專利名稱：改善的用于非接觸式可讀卡的讀卡設(shè)備以及用于運(yùn)行這種讀卡設(shè)備的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于運(yùn)行非接觸式讀取卡的讀卡設(shè)備的方法以及一種這樣的讀卡設(shè)備。
背景技術(shù)：
由現(xiàn)有技術(shù)公開了讀卡設(shè)備和非接觸式可讀卡，所述非接觸式可讀卡包括集成電路，在所述集成電路中存儲了信息或者可以存儲信息。在一種這樣的讀卡設(shè)備和非接觸式可讀卡中，讀卡設(shè)備在近距范圍中產(chǎn)生高頻磁場。非接觸式可讀卡的集成電路與接收電路或通常被構(gòu)造為電感的接收天線連接。如果非接觸式可讀卡被帶入讀卡設(shè)備的近距范圍中，則通過高頻磁場在非接觸式可讀卡的接收電路中感應(yīng)出電流，所述電流被用于向集成電路供給電能。通過所產(chǎn)生的高頻磁場的調(diào)制，讀卡設(shè)備可以將信息傳輸給非接觸式可讀卡、即傳輸給所述非接觸式可讀卡的集成電路。非接觸式可讀卡的集成電路能夠周期性地有針對性地接通接收電路的負(fù)載，由此改變高頻磁場。讀卡設(shè)備被構(gòu)造用于檢測并且分析處理這樣的磁場變化。以此方式，可以實(shí)現(xiàn)從非接觸式可讀卡至讀卡設(shè)備的信息交換。在標(biāo)準(zhǔn)IS0/IEC 14443 “識別卡/非接觸集成電路卡/鄰近卡”中對這樣的讀卡設(shè)備和非接觸式可讀卡的可能構(gòu)型進(jìn)行了描述和標(biāo)準(zhǔn)化。在所述標(biāo)準(zhǔn)中，這樣的非接觸式可讀卡也稱為鄰近集成電路卡或者簡稱為鄰近卡(PICC)。由國際民用航空組織ICAO標(biāo)準(zhǔn)化的識別卡也基于所述標(biāo)準(zhǔn)工作，這些識別卡包括例如電子護(hù)照、電子身份證等。同樣存在使用所述標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行通信的信用卡。用于大量其他應(yīng)用的卡是可能的。在所提到的標(biāo)準(zhǔn)IS0/IEC 14443中，在部分2 “射頻功率和信號接口”中描述了不同的傳輸類型。在稱作類型B的傳輸類型中，從讀卡設(shè)備向位于讀卡設(shè)備的近距范圍中的非接觸式可讀卡進(jìn)行信息傳輸，其方式是，在同字母a相關(guān)聯(lián)的未調(diào)制的磁場強(qiáng)度與同字母b相關(guān)聯(lián)的經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度之間對所產(chǎn)生的高頻磁場的磁場強(qiáng)度進(jìn)行鍵控。未調(diào)制的磁場強(qiáng)度和經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度不等于0。未調(diào)制的磁場強(qiáng)度和經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度的組合代表通信的不同符號，由這些符號導(dǎo)出邏輯狀態(tài)1和0。鍵控在時(shí)間光柵上進(jìn)行，即以例如根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)對應(yīng)于高頻磁場的載波頻率的1/128的信息傳輸頻率進(jìn)行。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，載波頻率固定在 13. 56MHz+/-7kHz 上。為了確保讀卡設(shè)備與非接觸式可讀卡之間可靠的信號傳輸，未調(diào)制的磁場強(qiáng)度與經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度需具有預(yù)給定的關(guān)系。為此，在標(biāo)準(zhǔn)中定義了所謂的調(diào)制指數(shù)m。所述調(diào)制指數(shù)作為未調(diào)制的磁場強(qiáng)度和經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度的差與這兩個(gè)磁場強(qiáng)度的和的商。在公式上表達(dá)為
r πa-bm =-
