基于T型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0.3階含y方Lorenz型混沌系統(tǒng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基于T型通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0.3階含y方的Lorenz型混沌系統(tǒng)電路，T型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊由六部分組成，第一部分由四個電阻和一個電位器串聯(lián)后，與四個電容并聯(lián)組成，后面五部分均由四個電阻和一個電位器串聯(lián)后，與四個電容并聯(lián)部分相串聯(lián)組成。本發(fā)明采用T型結(jié)構(gòu)，設(shè)計制作了PCB電路，0.3階分?jǐn)?shù)階積分電路由前五部分組成，后一部分不用，懸空，采用這種方法的實現(xiàn)0.3階分?jǐn)?shù)階混沌系統(tǒng)電路，可靠性高，不易出錯。
【專利說明】基于T型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0. 3階含y方Lorenz型混 沌系統(tǒng)電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊及其〇. 3階混沌系統(tǒng)電路實現(xiàn)，特別涉 及一種基于T型分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0. 3階含y方的Lorenz型混沌系統(tǒng)電路。

【背景技術(shù)】
[0002] 因為實現(xiàn)分?jǐn)?shù)階混沌系統(tǒng)的電路的電阻和電容都是非常規(guī)電阻和電容，一般采用 電阻串聯(lián)和電容并聯(lián)的方法實現(xiàn)，目前，實現(xiàn)的主要方法是利用現(xiàn)有的電阻和電容在面包 板上組合的方法，這種方法可靠性和穩(wěn)定性比較低，并且存在容易出錯，出錯后不易查找等 問題，本發(fā)明為克服這個問題，采用T型結(jié)構(gòu)，設(shè)計制作了PCB電路，整個電路模塊電路由 六部分組成，第一部分由四個電阻和一個電位器串聯(lián)后，與四個電容并聯(lián)組成，后面五部分 均由四個電阻和一個電位器串聯(lián)后，與四個電容并聯(lián)部分相串聯(lián)組成，T型0.3階通用積分 電路由前五部分組成，后一部分不用，懸空，采用這種方法的實現(xiàn)0.3階分?jǐn)?shù)階混沌系統(tǒng)電 路，可靠性高，不易出錯。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種基于T型通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0. 3階 含y方的Lorenz型混沌系統(tǒng)電路，本發(fā)明采用如下技術(shù)手段實現(xiàn)發(fā)明目的：
[0004] 1、一種T型通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊，其特征是在于：電阻Rx與電容Cx并聯(lián)，形 成第一部分，電阻Ry與電容Cy串聯(lián)，形成第二部分，電阻Rz與電容Cz串聯(lián)，形成第三部分， 電阻RW與電容Cw串聯(lián)，形成第四部分，電阻Ru與電容Cu串聯(lián)，形成第五部分，電阻Rv與 電容Cv串聯(lián)，形成第六部分，第一部分與后面五部分為并聯(lián)連接。
[0005] 2、根據(jù)權(quán)利要求1所述一種T型通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊，其特征在于：所述電阻 Rx由電位器Rxl和電阻Rx2、Rx3、Rx4、Rx5串聯(lián)組成，所述電容Cx由電容Cxi、Cx2、Cx3、 Cx4并聯(lián)組成；所述電阻Ry由電位器Ryl和電阻Ry2、Ry3、Ry4、Ry5串聯(lián)組成，所述電容Cy 由電容〇71、〇72、〇73、074，并聯(lián)組成；所述電阻1^由電位器1^1和電阻1^2、1^3、1^4、1^5 串聯(lián)組成，所述電容Cz由電容Czl、Cz2、Cz3、Cz4并聯(lián)組成；所述電阻Rw由電位器Rwl和 電阻Rw2、Rw3、Rw4、Rw5串聯(lián)組成，所述電容Cw由電容Cwl、Cw2、Cw3、Cw4并聯(lián)組成；所述 電阻Ru由電位器Rul和電阻Ru2、Ru3、Ru4、Ru5串聯(lián)組成，所述電容Cu由電容Cul、Cu2、 &13、(：114并聯(lián)組成；所述電阻1^由電位器1^1和電阻1^2、1^3、1^4、1^5串聯(lián)組成，所述電 容〇由電容01、02、03、04并聯(lián)組成。
