nèi)嵌入測(cè)試電路1022。更具體地，測(cè)試電路1022可為內(nèi)嵌于集成處理電路102的內(nèi)建自測(cè)(built-inself-test，bist)電路。在一些實(shí)施例中，測(cè)試電路1022可外部耦接于集成處理電路102，其中，測(cè)試電路1022和集成處理電路102可安裝在同一封裝件/裝置/模塊中。相應(yīng)地，上述第一個(gè)問(wèn)題可得到解決。

應(yīng)注意的是，簽名或標(biāo)記有效id1042的目的是為了從半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40/50或半導(dǎo)體模塊70/80)排除故障存儲(chǔ)器，而將測(cè)試電路1022安裝在半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40/50或半導(dǎo)體模塊70/80)內(nèi)是為了檢查第一存儲(chǔ)器104是否為有效存儲(chǔ)器。此外，可將有效id1042和測(cè)試電路1022兩者，或者僅有效id1042和測(cè)試電路1022其中之一運(yùn)用于半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40/50或半導(dǎo)體模塊70/80)。在運(yùn)用有效id1042和測(cè)試電路1022兩者的實(shí)施例中，當(dāng)有效id1042停止工作或有效id1042有誤時(shí)，可使用測(cè)試電路1022來(lái)測(cè)試第一存儲(chǔ)器104的有效性。

對(duì)于第二個(gè)問(wèn)題，即當(dāng)?shù)谝淮鎯?chǔ)器104安裝在半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40/50或半導(dǎo)體模塊70/80)內(nèi)時(shí)如何減少第一存儲(chǔ)器104產(chǎn)生的干擾，至少提出三種解決此問(wèn)題的方法。第一種方法是調(diào)整(例如降低)第一存儲(chǔ)器104與集成處理電路102之間所傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)功率。在一個(gè)實(shí)施例中，可將驅(qū)動(dòng)功率調(diào)整至傳輸?shù)谝淮鎯?chǔ)器104與集成處理電路102之間的驅(qū)動(dòng)信號(hào)可接受的最小驅(qū)動(dòng)功率以在最小驅(qū)動(dòng)功率下執(zhí)行存儲(chǔ)器讀/寫(xiě)操作。圖10為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的無(wú)線(xiàn)通信裝置400的方塊示意圖，無(wú)線(xiàn)通信裝置400使用所述第一種方法減少第一存儲(chǔ)器104產(chǎn)生的干擾。在此實(shí)施例中，集成處理電路102可更包括驅(qū)動(dòng)控制電路1024和邊界電路(boundarycircuit)1026，且第一存儲(chǔ)器104可更包括邊界電路1044，其中，至少一條焊線(xiàn)114可用于連接邊界電路1026和邊界電路1044。驅(qū)動(dòng)控制電路1024可調(diào)整邊界電路1026和/或邊界電路1044產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)sd的驅(qū)動(dòng)功率。在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)控制電路1024可將驅(qū)動(dòng)功率調(diào)整為傳輸?shù)谝淮鎯?chǔ)器104與集成處理電路102之間的驅(qū)動(dòng)信號(hào)sd可接受的最小驅(qū)動(dòng)功率。當(dāng)?shù)谝淮鎯?chǔ)器104與集成處理電路102之間傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)信號(hào)sd下降時(shí)，第一存儲(chǔ)器104產(chǎn)生的干擾會(huì)減少。相應(yīng)地，此設(shè)置可減少對(duì)無(wú)線(xiàn)通信裝置400的感測(cè)電路(sensitivecircuit)(例如rf單元1032)產(chǎn)生的干擾。更具體地，在無(wú)線(xiàn)通信裝置400中，感測(cè)電路比數(shù)字電路更敏感，可用于處理模擬信號(hào)。例如，使用rf單元1032執(zhí)行無(wú)線(xiàn)通信裝置400的rf信號(hào)與基頻信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換。在此實(shí)施例中，rf單元1032外部耦接(即不同晶片、或不同封裝件，或相同封裝件)于集成處理電路102，但rf單元1032和集成處理電路102安裝于相同的封裝件(或相同裝置/模塊)內(nèi)。請(qǐng)注意，在變形設(shè)計(jì)中，可將rf單元1032和集成處理電路102安裝在不同半導(dǎo)體封裝件/裝置/模塊中以使rf單元1032外部耦接于集成處理電路102。