a + b為了確保非接觸式可讀卡可靠地識別調(diào)制信號、即所傳輸?shù)男畔?，調(diào)制指數(shù)的預(yù)給定是必需的。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)IS0/IEC 14443，調(diào)制指數(shù)應(yīng)當(dāng)例如在8%與14%之間。對于由ICAO標(biāo)準(zhǔn)化的識別卡，甚至限制到10%到14%的值范圍上。如果讀卡設(shè)備沒有遵守調(diào)制指數(shù)的預(yù)給定值，則這往往導(dǎo)致不能成功地與讀卡設(shè)備的近距范圍中的非接觸式可讀卡進(jìn)行通信。此外在實(shí)踐中已表明，高頻磁場中實(shí)際出現(xiàn)的調(diào)制指數(shù)取決于例如溫度、近距范圍周圍環(huán)境中的材料、非接觸式可讀卡、非接觸式可讀卡的固有參數(shù)的外部影響，例如取決于非接觸式可讀卡的接收電路和/或集成電路、即微芯片等。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的技術(shù)問題在于，提供一種讀卡設(shè)備和一種用于運(yùn)行讀卡設(shè)備的方法，利用它們來實(shí)現(xiàn)更高的通信可靠性和安全性。通信可靠性說明當(dāng)非接觸式可讀卡位于讀卡設(shè)備的近距范圍中時(shí)實(shí)現(xiàn)讀卡設(shè)備與非接觸式可讀卡之間的通信的度量。通信安全性是在通信時(shí)正確地傳輸所交換的信息的度量。根據(jù)本發(fā)明，所述技術(shù)問題通過具有權(quán)利要求1的特征的方法以及具有權(quán)利要求 10的特征的讀卡設(shè)備解決。由從屬權(quán)利要求得到本發(fā)明的有利實(shí)施方式。本發(fā)明所基于的構(gòu)思在于，如果在讀卡設(shè)備的近距范圍中存在非接觸式可讀卡時(shí)形成的高頻磁場的調(diào)制指數(shù)盡可能準(zhǔn)確地對應(yīng)于所述調(diào)制指數(shù)的預(yù)給定值，則可以提高通信可靠性和安全性。為了實(shí)現(xiàn)以上所述，求得磁場中實(shí)際存在的調(diào)制指數(shù)并且根據(jù)所求得的調(diào)制指數(shù)與預(yù)給定值的比較來重新調(diào)節(jié)或控制高頻磁場的產(chǎn)生，從而在高頻磁場中出現(xiàn)的調(diào)制指數(shù)接近于和/或達(dá)到所述預(yù)給定值。為了可以求得調(diào)制指數(shù)，需要在讀卡設(shè)備中檢測由讀卡設(shè)備產(chǎn)生的高頻磁場。為此需要與用于產(chǎn)生高頻磁場的發(fā)射天線或電感分開構(gòu)造的接收電感或接收天線。隨后，分析處理所接收的信號，以便求得調(diào)制指數(shù)。特別地，提出一種用于運(yùn)行讀卡設(shè)備的方法，所述方法包括以下步驟在讀卡設(shè)備的近距范圍中產(chǎn)生高頻磁場，其中，控制高頻磁場的磁場強(qiáng)度以進(jìn)行與非接觸式可讀卡的通信，其中，在從讀卡設(shè)備向位于近距范圍中的非接觸式可讀卡傳輸信息時(shí)執(zhí)行兩個(gè)不等于0的磁場強(qiáng)度之間、即未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a與經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b之間的振幅鍵控調(diào)制； 分析處理所述高頻磁場，以便檢測和分析通過位于近距范圍中的非接觸式可讀卡導(dǎo)致的高頻磁場的變化。在此提出為了分析處理高頻磁場，以與所使用的發(fā)射天線或發(fā)射電感不同的接收電感或接收天線來接收是用于高頻磁場的磁場強(qiáng)度的度量的高頻磁場信號，以及根據(jù)所接收的高頻磁場信號來求得調(diào)制指數(shù)Hi3wi，其中，調(diào)制指數(shù)m被構(gòu)造為未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a與經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b的差與這兩個(gè)磁場強(qiáng)度的和的商(m= (a_b)/(a+b))，以及將所求得的調(diào)制指數(shù)m-與預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)進(jìn)行比較，以及在控制高頻磁場的產(chǎn)生時(shí)匹配所述磁場強(qiáng)度，使得所求得的調(diào)制指數(shù)接近于預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)Hii^p為了求得調(diào)制指數(shù)，僅僅經(jīng)調(diào)制的高頻磁場與未調(diào)制的高頻磁場的相對關(guān)系是重要的。