專利名稱：半導(dǎo)體裝置及傳聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及傳聲器。具體而言是涉及將半導(dǎo)體元件收納于封裝內(nèi)的半導(dǎo)體裝置。另外，還涉及將傳聲器芯片(聲傳感器)收納于封裝內(nèi)的傳聲器。
背景技術(shù)：
利用MEMS (Micro Electro-Mechanical Systems)技術(shù)制造的傳聲器一般具有在由基板和蓋構(gòu)成的封裝內(nèi)收納MEMS傳聲器芯片的結(jié)構(gòu)。該傳聲器具有在蓋上安裝傳聲器的結(jié)構(gòu)和在基板上搭載傳聲器芯片的結(jié)構(gòu)。另外，還有將用于向封裝導(dǎo)入聲振動(dòng)的聲孔也在蓋上形成開口的情況和在基板上形成開口的情況。傳聲器的特征在于，后空腔(相對于振動(dòng)膜與聲孔相反側(cè)的空間)的容積越大則靈敏度越高。因此，在蓋上有聲孔的情況下，以覆蓋該聲孔的方式在蓋的內(nèi)面安裝傳聲器芯片的方法可提高傳聲器的靈敏度，故而優(yōu)選之。即使基板上有聲孔的情況，若以覆蓋聲孔的方式在基板上安裝傳聲器芯片，則可擴(kuò)大后空腔的容積。但是，在以覆蓋基板的聲孔的方式將傳聲器芯片安裝于基板的情況下， 因在將傳聲器的基板安裝于儀器的電路基板時(shí)產(chǎn)生的焊錫煙(〃 > 7 t工一Λ )有時(shí)對傳聲器芯片造成污染，有時(shí)在傳聲器芯片的振動(dòng)膜上產(chǎn)生粘附等不良現(xiàn)象。因此，即使基板有聲孔的情況下有時(shí)也將傳聲器芯片安裝于蓋。作為這樣在蓋上安裝傳聲器芯片的傳聲器，例如有專利文獻(xiàn)1公示的技術(shù)。圖1是專利文獻(xiàn)1公示的傳聲器的剖面圖。在專利文獻(xiàn)1公示的傳聲器11中，在設(shè)置于蓋12的凹部內(nèi)安裝有傳聲器芯片13 (MEMS microphone)和IC芯片14。傳聲器芯片13以覆蓋開設(shè)于蓋12的聲孔20的方式配置。另一方面，在基板16上形成有信號輸入輸出裝置即輸入輸出配線17，在基板16的上表面設(shè)置有與輸入輸出配線17導(dǎo)通的連接電極18。蓋12固定于基板16的上表面，傳聲器芯片13及IC芯片14收納于由蓋12和基板16構(gòu)成的封裝內(nèi)。在該傳聲器11中，通過接合線1 將傳聲器芯片13和IC芯片14連接。另外，在蓋12的內(nèi)面自其上表面(頂面)至側(cè)面下端設(shè)置有多個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體配線19，傳聲器芯片13 通過接合線1 連接于內(nèi)部導(dǎo)體配線19端的接合用焊盤19a，IC芯片14也通過接合線15c 連接于內(nèi)部導(dǎo)體配線19端的接合用焊盤19a。而且，在將蓋12安裝于基板16的上表面時(shí)， 通過使各內(nèi)部導(dǎo)體配線19與基板16的連接電極18接觸，而將傳聲器芯片13及IC芯片14 與輸入輸出配線17導(dǎo)通。但是，在專利文獻(xiàn)1的傳聲器11中，在凹部內(nèi)必須從上表面至側(cè)面下端設(shè)置內(nèi)部導(dǎo)體配線19，內(nèi)部導(dǎo)體配線19的加工變得麻煩。在這樣將傳聲器芯片安裝于蓋的情況下， 存在的問題在于，用于將傳聲器芯片連接于基板的配線變得復(fù)雜，使傳聲器的制造成本變高，同時(shí)其可靠性下降。另外，在傳聲器11這樣的結(jié)構(gòu)中，由于必須在使蓋12凹成箱狀的凹部內(nèi)對接合用焊盤19a進(jìn)行引線接合，因而需要有引線接合用的卡具(毛細(xì)管)進(jìn)入凹部的緣的空間。因此，凹部內(nèi)需要多余的空間，造成封裝的大型化。
另一方面，在專利文獻(xiàn)2公示的傳聲器21 (condenser microphone)中，將封裝分為蓋22、側(cè)面基板四及基板28這三個(gè)部件。在蓋22上安裝有傳聲器芯片23 (microphone element)和IC芯片24，傳聲器芯片23以覆蓋蓋22的聲孔22a的方式配置。傳聲器芯片 23和IC芯片M通過接合線26a連接，設(shè)置于蓋22的接合用焊盤25和傳聲器芯片23及IC 芯片M之間分別通過接合線26b 電連接?；逵^的上表面設(shè)置有信號輸入輸出裝置即外部連接端子27，基板觀的下表面設(shè)置有連接電極33，外部連接端子27和連接電極33 通過通孔32連接。另外，蓋22和基板觀之間的空間的周圍被側(cè)面基板四包圍。而且，在蓋22和基板觀之間夾持側(cè)面基板四，通過將通孔30及螺旋彈簧31的上端和下端分別壓接于連接電極33和接合用焊盤25，而將接合用焊盤25與外部連接端子27導(dǎo)通。在這樣的結(jié)構(gòu)的傳聲器21中，在蓋22上安裝傳聲器芯片23和IC芯片對，將傳聲器芯片23及IC芯片M與接合用焊盤25進(jìn)行引線接合之后，在蓋22上將側(cè)面基板四和基板觀重疊以導(dǎo)通接合用焊盤25和外部連接端子27。因此，不妨礙側(cè)面基板四可很容易地進(jìn)行引線接合作業(yè)，進(jìn)而可減小封裝內(nèi)部的空間。但是，在專利文獻(xiàn)2那樣的結(jié)構(gòu)中，構(gòu)成封裝的部件數(shù)量多，同時(shí)，必須在側(cè)面基板四內(nèi)制作通孔30及螺旋彈簧31這些結(jié)構(gòu)，致使封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜化且使傳聲器21的成本升高。另外，由于即使不加大封裝內(nèi)的空間也不能減小側(cè)面基板四的壁厚，因而難以減小封裝的外形尺寸。專利文獻(xiàn)1 美國專利申請公報(bào)第2008/(^83988號說明書(US 2008/0283988A1)專利文獻(xiàn)2 美國專利申請公報(bào)第2007/00588 號說明書(US 2007/0058826A1)如上所述，在將安裝有傳聲器芯片的部件(蓋)和設(shè)有傳聲器的信號輸入輸出裝置的部件(基板)做成分體部件的傳聲器中，以往，由于在與安裝有半導(dǎo)體裝置的面同一面上設(shè)有接合用焊盤，因而致使封裝的結(jié)構(gòu)或者配線結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的技術(shù)課題而設(shè)立的，其目的在于，使具有將安裝有半導(dǎo)體元件(傳聲器芯片)的部件和設(shè)有信號輸入輸出裝置的部件做成分體部件的封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置(傳聲器)的結(jié)構(gòu)變得簡單。