無(wú)線(xiàn)通信裝置400更包括pmu1034。pmu1034可管理集成處理電路102和/或第一存儲(chǔ)器104的功耗。在此實(shí)施例中，pmu1034內(nèi)部耦接于集成處理電路102。換言之，pmu1034和集成處理電路102安裝于同一個(gè)晶片內(nèi)，然而，本發(fā)明并不限于此。

應(yīng)注意的是，在圖10中，盡管運(yùn)用了測(cè)試電路1022，也可通過(guò)使用前述方法在第一存儲(chǔ)器104中運(yùn)用有效id。因此，可將有效id和測(cè)試電路1022兩者，或者僅有效id和測(cè)試電路1022其中之一運(yùn)用于半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置50或半導(dǎo)體模塊80)。

如圖11所示，減少第一存儲(chǔ)器104產(chǎn)生的干擾的第二種方法是使用跳頻(hopping)機(jī)制從而避開(kāi)感測(cè)電路(例如rf單元1032)的工作頻率。圖11為根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例無(wú)線(xiàn)通信裝置500的方塊示意圖。無(wú)線(xiàn)通信裝置500使用第二種方法減少第一存儲(chǔ)器104產(chǎn)生的干擾。在此實(shí)施例中，集成處理電路102可更包括驅(qū)動(dòng)控制電路1024和邊界電路1026，且第一存儲(chǔ)器104可更包括邊界電路1044，其中，至少一條焊線(xiàn)114可用于連接邊界電路1026和邊界電路1044。驅(qū)動(dòng)控制電路1024可調(diào)整邊界電路1026和/或邊界電路1044產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)sd的驅(qū)動(dòng)功率。除此之外，集成處理電路102可更包括頻率控制電路1028。頻率控制電路1028可用于控制無(wú)線(xiàn)通信裝置500除感測(cè)電路以外多個(gè)元件的工作頻率不同于感測(cè)電路的工作頻率(即振蕩頻率)。除感測(cè)電路以外多個(gè)元件的一個(gè)實(shí)例為第一存儲(chǔ)器104，感測(cè)電路的一個(gè)實(shí)例為rf單元1032。在此實(shí)施例中，頻率控制電路1028可為跳頻控制電路。請(qǐng)參照?qǐng)D12，圖12為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例頻率控制電路1028執(zhí)行跳頻控制方法600的流程圖。圖12中所示流程圖的步驟無(wú)需嚴(yán)格按照?qǐng)D6所示的順序也不要求步驟連續(xù)，即可將其他步驟置于其中。除此之外，可省略步驟s602。跳頻控制方法600可包括如下步驟：

步驟s602：識(shí)別感測(cè)電路(例如：rf單元1032)的工作頻率f1；以及

步驟s604：控制除感測(cè)電路之外的電路(例如第一存儲(chǔ)器104)的工作頻率遠(yuǎn)離工作頻率f1。

在步驟s602中，頻率控制電路1028可識(shí)別感測(cè)電路的工作頻率f1。更具體地，在無(wú)線(xiàn)通信裝置500接收具有振蕩頻率f1的rf信號(hào)之時(shí)或之前，頻率控制電路1028可確定該rf信號(hào)的振蕩頻率，即f1。在步驟s604中，當(dāng)rf單元1032處理該rf信號(hào)時(shí)，頻率控制電路1028可控制第一存儲(chǔ)器104的工作頻率f2不同于rf信號(hào)的振蕩頻率。如圖13所示當(dāng)振蕩頻率f1變化時(shí)，可通過(guò)頻率控制電路1028控制第一存儲(chǔ)器104的工作頻率在多個(gè)頻率間跳變從而避開(kāi)振蕩頻率f1。圖13為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例rf信號(hào)的振蕩頻率f1和第一存儲(chǔ)器104的多個(gè)工作頻率(即f2、f3及f4)的頻譜示意圖。當(dāng)rf信號(hào)的振蕩頻率f1變化時(shí)，第一存儲(chǔ)器104的工作頻率也可進(jìn)行變化來(lái)遠(yuǎn)離振蕩頻率f1。由于現(xiàn)在感測(cè)電路的工作頻率f1不同于第一存儲(chǔ)器104的工作頻率f2，因而將減少對(duì)集成處理電路102的功率和信號(hào)造成的干擾。更具體地，在無(wú)線(xiàn)通信裝置500中，感測(cè)電路比數(shù)字電路更敏感，可用于處理模擬信號(hào)。例如，可使用rf單元1032執(zhí)行無(wú)線(xiàn)通信裝置500的rf信號(hào)與基頻信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換。在無(wú)線(xiàn)通信裝置500中，rf單元1032內(nèi)部耦接(即相同晶片、或相同封裝件/模塊，或不同封裝件/模塊)于集成處理電路102。

