三合一手機(jī)通卡及其制作方法
【專利摘要】<b/>本發(fā)明公開(kāi)一種三合一手機(jī)通卡及其制作方法，該三合一手機(jī)通卡包括有卡架、標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體、Micro-SIM卡主體以及Nano-SIM卡；通過(guò)在卡架上設(shè)置有第一容置通槽和第二容置通槽，在標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體上設(shè)置有第三容置通槽，利用該標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體嵌于該第一容置通槽，Micro-SIM卡主體通過(guò)無(wú)縫沖切成型并卡緊在第三容置通槽中，Nano-SIM卡通過(guò)無(wú)縫或有縫沖切成型在第二容置通槽中，如此，卡架、標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體、Micro-SIM卡主體以及Nano-SIM卡可在同一卡片上成型，取代了傳統(tǒng)之在兩個(gè)不同卡片上成型的方式，產(chǎn)品制作過(guò)程中無(wú)需人工參與組裝，便利實(shí)現(xiàn)全機(jī)械化批量快速生產(chǎn)，給制作帶來(lái)方便，從而有效提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。
【專利說(shuō)明】三合一手機(jī)通卡及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及手機(jī)卡領(lǐng)域技術(shù)，尤其是指一種三合一手機(jī)通卡及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，大多數(shù)手機(jī)使用的通訊卡叫做標(biāo)準(zhǔn)SM卡，該種標(biāo)準(zhǔn)SM卡尺寸為25mmX15mm (比普通郵票還小，大概手指甲大小)。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，手機(jī)的功能也日新月異，因而使用在手機(jī)上的通訊卡也發(fā)生了變化，目前的出現(xiàn)有Micro-S頂卡和Nano-S頂卡:Micro_S頂卡，也叫做3FF SM卡即第三類規(guī)格SM，其尺寸為12x15mm，比我們目前在手機(jī)中使用的第二類SIM卡規(guī)格25x15mm小了 52%，現(xiàn)在蘋果公司生產(chǎn)的產(chǎn)品(IPhone 4S、IPhone4。) (IPad、IPad2.3G 版本)都是使用 Micro-SIM 卡；Nano-SIM 卡是4FF標(biāo)準(zhǔn)的SM卡，由蘋果公司最早提出，這種Nano-S頂卡比Micro-S頂卡小三分之一，比起普通SM卡則小了 60%，而且厚度也減少了 15%，現(xiàn)在蘋果公司生產(chǎn)的IPhone5手機(jī)使用Nano-SIM 卡。
[0003]然而，通常情況下，目前從市面上購(gòu)買回去的手機(jī)通卡取下來(lái)通常只有一張標(biāo)準(zhǔn)SIM卡，該張標(biāo)準(zhǔn)SIM卡僅能應(yīng)用在普通手機(jī)中，若用戶想將該卡使用到IPhone 4S、IPhone4或者IPhone5時(shí)，用戶需要采用專門的剪卡器將標(biāo)準(zhǔn)SM卡裁剪成Micro-S頂卡或者Nano-SIM卡，然而，當(dāng)用戶再次想使用普通手機(jī)時(shí)，則該Micro-SM卡或者Nano-SIM卡無(wú)法使用，用戶必須重新辦卡，如此，目前的手機(jī)通卡不能滿足不同的用戶，給手機(jī)通卡的銷售帶來(lái)不便，并且也不能滿足每位用戶在使用過(guò)程中的不同要求，從而給用戶的使用帶來(lái)諸多不便。針對(duì)于此，目前市面上出現(xiàn)有三合一手機(jī)通卡，該種三合一手機(jī)通常包括卡架、標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體、Micro-SM卡主體以及Nano-SM卡，如此可根據(jù)需要組配得到標(biāo)準(zhǔn)SIM卡和Micro-SIM卡,從而給使用帶來(lái)便利,然而,該種三合一手機(jī)通卡在制作過(guò)程中，該卡架、標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體、Micro-SM卡主體是在同一塑膠卡片上成型，而Nano-SM卡則在另一塑膠卡片上成型，Nano-S頂卡制作完成后需要人工組裝到Micro-S頂卡主體的凹位中，如此，給制作帶來(lái)不便，難以實(shí)現(xiàn)全機(jī)械化批量快速生產(chǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，其主要目的是提供一種三合一手機(jī)通卡及其制作方法，其能有效解決現(xiàn)有之三合一手機(jī)通卡難以實(shí)現(xiàn)全機(jī)械化批量快速生產(chǎn)的問(wèn)題。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下之技術(shù)方案:
一種三合一手機(jī)通卡，包括有卡架、標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體、Micro-SIM卡主體以及Nano-SM卡；該卡架上設(shè)置有第一容置通槽和第二容置通槽；該標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體嵌于該第一容置通槽中并通過(guò)多個(gè)連接帶與卡架一體成型連接；該標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體上設(shè)置有與Micro-SIM卡主體相適配的第三容置通槽，該第三容置通槽的深度與Micro-SM卡主體的厚度相同，該Micro-SIM卡主體通過(guò)無(wú)縫沖切成型并卡緊在第三容置通槽中，Micro-SIM卡主體的表面與標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體的表面平齊，且該Micro-SM卡主體的表面上凹設(shè)有一與Nano-SM卡相適配的凹位，該凹位的深度與Nano-SIM卡的厚度相同；該Nano-SM卡通過(guò)無(wú)縫或有縫沖切成型在第二容置通槽中；當(dāng)Nano-SIM卡從第二容置通槽中取出并嵌入凹位中時(shí)，由Nano-SIM 卡與 Micro-SIM 卡主體組合形成 Micro-SIM 卡，由 Nano-SIM 卡、Micro-SIM 卡主體和標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體共同組合形成標(biāo)準(zhǔn)SIM卡。
[0006]作為一種優(yōu)選方案，所述卡架的厚度與標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體的厚度相同，且該卡架的表面與標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體的表面平齊。
[0007]作為一種優(yōu)選方案，所述卡架為平板狀塑膠體，該標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體和連接帶通過(guò)沖切的方式成型在該平板狀塑膠體上。
[0008]作為一種優(yōu)選方案，所述卡架為標(biāo)準(zhǔn)卡尺寸，其橫向尺寸為85.47mm?85.72mm,其縱向尺寸為53.92mm?54.03mm。
[0009]作為一種優(yōu)選方案，所述卡架為半卡尺寸，其橫向尺寸為42.735mm?42.86mm,其縱向尺寸為53.92mm?54.03mm。
[0010]作為一種優(yōu)選方案,所述Nano-SIM卡的厚度為0.60mm?0.70mm。
[0011]作為一種優(yōu)選方案，所述標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體和Micro-S頂卡主體的厚度均為0.68mm ?0.84mm。
[0012]一種前述三合一手機(jī)通卡的制作方法，包括有以下步驟:
(1)洗薄:取一與卡架外形相同的塑膠卡片，在塑膠卡片的一個(gè)位置上進(jìn)行洗薄作業(yè)形成前述凹位，在塑膠卡片的另一位置上進(jìn)行洗薄作業(yè)形成一凹槽，凹槽的外形與Nano-SM卡的外形相同；
(2)芯片封裝:將芯片通過(guò)熱熔的方式壓合封裝在凹槽的內(nèi)底面上；
(3)沖切:在凹位的外圍進(jìn)行無(wú)縫沖切形成Micro-SM卡主體，并在Micro-SM卡主體的外圍沖切形成標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體，以及，對(duì)凹槽的周緣進(jìn)行無(wú)縫或有縫沖切形成Nano-SIM卡;
(4)打碼:在Micro-SM卡主體和Nano-SM卡的背面同時(shí)打上激光碼。
[0013]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果，具體而言，由上述技術(shù)方案可知:
通過(guò)在卡架上設(shè)置有第一容置通槽和第二容置通槽，在標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體上設(shè)置有第三容置通槽，利用該標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體嵌于該第一容置通槽，Mic1-SM卡主體通過(guò)無(wú)縫沖切成型并卡緊在第三容置通槽中，Nano-SIM卡通過(guò)無(wú)縫或有縫沖切成型在第二容置通槽中，如此，卡架、標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體、Micro-SIM卡主體以及Nano-SIM卡可在同—^片上成型，取代了傳統(tǒng)之在兩個(gè)不同卡片上成型的方式，產(chǎn)品制作過(guò)程中無(wú)需人工參與組裝，便利實(shí)現(xiàn)全機(jī)械化批量快速生產(chǎn)，給制作帶來(lái)方便，從而有效提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。
[0014]為更清楚地闡述本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征和功效，下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例的正面示意圖；