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具備構(gòu)成封裝的第一部件及第二部件；半導(dǎo)體元件，其收納于形成在所述第一部件的凹部的內(nèi)部且安裝于所述第一部件；連接裝置，其將所述第一部件的脫離所述半導(dǎo)體元件的安裝面的部位和所述半導(dǎo)體元件電連接；導(dǎo)通部，其將所述第一部件和所述第二部件電連接。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，由于通過電連接裝置將第一部件的脫離半導(dǎo)體元件的安裝面的部位和半導(dǎo)體元件電連接，通過導(dǎo)通部將第一部件和第二部件電連接，因而，可通過電連接裝置連接安裝于第一部件的半導(dǎo)體元件和該第一部件，只是通過接合第一部件和第二部件就可簡單地將半導(dǎo)體元件連接于第二部件。因此，可使半導(dǎo)體裝置的封裝中的配線結(jié)構(gòu)變得簡單，進(jìn)而可使半導(dǎo)體裝置低成本化。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的某實(shí)施方式中，還具備信號輸入輸出裝置，其設(shè)于所述第二部件；接合用焊盤，其設(shè)置于所述第一部件的所述凹部的外緣部；第二接合部，其設(shè)于所述第二部件且與所述信號輸入輸出裝置導(dǎo)通，所述連接裝置為連接所述半導(dǎo)體元件和所述接合用焊盤的引線配線，所述導(dǎo)通部將所述接合用焊盤和所述第二接合部電導(dǎo)通。另外，所述第一部件的所述凹部的外緣部是指，所述第一部件的所述凹部的外部或者所述凹部內(nèi)的開口部附近。在這樣的實(shí)施方式中，由于在所述第一部件的凹部的外緣部設(shè)有接合用焊盤，因而用引線配線連接安裝于第一部件的半導(dǎo)體裝置和接合線，只是通過導(dǎo)通部導(dǎo)通第一部件的接合用焊盤和第二部件的第二接合部就可簡單地將半導(dǎo)體元件連接于第二部件。因此， 可使半導(dǎo)體裝置的封裝中的配線結(jié)構(gòu)簡單，進(jìn)而使半導(dǎo)體裝置低成本化。而且，由于將接合用焊盤設(shè)置于第一部件的凹部的外緣部，因而由于不需要在凹部內(nèi)插入引線接合用的卡具，從而可減小凹部的面積，且使封裝變小。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的其它實(shí)施方式中，所述第二部件在與所述凹部對置的面具有凹陷部。根據(jù)這樣的實(shí)施方式，由于封裝內(nèi)的空間增加，因而連接于接合用焊盤的引線配線難以與第二部件接觸，可防止引線配線引起的短路。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的另外其它的實(shí)施方式中，還具備第一接合部，其設(shè)于所述第一部件的與所述第二部件對置的面，且與所述接合用焊盤導(dǎo)通，所述導(dǎo)通部將所述第一接合部和所述第二接合部連接。根據(jù)這樣的實(shí)施方式，由于在與連接有引線配線的接合用焊盤不同的位置應(yīng)用導(dǎo)通部，所以可通過導(dǎo)通部避免引線配線的連接部分受到影響。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的另外其它的實(shí)施方式中，也可以將所述接合用焊盤和所述第一接合部設(shè)置于朝向與所述第一部件同一方向的面。例如，可以將接合用焊盤和第一接合部設(shè)置于同一水平面上，也可以將其設(shè)置于同一傾斜面上。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的另外其它的實(shí)施方式中，也可以將所述接合用焊盤和所述第一接合部設(shè)置于朝向不同于所述第一部件的方向的面。例如，也可以將接合用焊盤和第一接合部設(shè)置于彎曲的曲面上。另外，也可以將其中一方設(shè)置于水平面上，將另一方設(shè)置于傾斜面上。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的另外其它的實(shí)施方式中，所述接合用焊盤和所述第一接合部位于與所述凹部的底面平行的同一平面內(nèi)。根據(jù)這樣的實(shí)施方式，由于接合用焊盤中的引線接合的方向和相對于安裝于凹部的底面的半導(dǎo)體元件的引線接合的方向成為同一方向，因而使引線接合的工序變得容易。另外，例如因接合用焊盤和第一接合部的影像識別變得容易等而提高了半導(dǎo)體裝置的組裝精度。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的另外其它的實(shí)施方式中，所述接合用焊盤和所述第一接合部位于與所述凹部的底面平行的不同平面內(nèi)。根據(jù)這樣的實(shí)施方式，由于接合用焊盤中的引線接合的方向和相對于安裝于凹部的底面的半導(dǎo)體元件的引線接合的方向變?yōu)橥环较?，因而使引線接合的工序變得容易。另外，由于可使接合用焊盤稍微偏離第二部件，因而引線配線難以與第二部件接觸。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的另外其它的實(shí)施方式中，所述第一接合部的外周緣比其內(nèi)側(cè)的區(qū)域高。根據(jù)這樣的實(shí)施方式，即使導(dǎo)通部為焊錫及導(dǎo)電性粘接劑等，導(dǎo)通部也難以從第一接合部向外泄露。另外，作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中的第一部件的材料，可使用貼銅層疊板、玻璃環(huán)氧樹脂、陶瓷、塑料、金屬、石墨納米管中的至少一種材料或者它們的復(fù)合材料。同樣，作為第二部件的材料，可使用貼銅層疊板、玻璃環(huán)氧樹脂、陶瓷、塑料、金屬、石墨納米管中的至