因此，在本發(fā)明的上下文中提到磁場強(qiáng)度的求得時(shí)，總是僅僅指代表磁場強(qiáng)度的值的求得。不需要絕對的磁場強(qiáng)度。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，高頻磁場的磁場強(qiáng)度以高頻磁場的載波頻率振蕩。所接收的高頻磁場信號又以高頻磁場的頻率振蕩。例如，高頻磁場信號的振幅的峰-峰值是振蕩的高頻磁場的磁場強(qiáng)度的度量。因此可以將高頻磁場信號視為高頻磁場的磁場強(qiáng)度的度量。
此外，提供一種讀卡設(shè)備，其用于與所述讀卡設(shè)備的近距范圍中的非接觸式可讀卡的通信，所述讀卡設(shè)備包括可控制的發(fā)射單元，其用于在讀卡設(shè)備的近距范圍中產(chǎn)生高頻磁場，其中，所述高頻磁場的磁場強(qiáng)度是可控制的，以便進(jìn)行與非接觸式可讀卡的通信， 其中，所述發(fā)射單元被構(gòu)造用于為了從讀卡設(shè)備向位于近距范圍中的非接觸式可讀卡傳輸信息而執(zhí)行兩個(gè)不等于O的磁場強(qiáng)度之間、即未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a與經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b 之間的振幅鍵控調(diào)制；以及分析處理單元，其用于分析處理所述高頻磁場，以便檢測和分析通過位于近距范圍中的非接觸式可讀卡導(dǎo)致的磁場的變化。所述讀卡設(shè)備包括與用于產(chǎn)生高頻磁場的發(fā)射天線或發(fā)射電感不同的接收電感或接收天線，用于接收是高頻磁場的磁場強(qiáng)度的度量的高頻磁場信號，其中，接收電感或接收天線與分析處理單元連接。分析處理單元包括檢測電路，所述檢測電路求得代表當(dāng)前所接收的磁場強(qiáng)度的值并且將所述值輸送給控制單元?？刂茊卧粯?gòu)造用于求得調(diào)制指數(shù)mW4，其中，調(diào)制指數(shù)m被定義為未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a與經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b的差與這兩個(gè)磁場強(qiáng)度a、b的和的商(m = (a_b) / (a+b))。 控制單元還被構(gòu)造用于將所求得的調(diào)制指數(shù)！!^*與預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)進(jìn)行比較，并且控制發(fā)射單元，以便使所求得的調(diào)制指數(shù)接近于預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)mB#。如果將未調(diào)制的磁場強(qiáng)度與最大磁場強(qiáng)度相關(guān)聯(lián)并且將經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度與不等于0的下降的磁場強(qiáng)度相關(guān)聯(lián)，則在所求得的調(diào)制指數(shù)Hi3wi小于調(diào)制指數(shù)的預(yù)給定值m^^時(shí)減小下降的磁場強(qiáng)度。相應(yīng)地，如果所求得的調(diào)制指數(shù)大于調(diào)制指數(shù)的預(yù)給定值m麗合定，則提高經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度。