本發(fā)明涉及信號(hào)處理領(lǐng)域，具體涉及一種ASK解調(diào)器。

背景技術(shù)：

隨著集成電路技術(shù)的提升以及生物電子交叉學(xué)科的飛速發(fā)展，用于診斷與治療各類(lèi)疾病的生物器件不斷涌現(xiàn)，如人工耳蝸、心臟起博器、深腦電刺激器、視網(wǎng)膜刺激假體、脊髓刺激器、腦電心電監(jiān)視儀等。為保證植入設(shè)備的安全性，大多數(shù)采用可長(zhǎng)期植入的生物醫(yī)療植入式芯片，其能量與數(shù)據(jù)的傳輸常常采用穿皮的電磁偶合方式。ASK調(diào)制方式具有簡(jiǎn)單易用的特點(diǎn)，因而被廣泛應(yīng)用于植入生物醫(yī)療設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸當(dāng)中。

在諸多植入式芯片應(yīng)用實(shí)例中，用于數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)圈對(duì)由眼內(nèi)植入線(xiàn)圈與眼外線(xiàn)圈組成。在電刺激過(guò)程中，患者體位的改變將會(huì)引起兩線(xiàn)圈對(duì)距離與平面夾角發(fā)生變化，從而引起兩者偶合因子的極大的改變。線(xiàn)圈偶合因子的劇烈變化最終將導(dǎo)致接收端ASK信號(hào)幅度的極大變化。

一般的ASK解調(diào)器分為三個(gè)模塊，包括放大模塊、包絡(luò)檢測(cè)模塊、比較模塊，其中放大模塊的輸入端接收ASK調(diào)制信號(hào)，將ASK調(diào)制信號(hào)進(jìn)行放大；包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸入端與放大器模塊的輸出端連接，將放大后的ASK調(diào)制信號(hào)轉(zhuǎn)換成包絡(luò)信號(hào)；比較模塊的第一輸入端與包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端連接，比較模塊的第二輸入端接收參考電平，將包絡(luò)檢測(cè)模塊輸出的包絡(luò)信號(hào)與參考信號(hào)進(jìn)行對(duì)比并輸出數(shù)字信號(hào)。

當(dāng)ASK信號(hào)幅度變化較大時(shí)，ASK信號(hào)經(jīng)過(guò)包絡(luò)檢測(cè)以后有小幅度的包絡(luò)信號(hào)出現(xiàn)，同時(shí)檢測(cè)出的包絡(luò)信號(hào)具有較大的直流偏移電壓，該偏移電壓會(huì)導(dǎo)致處理過(guò)程中的包絡(luò)信號(hào)整體向上或向下平移，而比較模塊的參考電平是一定的，這將導(dǎo)致幅度較小的包絡(luò)信號(hào)整體出現(xiàn)在參考電平上端或者下端，最終使得ASK解調(diào)器無(wú)法從ASK信號(hào)中恢復(fù)數(shù)據(jù)。所以一般的ASK解調(diào)器只能對(duì)輸入幅度變化較小的ASK信號(hào)進(jìn)行解調(diào)。

因此，亟待一個(gè)具有寬輸入幅度的ASK解調(diào)器，來(lái)克服上述缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是，提供一種具有寬輸入幅度的ASK解調(diào)器，能夠?qū)o(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸中幅度劇烈變化的ASK信號(hào)進(jìn)行解調(diào)與數(shù)據(jù)恢復(fù)。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

提供一種ASK解調(diào)器，包括包絡(luò)檢測(cè)模塊、低通濾波模塊與比較模塊；

所述包絡(luò)檢測(cè)模塊用于對(duì)輸入的ASK調(diào)制信號(hào)進(jìn)行包絡(luò)檢測(cè)以得到包絡(luò)信號(hào)；

所述低通濾波模塊的輸入端與所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端連接，所述低通濾波模塊用于對(duì)所述包絡(luò)檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行低通濾波以生成直流電平信號(hào)；

所述比較模塊的第一輸入端與所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端連接，所述比較模塊的第二輸入端與所述低通濾波模塊的輸出端連接；所述比較模塊用于將所述包絡(luò)檢測(cè)信號(hào)與所述直流電平信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，生成數(shù)字信號(hào)。

