折疊的靜電揚(yáng)聲器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種折疊的靜電揚(yáng)聲器。示例性揚(yáng)聲器包括：第一薄膜；第一電極；第二薄膜，第一薄膜的至少一部分連接到第二薄膜的至少一部分；第二電極；以及第一開口，被限定在第一和第二薄膜的至少一部分之間以接收和釋放空氣。第一薄膜的至少一部分和第二薄膜的至少一部分基本上垂直于第一開口的至少一部分移動(dòng)。第一薄膜的至少一部分朝著第二薄膜的至少一部分或遠(yuǎn)離第二薄膜的至少一部分移動(dòng)。
【專利說明】折疊的靜電揚(yáng)聲器
【背景技術(shù)】
[0001]揚(yáng)聲器可以基于動(dòng)態(tài)原理、壓電原理或者靜電原理進(jìn)行設(shè)計(jì)。需要基于這些原理中的任何一個(gè)原理來產(chǎn)生高質(zhì)量的揚(yáng)聲器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0002]本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種折疊的靜電揚(yáng)聲器。不例性揚(yáng)聲器包括:第一薄膜；第一電極，其中，第一電極基本上平行于第一薄膜的至少一部分；第二薄膜，第一薄膜的至少一部分連接到第二薄膜的至少一部分；第二電極，其中，第二電極基本上平行于第二薄膜；第一開口，被限定在第一薄膜的至少一部分與第二薄膜的至少一部分之間以接收和釋放空氣；其中，將第一極化電壓施加在第一薄膜與第一電極之間；其中，將第二極化電壓施加在第二薄膜與第二電極之間；其中，第一薄膜的至少一部分和第二薄膜的至少一部分基本上垂直于第一開口的至少一部分移動(dòng)；并且其中，第一薄膜的至少一部分朝著第二薄膜的至少一部分或遠(yuǎn)離第二薄膜的至少一部分移動(dòng)。
[0003]在一些實(shí)施例中，第一薄膜的至少一部分和第二薄膜的至少一部分中的至少一個(gè)是可在第一開口的至少一部分附近旋轉(zhuǎn)的。
[0004]在一些實(shí)施例中，第一極化電壓產(chǎn)生了在第一薄膜的至少一部分與第一電極之間的吸引力或排斥力。
[0005]在一些實(shí)施例中，第一極化電壓包括靜態(tài)極化電壓，并且其中，吸引力或排斥力包括靜態(tài)的吸引力或排斥力。
[0006]在一些實(shí)施例中，在第一薄膜的至少一部分朝著第二薄膜的至少一部分或遠(yuǎn)離第二薄膜的至少一部分移動(dòng)時(shí)，揚(yáng)聲器產(chǎn)生聲學(xué)聲音。
[0007]在一些實(shí)施例中，聲學(xué)聲音基于動(dòng)態(tài)音頻信號。
[0008]在一些實(shí)施例中，在空氣從第一開口的至少一部分釋放時(shí)，第一薄膜的至少一部分朝著第二薄膜的至少一部分移動(dòng)，并且其中，在空氣被接收入第一開口的至少一部分中時(shí)，第一薄膜的至少一部分遠(yuǎn)離第二薄膜的至少一部分移動(dòng)。
[0009]在一些實(shí)施例中，揚(yáng)聲器包括耳機(jī)。
[0010]在一些實(shí)施例中，揚(yáng)聲器包括喇叭。
[0011]在一些實(shí)施例中，在第一薄膜的至少一部分與第一電極之間的距離小于或等于預(yù)先確定的距離。
[0012]在一些實(shí)施例中，第一極化電壓等于、小于或大于第二極化電壓，并且其中，第一極化電壓小于或等于預(yù)先確定的電壓。
[0013]在一些實(shí)施例中，通過使用外部電壓源來施加第一極化電壓。
[0014]在一些實(shí)施例中，通過使用駐極體來施加第一極化電壓。
[0015]在一些實(shí)施例中，與第一薄膜的一部分或第二薄膜的至少一部分中的至少一個(gè)相關(guān)聯(lián)的面積大于與第一開口的至少一部分相關(guān)聯(lián)的面積。
[0016]在一些實(shí)施例中，將揚(yáng)聲器封裝到電氣封裝中。[0017]在一些實(shí)施例中，揚(yáng)聲器的深度小于或等于與頻率相關(guān)聯(lián)的波長，所述頻率與從揚(yáng)聲器產(chǎn)生的聲音相關(guān)聯(lián)。
[0018]在一些實(shí)施例中，頻率包括最大頻率。
[0019]在一些實(shí)施例中,揚(yáng)聲器不包括磁體。
[0020]在一些實(shí)施例中，揚(yáng)聲器包括磁強(qiáng)計(jì)或羅盤儀中的至少一個(gè)。
