射頻信號矢量調(diào)制器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種射頻信號矢量調(diào)制器，包括殼體、控制電路板、衰減精度為0.01db的射頻衰減電路和90度電橋，所述殼體的兩端設(shè)置有上端蓋和下端蓋，所述殼體的內(nèi)部設(shè)置隔板，所述控制電路板和90度電橋設(shè)置在上端蓋、殼體和隔板形成的容置空間內(nèi)，所述射頻衰減電路設(shè)置在下端蓋、殼體和隔板形成的容置空間內(nèi)，所述射頻衰減電路的一端通過電纜連接90度電橋，另一端連接控制電路板。通過采用衰減精度高的射頻衰減電路，從而提高了衰減精度。
【專利說明】射頻信號矢量調(diào)制器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及通信領(lǐng)域，具體地，涉及一種射頻信號矢量調(diào)制器。
【背景技術(shù)】
[0002]射頻信號矢量調(diào)制器是一種用于信號調(diào)制的設(shè)備，它利用微波原理，根據(jù)信號通過不同的衰減及移相路徑來實現(xiàn)信號幅度和信號相位的調(diào)制，廣泛應(yīng)用于移動通訊、衛(wèi)星通訊、雷達、科學(xué)試驗等領(lǐng)域。
[0003]目前，國內(nèi)外矢量調(diào)制器的應(yīng)用廣泛，但大多存在衰減精度差，I/Q兩路相位不平衡的缺點。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型的目的在于，針對上述問題，提出一種射頻信號矢量調(diào)制器，以實現(xiàn)提高衰減精度的優(yōu)點。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是:
[0006]一種射頻信號矢量調(diào)制器，包括殼體、控制電路板、衰減精度為0.0ldb的射頻衰減電路和90度電橋，所述殼體的兩端設(shè)置有上端蓋和下端蓋，所述殼體的內(nèi)部設(shè)置隔板，所述控制電路板和90度電橋設(shè)置在上端蓋、殼體和隔板形成的容置空間內(nèi)，所述射頻衰減電路設(shè)置在下端蓋、殼體和隔板形成的容置空間內(nèi)，所述射頻衰減電路的一端通過電纜連接90度電橋，另一端連接控制電路板。
[0007]進一步的，所述90度電橋包括繞線電感和電容，所述繞線電感包括繞線電感LfL16，電容包括電容Cf C24，所述繞線電感LI和繞線電感L2串聯(lián)，所述電容Cl和電容C21組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感LI和繞線電感L2之間，所述電容C9和電容ClO組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感LI和繞線電感L2之間的A節(jié)點上，所述繞線電感L3和繞線電感L4串聯(lián)，所述電容C2和電容C22組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感L3和繞線電感L4之間，所述電容Cll和電容C12組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感LI和繞線電感L2之間的B節(jié)點上，所述繞線電感L5、電容C3和繞線電感L6依次串聯(lián)，所述電容Cl3串聯(lián)在繞線電感L5和繞線電感L6間的C節(jié)點上，所述繞線電感L7、電容C4和繞線電感L8依次串聯(lián)，所述電容C14串聯(lián)在繞線電感L7和繞線電感L8間的D節(jié)點上，所述繞線電感L9和繞線電感LlO串聯(lián)，所述電容C5和電容C23組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感L9和繞線電感LlO之間，所述電容C15和電容C16組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感L9和繞線電感LlO之間的E節(jié)點上，所述繞線電感Lll和繞線電感L12串聯(lián)，所述電容C6和電容C24組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感LI I和繞線電感L12之間，所述電容C17和電容C18組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感Lll和繞線電感L12之間的F節(jié)點上，所述繞線電感L13、電容C7和繞線電感L14依次串聯(lián)，所述電容C19串聯(lián)在繞線電感L13和繞線電感L14間的G節(jié)點上，所述繞線電感L15、電容C8和繞線電感L16依次串聯(lián)，所述電容C20串聯(lián)在繞線電感L15和繞線電感L16間的H節(jié)點上，所述繞線電感L2和繞線電感L3串聯(lián)，所述繞線電感L4和繞線電感L5串聯(lián)，所述繞線電感L6和繞線電感L7串聯(lián)，所述繞線電感LlO和繞線電感LI I串聯(lián)，所述繞線電感L12和繞線電感L13串聯(lián)，所述繞線電感L14和繞線電感L15串聯(lián)。