高頻磁場的當(dāng)前磁場強(qiáng)度取決于周圍環(huán)境條件，尤其取決于讀卡設(shè)備或包含在讀卡設(shè)備中的電子裝置的溫度和/或位于近距范圍中的非接觸式可讀卡的特性和/或定向。 因此，調(diào)制指數(shù)也取決于這些周圍環(huán)境條件。通過如此重新調(diào)節(jié)調(diào)制指數(shù)，使得實(shí)際在高頻磁場中存在的調(diào)制指數(shù)盡可能精確地對應(yīng)于預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)或者位于所述預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)周圍的預(yù)給定的或可預(yù)給定的公差范圍內(nèi)，可以確保非接觸式可讀卡更可靠地接收由讀卡設(shè)備傳輸?shù)男畔?。由此確保， 可以與變化的局部條件或者非接觸式可讀卡的偏差的固有參數(shù)無關(guān)地執(zhí)行通信。特別地， 由此減少了在從非接觸式可讀卡中讀取數(shù)據(jù)時(shí)用于執(zhí)行通信的通信時(shí)間，因?yàn)轱@著地減少了不成功的通信嘗試的次數(shù)。特別是在固有參數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)值不同或者在與不利的周圍環(huán)境條件相結(jié)合的情況下導(dǎo)致與標(biāo)準(zhǔn)的偏差的非接觸式可讀卡中，可以基于在這里提出的調(diào)制指數(shù)重新調(diào)節(jié)來執(zhí)行在其他情況下可能不可行的通信。在邊境驗(yàn)關(guān)點(diǎn)，可以由此顯著地加快邊境驗(yàn)關(guān)，因?yàn)楦鲿车刈x取被構(gòu)造為非接觸式可讀卡的各個(gè)護(hù)照。此外，還可以在不利的周圍環(huán)境條件和/或波動(dòng)的周圍環(huán)境條件下讀取更多數(shù)量的電子證明文件。由此提高了配備有讀卡設(shè)備的檢查點(diǎn)的總流量。此外提高了檢查的安全性，因?yàn)轱@著地減小了根本無法讀取的電子證明文件的數(shù)量?？偠灾?，因此加快了人員檢查的檢驗(yàn)過程，所述人員檢查包括借助于讀卡設(shè)備從非接觸式可讀卡中讀取信息。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，也使用通過接收天線或接收電感接收的高頻磁場信號，以便將所述信號輸送給分析處理單元的解調(diào)單元，以便從中確定磁場在非接觸式可讀卡通過負(fù)載變化來調(diào)制高頻磁場并且由此向讀卡設(shè)備傳輸信息的那些時(shí)間間隔中的變化。 在其他實(shí)施方式中，在發(fā)射天線或發(fā)射電感處獲取用于解調(diào)的接收信號，如目前在現(xiàn)有技術(shù)中常見的那樣。優(yōu)選地，在一些實(shí)施方式中，至少在物理層上根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)IS0/IEC 14443來執(zhí)行讀卡設(shè)備與非接觸式可讀卡之間的通信?；诖丝梢詫?shí)施不同的通信標(biāo)準(zhǔn)。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，提出一個(gè)單獨(dú)的匹配序列，其所述匹配序列中，受控制地、迭代地在未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a與經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b之間進(jìn)行鍵控，并且使經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度和/或未調(diào)制的磁場強(qiáng)度分別根據(jù)所求得的調(diào)制指數(shù)111_與預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)