較佳的，所述ASK解調(diào)器還包括電壓緩沖模塊；所述電壓緩沖模塊的輸入端與所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端連接、所述電壓緩沖模塊的輸出端分別與所述比較模塊的第一輸入端和所述低通濾波模塊的輸入端連接。

優(yōu)選的，所述包絡(luò)檢測(cè)模塊包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一電阻、第二電阻、第一電容和第二電容；所述第一NMOS管的柵極與所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸入端連接，所述第一NMOS管的漏極分別于所述第一PMOS管的漏極、所述第三PMOS管的柵極、所述第三PMOS管的漏極和所述第四PMOS管的柵極連接，所述第一NMOS管的源極分別與所述第二NMOS管的源極和所述第三NMOS管的漏極連接；所述第一PMOS管的源極分別與所述第二PMOS管的源極、所述第三PMOS管的源極、所述第四PMOS管的源極和電源正端連接，所述第一PMOS管的柵極分別與所述第二PMOS管的柵極、所述第二PMOS管的漏極和第二NMOS管的漏極連接；所述第二NMOS管的柵極分別與所述第一電阻的第二端、所述第一電容的第二端、所述第二電阻的第一端和所述第二電容的第一端連接；所述第三NMOS管的源極分別與所述第二電阻的第二端、所述第二電容的第二端和公共地連接，所述第三NMOS管的柵極與外界電流源連接；所述第四PMOS管的漏極分別與所述第一電阻的第一端、所述第一電容的第一端和所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端連接。

較佳的，所述比較模塊包括前級(jí)放大單元、裁決單元和輸出緩沖單元；

所述前級(jí)放大單元的第一輸入端與比較模塊的第一輸入端連接，所述前級(jí)放大單元的第二輸入端與所述比較模塊的第二輸入端連接，所述前級(jí)放大單元的第一輸出端與所述裁決單元的第一輸入端連接，所述前級(jí)放大單元的第二輸出端與所述裁決單元的第二輸入端連接，所述裁決單元的第一輸出端與所述輸出緩沖單元的第一輸入端連接，所述裁決單元的第二輸出端與所述輸出緩沖單元的第二輸入端連接，所述輸出緩沖單元的輸出端與比較模塊的輸出端連接。

優(yōu)選的，所述前級(jí)放大單元包括第五PMOS管、第六PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管；

所述第四NMOS管的柵極與所述前級(jí)放大單元的第二輸入端連接，所述第四NMOS管的漏極分別與所述第五PMOS管的漏極、所述第五PMOS管的柵極和所述前級(jí)放大單元的第二輸出端連接，所述第四NMOS管的源極分別與所述第五NMOS管的源極和所述第六NMOS管的漏極連接；所述第五NMOS管的柵極與所述前級(jí)放大單元的第一輸入端連接，所述第五NMOS管的漏極分別與所述第六PMOS管的漏極、第六PMOS管的柵極和所述前級(jí)放大單元的第一輸出端連接；所述第五PMOS管的源極分別與所述第六PMOS管的源極和電源正端連接；所述第六NMOS管的柵極與外界電流源連接，所述第六NMOS管的源極與公共地連接。

優(yōu)選的，所述裁決單元包括第七PMOS管、第八PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管；

所述第七PMOS管的柵極與所述裁決單元的第二輸入端連接，所述第七PMOS管的源極分別與所述第八PMOS管的源極和電源正端連接，所述第七PMOS管的漏極分別與所述第七NMOS管的漏極、所述第八NMOS管的柵極、所述第九NMOS管的柵極、所述第九NMOS管的漏極和所述裁決單元的第二輸出端連接；所述第八PMOS管的柵極與所述裁決單元的第一輸入端連接，所述第八PMOS管的漏極分別與所述第八NMOS管的漏極、所述第十NMOS管的漏極、所述第十NMOS管的柵極、所述第七NMOS管的柵極和所述裁決單元的第一輸出端連接；所述第十一NMOS管的柵極分別與所述第十一NMOS管的漏極、所述第七NMOS管的源極、所述第八NMOS管的源極、所述第九NMOS管的源極、所述第十NMOS管的源極連接，所述第十一NMOS管的源極與公共地連接。