6少一種材料或者它們的復(fù)合材料。另外，該半導(dǎo)體裝置的所述第一部件及所述第二部件也可以具備用于隔斷外部的電磁干擾的電磁屏蔽功能。優(yōu)選的是，為了接合第一部件的第一接合部和第二部件的第二接合部，而使用由焊錫、導(dǎo)電性樹脂、導(dǎo)電性帶或者釬料中的至少一種構(gòu)成的導(dǎo)通部。通過使用這些導(dǎo)通部， 可同時(shí)進(jìn)行第一部件和第二部件的機(jī)械接合和電接合。另外，在要提高第一部件和第二部件的接合強(qiáng)度及密封性的情況下，也可以并用非導(dǎo)電性樹脂或者非導(dǎo)電性帶。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置也可以收納兩個(gè)以上的半導(dǎo)體元件。例如，作為所述半導(dǎo)體元件也可以具備傳感器和電路元件；也可以使一端連接在所述電路元件或者所述傳感器的所述引線配線的另一端連接于所述接合用焊盤中的一處，使一端連接在所述電路元件或者所述傳感器的另一所述引線配線的另一端連接于所述接合用焊盤中的另一處。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置可適用于傳聲器。例如，所述傳感器為傳聲器芯片，所述第一部件為封裝的蓋，所述第二部件為封裝的基板，在這樣的傳聲器中，也可以在所述蓋開設(shè)聲孔，所述傳聲器芯片以覆蓋所述聲孔的方式安裝于所述蓋上。由于這樣的傳聲器為頂端口式傳聲器，因而可增大后空腔的容積，進(jìn)而可使傳聲器高靈敏度化。另外，所述傳感器為傳聲器芯片，所述第一部件為封裝的蓋，所述第二部件為封裝的基板，在這樣的傳聲器中，也可以在所述基板上開設(shè)有聲孔。該情況下，由于采用底端口式傳聲器，而將傳聲器芯片設(shè)置于蓋，因而可防止因從聲孔進(jìn)入的焊錫煙有時(shí)對傳聲器芯片造成污染，有時(shí)傳聲器芯片的振動(dòng)膜弓I起粘附等品質(zhì)缺陷。另外，用于解決本發(fā)明中的上述課題的方法具有適當(dāng)組合以上說明的構(gòu)成要素的特征，本發(fā)明可根據(jù)這樣的構(gòu)成要素的組合形成許多的變更。


圖1是表示專利文獻(xiàn)1公示的傳聲器的剖面圖；圖2是表示專利文獻(xiàn)2公示的傳聲器的剖面圖；圖3是沿本發(fā)明第一實(shí)施方式的傳聲器的長度方向的剖面圖；圖4是沿第一實(shí)施方式的傳聲器的寬度方向的剖面圖(圖3的X-X線剖面圖)；圖5(a)及(b)是使用了第一實(shí)施方式的傳聲器的蓋的平面圖和基板的平面圖，圖 5(c)是表示第一實(shí)施方式的變形例的局部的平面圖，圖5(d)是表示第一實(shí)施方式的另一變形例的局部的平面圖；圖6是沿本發(fā)明第二實(shí)施方式的傳聲器的寬度方向的剖面圖；圖7(a)及(b)是使用了第二實(shí)施方式的傳聲器的蓋的平面圖和基板的平面圖；圖8是沿本發(fā)明第三實(shí)施方式的傳聲器的長度方向的剖面圖；圖9是沿本發(fā)明第三實(shí)施方式的傳聲器的寬度方向的剖面圖；圖10(a)及(b)是使用了第三實(shí)施方式的傳聲器的蓋的平面圖和基板的平面圖；圖11是沿本發(fā)明第四實(shí)施方式的傳聲器的長度方向的剖面圖；圖12是沿第四實(shí)施方式的傳聲器的寬度方向的剖面圖；圖13(a)及(b)是使用了第四實(shí)施方式的傳聲器的蓋的平面圖和基板的平面圖；圖14是沿本發(fā)明第五實(shí)施方式的傳聲器的長度方向的剖面圖；圖15是沿第五實(shí)施方式的傳聲器的寬度方向的剖面圖16是沿本發(fā)明第六實(shí)施方式的傳聲器的長度方向的剖面圖；圖17是沿第六實(shí)施方式的傳聲器的寬度方向的剖面圖；圖18是沿本發(fā)明第七實(shí)施方式的傳聲器的長度方向的剖面圖；圖19是沿第七實(shí)施方式的傳聲器的寬度方向的剖面圖；圖20是沿第七實(shí)施方式的傳聲器的不同部位的寬度方向的剖面圖；圖21 (a)及(b)是使用了第七實(shí)施方式的傳聲器的蓋的平面圖和基板的平面圖；圖22是沿本發(fā)明第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的寬度方向的剖面圖；圖23(a)及(b)是使用了第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的蓋的平面圖和基板的平面圖；圖M(a) (e)是表示第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖面圖；圖25(a) (c)是表示第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖面圖，表示與圖M(e)接續(xù)的工序；圖^(a) (d)是表示第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖面圖，表示與圖25(a) (c)接續(xù)的工序；圖27是沿本發(fā)明第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的寬度方向的剖面圖；圖觀⑷及(b)是使用了第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的蓋的平面圖和基板的平面圖；圖四是沿本發(fā)明第十實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的寬度方向的剖面圖；圖30(a) (c)是表示第十實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略平面圖；圖31(a) (C)是表示第十實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖面圖，表示與圖30(c)接續(xù)的工序；圖32(a) (e)是本發(fā)明表示第十一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖面圖。附圖標(biāo)記說明41、71、81、91、101、121 傳聲器42 傳聲器芯片43 電路元件44 蓋45 基板44a、45a 聲孑L46:凹部47:導(dǎo)電層48 接合用焊盤50、51、51a、51b 接合線53:導(dǎo)電層54:連接電極56 接地連接端子58 信號輸入輸出端子60、61:導(dǎo)電性部件
72 電極板73:接合焊盤82 周壁部83:凹陷部92:臺(tái)階部131、151、161、171 半導(dǎo)體裝置134 傳感器152:切口部
具體實(shí)施例方式下面，參照