g的比較變化，以便實(shí)現(xiàn)所求得的調(diào)制指數(shù)！!^*接近于預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)Hii^p由此提供了如下可能性在合適的時(shí)刻促使調(diào)制指數(shù)或其重新調(diào)節(jié)的最優(yōu)匹配。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，控制單元被如此構(gòu)造，使得其控制讀卡設(shè)備與非接觸式可讀卡之間的全部通信。這意味著，控制單元也執(zhí)行根據(jù)OSI模型的高通信層上的程序。在本發(fā)明的一個(gè)進(jìn)一步構(gòu)型中提出，當(dāng)所求得的調(diào)制指數(shù)Hi3^與預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)偏差位于公差范圍內(nèi)或者執(zhí)行了預(yù)給定數(shù)量的迭代時(shí)，結(jié)束匹配序列。所述公差范圍可以相對于調(diào)制指數(shù)的預(yù)給定值對稱地或不對稱地確定。在確定數(shù)量的迭代之后中斷是有利的，因?yàn)橛纱舜_保在任何情形中都結(jié)束匹配序列，即使由于不利的情況而不可能實(shí)現(xiàn)調(diào)制指數(shù)的最優(yōu)匹配。例如，如果在幾個(gè)迭代步驟內(nèi)沒有實(shí)現(xiàn)最優(yōu)匹配，則也可以改變公差范圍。在一個(gè)實(shí)施方式中，以匹配序列鍵控頻率進(jìn)行匹配序列期間在未調(diào)制的磁場強(qiáng)度 a與經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b之間的迭代鍵控，所述匹配序列鍵控頻率不同于在鍵控時(shí)用于讀卡設(shè)備與非接觸式可讀卡之間的信息傳輸?shù)念l率，優(yōu)選與在鍵控時(shí)用于讀卡設(shè)備與非接觸式可讀卡之間的信息傳輸?shù)念l率偏差至少一個(gè)數(shù)量級。由此確保，匹配序列期間的振幅鍵控不被理解為從讀卡設(shè)備至非接觸式可讀卡的信息傳輸。特別優(yōu)選地，所使用的匹配序列鍵控頻率小于信號傳輸頻率，即從讀卡設(shè)備向非接觸式可讀卡傳輸各個(gè)比特的頻率。在一個(gè)實(shí)施方式中，在讀卡設(shè)備與非接觸式可讀卡之間傳輸信息期間執(zhí)行匹配序列，其中，為此中斷信息傳輸。由此可以確保，在持續(xù)較長時(shí)間的通信過程中，總是最優(yōu)地重新調(diào)節(jié)調(diào)制指數(shù)，即使近距范圍中的周圍環(huán)境條件例如由于非接觸式可讀卡與讀卡設(shè)備的距離變化而已經(jīng)改變。為了排除非接觸式可讀卡可能在匹配序列期間將磁場強(qiáng)度的鍵控解釋為信息傳輸并且嘗試對此進(jìn)行應(yīng)答，在一個(gè)實(shí)施方式中直接在關(guān)斷高頻磁場前執(zhí)行匹配序列。通常由讀卡設(shè)備以有規(guī)律的間隔、尤其是在不成功的輪詢序列之后來執(zhí)行這樣的高頻磁場關(guān)斷，以便確保位于近距范圍中的非接觸式可讀卡或者其包含其中的微芯片無電流地進(jìn)行通斷并且由此重置到定義的狀態(tài)中。因此，在一些實(shí)施方式中，僅僅或者至少也在不成功的輪詢序列之后在關(guān)斷高頻磁場之前來執(zhí)行匹配序列。由此確保，最優(yōu)地重新調(diào)節(jié)調(diào)制指數(shù)，從而在重置非接觸式可讀卡中的微處理器之后在隨后的輪詢序列開始時(shí)給出最優(yōu)的調(diào)制關(guān)系，從而顯著增大讀卡設(shè)備與非接觸式可讀卡之間成功通信的概率。同樣有利的是，如果例如在通信過程中對于某一時(shí)間間隔在讀卡設(shè)備與非接觸式可讀卡之間沒有交換信息，則在檢查非接觸式可讀卡是否始終位于近距范圍中之后執(zhí)行匹配序列，并且在繼續(xù)信息交換之前執(zhí)行所述匹配序列。由此，對于隨后的信息交換，再次最優(yōu)地重新調(diào)節(jié)調(diào)制指數(shù)。如果例如在隨后的信息交換中從非接觸式可讀卡中讀取較大的數(shù)據(jù)量，則可以由此確保以較高的概率完整并且正確地執(zhí)行所述讀取并且不必重新實(shí)施所述讀取，而在調(diào)制指數(shù)不是最優(yōu)的并且由此產(chǎn)生錯(cuò)誤傳輸或傳輸中斷的情形中必須重新實(shí)施所述讀取。