應(yīng)注意的是，在圖11中，盡管在半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40或半導(dǎo)體模塊70)內(nèi)僅運(yùn)用了有效id1042，也可使用前述方法在半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40或半導(dǎo)體模塊70)內(nèi)安裝測(cè)試電路。因此，可將有效id1042和測(cè)試電路兩者，或者有效id1042和測(cè)試電路其中之一運(yùn)用于半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40或半導(dǎo)體模塊70)。

如圖14所示，解決第一存儲(chǔ)器104產(chǎn)生的干擾的第三種方法是使用擴(kuò)頻(spreadspectrum)機(jī)制，從而減少除感測(cè)電路(例如rf單元1032)之外至少一個(gè)電路的輻射功率。圖14為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的無(wú)線(xiàn)通信裝置800的方塊示意圖。無(wú)線(xiàn)通信裝置800使用第三種方法來(lái)減少第一存儲(chǔ)器104產(chǎn)生的干擾。在此實(shí)施例中，集成處理電路102可更包括驅(qū)動(dòng)控制電路1024和邊界電路1026，且第一存儲(chǔ)器104可更包括邊界電路1044，其中，至少一條焊線(xiàn)114可用于連接邊界電路1026和邊界電路1044。驅(qū)動(dòng)控制電路1024可調(diào)整邊界電路1026和/或邊界電路1044產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)sd的驅(qū)動(dòng)功率。除此之外，集成處理電路102可更包括頻率控制電路1030。如圖15所示，頻率控制電路1030可將無(wú)線(xiàn)通信裝置800除感測(cè)電路之外的多個(gè)元件的工作頻率擴(kuò)展為特定頻帶fss。除感測(cè)電路之外的多個(gè)元件的一個(gè)實(shí)例是第一存儲(chǔ)器104，而感測(cè)電路的一個(gè)實(shí)例為rf單元1032。圖15根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例第一存儲(chǔ)器104的工作頻率的時(shí)序示意圖。應(yīng)注意的是，為簡(jiǎn)潔，在此較佳實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)器104的工作頻率也標(biāo)記為f2。此外，在此實(shí)施例中，頻率控制電路1030可為擴(kuò)頻控制電路。例如，當(dāng)rf單元1032處理所接收的rf信號(hào)時(shí)，頻率控制電路1030可緩慢地調(diào)整第一存儲(chǔ)器104的工作頻率f2，如圖15所示，將第一存儲(chǔ)器104的工作頻率f2從特定頻帶fss的較低頻帶fssl變?yōu)檩^高頻帶fss。通過(guò)此方法，第一存儲(chǔ)器104的工作頻率f2的能量可均勻地分配在特定頻帶fss中，因此，可減少第一存儲(chǔ)器104的工作頻率f2造成的對(duì)集成處理電路102的功率和信號(hào)造成的干擾。

此外，將第一存儲(chǔ)器104放置在遠(yuǎn)離感測(cè)電路(例如rf單元1032)的位置也可以幫助減少第一存儲(chǔ)器104對(duì)感測(cè)電路產(chǎn)生的干擾。更具體地，在無(wú)線(xiàn)通信裝置800中，感測(cè)電路比數(shù)字電路更敏感，可用于處理模擬信號(hào)。例如，使用rf單元1032執(zhí)行無(wú)線(xiàn)通信裝置800的rf信號(hào)與基頻信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換。在無(wú)線(xiàn)通信裝置800中，rf單元1032內(nèi)部耦接(即相同晶片、或相同封裝件/模塊，或不同封裝件/模塊)于集成處理電路102。