本發(fā)明的最佳實(shí)施方式。但是本發(fā)明不限定于以下的實(shí)施方式，在不超出本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)可進(jìn)行各種設(shè)計(jì)變更。(第一實(shí)施方式)以下，參照圖3、圖4及圖5說明本發(fā)明第一實(shí)施方式的頂端口式傳聲器41。圖3 是表示沿傳聲器41的長度方向的截面的剖面圖。圖4是表示沿圖3的X-X線的寬度方向的截面的剖面圖。該傳聲器41為使用MEMS技術(shù)制造的MEMS傳聲器。傳聲器41在由蓋44和基板45構(gòu)成的封裝內(nèi)收納有傳聲器芯片42和電路元件 43。圖5 (a)是安裝有傳聲器芯片42和電路元件43的蓋44(第一部件)的下面圖，圖5(b) 是基板45(第二部件)的上面圖。另外，圖5(a) —并表示除去橢圓部分的抗釬料劑后的狀態(tài)。如圖3及圖4所示，蓋44可通過層疊貼銅層疊板及玻璃環(huán)氧樹脂、陶瓷、塑料、石墨納米管中的至少一種材料或者由這些復(fù)合材料構(gòu)成的兩個(gè)絕緣性基板而形成。由絕緣性材料形成的蓋44具備用于收納傳聲器芯片42及電路元件43的形成箱狀的凹部46。在凹部46的頂面、側(cè)壁面及凹部46的外部的蓋44的下表面，其大體整體形成有電磁屏蔽用的導(dǎo)電層47。另外，如圖5(a)所示，在凹部46的外部即蓋44的下表面，在凹部46附近形成有多個(gè)接合用焊盤48 (兼做第一接合部)。導(dǎo)電層47及接合用焊盤48為金屬膜，接合用焊盤48的周圍從導(dǎo)電層47分離，將各接合用焊盤48和導(dǎo)電層47彼此之間絕緣。傳聲器芯片42為MEMS元件(聲傳感器)，例如在Si基板的開口部設(shè)置有聲振動(dòng)傳感用的薄膜即振動(dòng)膜。電路元件43為ASIC及IC芯片等元件。如圖3所示，傳聲器芯片 42和電路元件43收納于凹部46內(nèi)，通過粘接劑將各自的背面固定于凹部46的頂面。另外，傳聲器芯片42與開設(shè)于蓋44的聲孔4 對應(yīng)而設(shè)置，以覆蓋聲孔44a。因此，由于傳聲器芯片42的聲孔4 成為前空腔，凹部46內(nèi)的空間成為后空腔，因而可保持大的后空腔容積，從而可使傳聲器芯片42高靈敏度化。如圖5 (a)所示，設(shè)置于傳聲器芯片42的表面的端子4 和設(shè)置于電路元件43的表面的端子43a通過接合線50連接。在設(shè)置于電路元件43的表面的端子4 上連接接合線51a(引線配線)的一端，接合線51a的另一端連接于接合用焊盤48。另外，在設(shè)置于電路元件43的表面的接地端子43c上連接接合線51b的一端，接合線51b的另一端在蓋44 的下面連接于導(dǎo)電層47的接合部47a。另外，在圖5(a)中，也可以是傳聲器芯片42不與蓋44的接合用焊盤連接的結(jié)構(gòu)，而是根據(jù)電路構(gòu)成等也將傳聲器芯片42通過接合線與蓋44的接合用焊盤48及導(dǎo)電層47接線的結(jié)構(gòu)。蓋44的下表面(與基板45對置的面)，除連接接合用焊盤48和導(dǎo)電層47的外周部及接合線51b的部位，都被抗釬料劑52覆蓋。如圖3及圖4所示，基板45由多層配線基板、貼銅層疊板、玻璃環(huán)氧樹脂、陶瓷基板、塑料基板、石墨納米管的基板構(gòu)成。在基板45的上表面以彼此分開絕緣的狀態(tài)設(shè)置有電磁屏蔽用的導(dǎo)電層53和連接電極54 (第二接合部)。另外，基板45的上表面由抗釬料劑55覆蓋，只有連接電極M的局部(與接合用焊盤48對置的部分)和導(dǎo)電層53的外周部及與接合部47a對置的區(qū)域從抗釬料劑55露出。在基板45的下表面設(shè)置有接地連接端子56，接地連接端子56通過通路孔59與導(dǎo)電層53連接。另外，在基板45的下表面設(shè)有信號輸入輸出用的信號輸入輸出端子58，信號輸入輸出端子58通過通路孔59與連接電極M連接。如圖3及圖4所示，蓋44以使凹部46朝向下方的狀態(tài)疊置于基板45的上表面， 通過導(dǎo)電部件60將對置的接合用焊盤48和接合用焊盤M彼此之間相互接合。作為導(dǎo)電性部件60，可以使用導(dǎo)電性粘接劑及焊錫、導(dǎo)電性雙面粘接帶、焊接用釬料中的任一種，或者也可以并用其中的多種材料。另外，從抗釬料劑52露出的導(dǎo)電層47的外周和從抗釬料劑55露出的導(dǎo)電層53的外周部也通過導(dǎo)電性材料61在全周接合，或者在大致全周接合。 作為導(dǎo)電性部件61，可以使用導(dǎo)電性粘接劑及焊錫、導(dǎo)電性雙面粘接帶、焊接用釬料中的任一種，或者也可以并用其中的多種材料。為了將蓋44和基板45粘合，也可以并用非導(dǎo)電性樹脂及非導(dǎo)電帶。因此，電路元件43的端子4 通過接合線51a、導(dǎo)電性部件60、通路孔59 等連接于信號輸入輸出端子58。另外，電路元件43的接地端子43c通過接合線51b、導(dǎo)電性部件61、通路孔57等連接于接地連接端子56。另外，蓋44的導(dǎo)電層47通過導(dǎo)電性部件 61連接于基板45的導(dǎo)電層53，通過將接地連接端子56連接于地線，由此，利用導(dǎo)電層47、 53使傳聲器41屏蔽來自外部的電磁干擾。根據(jù)這樣的傳聲器41，以使接合用焊盤48為上的方式將蓋44反轉(zhuǎn)，可在位于蓋 44的表面的接合用焊盤48及接合部47a對接合線51a、51c進(jìn)行引線接合。因此，不需要像專利文獻(xiàn)1的那樣在凹部46內(nèi)進(jìn)行引線接合，而可以簡單地進(jìn)行傳聲器41的配線作業(yè)，從而可使傳聲器41的成本達(dá)到廉價(jià)。另外，由于不需要在凹部46內(nèi)插入引線接合用的卡具， 因而可減小凹部46的面積，進(jìn)而可使傳聲器小型化。(第二實(shí)施方式)圖6是沿本發(fā)明第二實(shí)施方式的傳聲器71的寬度方向的剖面圖。沿傳聲器71的長度方向的剖面的表示與圖3同樣。另外，圖7(a)是安裝有傳聲器芯片42及電路元件43 的蓋44的上面圖，圖7 (b)是基板45的下面圖。 在該實(shí)施方式中，在蓋44的下表面設(shè)置有與導(dǎo)電層47絕緣的電極板72，通過用抗釬料劑52覆蓋電極板72的中央部而將電極板72分割為兩個(gè)區(qū)域。由抗釬料劑52分割的電極板的一區(qū)域成為用于對接合線51a端部進(jìn)行接合的接合用焊盤48，電極板72的另一區(qū)域成為通過導(dǎo)電性部件60與連接電極M (第二接合部)接合的接合焊盤73 (第一接合部)。而且，接合線51a的端部接合于接合用焊盤48，接合焊盤73通過導(dǎo)電性部件60接合于連接電極M，經(jīng)由電極板72使接合線51a與連接電極M導(dǎo)通。