[0021]在一些實(shí)施例中，提供了一種用于提供折疊的靜電揚(yáng)聲器的方法。所述方法包括:提供第一薄膜；提供第一電極，其中，第一電極基本上平行于第一薄膜的至少一部分；提供第二薄膜，將第一薄膜的至少一部分連接到第二薄膜的至少一部分；提供第二電極，其中，第二電極基本上平行于第二薄膜的至少一部分；將第一極化電壓施加在第一薄膜與第一電極之間；將第二極化電壓施加在第二薄膜與第二電極之間；其中，在第一薄膜的至少一部分與第二薄膜的至少一部分之間限定了第一開口 ；其中，第一薄膜的至少一部分和第二薄膜的至少一部分基本上垂直于第一開口移動(dòng)；并且其中，第一薄膜的至少一部分朝著第二薄膜的至少一部分或遠(yuǎn)離第二薄膜移動(dòng)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]已如此概括地描述了本發(fā)明的實(shí)施例，現(xiàn)在將參考附圖，其中:
圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示例性折疊的靜電揚(yáng)聲器元件；以及
圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的與構(gòu)建折疊的靜電揚(yáng)聲器元件相關(guān)聯(lián)的示例性生產(chǎn)流程。
【具體實(shí)施方式】
[0023]現(xiàn)在可以在下文中參考附圖更全面地描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中，示出了本發(fā)明的實(shí)施例的一些，但不是全部。實(shí)際上，本發(fā)明可以許多不同的形式體現(xiàn)，并且應(yīng)當(dāng)不被理解為受限于本文中敘述的實(shí)施例；相反，提供這些實(shí)施例，使得該公開內(nèi)容可以滿足適用的法律要求。相同的數(shù)字通篇指代相同的元件。
[0024]本發(fā)明涉及折疊的靜電揚(yáng)聲器。揚(yáng)聲器可以是耳機(jī)(例如，需要放在耳朵附近的微揚(yáng)聲器)或通用揚(yáng)聲器(例如，不需要放在耳朵附近的喇叭)。在一些實(shí)施例中，揚(yáng)聲器可以是移動(dòng)裝置(例如，便攜式音樂播放器、計(jì)算裝置、諸如移動(dòng)電話的移動(dòng)計(jì)算裝置等等)的一部分。如本文中使用的，揚(yáng)聲器也可以被稱作元件或揚(yáng)聲器元件。
[0025]存在用于設(shè)計(jì)耳機(jī)的若干原理。第一原理是動(dòng)態(tài)原理?；谠撛淼亩鷻C(jī)包括在磁間隙中的線圈，其中，線圈機(jī)械地連接到薄膜。如本文中使用的，薄膜是用來產(chǎn)生或傳輸聲音的薄層。使流過線圈的電流變化產(chǎn)生了搖動(dòng)薄膜的機(jī)械力，由此發(fā)出聲音。第二原理基于壓電材料。此處，在壓電元件兩端施加的電壓改變了壓電元件的形狀，由此發(fā)出聲音。
[0026]用于設(shè)計(jì)耳機(jī)的另一個(gè)原理是靜電原理。例如，可以在兩個(gè)電極之間的放置薄膜。將極化電壓和音頻信號電壓施加到該構(gòu)造，使得在薄膜與兩個(gè)電極中的一個(gè)電極之間形成了吸引力，并且同時(shí)地，在該薄膜與另一個(gè)電極之間形成了排斥力。在另一個(gè)示例中，將電極堆疊在彼此之后。通過在彼此之后堆疊電極，與電極相關(guān)聯(lián)的薄膜沿著與薄膜之間的開口相同的軸平行地移動(dòng)。這使得能夠增加揚(yáng)聲器效率，并且也使得在每一個(gè)電極與薄膜之間的距離更大，由此允許更大的偏移水平。如本文中使用的，偏移指的是由薄膜從其靜止位置行進(jìn)的距離(例如，線性距離)。
[0027]在本發(fā)明的實(shí)施例中，在導(dǎo)電薄膜與基本上平行于該導(dǎo)電薄膜設(shè)置的至少一個(gè)電極之間施加電壓。所施加的電壓產(chǎn)生在導(dǎo)電薄膜與至少一個(gè)電極之間的吸引力和排斥力，引起通過薄膜的移動(dòng)所產(chǎn)生的聲音。在將靜電原理用在設(shè)計(jì)揚(yáng)聲器中的情況下，存在若干優(yōu)點(diǎn)。揚(yáng)聲器具有低的移動(dòng)質(zhì)量(例如，小于或等于預(yù)先確定的閾值質(zhì)量)。此外，揚(yáng)聲器不包括磁體，由此允許在揚(yáng)聲器中安裝磁強(qiáng)計(jì)或羅盤儀。這些優(yōu)點(diǎn)在基于任何動(dòng)態(tài)原理的揚(yáng)聲器中是不可能的。