優(yōu)選的，所述輸出緩沖單元包括第九PMOS管、第十PMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管和數(shù)字反向器；

所述第九PMOS管的源極分別與所述第十PMOS管的源極和電源正端連接，所述第九PMOS管的柵極分別與所述第十PMOS管的柵極、所述第九PMOS管的漏極、所述第十二NMOS管的漏極和所述第十三NMOS管的柵極連接；所述第十PMOS管的漏極分別與所述第十四NMOS管的漏極和所述數(shù)字反向器的輸入端連接；所述第十二NMOS管的柵極與所述輸出緩沖單元的第一輸入端連接，所述第十二NMOS管的源極分別與所述第十三NMOS管的漏極和所述第十四NMOS管源極連接；所述第十三NMOS管的源極與公共地連接；所述第十四NMOS管的柵極與所述輸出緩沖單元的第二輸入端連接；所述數(shù)字反向器的輸出端與所述輸出緩沖單元的輸出端連接。

較佳的，所述低通濾波模塊為無(wú)源濾波型的低通濾波模塊。

優(yōu)選的，所述低通濾波模塊包括第三電阻和第三電容；

所述第三電阻的第一端與所述低通濾波模塊的輸入端連接，所述第三電阻的第二端分別與所述低通濾波模塊的輸出端和所述第三電容的第一端連接，所述第三電容的第二端與公共地連接。

較佳的，所述電壓緩沖模塊包括集成運(yùn)算放大器；所述集成運(yùn)算放大器的同相輸入端與所述電壓緩沖模塊的輸入端，所述集成運(yùn)算放大器的反相輸入端分別與所述集成運(yùn)算放大器的輸出端和所述電壓緩沖模塊的輸出端連接。

相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的一種ASK解調(diào)器的有益效果在于：所述ASK解調(diào)器，包括包絡(luò)檢測(cè)模塊、低通濾波模塊與比較模塊；所述包絡(luò)檢測(cè)模塊用于對(duì)輸入的ASK調(diào)制信號(hào)進(jìn)行包絡(luò)檢測(cè)以得到包絡(luò)檢測(cè)信號(hào)；所述低通濾波模塊的輸入端與所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端連接，所述低通濾波模塊用于對(duì)所述包絡(luò)檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行低通濾波以生成直流電平信號(hào)；所述比較模塊的第一輸入端與所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端連接，所述比較模塊的第二輸入端與所述低通濾波模塊的輸出端連接；所述比較模塊用于將所述包絡(luò)檢測(cè)信號(hào)與所述直流電平信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，生成數(shù)字信號(hào)。通過(guò)在比較模塊前增加低通濾波模塊，使比較模塊的參考電平能夠跟隨載波信號(hào)的幅度變化，使得ASK解調(diào)器能夠在輸入幅度劇烈變化的條件下還原出ASK信號(hào)的數(shù)據(jù)。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種ASK解調(diào)器的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的包絡(luò)檢測(cè)模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的比較模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的低通濾波模塊和電壓緩沖模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1所示，其是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種ASK解調(diào)器的整體結(jié)構(gòu)示意圖；所述ASK解調(diào)器，包括包絡(luò)檢測(cè)模塊100、低通濾波模塊200與比較模塊300；

所述包絡(luò)檢測(cè)模塊100用于對(duì)輸入的ASK調(diào)制信號(hào)進(jìn)行包絡(luò)檢測(cè)以得到包絡(luò)檢測(cè)信號(hào)；

所述低通濾波模塊的輸入端21與所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端12連接，所述低通濾波模塊200用于對(duì)所述包絡(luò)檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行低通濾波以生成直流電平信號(hào)；

所述比較模塊的第一輸入端31與所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端12連接，所述比較模塊的第二輸入端32與所述低通濾波模塊的輸出端22連接；所述比較模塊300用于將所述包絡(luò)檢測(cè)信號(hào)與所述直流電平信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，生成數(shù)字信號(hào)。