如第一實(shí)施方式，通過導(dǎo)電性部件60將接合有接合線51a的接合用焊盤48接合的情況中，在接合線51a為極細(xì)的細(xì)線的情況下，有可能因?qū)щ娦圆考?0即焊錫的熱量及導(dǎo)電性樹脂的固化收縮而受到接合線51a的接合端脫落的惡劣影響。與此相對，根據(jù)第二實(shí)施方式，由于導(dǎo)電性部件60難以觸及接合線51a的接合端，因而不用擔(dān)心接合線51a從接合用焊盤48脫離，提高了傳聲器71的可靠性。(第三實(shí)施方式)圖8是沿本發(fā)明第三實(shí)施方式的傳聲器81的長度方向的剖面圖，圖9是沿傳聲器 81的寬度方向的剖面圖。另外，圖10(a)是安裝有傳聲器芯片42及電路元件43的蓋44的下面圖，圖10(b)是基板45的上面圖。該傳聲器81中，在基板45的上表面的周圍豎立周壁部82，在基板45的上表面形成有由周壁部82包圍的凹陷部83。蓋44以將其下表面載置于周壁部82的上表面的方式疊置于基板45上，導(dǎo)電層47的外周部通過導(dǎo)電性部件61與位于周壁部82的上表面外周部的導(dǎo)電層53接合。另外，連接電極M設(shè)置于凹陷部83內(nèi)，通過厚厚地涂敷或者堆滿的導(dǎo)電性部件60與接合焊盤73連接。根據(jù)這樣的實(shí)施方式，由于不用提高傳聲器81的外形的高度就可提高內(nèi)部的空間(凹部46及凹陷部83)，因而用于對接合線50、51a、51b進(jìn)行配線的空間擴(kuò)大，即使這些接合線50、51a、51b下垂也難以與基板45接觸，提高了傳聲器81的可靠性。(第四實(shí)施方式)圖11是沿本發(fā)明第四實(shí)施方式的傳聲器91的長度方向的剖面圖，圖12是沿傳聲器91的寬度方向的剖面圖。另外，圖13(a)是安裝有傳聲器芯片42及電路元件43的蓋44 的下面圖，圖13(b)是基板45的上面圖。該傳聲器91也分為接合用焊盤48和接合焊盤73，另外，在傳聲器91中，在蓋44 的凹部46內(nèi)的開口附近形成有臺(tái)階部92。即，在凹部46的下端部(蓋44的下表面附近)， 將凹部46的側(cè)壁面下端部切削，在比蓋44的下表面高若干的位置設(shè)置有與蓋44的下表面平行的面即臺(tái)階部92。而且，如圖12所示，還設(shè)置有從臺(tái)階部92向蓋44的下表面彎曲的電極板72，同時(shí)，用抗釬料劑52覆蓋電極板72的中央部分為兩個(gè)露出區(qū)域，在臺(tái)階部92， 將從抗釬料劑52露出的區(qū)域設(shè)為接合用焊盤48，在蓋44的下表面，將從抗釬料劑52露出的區(qū)域設(shè)為接合焊盤73。而且，在位于臺(tái)階部92的接合用焊盤48連接接合線51a的端部， 通過導(dǎo)電性部件60將接合焊盤73接合于基板45的連接電極M。另外，用于連接接合線51b的接合部47a也設(shè)置于臺(tái)階部92。根據(jù)這樣的實(shí)施方式，由于將用于連接接合線51a、51b的接合用焊盤48及接合部 47a設(shè)置于臺(tái)階部92，因而可在離開基板若干的位置，將接合線51a、51b連接于接合用焊盤 48及接合部47a。因此，即使接合線51a、51b下垂也難以接觸到基板45，可提高傳聲器91 的可靠性。(第五實(shí)施方式)圖14是沿本發(fā)明第五實(shí)施方式的傳聲器101的長度方向的剖面圖，圖15是沿傳聲器101的寬度方向的剖面圖。在該傳聲器101中，作為蓋44使用通過預(yù)模制樹脂及塑料等預(yù)先成型的樹脂成型品或者陶瓷燒成品等。根據(jù)這樣的實(shí)施方式，由于蓋材料的選擇范圍寬，因而可選擇例如與傳聲器芯片42的Si基板相比線膨脹系數(shù)差小的材料而不易使傳聲器42產(chǎn)生變形，從而可提高傳聲器101的精度及可靠性。
(第六實(shí)施方式)圖16是沿本發(fā)明第六實(shí)施方式的傳聲器111的長度方向的剖面圖，圖17是沿傳聲器111的寬度方向的剖面圖。在該傳聲器111中，使用將金屬板沖壓成型而形成凹部46的蓋44。如圖16所示， 該金屬制蓋44通過導(dǎo)電性部件61將外周部下表面接合于基板45的導(dǎo)電層53。因此，蓋 44自身與導(dǎo)電層53導(dǎo)通，蓋44整體具有電磁屏蔽功能。另外，如圖17所示，在基板45的與連接電極M露出區(qū)域?qū)χ玫牟课唬谏w44的下表面形成有絕緣層112，絕緣層113之下設(shè)置有接合用焊盤48。因此，接合用焊盤48通過絕緣層112與蓋44絕緣。根據(jù)這樣的實(shí)施方式，由于不需要在蓋44上另外設(shè)置電磁屏蔽用的導(dǎo)電層47，因而可使結(jié)構(gòu)更加簡單，從而可實(shí)現(xiàn)成本的消減。另外，在圖14及圖15的第五實(shí)施方式和圖16及圖17的第六實(shí)施方式中，表示的是具有與第一實(shí)施方式同樣的結(jié)構(gòu)，但是，還可以如第二實(shí)施方式所述，為分離為接合用焊盤48和接合焊盤73的結(jié)構(gòu)，如第三實(shí)施方式所述在基板45上設(shè)置凹陷部83的結(jié)構(gòu)，如第四實(shí)施方式所述，在蓋44上設(shè)置臺(tái)階部92的結(jié)構(gòu)。(第七實(shí)施方式)圖18是沿本發(fā)明第七實(shí)施方式的傳聲器121的長度方向的剖面圖，圖19是沿傳聲器121的寬度方向的剖面圖。圖20是沿傳聲器121的聲孔的位置的寬度方向的剖面圖。 另外，圖21 (a)是安裝有傳聲器芯片42及電路元件43的蓋44的下面圖，圖21(b)是基板 45的上面圖。該傳聲器121為基板45上開設(shè)有聲孔45a的底端口式傳聲器。由于聲孔45a的開口位置以外與第一實(shí)施方式相同，因而在所對應(yīng)的部位標(biāo)注同一符號，由此說明從略。在該底端口式傳聲器121中，由于基板45上開設(shè)有聲孔45a，因而在將傳聲器121 安裝于適用儀器的電路基板等時(shí)，有可能使焊錫煙等從聲孔4 進(jìn)入封裝內(nèi)。因此，為了不發(fā)生因焊錫煙對傳聲器121的污染或者對振動(dòng)膜引起粘附，而使傳聲器121離開聲孔4 安裝于蓋44的下表面。即使在該傳聲器121中，由于與電路元件43連接的接合線51a、51b的另一端可以連接于設(shè)置于蓋44的下表面且通過導(dǎo)電性材料60、61與基板45接合的接合用焊盤48及接合部47a，因而很容易進(jìn)行另一端的引線接合，使傳聲器121的成本變得廉價(jià)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)傳聲器121的小型化。另外，作為第七實(shí)施方式，表示的是在第一實(shí)施方式的傳聲器中將聲孔設(shè)置于基板的結(jié)構(gòu)，但是也可以在分離為接合用焊盤48和接合焊盤73的第二實(shí)施方式的傳聲器、在基板45上設(shè)置有凹陷部83的第三實(shí)施方式的傳聲器、在蓋44上設(shè)置有臺(tái)階部92的第四實(shí)施方式的傳聲器、作為蓋44使用樹脂成型品或者陶瓷燒成品等的第五實(shí)施方式的傳聲器、 使用金屬制的蓋44的第六實(shí)施方式的傳聲器中，在基板開口形成聲孔。(第八實(shí)施方式)本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的用途不限于傳聲器，還可以用于收納有各種傳感器及IC電路等的半導(dǎo)體裝置。下表面，參照圖22 沈說明本發(fā)明第八實(shí)施方式。半導(dǎo)體裝置131在由蓋44和基板45構(gòu)成的封裝內(nèi)收納有傳感器134和電路元件43，在第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置131