[0028]在基于靜電原理設(shè)計(jì)揚(yáng)聲器的情況下存在一些挑戰(zhàn)。例如，在薄膜與電極之間的短的距離產(chǎn)生了在薄膜與電極之間的大的力(例如，吸引力或排斥力)但小的最大偏移。如本文中使用的，偏移指的是由薄膜從其靜止位置行進(jìn)的距離(例如，線性距離)。此外，在薄膜與電極之間的大的距離產(chǎn)生了低的力但高的偏移。此外，當(dāng)在薄膜與電極之間的大的距離處要求大的力時(shí)，要求高的極化電壓。所以，為了達(dá)到所要求的聲壓水平，需要大的面積(例如，與薄膜或電極中的至少一個(gè)相關(guān)聯(lián)的表面積)和/或高的偏移。本發(fā)明克服了與基于靜電原理設(shè)計(jì)揚(yáng)聲器相關(guān)聯(lián)的挑戰(zhàn)。
[0029]在一些實(shí)施例中，提供了靜電揚(yáng)聲器兀件。圖1中圖不了不例性靜電揚(yáng)聲器兀件100。該兀件包括第一薄膜110、第一電極120、第一開口 130、第二薄膜140、第二電極150和第二開口 160。圖1中也圖示了 X軸170、y軸180和z軸190。開口(例如，第一開口 130)可以包括這樣的空氣開口，使得空氣被接收入元件100或者從元件100釋放。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在薄膜(例如，第一薄膜110)與基本上平行于該薄膜的至少一個(gè)電極(例如，第一電極120)之間施加電壓。所施加的電壓產(chǎn)生在薄膜與至少一個(gè)電極之間的吸引力和排斥力，引起了通過薄膜的移動(dòng)所產(chǎn)生的聲音。
[0030]如本文中使用的，第一薄膜110可以指的是第一薄膜110的至少一部分(例如，邊緣、角、表面、表面上的點(diǎn)等等)，第二薄膜140可以指的是第二薄膜140的至少一部分(例如，邊緣、角、表面、表面上的點(diǎn)等等)，并且第一開口 130可以指的是由第一薄膜110和第二薄膜140限定的第一開口 130的一部分。第一薄膜110的至少一部分連接到第二薄膜140的至少一部分。所以，第一薄膜110和第二薄膜140可以在至少點(diǎn)、邊緣或表面處進(jìn)行連接。
[0031]元件110是可折疊的。這意味著第一薄膜110和第二薄膜120可以在開口 130附近(例如，環(huán)繞)以基本上垂直的方式進(jìn)行移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)。所以，第一薄膜I1和第二薄膜120能夠在開口 130附近進(jìn)行高達(dá)360度的旋轉(zhuǎn)。所以，可以將第一薄膜110折疊到第二薄膜120上。通過將薄膜(和電極)折疊到彼此上，在將元件封裝到小的電氣封裝(例如，深度小于或等于預(yù)先確定的深度的封裝)中時(shí)可以最大化與元件相關(guān)聯(lián)的放射表面(例如，與一個(gè)或多個(gè)薄膜相關(guān)聯(lián)的表面)。舉例來說，第一薄膜110和第二薄膜120圍繞z軸在開口 130附近基本上垂直地進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。通過將薄膜折疊到彼此上，發(fā)明使得能夠增加總薄膜表面積，由此改善了由該元件產(chǎn)生的聲音的質(zhì)量。
[0032]如圖1指示的，元件包括多個(gè)薄膜。多個(gè)薄膜成對地朝著彼此移動(dòng)(例如，在在多個(gè)薄膜之間的開口附近進(jìn)行旋轉(zhuǎn))以將空氣擠壓出開口，并且成對地遠(yuǎn)離彼此移動(dòng)以將空氣擠壓入開口。雖然未在圖1中圖示為這樣，但是放射面積(例如，第一薄膜110或第二薄膜120的表面積、第一薄膜110和第二薄膜120兩者的組合的表面積等等)大于開口 130的面積。在薄膜(例如，第一薄膜110)與電極(例如，第一電極120)之間的距離是小的(例如，小于或等于預(yù)先確定的距離)，由此允許在低的極化電壓(例如，小于或等于預(yù)先確定的極化電壓)下的高的吸引力和排斥力(例如，大于等于預(yù)先確定的閾值力)。在一些實(shí)施例中，通過使用外部電壓源來將極化電壓施加至電極。在其它的實(shí)施例中，通過使用駐極體來將極化電壓引入電極。駐極體是具有準(zhǔn)永久電荷的電介質(zhì)材料。施加至第一電極120的極化電壓小于、等于或者大于施加至第二電極150的極化電壓。相同或不同的電壓源或駐極體將極化電壓施加至第一電極120和第二電極150。施加至薄膜的極化電壓包括產(chǎn)生靜態(tài)力(例如，在薄膜與電極之間的吸引力和/或排斥力)的靜態(tài)極化電壓。該靜態(tài)極化電壓與施加至薄膜的導(dǎo)致由本文中描述的元件生成聲學(xué)聲音的音頻信號電壓(例如，動(dòng)態(tài)音頻信號電壓)分開。