通過(guò)增加了低通濾波模塊200使得后續(xù)比較器模塊300的參考電平能夠跟隨包絡(luò)信號(hào)的幅度變化而改變，讓所述比較模塊300的參考電平始終在包絡(luò)信號(hào)的中心，避免了因?yàn)槭д{(diào)電壓使得較小幅度的信號(hào)整體出現(xiàn)在參考電平一側(cè)而使得ASK信號(hào)中的數(shù)字信號(hào)提取失敗。

較佳的，所述ASK解調(diào)器還包括電壓緩沖模塊400；所述電壓緩沖模塊的輸入端41與所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端12連接、所述電壓緩沖模塊的輸出端42分別與所述比較模塊的第一輸入端31和所述低通濾波模塊的輸入端21連接。增加所述電壓緩沖模塊400防止由包絡(luò)檢測(cè)模塊傳輸?shù)陌j(luò)信號(hào)因?yàn)楹蠹?jí)電路而被影響、改變，同時(shí)增加信號(hào)對(duì)后級(jí)電路的驅(qū)動(dòng)能力。

如圖2所示，其是本發(fā)明實(shí)施例提供的包絡(luò)檢測(cè)模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；所述包絡(luò)檢測(cè)模塊100包括第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容C1和第二電容C2；所述第一NMOS管NM1的柵極與所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸入端11連接，所述第一NMOS管NM1的漏極分別于所述第一PMOS管PM1的漏極、所述第三PMOS管PM3的柵極、所述第三PMOS管PM3的漏極和所述第四PMOS管PM4的柵極連接，所述第一NMOS管NM1的源極分別與所述第二NMOS管NM2的源極和所述第三NMOS管NM3的漏極連接；所述第一PMOS管PM1的源極分別與所述第二PMOS管PM2的源極、所述第三PMOS管PM3的源極、所述第四PMOS管PM4的源極和電源正端VCC連接，所述第一PMOS管PM1的柵極分別與所述第二PMOS管PM2的柵極、所述第二PMOS管PM2的漏極和第二NMOS管NM2的漏極連接；所述第二NMOS管NM2的柵極分別與所述第一電阻R1的第二端、所述第一電容C1的第二端、所述第二電阻R2的第一端和所述第二電容C2的第一端連接；所述第三NMOS管NM3的源極分別與所述第二電阻R2的第二端、所述第二電容C2的第二端和公共地GND連接，所述第三NMOS管NM3的柵極與外界電流源連接；所述第四PMOS管PM4的漏極分別與所述第一電阻R1的第一端、所述第一電容C1的第一端和所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端12連接。

本實(shí)施例的包絡(luò)檢測(cè)模塊中的第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2組成了一個(gè)基本的差分放大器，電流鏡第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4組成基本電流鏡，第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容C1、第二電容C2組成為低通濾波器。整個(gè)電路引入一個(gè)負(fù)反饋回路，第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容C1、第二電容C2為反饋信號(hào)的檢測(cè)電路，輸出電壓能夠有效地跟蹤輸入信號(hào)中包絡(luò)的變化。通過(guò)調(diào)節(jié)反饋網(wǎng)絡(luò)中第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容C1、第二電容C2的比值，可方便地改變電路的增益，并將該電路分別用于包絡(luò)檢測(cè)以及信號(hào)放大。

包絡(luò)檢測(cè)模塊工作時(shí)具體為：當(dāng)?shù)谝浑娮鑂1的第二端沒(méi)有被充電時(shí)，輸出為0。如果包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸入端電壓大于第一電阻R1的第二端的電壓，流經(jīng)第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2的兩支漏電流不再平衡，因而在第三PMOS管PM3上產(chǎn)生一個(gè)電流脈沖，并通過(guò)第四PMOS管PM4鏡像并向第一電容C1的第一端的充電。當(dāng)?shù)谝浑娮鑂1的第二端的電壓接近包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸入端電壓時(shí)，第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2的電流達(dá)到平衡，流經(jīng)第三PMOS管PM3與第四PMOS管PM4的電流減少到0,這時(shí)第一電阻R1的第二端的電壓將保持該值不變。當(dāng)包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸入端電壓小于第一電阻R1的第二端的電壓時(shí)，第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4電流鏡電流為0，第一電容C1的第一端通過(guò)電阻向地放電。由第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容C1、第二電容C2組成的低通濾波網(wǎng)絡(luò)，將第一電阻R1的第二端的充放電速度限制在與信號(hào)包絡(luò)的變化速率上，這樣，第一電阻R1的第二端的電壓就能很好地跟蹤包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸入端電壓包絡(luò)的緩變，而濾除載波信號(hào)。第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容C1、第二電容C2的比值則決定了包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端信號(hào)的幅度與第一電阻R1的第二端信號(hào)的幅度的比值，適當(dāng)調(diào)節(jié)這些器件的參數(shù)可改變電路的放大倍數(shù)。