12中，蓋44使用貼銅層疊板及玻璃環(huán)氧樹脂基板、紙環(huán)氧樹脂基板等。圖22是本發(fā)明第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置131的剖面圖。圖23(a)是安裝有傳感器134和電路元件43的蓋 44(第一部件)的平面圖，圖23(b)是涂敷有導(dǎo)電性部件60、61的基板45 (第二部件)的下面圖。另外，在附圖中，基板45的下面安裝有蓋44，但是，這里表示制造工序，在使用狀態(tài)半導(dǎo)體裝置131可以是任意方向。如圖22及圖23所示，蓋44具備用于收納傳感器134及電路元件43的制成箱狀的凹部46。該蓋44如在制造方法中所述，由開設(shè)有貫通孔的貼銅層疊板和底面基板構(gòu)成。 將凹部46的底面堵塞，上表面開口。凹部46的底面、側(cè)壁面及凹部46的外部的蓋44的上表面，其幾乎整體形成有電磁屏蔽用的導(dǎo)電層47。另外，在凹部46的外部即蓋44的上表面，在凹部46附近形成有多個(gè)接合用焊盤48。導(dǎo)電層47及接合用焊盤48由金屬膜形成， 而接合用焊盤48的周圍與導(dǎo)電層47分開，在接合用焊盤48的周圍將光致抗蝕劑等絕緣材料構(gòu)成的絕緣部132埋設(shè)成額緣狀使接合用焊盤48和導(dǎo)電層47彼此絕緣。傳感器134為聲傳感器及加速度傳感器、流量傳感器等MEMS元件，電路元件43為 IC芯片及ASIC等元件。傳感器134和電路元件43收納于凹部46內(nèi)，各自的下表面通過粘接劑固定于凹部46的底面。設(shè)置于傳感器134的上表面的端子和設(shè)置于電路元件43的上表面的端子通過接合線50連接。另外，在設(shè)置于電路元件43的上表面的端子上接合有接合線51的一端，接合線51的另一端與接合用焊盤48接合。另外，在圖23 (a)上，電路元件 43的附近配置有接合用焊盤48，而在傳感器134與接合用焊盤48之間也用接合線連接的情況下，也可以適當(dāng)在傳感器134附近設(shè)置接合用焊盤48。如圖22及圖23(b)所示，基板45由多層配線基板構(gòu)成，在基板45內(nèi)設(shè)置有信號輸入輸出用的輸入輸出配線133。在基板45的下表面，與接合用焊盤48對置地設(shè)置有連接電極M，在除去連接電極M及其周圍的幾乎整個(gè)面上設(shè)置有電磁屏蔽用的導(dǎo)電層53。連接電極M及導(dǎo)電層53由金屬膜形成，連接電極M的周圍與導(dǎo)電層53分離。在除去連接電極討及導(dǎo)電層53的外周部的區(qū)域，導(dǎo)電層53的下表面由抗釬料劑55所覆蓋，連接電極 M與導(dǎo)電層53之間也埋設(shè)有抗釬料劑55。另外，連接電極M分別與基板45內(nèi)的輸入輸出配線133導(dǎo)通。如圖22所示，基板45疊置于蓋44的上表面，通過導(dǎo)電性粘接劑及焊錫、導(dǎo)電性雙面粘貼帶、焊接用釬料等導(dǎo)電性部件60將對置的接合用焊盤48和連接電極M彼此之間接合。另外，在導(dǎo)電層53的基板的外周部，從抗釬料劑55露出的區(qū)域通過導(dǎo)電性粘接劑及焊錫、導(dǎo)電性雙面粘貼帶、焊接用釬料等導(dǎo)電性部件61與導(dǎo)電層47的外周部接合。因此，電路元件43通過接合線51和導(dǎo)電性部件60等連接于輸入輸出配線133。另外，由于導(dǎo)電層 47通過導(dǎo)電性部件61與導(dǎo)電層53導(dǎo)通，因而通過將導(dǎo)電層53與接地電位連接而對半導(dǎo)體裝置131的內(nèi)部進(jìn)行電磁屏蔽。(制造方法)下面，參照圖M (a) (e)、圖25(a) (c)及圖26(a) (d)說明上述半導(dǎo)體裝置131的制造工序。圖M (a)所示的是蓋44的原材料，為上下兩面粘貼有銅箔142a、142b 的例如雙層貼銅層疊板141。如圖24(b)所示，其上表面的銅箔14 通過蝕刻除去要形成接合用焊盤48的區(qū)域的周圍而形成分離槽144，在要形成接合用焊盤48的區(qū)域形成有接合面143。接著，在貼銅層疊板141的上表面涂敷光致抗蝕劑，利用光刻技術(shù)以只在分離槽141的部分殘留有光致抗蝕劑的方式對光致抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖。其結(jié)果是，如圖M(C)所示， 通過固化后的光致抗蝕劑在接合面143的周圍形成突框狀絕緣部132。其后，如圖24(d)所示，使用取根機(jī)及鉆頭與作為凹部46的區(qū)域?qū)?yīng)在貼銅層疊板141上開設(shè)貫通孔145。而且，通過雙面粘貼帶147在貼銅層疊板141的整個(gè)下表面粘貼底面基板146，通過底面基板146將貫通孔145的下表面堵塞，在貼銅層疊板141形成凹部 46。另外，底面基板146不限于硬質(zhì)基板，也可以是具有耐熱性的帶及片。這樣在貼銅層疊板141上粘貼底面基板146而形成凹部46之后，如圖M (e)所示， 通過蒸鍍、濺射等方法在凹部46的內(nèi)面及貼銅層疊板141的整個(gè)上表面成膜金屬板148。由于絕緣部132的高度大于銅箔14 的厚度，因而如圖25(b)所示，覆蓋絕緣部 132的金屬層148高于周圍。接著，如圖25(a)所示，將在絕緣部132之上堆積的金屬膜148 通過切片機(jī)149切削成水平，或者用研磨機(jī)進(jìn)行研磨使絕緣部132的上表面露出。此時(shí)，如圖25 (c)所示，由于不是將絕緣部132部分水平切削而是使其比周圍突出而保留，在絕緣部 132的兩側(cè)面形成金屬膜148的豎立部148a。當(dāng)這樣除去覆蓋在絕緣部132的上表面的金屬膜148而使絕緣部132的上表面露出時(shí)，如圖沈(a)所示，由絕緣部132包圍的區(qū)域的金屬膜148成為接合用焊盤148，此外的區(qū)域成為電磁屏蔽用的導(dǎo)電層47。