[0006] 3、根據(jù)權(quán)利要求1所述一種T型通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊，所述0. 3階積分電路 模塊，其特征在于：所述電阻Rx=3. 983M，所述電位器Rxl=0K，所述電阻Rx2=3. 3M、 Rx3 = 680K、Rx4 = 2K、Rx5 = 1K，所述電容Cx = 0.02512uF，所述電容Cxi = 22nF、Cx2= 2. 2nF、Cx3=InF、Cx4懸空；所述電阻Ry=4. 908M，所述電位器Ryl=IK,所述電阻Ry2 =3. 9M、Ry3=lM、Ry4=5. lK、Ry5=2K，所述電容Cy=4. 898uF，所述電容Cyl=4. 7uF、 Cy2 = 150nF、Cy3 = 47nF、Cy4懸空；所述電阻Rz= 2. 401M，所述電位器Rzl= 0K，所述電 阻Rz2 = 2M、Rz3 = 200K、Rz4 = 200K、Rz5 = 1K，所述電容Cz= 1. 117uF，所述電容Czl= luF、Cz2 = 100nF、Cz3 = 10nF、Cz4 = 4. 7nF;所述電阻Rw= 1. 248M，所述電位器Rwl= 8K和所述電阻Rw2 = 1M、Rw3 = 200K、Rw4 = 20K、Rw5 = 20K，所述電容Cw= 0? 2399uF，所 述電容Cwl= 220nF、Cw2 = 10nF、Cw3 = 6. 8nF、Cw4 = 3. 3nF;所述電阻Ru= 0? 710M，所 述電位器Rul=OK和所述電阻Ru2 = 500K、Ru3 = 200K、Ru4 = 10K、Ru5 =OK，所述電容 Cu= 0. 04704uF，所述電容Cul= 47nF、Cu2懸空、Cu3懸空、Cu4懸空；所述電阻Rv懸空， 所述電容Cv懸空。
[0007] 4、基于T型通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0. 3階含y方的Lorenz型混沌系統(tǒng)電路， 其特征在于：
[0008] (1)含y方的Lorenz型混沌系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型i:

【權(quán)利要求】
1. 一種T型通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊，其特征是在于：電阻Rx與電容Cx并聯(lián)，形成第 一部分，電阻Ry與電容Cy串聯(lián)，形成第二部分，電阻Rz與電容Cz串聯(lián)，形成第三部分，電 阻Rw與電容Cw串聯(lián)，形成第四部分，電阻Ru與電容Cu串聯(lián)，形成第五部分，電阻Rv與電 容Cv串聯(lián)，形成第六部分，第一部分與后面五部分為并聯(lián)連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種T型通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊，其特征在于：所述電阻Rx 由電位器1^1和電阻1^2、1^3、1^4、1^5串聯(lián)組成，所述電容〇1由電容〇11、〇12、〇13、〇14 并聯(lián)組成；所述電阻Ry由電位器Ryl和電阻Ry2、Ry3、Ry4、Ry5串聯(lián)組成，所述電容Cy由 電容〇71、〇72、〇73、〇74，并聯(lián)組成；所述電阻1^由電位器1^1和電阻1^2、1^3、1^4、1^5串 聯(lián)組成，所述電容Cz由電容Czl、Cz2、Cz3、Cz4并聯(lián)組成；所述電阻Rw由電位器Rwl和電 阻Rw2、Rw3、Rw4、Rw5串聯(lián)組成，所述電容Cw由電容Cwl、Cw2、Cw3、Cw4并聯(lián)組成；所述電 阻Ru由電位器Rul和電阻Ru2、Ru3、Ru4、Ru5串聯(lián)組成，所述電容Cu由電容Cul、Cu2、Cu3、 &14并聯(lián)組成；所述電阻1^由電位器1^1和電阻1^2、1^3、1^4、1^5串聯(lián)組成，所述電容0 由電容01、02、03、04并聯(lián)組成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種T型通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊，所述0. 3階積分電路模塊， 其特征在于：所述電阻Rx= 3. 983M，所述電位器Rxl= 0K，所述電阻Rx2 = 3. 3M、Rx3 = 680K、Rx4 = 2K、Rx5 = 1K，所述電容Cx= 0· 02512uF，所述電容Cxl= 22nF、Cx2 = 2. 