優(yōu)選的讀卡設(shè)備的分析處理單元包括測量電路，其用于求得代表所接收的磁場強(qiáng)度的值以計(jì)算測得的調(diào)制指數(shù)，其中，所述測量電路由所接收的高頻磁場信號(60)確定代表磁場強(qiáng)度的值B3w^b3wi，使得這些值代表在時(shí)間上平均的磁場強(qiáng)度。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，測量電路包括檢測電路以及連接在所述檢測電路后面的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器，其中，所述檢測電路包括用于求得有效值、尤其是均方值的低通電路。平均是必需的，因?yàn)楦哳l磁場信號持續(xù)地以高頻磁場的高頻率振蕩。時(shí)間平均提供高頻磁場信號的包絡(luò)的度量，所述度量又代表高頻磁場振蕩的磁場強(qiáng)度振幅。通過模/數(shù)轉(zhuǎn)換器來數(shù)字化如此求得的振幅值并且將其提供給控制裝置，所述控制裝置相應(yīng)地控制受控制的發(fā)射單元，以便匹配磁場強(qiáng)度。已證實(shí)特別有利的是，如此構(gòu)造測量電路，使得所述測量電路分開地分析處理所接收的高頻磁場信號的正半波和負(fù)半波。在控制單元中，可以隨后分析處理針對正半波和負(fù)半波求得的磁場強(qiáng)度。由此，可以與所測得的高頻磁場信號中的共模部分無關(guān)。在讀卡設(shè)備的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，發(fā)射單元的調(diào)制電路連同分析處理單元的解調(diào)電路集成在一個(gè)可控制的集成電路中，其中，所產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度可通過輸出電阻的寄存器值來控制，而所述寄存器值可通過控制單元的控制命令來調(diào)整。這樣的集成電路因此為從讀卡設(shè)備至非接觸式可讀卡的通信以及從非接觸式可讀卡至讀卡設(shè)備的通信執(zhí)行調(diào)制和解調(diào)。通過控制單元來控制所述通信，所述控制單元一方面確定信息和在此用于至非接觸式可讀卡的傳輸?shù)拇艌鰪?qiáng)度而另一方面分析處理所接收的從解調(diào)獲得的信息。


以下參照附圖更詳細(xì)地說明本發(fā)明。附圖示出圖1 讀卡設(shè)備的一個(gè)實(shí)施方式的示意圖；圖2 匹配序列的示意性流程圖；圖3 所測得的磁場強(qiáng)度的可視化的示意圖；以及圖4 測量電路的示意圖。
具體實(shí)施例方式圖1中示意性地示出讀卡設(shè)備1。讀卡設(shè)備1包括控制單元2，所述控制單元2控制讀卡設(shè)備1的工作方式?？刂茊卧?通常包括微處理器、存儲器以及存儲在所述存儲器中的軟件，所述軟件可在所述微處理器上被執(zhí)行。出于簡化目的，未示出控制單元2的這些子組件?？刂茊卧粯?gòu)造用于控制通過點(diǎn)劃線示出的發(fā)射單元3。發(fā)射單元3被如此構(gòu)造， 使得發(fā)射單元3可以在讀卡設(shè)備1的近距范圍中產(chǎn)生高頻磁場。此外，發(fā)射單元3被如此構(gòu)造，使得發(fā)射單元3可以在控制單元2的控制下執(zhí)行磁場強(qiáng)度的振幅鍵控調(diào)制，以傳輸信息?？刂茊卧?為此包括調(diào)制單元4。調(diào)制單元4優(yōu)選被如此構(gòu)造，使得調(diào)制單元4可以根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)IS0/IEC 14443類型B來執(zhí)行信號調(diào)制。在一些實(shí)施方式中，調(diào)制單元4還可以被如此構(gòu)造，使得調(diào)制單元4可以在控制單元2的控制下執(zhí)行其他的調(diào)制方法。為了可以影響未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a和經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b，在所示出的實(shí)施方式中設(shè)置有用于經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度的阻抗寄存器5和用于未調(diào)制的磁場強(qiáng)度的阻抗寄存器6。