而且，由于絕緣部132及其兩側(cè)面的金屬膜148向上突出，因而在用導(dǎo)電性部件60、61將蓋44和基板45接合時(shí)，將接合用焊盤48和連接電極M 接合的導(dǎo)電性部件60及將導(dǎo)電層47和導(dǎo)電層53接合的導(dǎo)電性部件61越過絕緣部132流出，可防止電路短路。這樣完成蓋44后，如圖^(b)所示，將傳感器134和電路元件43收納于凹部46 內(nèi)并將底面粘接固定，用接合線50將傳感器34和電路元件43連接，另外，用接合線51將電路元件43和接合用焊盤48連接。其后，對另外制作的如圖23(b)那樣的基板45的下表面外周部涂敷導(dǎo)電性部件 61，同時(shí)對連接電極M涂敷導(dǎo)電性部件60，如圖26(c)所示，將該基板45疊置于蓋44之上，如圖沈(d)所示，通過導(dǎo)電性部件60將接合用焊盤48和連接電極M接合，通過導(dǎo)電性部件61將導(dǎo)電層47和導(dǎo)電層53接合。根據(jù)這樣的半導(dǎo)體裝置131，由于將接合線51引線接合于蓋44的接合用焊盤48 不需要在凹部46內(nèi)進(jìn)行，而是可以在蓋44的上面進(jìn)行，因而可減小凹部46的面積，進(jìn)而可使半導(dǎo)體裝置131小型化。另外，由于一端連接于電路元件43的接合線51的另一端直接與設(shè)置于蓋44的上表面的接合用焊盤48連接，因而不需要在凹部46內(nèi)設(shè)置導(dǎo)通配線等， 可使半導(dǎo)體裝置131的結(jié)構(gòu)簡單，且可使封裝的成本變得廉價(jià)。(第九實(shí)施方式)圖27是表示本發(fā)明第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置151的剖面圖。另外，圖觀(a)及 (b)是用于第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置151的蓋44的平面圖和基板45的平面圖。在第八實(shí)施方式的情況下，由于在設(shè)置于蓋44的上表面的接合用焊盤觀上連接有接合線51的前端，因而接合線51下垂時(shí)，有可能因凹部46的上端部角而與導(dǎo)電層47接觸導(dǎo)致短路。這樣的情況下，如圖27及圖觀所示，在接合線51的通過位置，也可以在凹部 46的側(cè)壁和蓋44的上表面相交叉的腳部切開蓋44和導(dǎo)電層47而形成切口部152。切口部152例如只要是通過取根機(jī)及鉆頭對貼銅層疊板141及導(dǎo)電層47進(jìn)行切削加工形成即可。根據(jù)這樣的半導(dǎo)體裝置151，如圖27所示，即使接合線51下垂在與導(dǎo)電層47之間也難以短路。(第十實(shí)施方式)本發(fā)明第十實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置161為使用的成型品的蓋44的實(shí)施方式。圖四是表示該半導(dǎo)體裝置161的剖面圖。蓋44為由非導(dǎo)電性樹脂構(gòu)成的樹脂成型品，其上面形成有凹部46。該蓋44的凹部內(nèi)面及上表面形成有電磁屏蔽用的導(dǎo)電層47和接合用焊盤48。在凹部46內(nèi)的底面安裝有傳感器134及電路元件43，電路元件43與接合用焊盤 48之間用接合線51連接。封裝用的基板45由多層配線基板構(gòu)成，基板45內(nèi)設(shè)置有電磁屏蔽用的導(dǎo)電層53， 在基板45的上表面設(shè)置有成為信號輸入輸出裝置的外部連接端子163。另外，在基板45的下表面以與接合用焊盤48對置的方式設(shè)置有通過通路孔165與外部連接端子163導(dǎo)通的連接電極M，將通過通路孔166與導(dǎo)電層53導(dǎo)通的接地電極162設(shè)置于外周部?；?5疊置于蓋44的上表面，連接接合線51的接合用焊盤48通過導(dǎo)電性部件 60與連接電極M連接，導(dǎo)電層47通過導(dǎo)電性部件61與接地電極162連接。(制造方法)圖30(a) (c)及圖31(a) (c)是表示第十實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置161的制造工序的概略剖面圖。以下，參照這些圖說明半導(dǎo)體裝置161的制造工序。圖30(a)所示的是由非導(dǎo)電性樹脂成型的蓋44，其上面凹設(shè)有箱狀的凹部46，在凹部46的外部以包圍要形成接合用焊盤48的區(qū)域的方式設(shè)置有額緣狀突起168。如圖 30(b)所示，在該蓋44的凹部46整個(gè)內(nèi)面及凹部46外的整個(gè)上表面，通過實(shí)施金屬鍍敷而形成有金屬膜148。接著，如圖30(c)所示，通過切片機(jī)149及研磨機(jī)切削出額緣狀突起 168，在額緣狀突起168突出的區(qū)域局部除去金屬膜148使蓋44露出。其結(jié)果是，如圖31 (a) 所示，在被額緣狀突起168包圍的區(qū)域形成接合用焊盤48，此外的區(qū)域形成導(dǎo)電層47。另外，使接合用焊盤48的周圍與導(dǎo)電層47分離，通過在具有額緣狀突起168的部位露出的蓋 44，使接合用焊盤48和導(dǎo)電層47彼此絕緣。其后，如圖31(b)所示，將傳感器134及電路元件43收納于凹部46內(nèi)并用粘接劑進(jìn)行固定，通過接合線50將傳感器134和電路元件43連接。另外，通過接合線51將電路元件43和接合用焊盤48連接。接著，將基板46疊置于蓋44上，通過導(dǎo)電性粘接劑及焊錫等導(dǎo)電性部件60將接合用焊盤48和連接電極M連接，通過導(dǎo)電性部件及焊錫等導(dǎo)電性部件61將導(dǎo)電層47和接地電極162的外周部彼此之間連接。如上所述，根據(jù)預(yù)先在蓋44的上表面設(shè)置額緣狀突起168的方法，在形成金屬膜 148之后，只是對額緣狀突起168的局部進(jìn)行切削或者研磨而除去額緣狀突起168，就可簡單地對導(dǎo)電層47和金屬膜148進(jìn)行構(gòu)圖。(第十一實(shí)施方式)圖32表示本發(fā)明第十一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置171及其制造工序。該半導(dǎo)體裝置171中，作為蓋44使用金屬板。在該半導(dǎo)體裝置171的制造工序中，首先，如圖32(a)所示，對銅板、銅箔、鋁板、鋁箔、鐵板等金屬板進(jìn)行沖壓成型而在蓋44上形成凹部46。接著，如圖32(b)所示，在蓋44的凸緣172的上表面形成絕緣膜173。另外，也可以將圖32 (a)和圖32(b)的順序顛倒，在金屬板的邊緣設(shè)置絕緣膜173之后對金屬板進(jìn)行沖壓成型。