[0033]在一些實(shí)施例中，靜電揚(yáng)聲器元件的深度小于或等于將通過使用該元件來產(chǎn)生的最高音頻頻率的一個(gè)波長。所以，對于中頻段音頻(例如，0.3到5kHz)，該深度大約是幾分米(例如，Idm),并且對于20kHz音頻，該深度大約是幾毫米。20kHz音頻與約17mm (空氣，常溫)的波長相關(guān)聯(lián)。所以，揚(yáng)聲器的深度大約為10mm，并且在20kHz處仍具有高效率(例如，大于等于預(yù)先確定的效率的效率)。
[0034]現(xiàn)在參考圖2，圖2呈現(xiàn)了與折疊的靜電耳機(jī)相關(guān)聯(lián)的生產(chǎn)流程200?？梢砸圆煌趫D2中呈現(xiàn)的順序的順序來執(zhí)行圖2中呈現(xiàn)的各種過程塊。在塊210處，生產(chǎn)流程包括:提供第一薄膜，以及提供第一電極，其中，第一電極基本上平行于第一薄膜，以及提供用于接收和釋放空氣的第一開口。在塊220處，生產(chǎn)流程包括提供第二薄膜，以及提供第二電極，其中，第二電極基本上平行于第二薄膜。在塊230處，生產(chǎn)流程包括將第一極化電壓施加在第一薄膜與第一電極之間，以及將第二極化電壓施加在第二薄膜與第二電極之間。
[0035]在一些實(shí)施例中，可以提供用于選定靜電揚(yáng)聲器兀件的各種組件或用于幫助構(gòu)建靜電揚(yáng)聲器元件的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀媒介，其包括配置為選定靜電揚(yáng)聲器元件的各種組件或幫助構(gòu)建靜電揚(yáng)聲器元件的代碼。如本文中使用的，元件或揚(yáng)聲器元件可以指的是揚(yáng)聲器、構(gòu)造、設(shè)備或系統(tǒng)。
[0036]雖然上面剛剛已經(jīng)描述了本發(fā)明的許多實(shí)施例，但是本發(fā)明可以以許多不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被理解為受限于本文中敘述的實(shí)施例；相反，提供了這些實(shí)施例，使得該公開內(nèi)容將滿足適用的法律要求。也將理解的是，在可能的情況下，本文中描述的和/或預(yù)期的本發(fā)明的實(shí)施例中的任何一個(gè)實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)、特征、功能、裝置和/或操作方面中的任何一個(gè)可以被包含在本文中描述的和/或預(yù)期的本發(fā)明的其它實(shí)施例中的任何一個(gè)實(shí)施例中，和/或反之亦然。此外，在可能的情況下，在本文中以單數(shù)形式表達(dá)的任何項(xiàng)目意味著也包括復(fù)數(shù)形式，和/或反之亦然，除非另有明確地說明。如本文中使用的，“至少一個(gè)”將意味著“一個(gè)或多個(gè)”，并且這些短語意在可交換。此外，術(shù)語“一”和/或“一個(gè)”將意味著“至少一個(gè)”或“一個(gè)或多個(gè)”，即便也在本文中使用短語“一個(gè)或多個(gè)”或“至少一個(gè)”。相同的數(shù)字通篇指代相同的元件。
[0037]如將由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員考慮到該公開內(nèi)容時(shí)理解的，本發(fā)明可以包括和/或體現(xiàn)為設(shè)備(包括例如系統(tǒng)、機(jī)器、裝置、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品等等)、方法(包括例如商業(yè)方法、計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的程序等等)或者前述的任何組合。因此，本發(fā)明的實(shí)施例可以采取完全的商業(yè)方法實(shí)施例、完全的軟件實(shí)施例(包括固件、常駐軟件、微代碼、數(shù)據(jù)庫中存儲的程序等等)、完全的硬件實(shí)施例或者組合商業(yè)方法、軟件和硬件方面的實(shí)施例(其在本文中一般可以被稱作“系統(tǒng)”)的形式。