圖2是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例的背面示意圖； 圖3是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例中卡架和標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體的正面示意圖；
圖4是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例中Micro-SIM卡主體的放大示意圖；
圖5是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例中Nano-SIM卡的放大示意圖；
圖6是圖1中A-A方向的截面圖；
圖7是本發(fā)明之第二較佳實(shí)施例的正面示意圖；
圖8是本發(fā)明之第二較佳實(shí)施例的背面示意圖；
圖9是本發(fā)明之第三較佳實(shí)施例的正面示意圖；
圖10是本發(fā)明之第三較佳實(shí)施例的背面示意圖；
圖11是本發(fā)明之第四較佳實(shí)施例的正面示意圖；
圖12是本發(fā)明之第四較佳實(shí)施例的背面示意圖。
[0016]附圖標(biāo)識(shí)說(shuō)明:
10、卡架11、第一容置通槽
12、第二容置通槽13、連接帶
14、凹槽15、連接帶
20、標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體21、第三容置通槽
30、Micro-SM卡主體31、凹位
32、卡塊40、Nano-SM 卡
41、芯片。

【具體實(shí)施方式】
[0017]請(qǐng)參照?qǐng)D1和圖6所示，其顯示出了本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，包括有卡架10、標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體20、Micro-SM卡主體30以及Nano-SM卡40。
[0018]其中，該卡架10上設(shè)置有第一容置通槽11和第二容置通槽12，該標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體20嵌于該第一容置通槽11中并通過(guò)多個(gè)連接帶13與卡架10 —體成型連接，該卡架10呈方形，并為平板狀塑膠體，該標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體20和連接帶13通過(guò)沖切的方式成型在該平板狀塑膠體上，在本實(shí)施例中，該卡架10為標(biāo)準(zhǔn)卡尺寸，其橫向尺寸為85.47mm?85.72mm,其縱向尺寸為53.92mm?54.03mm,該第二容置通槽12遠(yuǎn)離第一容置通槽11 ;以及，該卡架10的厚度與標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體20的厚度相同，且該卡架10的表面與標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體20的表面平齊。
[0019]該標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體20上設(shè)置有與Micro-SM卡主體30相適配的第三容置通槽21,該第三容置通槽21的深度與Micro-SM卡主體30的厚度相同，該標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體20和Micro-SIM卡主體30的厚度均為0.68mm?0.84mm,該Micro-SIM卡主體30通過(guò)無(wú)縫沖切成型并卡緊在第三容置通槽21中，Micro-SM卡主體30的表面與標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體20的表面平齊，且該Micro-SM卡主體30的表面上凹設(shè)有一與Nano-SM卡40相適配的凹位31，該凹位31的深度與Nano-SIM卡40的厚度相同。
[0020]該Nano-SM卡40通過(guò)無(wú)縫或有縫沖切成型在第二容置通槽12中，在本實(shí)施例中，該Nano-SM卡40通過(guò)無(wú)縫沖切成型并卡緊在第二容置通槽12中，該Nano-SM卡40的厚度為0.60mm?0.70mm ;當(dāng)Nano-S頂卡40從第二容置通槽12中取出并嵌入凹位31中時(shí)，由Nano-SM卡40與Micro-SM卡主體30組合形成Micro-SM卡，由Nano-SM卡40、Micro-SIM卡主體30和標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體20共同組合形成標(biāo)準(zhǔn)SM卡。
[0021]詳述本實(shí)施例的制作方法如下:
包括有以下步驟:
(I)洗薄:取一與卡架10外形相同的塑膠卡片，在塑膠卡片的一個(gè)位置上進(jìn)行洗薄作業(yè)形成前述凹位31，在塑膠卡片的另一位置上進(jìn)行洗薄作業(yè)形成一凹槽14，凹槽14的外形與Nano-SIM卡40的外形相同。
[0022](2)芯片封裝:將芯片41通過(guò)熱熔的方式壓合封裝在凹槽14的內(nèi)底面上。