其后，如圖32 (c)所示，通過在絕緣膜173上設(shè)置接合用焊盤48，而設(shè)置與蓋44絕緣的接合用焊盤48。而且，如圖32(d)所示，在凹部46內(nèi)的底面安裝傳感器134和電路元件43且通過接合線50將電路元件43和傳感器134連接，通過接合線51將電路元件43和接合用焊盤48連接。最后，將基板45疊置于蓋44上，并通過導(dǎo)電性部件60將蓋44的接合用焊盤48 和基板45的連接電極M接合，另外，通過導(dǎo)電性部件61將蓋44的凸緣172和基板45的導(dǎo)電層53接合。另外，在上述實(shí)施方式中，將傳聲器或者傳感器和電路元件收納于封裝內(nèi)，但是即使將傳聲器或者傳感器、或者電路元件作為單體收納于封裝內(nèi)也無妨。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備 構(gòu)成封裝的第一部件及第二部件；半導(dǎo)體元件，其收納于形成在所述第一部件的凹部的內(nèi)部且安裝于所述第一部件； 連接裝置，其將所述第一部件的脫離所述半導(dǎo)體元件的安裝面的部位和所述半導(dǎo)體元件電連接；導(dǎo)通部，其將所述第一部件和所述第二部件電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 還具備信號輸入輸出裝置，其設(shè)于所述第二部件； 接合用焊盤，其設(shè)置于所述第一部件的所述凹部的外緣部； 第二接合部，其設(shè)于所述第二部件且與所述信號輸入輸出裝置導(dǎo)通， 所述連接裝置為連接所述半導(dǎo)體元件和所述接合用焊盤的引線配線， 所述導(dǎo)通部將所述接合用焊盤和所述第二接合部電導(dǎo)通。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二部件在與所述凹部對置的面具有凹陷部。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備第一接合部，其設(shè)于所述第一部件的與所述第二部件對置的面，且與所述接合用焊盤導(dǎo)通，所述導(dǎo)通部將所述第一接合部與所述第二接合部連接。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述接合用焊盤和所述第一接合部設(shè)置于朝向與所述第一部件同一方向的面。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述接合用焊盤和所述第一接合部設(shè)置于朝向與所述第一部件不同的方向的面。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述接合用焊盤和所述第一接合部位于與所述凹部的底面平行的同一平面內(nèi)。
8.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述接合用焊盤和所述第一接合部位于與所述凹部的底面平行的不同平面內(nèi)。
9.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一接合部的外周緣比其內(nèi)側(cè)的區(qū)域高。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一部件由貼銅層疊板、玻璃環(huán)氧樹脂、陶瓷、塑料、金屬、石墨納米管中的至少一種材料或者它們的復(fù)合材料形成。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二部件由貼銅層疊板、玻璃環(huán)氧樹脂、陶瓷、塑料、金屬、石墨納米管中的至少一種材料或者它們的復(fù)合材料形成。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一部件及所述第二部件具備用于隔斷外部的電磁干擾的電磁屏蔽功能。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述導(dǎo)通部為焊錫、導(dǎo)電性樹脂、導(dǎo)電性帶或者釬料中的至少一種。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一部件和第二部件并用非導(dǎo)電性樹脂或者非導(dǎo)電性帶接合。
15.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 作為所述半導(dǎo)體元件具備傳感器和電路元件，將一端連接在所述電路元件或者所述傳感器的所述引線配線的另一端連接于所述接合用焊盤中的一處，將一端連接在所述電路元件或者所述傳感器的其它的所述引線配線的另一端連接于所述接合用焊盤中的另一處。
16.一種傳聲器，其為權(quán)利要求15的半導(dǎo)體裝置，所述傳感器為傳聲器芯片，所述第一部件為封裝的蓋，所述第二部件為封裝的基板，其特征在于，在所述蓋上開設(shè)有聲孔，所述傳聲器芯片以覆蓋所述聲孔的方式安裝于所述蓋上。
17.一種傳聲器，其為權(quán)利要求15的半導(dǎo)體裝置，所述傳感器為傳聲器芯片，所述第一部件為封裝的蓋，所述第二部件為封裝的基板，其特征在于，在所述基板上開設(shè)有聲孔。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置，將具有封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)簡單化，該封裝結(jié)構(gòu)為將安裝有半導(dǎo)體元件的部件和設(shè)有信號輸入輸出裝置的部件做成分體部件的封裝結(jié)構(gòu)。由蓋和基板構(gòu)成傳聲器的封裝。在設(shè)置于蓋的凹部內(nèi)收納有傳聲器芯片和電路元件并將其粘接固定于凹部的頂面。在凹部的外側(cè)，在蓋的下表面設(shè)置有多個(gè)接合用焊盤。將接合線的一端連接于電路元件，將另一端連接于接合用焊盤?；遄鳛樾盘栞斎胼敵鲅b置具有信號輸入輸出端子，在基板的上表面與接合用焊盤對置而設(shè)置有與信號輸入輸出端子導(dǎo)通的連接電極?；搴蜕w通過導(dǎo)電性粘接劑及焊錫等導(dǎo)電性部件將連接電極和接合用焊盤接合。
文檔編號H04R19/00GK102190278SQ20111003754
公開日2011年9月21日 申請日期2011年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月10日
發(fā)明者前川智史, 大野和幸, 鞍谷直人 申請人:歐姆龍株式會(huì)社