本實(shí)施例中的包絡(luò)檢測(cè)模塊100擁有放大信號(hào)的功能，而且本實(shí)施例的包絡(luò)檢測(cè)模塊100是先將包絡(luò)信號(hào)從ASK信號(hào)中提取出來(lái)，再將包絡(luò)信號(hào)進(jìn)行放大，采取這種方法可以采用更大的放大倍數(shù)用于放大包絡(luò)信號(hào)，這樣對(duì)于解調(diào)較小幅度的ASK信號(hào)有利。對(duì)于較大幅度的ASK信號(hào)，由于在相同調(diào)制深度下大幅度信號(hào)的包絡(luò)差值會(huì)更大，即使頂部包絡(luò)飽和也能有很大的余度解調(diào)出來(lái)。

相比于普通的ASK解調(diào)電路，本實(shí)施例取消了單獨(dú)的放大模塊，能夠較為明顯的減少電路功率。

如圖3所示，其是本發(fā)明實(shí)施例提供的比較模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；所述比較模塊300包括前級(jí)放大單元310、裁決單元320和輸出緩沖單元330；所述前級(jí)放大單元的第一輸入端311與比較模塊的第一輸入端31連接，所述前級(jí)放大單元的第二輸入端312與所述比較模塊的第二輸入端32連接，所述前級(jí)放大單元的第一輸出端313與所述裁決單元的第一輸入端321連接，所述前級(jí)放大單元的第二輸出端314與所述裁決單元的第二輸入端322連接，所述裁決單元的第一輸出端323與所述輸出緩沖單元的第一輸入端331連接，所述裁決單元的第二輸出端324與所述輸出緩沖單元的第二輸入端332連接，所述輸出緩沖單元的輸出端333與比較模塊的輸出端33連接。

比較器模塊包括前級(jí)放大單元310、裁決單元320和輸出緩沖單元330，其中前級(jí)放大單元310將輸入的包絡(luò)信號(hào)進(jìn)行預(yù)放大；裁決單元320將放大過(guò)后的包絡(luò)信號(hào)和參考電平引入，通過(guò)正反饋來(lái)判斷輸入信號(hào)的高低；輸出緩沖單元330能夠?qū)⑺霾脹Q單元320的輸出信號(hào)恢復(fù)成數(shù)字信號(hào)。

優(yōu)選的，所述前級(jí)放大單元310包括第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6；

所述第四NMOS管NM4的柵極與所述前級(jí)放大單元的第二輸入端312連接，所述第四NMOS管NM4的漏極分別與所述第五PMOS管PM5的漏極、所述第五PMOS管PM5的柵極和所述前級(jí)放大單元的第二輸出端314連接，所述第四NMOS管NM4的源極分別與所述第五NMOS管NM5的源極和所述第六NMOS管NM6的漏極連接；所述第五NMOS管NM5的柵極與所述前級(jí)放大單元的第一輸入端311連接，所述第五NMOS管NM5的漏極分別與所述第六PMOS管PM6的漏極、第六PMOS管PM6的柵極和所述前級(jí)放大單元的第一輸出端313連接；所述第五PMOS管PM5的源極分別與所述第六PMOS管PM6的源極和電源正端VCC連接；所述第六NMOS管NM6的柵極與外界電流源連接，所述第六NMOS管NM6的源極與公共地GND連接。