2nF、 Cx3 =lnF、Cx4懸空；所述電阻Ry= 4. 908Μ，所述電位器Ryl= 1Κ,所述電阻Ry2 = 3. 9Μ、 Ry3 = 1M、Ry4 = 5.IK、Ry5 = 2K，所述電容Cy= 4. 898uF，所述電容Cyl= 4. 7uF、Cy2 = 150nF、Cy3 = 47nF、Cy4懸空；所述電阻Rz= 2. 401M，所述電位器Rzl= 0K，所述電阻Rz2 =2M、Rz3 = 200K、Rz4 = 200K、Rz5 = 1K，所述電容Cz=I. 117uF，所述電容Czl=luF、 Cz2 = 100nF、Cz3 = 10nF、Cz4 = 4. 7nF;所述電阻Rw=I. 248M，所述電位器Rwl= 8K和 所述電阻Rw2 = 1M、Rw3 = 200K、Rw4 = 20K、Rw5 = 20Κ，所述電容Cw=(λ2399uF，所述電 容Cwl= 220nF、Cw2 = 10nF、Cw3 = 6. 8nF、Cw4 = 3. 3nF;所述電阻Ru= 0· 710M，所述電 位器Rul=OK和所述電阻Ru2 = 500K、Ru3 = 200K、Ru4 = 10K、Ru5 = 0K，所述電容Cu= 0. 04704uF，所述電容Cul= 47nF、Cu2懸空、Cu3懸空、Cu4懸空；所述電阻Rv懸空，所述電 容Cv懸空。
4. 基于T型通用分?jǐn)?shù)階積分電路模塊的0. 3階含y方的Lorenz型混沌系統(tǒng)電路，其特 征在于： (1) 含y方的Lorenz型混沛系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型i:
(2) -個含y方的0. 3階Lorenz型混沛系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型ii為：
(3)根據(jù)0. 3階含y方的Lorenz型混沌系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型ii構(gòu)造模擬電路，利用運算 放大器U1、運算放大器U2及電阻和T型0. 3階積分電路模塊U5、T型0. 3階積分電路模塊 U6、T型0. 3階積分電路模塊U7構(gòu)成反相加法器和反相0. 3階積分器，利用乘法器U3和乘 法器U4實現(xiàn)乘法運算，所述運算放大器Ul和運算放大器U2采用LF347N，所述乘法器U3和 乘法器U4采用AD633JN; 所述運算放大器Ul連接運算放大器U2、乘法器U3、乘法器U4和T型0. 3階積分電路模 塊、T型0. 3階積分電路模塊U6，所述運算放大器U2連接乘法器U3、乘法器U4和T型0. 3 階積分電路模塊U7,所述乘法器U3連接運算放大器Ul，所述乘法器U4連接運算放大器U2 ; 所述運算放大器Ul的第1引腳通過電阻R7與Ul的第6引腳相接，第2引腳通過電阻R6與第1引腳相接，第3、5、10、12引腳接地，第4引腳接VCC，第11引腳接VEE，第6引腳接 T型0. 3階積分電路模塊U6的A引腳，第7引腳接輸出y，通過電阻Rl與第13引腳相接， 通過電阻R8與第2引腳相接，接T型0. 3階積分電路模塊U6的B引腳，接乘法器U4的第 1、3引腳，第8引腳接輸出X，通過電阻R4與第9引腳相接，通過電阻R5與第2引腳相接， 接乘法器U3的第1引腳，接T型0. 3階積分電路模塊U5的B引腳，第9引腳接T型0. 3階 積分電路模塊U5的A引腳，第13引腳通過電阻R2與第14引腳相接，第14引腳通過電阻 R3與第9引腳相接； 所述運算放大器U2的第1、2、6、7引腳懸空，第3、5、10、12引腳接地，第4引腳接VCC， 第11引腳接VEE，第8引腳輸出z，通過電阻R12與第9引腳相接，接乘法器U3的第3引 腳，接接T型0. 3階積分電路模塊的B引腳，第9引腳接T型0. 3階積分電路模塊U7的A 引腳，第13引腳通過電阻RlO接第14引腳，第14引腳通過電阻R13接第9引腳； 所述乘法器U3的第1引腳接Ul的第8腳，第3引腳接U2的第8引腳，第2、4、6引腳 均接地，第5引腳接VEE，第7引腳通過電阻R9接Ul第6引腳，第8引腳接VCC; 所述乘法器U4的第1，3引腳接Ul的第8腳，第2、4、6引腳均接地，第5引腳接VEE，第 7引腳通過電阻Rll接U2第13引腳，第8引腳接VCC; 所述T型0. 3階積分電路模塊U5的A引腳接運算放大器Ul的第9引腳，B引腳接接 運算放大器Ul的第8引腳； 所述T型0. 3階積分電路模塊U6的A引腳接運算放大器Ul的第6引腳，B引腳接接 運算放大器Ul的第7引腳； 所述T型0. 3階積分電路模塊U7的A引腳接運算放大器U2的第9引腳，B引腳接接 運算放大器U2的第8引腳。
【文檔編號】H04L9/00GK104468086SQ201410772706
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月14日
【發(fā)明者】吳新華 申請人:吳新華