而且，在圖14中，盡管在半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40或半導(dǎo)體模塊70)內(nèi)僅運(yùn)用了有效id1042，也可使用上述方法在半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40或半導(dǎo)體模塊70)內(nèi)安裝測(cè)試電路。因此，可將有效id1042和測(cè)試電路兩者，或者有效id1042和測(cè)試電路其中之一運(yùn)用于半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40或半導(dǎo)體模塊70)。

應(yīng)注意的是，盡管上述的用于解決如何確定安裝在封裝件(或半導(dǎo)體裝置或半導(dǎo)體模塊)內(nèi)的存儲(chǔ)器是否為有效存儲(chǔ)器以及如何減少由存儲(chǔ)器產(chǎn)生的干擾的多種方法是結(jié)合無(wú)線(xiàn)通信裝置100、400、500以及800進(jìn)行描述的，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解上述多種方法也可運(yùn)用于無(wú)線(xiàn)通信裝置200或者rf單元和存儲(chǔ)器位于同一個(gè)封裝件(或半導(dǎo)體裝置/模塊)的任何其他無(wú)線(xiàn)通信裝置來(lái)解決類(lèi)似問(wèn)題。無(wú)線(xiàn)通信裝置的示例可包括但不限于，移動(dòng)電話(huà)、平板電腦、穿戴式裝置以及物聯(lián)網(wǎng)(internetofthings，iot)裝置。在無(wú)線(xiàn)通信裝置100、200、400、500、800或集成處理電路和存儲(chǔ)器位于同一個(gè)封裝件(或rf單元和存儲(chǔ)器位于同一裝置/模塊)的任何其他無(wú)線(xiàn)通信裝置中運(yùn)用一種或多種上述方法都屬于本發(fā)明的范圍。而且，上述有效id、測(cè)試電路、驅(qū)動(dòng)控制電路、頻率控制電路、rf單元、第一存儲(chǔ)器、第二存儲(chǔ)器以及pmu的設(shè)置并不限于圖1-圖11及圖14所示的設(shè)置。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解根據(jù)無(wú)線(xiàn)通信裝置的實(shí)際設(shè)計(jì)需求也可對(duì)設(shè)置進(jìn)行重新設(shè)置或修改。此外，在圖11和圖14中，盡管頻率控制電路1028和1030、驅(qū)動(dòng)控制電路1024以及rf單元1032安裝于集成處理電路102之內(nèi)，頻率控制電路1028和1030、驅(qū)動(dòng)控制電路1024以及rf單元1032也可設(shè)置為外部耦接于集成處理電路102但位于同一個(gè)半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40/50或半導(dǎo)體模塊70/80)內(nèi)部，或選擇性省略上述裝置。頻率控制電路1028和1030、驅(qū)動(dòng)控制電路1024以及rf單元1032也可設(shè)置為外部耦接于半導(dǎo)體封裝件108(或半導(dǎo)體裝置40/50或半導(dǎo)體模塊70/80)。

簡(jiǎn)而言之，本發(fā)明在半導(dǎo)體封裝件(或半導(dǎo)體裝置/模塊)中包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器，且該半導(dǎo)體封裝件(或半導(dǎo)體裝置/模塊)還包括處理無(wú)線(xiàn)通信信號(hào)的集成處理電路及/或執(zhí)行射頻和基頻信號(hào)之間轉(zhuǎn)換的rf單元，由此可減少無(wú)線(xiàn)通信裝置的成本并改進(jìn)信號(hào)質(zhì)量和工作速度。此外，本發(fā)明還揭示了多種方法來(lái)解決如何確定安裝在半導(dǎo)體封裝件(或半導(dǎo)體裝置/模塊)內(nèi)的存儲(chǔ)器是否為有效存儲(chǔ)器以及存儲(chǔ)器安裝于半導(dǎo)體封裝件(或半導(dǎo)體裝置/模塊)之內(nèi)時(shí)如何減少存儲(chǔ)器產(chǎn)生的干擾。

任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的精神而輕易完成的改變或均等性安排均屬于本發(fā)明所主張的范圍，本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)以權(quán)利要求為準(zhǔn)。