[0023](3)沖切:在凹位31的外圍進(jìn)行無(wú)縫沖切形成Micro-SM卡主體30，并在Micro-SM卡主體30的外圍沖切形成標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體20，以及，對(duì)凹槽14的周緣進(jìn)行無(wú)縫或有縫沖切形成Nano-SIM卡40，在本實(shí)施例中選擇無(wú)縫沖切的方式。
[0024](4)打碼:在Micro-SM卡主體30和Nano-S頂卡40的背面同時(shí)打上激光碼即可。
[0025]使用時(shí)，若用戶的手機(jī)為普通手機(jī)時(shí)，用戶只需將連接帶13折斷，然后將標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體20從第一容置通槽11取出，并將Nano-SM卡40從第二容置通槽12中取出，接著，將Nano-SM卡40嵌裝在Micro-SM卡主體30的凹位31中以連通標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體20組成標(biāo)準(zhǔn)SM卡并裝入手機(jī)中即可。若用戶為IPhone 4S或IPhone4時(shí)，用戶只需將Micro-SM卡主體30從標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體20的第三容置通槽21取出，并將Nano-SM卡40從第二容置通槽12中取出，接著將Nano-S頂卡40嵌裝在Micro-SM卡主體30的凹位31中以組成的Micro-SIM卡并裝入手機(jī)即可；若用戶的手機(jī)為IPhone5或IPhone5s時(shí),用于只需將Nano-SIM卡40從第二容置通槽12中取出，并裝入手機(jī)中即可。
[0026]請(qǐng)參照?qǐng)D7和圖8所示，其顯示出了本發(fā)明之第二較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)與前述第一較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)基本相同，其所不同的是:
在本實(shí)施例中，該Nano-SIM卡40通過(guò)有縫沖切成型在第二容置通槽12中，該Nano-SIM卡40通過(guò)多個(gè)連接帶15與卡架10 —體成型連接。
[0027]本實(shí)施例的制作方法與前述第一較佳實(shí)施例的制作方法相同，在此對(duì)本實(shí)施例的制作方法不作詳細(xì)敘述。使用時(shí)，將連接帶15折斷取下Nano-SIM卡40，然后按照第一較佳實(shí)施例的使用方法進(jìn)行組裝使用即可。
[0028]請(qǐng)參照?qǐng)D9和圖10所示，其顯示出了本發(fā)明之第三較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)與前述第一較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)基本相同，其所不同的是:
在本實(shí)施例中，該卡架10為半卡尺寸，其橫向尺寸為42.735mm?42.86mm，其縱向尺寸為53.92mm?54.03mm,該第二容置通槽12位于第一容置通槽11的側(cè)旁，以充分利用卡架10的空間，結(jié)構(gòu)更加緊湊，產(chǎn)品更加小巧。
[0029]本實(shí)施例的制作方法和使用方法均與前述第一較佳實(shí)施例的制作方法和使用方法相同，在此對(duì)本實(shí)施例的制作方法和使用方法不作詳細(xì)敘述。
[0030]請(qǐng)參照?qǐng)D11和圖12所示，其顯示出了本發(fā)明之第四較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)與前述第三較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)基本相同，其所不同的是:
在本實(shí)施例中，該Nano-SIM卡40通過(guò)有縫沖切成型在第二容置通槽12中，該Nano-SIM卡40通過(guò)多個(gè)連接帶15與卡架10 —體成型連接。
[0031 ] 本實(shí)施例的制作方法與前述第一較佳實(shí)施例的制作方法相同，在此對(duì)本實(shí)施例的制作方法不作詳細(xì)敘述。使用時(shí)，將連接帶15折斷取下Nano-SIM卡40，然后按照第一較佳實(shí)施例的使用方法進(jìn)行組裝使用即可。
[0032]本發(fā)明的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于:通過(guò)在卡架上設(shè)置有第一容置通槽和第二容置通槽，在標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體上設(shè)置有第三容置通槽，利用該標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體嵌于該第一容置通槽，Micro-SIM卡主體通過(guò)無(wú)縫沖切成型并卡緊在第三容置通槽中，Nano-SIM卡通過(guò)無(wú)縫或有縫沖切成型在第二容置通槽中，如此，卡架、標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體、Micro-SIM卡主體以及Nano-SIM卡可在同一卡片上成型，取代了傳統(tǒng)之在兩個(gè)不同卡片上成型的方式，產(chǎn)品制作過(guò)程中無(wú)需人工參與組裝，便利實(shí)現(xiàn)全機(jī)械化批量快速生產(chǎn)，給制作帶來(lái)方便，從而有效提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。