此外，本發(fā)明的實(shí)施例可以采取包括計(jì)算機(jī)可讀存儲媒介的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲媒介在其中存儲有一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼部分。如本文中使用的，可以包括一個(gè)或多個(gè)處理器的處理器可以“被配置為”以多種方式來執(zhí)行特定功能，所述方式包括例如通過經(jīng)由執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)體現(xiàn)在計(jì)算機(jī)可讀媒介中的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼部分來使一個(gè)或多個(gè)通用電路執(zhí)行該功能，和/或通過使一個(gè)或多個(gè)專用電路執(zhí)行該功能。
[0038]將理解的是，可以利用任何合適的計(jì)算機(jī)可讀媒介。計(jì)算機(jī)可讀媒介可以包括但不限于非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀媒介，諸如:有形的電、磁、光、電磁、紅外和/或半導(dǎo)體系統(tǒng)、裝置和/或其它設(shè)備。例如，在一些實(shí)施例中，非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀媒介包括有形的媒介，諸如:便攜式計(jì)算機(jī)軟盤、硬盤、隨機(jī)訪問存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、可擦除可編程只讀存儲器(EPR0M或閃存存儲器)、光盤只讀存儲器(CD-ROM)和/或一些其它的有形的光和/或磁存儲裝置。然而，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)可讀媒介可以是瞬態(tài)的，諸如例如傳播信號，其包括體現(xiàn)在其中的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼。
[0039]用于執(zhí)行本發(fā)明的操作的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼部分可以包括面向?qū)ο蟮?、腳本的和/或非腳本的編程語言，諸如例如Java、Perl、Smalltalk、C++、SAS、SQL、Python、Objective C、JavaScript等等。在一些實(shí)施例中，用于執(zhí)行本發(fā)明的實(shí)施例的操作的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼部分以常規(guī)的過程編程語言(諸如“C”編程語言和/或類似的編程語言)進(jìn)行書寫。計(jì)算機(jī)程序代碼可以替換地或附加地以一個(gè)或多個(gè)多范式編程語言(諸如例如F#)進(jìn)行編寫。
[0040]本文中參考設(shè)備和/或方法的流程圖圖解和/或框圖描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例。將理解的是，包含在流程圖圖解和/或框圖中的每一個(gè)塊，和/或包含在流程圖圖解和/或框圖中的塊的組合可以由一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼部分來實(shí)現(xiàn)?？梢詫⑦@些一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼部分提供給通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)和/或一些其它可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器，以便產(chǎn)生特別的機(jī)器，使得經(jīng)由計(jì)算機(jī)和/或其它可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼部分創(chuàng)建了用于實(shí)現(xiàn)由一個(gè)或多個(gè)流程圖和/或一個(gè)或多個(gè)框圖塊表示的步驟和/或功能的機(jī)制。