[0008]進一步的，所述上端蓋、下端蓋和殼體間采用環(huán)氧樹脂塑料密封件密封。
[0009]進一步的，所述殼體的長度為150mm、寬度為100mm、高度為25mm。
[0010]進一步的，所述90度電橋板長度和寬度分別為90mm和60mm。
[0011]進一步的，所述殼體采用不銹鋼材料。
[0012]本實用新型的技術(shù)方案具有以下有益效果:
[0013]本實用新型的技術(shù)方案通過采用衰減精度高的射頻衰減電路，從而提高了衰減精度。而90度電橋電路采用繞線電感和串并行電容實現(xiàn)，使兩路電路實現(xiàn)的相位差達到±1.5°，解決了 I/Q兩路相位不平衡的缺點。而蓋板通過橡膠封裝，密封性好，可直接在較惡劣環(huán)境中使用，內(nèi)部電路不受外部環(huán)境高低溫的影響。殼體采用不銹鋼材料，排除了外部電磁環(huán)境對調(diào)制器的干擾。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型實施例所述的射頻信號矢量調(diào)制器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為本實用新型實施例所述的90度電橋的電子電路圖。
[0016]結(jié)合附圖，本實用新型實施例中附圖標記如下:
[0017]1、接口 ；2、殼體；3、控制電路板；4、90度電橋；5、橡膠密封墊；6、電纜；7、射頻衰
減電路板；8、上端蓋；9、下端蓋。
【具體實施方式】
[0018]以下結(jié)合附圖對本實用新型的優(yōu)選實施例進行說明，應(yīng)當理解，此處所描述的優(yōu)選實施例僅用于說明和解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0019]如圖1所示，一種射頻信號矢量調(diào)制器，包括殼體2、控制電路板3、衰減精度為
0.0ldb的射頻衰減電路7和90度電橋4，殼體2的兩端設(shè)置有上端蓋8和下端蓋9，殼體2的內(nèi)部設(shè)置隔板，控制電路板3和90度電橋4設(shè)置在上端蓋8、殼體2和隔板形成的容置空間內(nèi)，射頻衰減電路7設(shè)置在下端蓋9、殼體2和隔板形成的容置空間內(nèi)，射頻衰減電路7的一端通過電纜6連接90度電橋4，另一端連接控制電路板3。殼體2上設(shè)置接口 1.[0020]其中，90度電橋包括繞線電感和電容，繞線電感包括繞線電感Lf L16，電容包括電容Cf C24，繞線電感LI和繞線電感L2串聯(lián)，電容Cl和電容C21組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感LI和繞線電感L2之間，電容C9和電容ClO組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感LI和繞線電感L2之間的A節(jié)點上，繞線電感L3和繞線電感L4串聯(lián)，電容C2和電容C22組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感L3和繞線電感L4之間，電容Cll和電容C12組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感LI和繞線電感L2之間的B節(jié)點上，繞線電感L5、電容C3和繞線電感L6依次串聯(lián)，電容C13串聯(lián)在繞線電感L5和繞線電感L6間的C節(jié)點上，繞線電感L7、電容C4和繞線電感L8依次串聯(lián)，電容C14串聯(lián)在繞線電感L7和繞線電感L8間的D節(jié)點上，繞線電感L9和繞線電感LlO串聯(lián)，電容C5和電容C23組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感L9和繞線電感LlO之間，電容C15和電容C16組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感L9和繞線電感LlO之間的E節(jié)點上，繞線電感Lll和繞線電感L12串聯(lián)，電容C6和電容C24組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感Lll和繞線電感L12之間，電容C17和電容C18組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感Lll和繞線電感L12之間的F節(jié)點上，繞線電感L13、電容C7和繞線電感L14依次串聯(lián)，電容C19串聯(lián)在繞線電感L13和繞線電感L14間的G節(jié)點上，繞線電感L15、電容C8和繞線電感L16依次串聯(lián)，電容C20串聯(lián)在繞線電感L15和繞線電感L16間的H節(jié)點上，繞線電感L2和繞線電感L3串聯(lián)，繞線電感L4和繞線電感L5串聯(lián)，繞線電感L6和繞線電感L7串聯(lián)，繞線電感LlO和繞線電感Lll串聯(lián)，繞線電感L12和繞線電感L13串聯(lián)，繞線電感L14和繞線電感L15串聯(lián)。上端蓋8、下端蓋9和殼體2間采用環(huán)氧樹脂塑料密封件密封即橡膠密封墊5。殼體2的長度為150mm、寬度為100mm、高度為25mm。90度電橋板長度和寬度分別為90mm和60mm。殼體2采用不銹鋼材料。射頻衰減電路由12位衰減電路組成。射頻衰減電路可實現(xiàn)最小0.0ldb衰減。電纜6的長度為200mm。