所述前級(jí)放大單元310將輸入的包絡(luò)信號(hào)進(jìn)行預(yù)放大，因包絡(luò)檢波模塊輸出的包絡(luò)信號(hào)疊加有與輸入ASK信號(hào)幅度相關(guān)的直流電壓偏移，如果對(duì)其直接比較，將會(huì)降低解調(diào)器的精度，為減小這種會(huì)導(dǎo)致精度降低的可能性，本實(shí)施例采取在所述前級(jí)放大單元接入包絡(luò)檢波模塊輸出的包絡(luò)信號(hào)的同時(shí)也應(yīng)該接入低通濾波模塊輸出的直流電平，使之減小對(duì)解調(diào)精度的影響。本實(shí)施例中所述前級(jí)放大單元的第一輸入端311接收電壓緩沖模塊400輸出的包絡(luò)信號(hào)，所述前級(jí)放大單元的第二輸入端312接收低通濾波模塊200輸出的參考電平信號(hào)，所述前級(jí)放大單元的第一輸出端313輸出經(jīng)過(guò)放大處理后的包絡(luò)信號(hào)，所述前級(jí)放大單元的第二輸出端314輸出經(jīng)過(guò)相同放大處理后的參考電平信號(hào)。

優(yōu)選的，所述裁決單元320包括第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8、第九NMOS管NM9、第十NMOS管NM10、第十一NMOS管NM11；

所述第七PMOS管PM7的柵極與所述裁決單元的第二輸入端322連接，所述第七PMOS管PM7的源極分別與所述第八PMOS管PM8的源極和電源正端VCC連接，所述第七PMOS管PM7的漏極分別與所述第七NMOS管NM7的漏極、所述第八NMOS管NM8的柵極、所述第九NMOS管NM9的柵極、所述第九NMOS管NM9的漏極和所述裁決單元的第二輸出端324連接；所述第八PMOS管PM8的柵極與所述裁決單元的第一輸入端321連接，所述第八PMOS管PM8的漏極分別與所述第八NMOS管NM8的漏極、所述第十NMOS管NM10的漏極、所述第十NMOS管NM10的柵極、所述第七NMOS管NM7的柵極和所述裁決單元的第一輸出端連接323；所述第十一NMOS管NM11的柵極分別與所述第十一NMOS管NM11的的漏極、所述第七NMOS管NM7的源極、所述第八NMOS管NM8的源極、所述第九NMOS管NM9的源極、所述第十NMOS管NM10的源極連接，所述第十一NMOS管NM11的源極與公共地GND連接。

所述裁決單元320將放大過(guò)后的包絡(luò)信號(hào)和參考電平引入，通過(guò)正反饋來(lái)判斷輸入信號(hào)之間的電壓高低，同時(shí)把信號(hào)的電壓范圍控制在輸出緩沖單元330的輸入共模電壓范圍內(nèi)，這一處理相當(dāng)于輸出緩沖單元的預(yù)處理，增加輸出緩沖單元330輸出的數(shù)字信號(hào)的可讀性。所述裁決單元的第一輸入端321接收所述前級(jí)放大單元的第一輸出端313輸出經(jīng)過(guò)放大處理后的包絡(luò)信號(hào)，所述裁決單元的第二輸入端322接收所述前級(jí)放大單元的第二輸出端314輸出經(jīng)過(guò)放大處理后的參考電平信號(hào)，所述裁決單元的第一輸出端323輸出經(jīng)過(guò)比較預(yù)處理后的包絡(luò)信號(hào)，所述裁決單元的第二輸出端324輸出經(jīng)過(guò)比較預(yù)處理后的參考電平信號(hào)。

優(yōu)選的，所述輸出緩沖單元330包括第九PMOS管PM9、第十PMOS管PM10、第十二NMOS管NM12、第十三NMOS管NM13、第十四NMOS管NM14和數(shù)字反向器Z；

所述第九PMOS管PM9的源極分別與所述第十PMOS管PM10的源極和電源正端VCC連接，所述第九PMOS管PM9的柵極分別與所述第十PMOS管PM10的柵極、所述第九PMOS管PM9的漏極、所述第十二NMOS管NM12的漏極和所述第十三NMOS管NM13的柵極連接；所述第十PMOS管PM10的漏極分別與所述第十四NMOS管NM14的漏極和所述數(shù)字反向器Z的輸入端335連接；所述第十二NMOS管NM12的柵極與所述輸出緩沖單元的第一輸入端331連接，所述第十二NMOS管NM12的源極分別與所述第十三NMOS管NM13的漏極和所述第十四NMOS管NM14源極連接；所述第十三NMOS管NM13的源極與公共地GND連接；所述第十四NMOS管NM14的柵極與所述輸出緩沖單元的第二輸入端332連接；所述數(shù)字反向器的輸出端336與所述輸出緩沖單元的輸出端333連接。