[0041]可以將一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼部分存儲在瞬態(tài)和/或非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀媒介(例如，存儲器等等)中，其可以命令、指令和/或使計(jì)算機(jī)和/或其它可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備以特別的方式運(yùn)行，使得存儲在計(jì)算機(jī)可讀媒介中的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼部分產(chǎn)生包括指令機(jī)制的制造物品，所述指令機(jī)制實(shí)現(xiàn)了在一個(gè)或多個(gè)流程圖和/或一個(gè)或多個(gè)框圖塊中指定的步驟和/或功能。
[0042]也可以將一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼部分加載到計(jì)算機(jī)和/或其它可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備上，以便使一系列操作步驟在計(jì)算機(jī)和/或其它可編程設(shè)備上執(zhí)行。在一些實(shí)施例中，這產(chǎn)生了計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的處理，使得在計(jì)算機(jī)和/或其它可編程設(shè)備上執(zhí)行的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序代碼部分提供了用來實(shí)現(xiàn)在一個(gè)或多個(gè)流程圖中指定的步驟和/或在一個(gè)或多個(gè)框圖塊中指定的功能的操作步驟?？商鎿Q地，計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的步驟可以與操作員和/或人類實(shí)現(xiàn)的步驟相組合，和/或用操作員和/或人類實(shí)現(xiàn)的步驟來取代，以便執(zhí)行本發(fā)明的實(shí)施例。
[0043]盡管已經(jīng)描述并在附圖中示出了特定的示例性實(shí)施例，但是，將理解的是，這樣的實(shí)施例對于寬泛的發(fā)明僅是說明性的且不是限制性的，并且該發(fā)明不被限制于示出并描述的特定的構(gòu)造和布置，因?yàn)槌松厦娑温渲袛⑹龅哪切┮酝?，各種其它的改變、組合、省略、修改和替換都是可能的。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下可以配置剛剛描述的實(shí)施例的各種改編、修改和組合。所以，將理解的是，在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以除了如本文中具體描述的以外實(shí)踐本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.一種折疊的靜電揚(yáng)聲器，包括: 第一薄膜； 第一電極，其中所述第一電極基本上平行于所述第一薄膜的至少一部分； 第二薄膜，所述第一薄膜的至少一部分連接到所述第二薄膜的至少一部分； 第二電極，其中，所述第二電極基本上平行于所述第二薄膜； 第一開口，被限定在所述第一薄膜的至少一部分與所述第二薄膜的至少一部分之間以接收和釋放空氣； 其中，將第一極化電壓施加在所述第一薄膜與所述第一電極之間； 其中，將第二極化電壓施加在所述第二薄膜與所述第二電極之間； 其中，所述第一薄膜的至少一部分和所述第二薄膜的至少一部分基本上垂直于所述第一開口的至少一部分移動(dòng)；以及 其中，所述第一薄膜的至少一部分朝著所述第二薄膜的至少 一部分或遠(yuǎn)離所述第二薄膜的至少一部分移動(dòng)。
2.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，所述第一薄膜的至少一部分和所述第二薄膜的至少一部分中的至少一個(gè)可在所述第一開口的至少一部分附近旋轉(zhuǎn)。
3.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，所述第一極化電壓產(chǎn)生了在所述第一薄膜的至少一部分與所述第一電極之間的吸引力或排斥力。
4.權(quán)利要求3所述的揚(yáng)聲器，其中，所述第一極化電壓包括靜態(tài)極化電壓，并且其中，所述吸引力或排斥力包括靜態(tài)的吸引力或排斥力。