[0021]最后應(yīng)說明的是:以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本實用新型，盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種射頻信號矢量調(diào)制器，其特征在于，包括殼體、控制電路板、衰減精度為0.0ldb的射頻衰減電路和90度電橋，所述殼體的兩端設(shè)置有上端蓋和下端蓋，所述殼體的內(nèi)部設(shè)置隔板，所述控制電路板和90度電橋設(shè)置在上端蓋、殼體和隔板形成的容置空間內(nèi)，所述射頻衰減電路設(shè)置在下端蓋、殼體和隔板形成的容置空間內(nèi)，所述射頻衰減電路的一端通過電纜連接90度電橋，另一端連接控制電路板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻信號矢量調(diào)制器，其特征在于，所述90度電橋包括繞線電感和電容,所述繞線電感包括繞線電感Lf L16，電容包括電容Cf C24，所述繞線電感LI和繞線電感L2串聯(lián)，所述電容Cl和電容C21組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感LI和繞線電感L2之間，所述電容C9和電容ClO組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感LI和繞線電感L2之間的A節(jié)點上，所述繞線電感L3和繞線電感L4串聯(lián)，所述電容C2和電容C22組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感L3和繞線電感L4之間，所述電容Cll和電容C12組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感LI和繞線電感L2之間的B節(jié)點上，所述繞線電感L5、電容C3和繞線電感L6依次串聯(lián)，所述電容C13串聯(lián)在繞線電感L5和繞線電感L6間的C節(jié)點上，所述繞線電感L7、電容C4和繞線電感L8依次串聯(lián)，所述電容C14串聯(lián)在繞線電感L7和繞線電感L8間的D節(jié)點上，所述繞線電感L9和繞線電感LlO串聯(lián)，所述電容C5和電容C23組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感L9和繞線電感LlO之間，所述電容C15和電容C16組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感L9和繞線電感LlO之間的E節(jié)點上，所述繞線電感Lll和繞線電感L12串聯(lián)，所述電容C6和電容C24組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感Lll和繞線電感L12之間，所述電容C17和電容C18組成的并聯(lián)電路串聯(lián)在繞線電感Lll和繞線電感L12之間的F節(jié)點上，所述繞線電感L13、電容C7和繞線電感L14依次串聯(lián)，所述電容C19串聯(lián)在繞線電感L13和繞線電感L14間的G節(jié)點上，所述繞線電感L15、電容C8和繞線電感L16依次串聯(lián)，所述電容C20串聯(lián)在繞線電感L15和繞線電感L16間的H節(jié)點上，所述繞線電感L2和繞線電感L3串聯(lián)，所述繞線電感L4和繞線電感L5串聯(lián)，所述繞線電感L6和繞線電感L7串聯(lián)，所述繞線電感LlO和繞線電感LI I串聯(lián)，所述繞線電感L12和繞線電感L13串聯(lián)，所述繞線電感L14和繞線電感L15串聯(lián)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻信號矢量調(diào)制器，其特征在于，所述上端蓋、下端蓋和殼體間采用環(huán)氧樹脂塑料密封件密封。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻信號矢量調(diào)制器，其特征在于，所述殼體的長度為150mm、寬度為100mm、高度為25mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻信號矢量調(diào)制器，其特征在于，所述90度電橋板長度和寬度分別為90mm和60mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的射頻信號矢量調(diào)制器，其特征在于，所述殼體采用不銹鋼材料。
【文檔編號】H04L27/04GK203504597SQ201320655208
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月23日
【發(fā)明者】禹勝林, 李廣輝 申請人:無錫信大氣象傳感網(wǎng)科技有限公司