所述輸出緩沖單元包括采用自偏置的差分放大器和數(shù)字反向器Z，其中所述采用自偏置的差分放大器將所述裁決單元的兩端信號(hào)轉(zhuǎn)換成單端信號(hào)，所述數(shù)字反向器將所述單端信號(hào)恢復(fù)成數(shù)字信號(hào)形式緩沖輸出，并且能對(duì)輸出的信號(hào)進(jìn)行進(jìn)一步的整形，以得到更完美的數(shù)字信號(hào)。所述輸出緩沖單元330的第一輸入端331接收所述裁決單元的第一輸出端323輸出經(jīng)過(guò)比較預(yù)處理后的包絡(luò)信號(hào)，所述輸出緩沖單元的第二輸入端331接收所述裁決單元的第二輸出端324輸出經(jīng)過(guò)比較預(yù)處理后的參考電平信號(hào)，所述輸出緩沖單元的輸出端333輸出ASK信號(hào)包含信息的數(shù)字信號(hào)。

如圖4所示，其是本發(fā)明實(shí)施例提供的低通濾波模塊和電壓緩沖模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；所述低通濾波模塊200為無(wú)源濾波型的低通濾波模塊。相對(duì)于有源濾波型的低通濾波器擁有成本低、運(yùn)行可靠性高、功耗低的優(yōu)點(diǎn)。

優(yōu)選的，所述低通濾波模塊300包括第三電阻和第三電容；

所述第三電阻的第一端與所述低通濾波模塊的輸入端21連接，所述第三電阻的第二端分別與所述低通濾波模塊的輸出端22和所述第三電容的第一端連接，所述第三電容的第二端與公共地GND連接。本實(shí)施例采用RC無(wú)源濾波器，所述低通濾波模塊的輸入端接收電壓緩沖模塊輸出的包絡(luò)信號(hào)，所述低通濾波模塊的輸出端輸出隨ASK信號(hào)的幅度變化而改變的參考電平。必須注意的是，本低通濾波器模塊必須具有較低的截止頻率從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的直流電平。

較佳的，所述電壓緩沖模塊包括集成運(yùn)算放大器；所述集成運(yùn)算放大器的同相輸入端與所述電壓緩沖模塊的輸入端41，所述集成運(yùn)算放大器的反相輸入端分別與所述集成運(yùn)算放大器的輸出端42和所述電壓緩沖模塊的輸出端連接。采用集成運(yùn)算放大器能夠有效減小輸入端和輸出端之間信號(hào)發(fā)生變化的可能，同時(shí)能有效增加信號(hào)對(duì)后級(jí)電路的驅(qū)動(dòng)能力。

相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的一種ASK解調(diào)器的有益效果在于：所述ASK解調(diào)器，包括包絡(luò)檢測(cè)模塊、低通濾波模塊與比較模塊；所述包絡(luò)檢測(cè)模塊用于對(duì)輸入的ASK調(diào)制信號(hào)進(jìn)行包絡(luò)檢測(cè)以得到包絡(luò)檢測(cè)信號(hào)；所述低通濾波模塊的輸入端與所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端連接，所述低通濾波模塊用于對(duì)所述包絡(luò)檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行低通濾波以生成直流電平信號(hào)；所述比較模塊的第一輸入端與所述包絡(luò)檢測(cè)模塊的輸出端連接，所述比較模塊的第二輸入端與所述低通濾波模塊的輸出端連接；所述比較模塊用于將所述包絡(luò)檢測(cè)信號(hào)與所述直流電平信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，生成數(shù)字信號(hào)。通過(guò)在比較模塊前增加低通濾波模塊，使比較模塊的參考電平能夠跟隨載波信號(hào)的幅度變化，使得ASK解調(diào)器能夠在輸入幅度劇烈變化的條件下還原出ASK信號(hào)的數(shù)據(jù)。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。