5.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，在所述第一薄膜的至少一部分朝著所述第二薄膜的至少一部分或遠(yuǎn)離所述第二薄膜的至少一部分移動(dòng)時(shí)，所述揚(yáng)聲器產(chǎn)生聲學(xué)聲音。
6.權(quán)利要求5所述的揚(yáng)聲器,其中,所述聲學(xué)聲音基于動(dòng)態(tài)音頻信號。
7.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，在空氣從所述第一開口的至少一部分釋放時(shí)，所述第一薄膜的至少一部分朝著所述第二薄膜的至少一部分移動(dòng)，并且其中，在空氣被接收入所述第一開口的至少一部分中時(shí)，所述第一薄膜的至少一部分遠(yuǎn)離所述第二薄膜的至少一部分移動(dòng)。
8.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，所述揚(yáng)聲器包括耳機(jī)。
9.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，所述揚(yáng)聲器包括喇叭。
10.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，在所述第一薄膜的至少一部分與所述第一電極之間的距離小于或等于預(yù)先確定的距離。
11.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，所述第一極化電壓等于、小于或大于所述第二極化電壓，并且其中，所述第一極化電壓小于或等于預(yù)先確定的電壓。
12.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，通過使用外部電壓源來施加所述第一極化電壓。
13.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，通過使用駐極體來施加所述第一極化電壓。
14.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，與所述第一薄膜的一部分或所述第二薄膜的至少一部分中的至少一個(gè)相關(guān)聯(lián)的面積大于與所述第一開口的至少一部分相關(guān)聯(lián)的面積。
15.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，將所述揚(yáng)聲器封裝到電氣封裝中。
16.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，所述揚(yáng)聲器的深度小于或等于與頻率相關(guān)聯(lián)的波長，所述頻率與從所述揚(yáng)聲器產(chǎn)生的聲音相關(guān)聯(lián)。
17.權(quán)利要求16所述的揚(yáng)聲器，其中，所述頻率包括最大頻率。
18.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，所述揚(yáng)聲器不包括磁體。
19.權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其中，所述揚(yáng)聲器包括磁強(qiáng)計(jì)或羅盤儀中的至少一個(gè)。
20.—種用于提供折疊的靜電揚(yáng)聲器的方法,所述方法包括: 提供第一薄膜； 提供第一電極，其中，所述第一電極基本上平行于所述第一薄膜的至少一部分； 提供第二薄膜； 將所述第一薄膜的至少一部分連接到所述第二薄膜的至少一部分； 提供第二電極，其中，所述第二電極基本上平行于所述第二薄膜的至少一部分； 將第一極化電壓施加在所述第一薄膜與所述第一電極之間； 將第二極化電壓施加在所述第二薄膜與所述第二電極之間； 其中，在所述第一薄膜的至少一部分與所述第二薄膜的至少一部分之間限定第一開 Π ； 其中，所述第一薄膜的至少一部分和所述第二薄膜的至少一部分基本上垂直于所述第一開口移動(dòng)；以及 其中，所述第一薄膜的至少一部分朝著所述第二薄膜的至少一部分或遠(yuǎn)離所述第二薄膜移動(dòng)。
【文檔編號】H04R19/01GK104038876SQ201410076067
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年3月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月4日
【發(fā)明者】M.奈斯特倫 申請人:索尼株式會社