[0033]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明的技術(shù)范圍作任何限制，故凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何細(xì)微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種三合一手機(jī)通卡，包括有卡架、標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體、Micro-S頂卡主體以及Nano-SIM卡；其特征在于:該卡架上設(shè)置有第一容置通槽和第二容置通槽；該標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體嵌于該第一容置通槽中并通過(guò)多個(gè)連接帶與卡架一體成型連接；該標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體上設(shè)置有與Micro-SM卡主體相適配的第三容置通槽，該第三容置通槽的深度與Micro-SM卡主體的厚度相同，該Mic1-SM卡主體通過(guò)無(wú)縫沖切成型并卡緊在第三容置通槽中，Micro-SIM卡主體的表面與標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體的表面平齊，且該Micro-SM卡主體的表面上凹設(shè)有一與Nano-SM卡相適配的凹位，該凹位的深度與Nano-SM卡的厚度相同；該Nano-SIM卡通過(guò)無(wú)縫或有縫沖切成型在第二容置通槽中；當(dāng)Nano-SIM卡從第二容置通槽中取出并嵌入凹位中時(shí)，由Nano-SIM卡與Micro-SIM卡主體組合形成Micro-SIM卡，由Nano-SIM卡、Micro-SIM卡主體和標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體共同組合形成標(biāo)準(zhǔn)SM卡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一手機(jī)通卡，其特征在于:所述卡架的厚度與標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體的厚度相同，且該卡架的表面與標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體的表面平齊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一手機(jī)通卡，其特征在于:所述卡架為平板狀塑膠體，該標(biāo)準(zhǔn)SM卡主體和連接帶通過(guò)沖切的方式成型在該平板狀塑膠體上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一手機(jī)通卡，其特征在于:所述卡架為標(biāo)準(zhǔn)卡尺寸，其橫向尺寸為85.47mm?85.72mm，其縱向尺寸為53.92mm?54.03mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一手機(jī)通卡，其特征在于:所述卡架為半卡尺寸，其橫向尺寸為42.735mm?42.86mm，其縱向尺寸為53.92mm?54.03mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一手機(jī)通卡，其特征在于:所述Nano-S頂卡的厚度為0.60mm ?0.70mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一手機(jī)通卡，其特征在于:所述標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體和Micro-SIM卡主體的厚度均為0.68mm?0.84mm。
8.—種如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的三合一手機(jī)通卡的制作方法，其特征在于:包括有以下步驟: (1)洗薄:取一與卡架外形相同的塑膠卡片，在塑膠卡片的一個(gè)位置上進(jìn)行洗薄作業(yè)形成前述凹位，在塑膠卡片的另一位置上進(jìn)行洗薄作業(yè)形成一凹槽，凹槽的外形與Nano-SM卡的外形相同； (2)芯片封裝:將芯片通過(guò)熱熔的方式壓合封裝在凹槽的內(nèi)底面上； (3)沖切:在凹位的外圍進(jìn)行無(wú)縫沖切形成Micro-SM卡主體，并在Micro-SM卡主體的外圍沖切形成標(biāo)準(zhǔn)SIM卡主體，以及，對(duì)凹槽的周緣進(jìn)行無(wú)縫或有縫沖切形成Nano-SIM卡; (4)打碼:在Micro-SM卡主體和Nano-SM卡的背面同時(shí)打上激光碼。
【文檔編號(hào)】H04M1/02GK104270480SQ201410460103
【公開(kāi)日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月11日
【發(fā)明者】蘇爾在 申請(qǐng)人:廣東楚天龍智能卡有限公司