通過可以通過控制單元2確定的值，由調(diào)制單元4按照調(diào)制設(shè)置輸出阻抗寄存器7的值。輸出阻抗寄存器 7的值確定驅(qū)動(dòng)器單元8的輸出阻抗。所述驅(qū)動(dòng)器單元8放大以例如13. 56MHz的載波頻率振蕩的振蕩器9的信號，并且產(chǎn)生發(fā)射信號。發(fā)射信號經(jīng)由濾波器單元10到達(dá)發(fā)射天線 11上。發(fā)射天線11優(yōu)選被構(gòu)造為具有線匝的發(fā)射電感。在現(xiàn)有技術(shù)中，在發(fā)射天線處通過調(diào)整電路附加地獲取接收信號，通過所述接收信號可以檢測在從非接觸式可讀卡至讀卡設(shè)備的信息傳輸期間由讀卡設(shè)備的近距范圍中的非接觸式可讀卡(未示出)引起的所產(chǎn)生的高頻磁場的變化。在這里示出的實(shí)施方式中，設(shè)置有通過雙點(diǎn)劃線示出的分析處理單元12。分析處理單元12與接收天線13耦合，所述接收天線優(yōu)選被構(gòu)造為具有線匝的接收電感。通過由發(fā)射單元3產(chǎn)生的高頻磁場感應(yīng)出的高頻磁場信號經(jīng)由分析處理單元12的調(diào)整電路14調(diào)整，用于進(jìn)一步處理。所接收的高頻磁場信號可以一方面輸送給解調(diào)單元15，所述解調(diào)單元根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)IS0/IEC 14443類型B進(jìn)行解調(diào)并且以數(shù)據(jù)的形式向控制單元輸出所獲得的信息。附加地，經(jīng)調(diào)整的所接收的高頻磁場信號輸送給測量電路16，所述測量電路分別求得代表高頻磁場的當(dāng)前磁場強(qiáng)度的值。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，高頻磁場的磁場強(qiáng)度以高頻磁場的載波頻率振蕩。高頻磁場信號又以高頻磁場的頻率振蕩。高頻磁場信號的振幅的峰-峰值是高頻磁場的磁場強(qiáng)度的度量。因此，可以將高頻磁場信號視為高頻磁場的磁場強(qiáng)度的度量。測量電路16根據(jù)高頻磁場信號分別求得當(dāng)前的、代表磁場強(qiáng)度的值。為此，分析所接收的高頻磁場信號的電壓。因?yàn)橐孕∮诟哳l磁場的載波頻率的頻率進(jìn)行振幅鍵控，所以可以通過感應(yīng)出的磁場信號的一個(gè)或多個(gè)半波的時(shí)間平均來求得磁場強(qiáng)度。如以下進(jìn)一步說明的，分別分開地分析處理正半波和負(fù)半波是有利的。在檢測電路17中，例如執(zhí)行這樣的平均。所述電路優(yōu)選被構(gòu)造為模擬電路。在后連接的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器18向控制單元2提供所求得的磁場強(qiáng)度的值。所述控制單元被構(gòu)造用于根據(jù)所接收的值在高頻磁場未調(diào)制和經(jīng)調(diào)制期間由已測得的值確定測得的調(diào)制指數(shù)。將所求得的調(diào)制指數(shù)Hi3wi與預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)m^^進(jìn)行比較。有利地如此進(jìn)行所述比較檢驗(yàn)所測得的調(diào)制指數(shù)是否位于圍繞預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)的公差范圍內(nèi)。所述公差范圍可以被構(gòu)造為對稱的，但不必須被構(gòu)造為對稱的。如果所求得的調(diào)制指數(shù)不在圍繞預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)的公差范圍內(nèi)，則控制單元 2改變用于經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度的阻抗寄存器5中的預(yù)給定值和/或用于未調(diào)制的磁場強(qiáng)度的阻抗寄存器6中的預(yù)給定值。可以固定地預(yù)給定或者在一些實(shí)施方式中通過接口 19來檢測或者輸入調(diào)制指數(shù)的預(yù)給定值和公差范圍的極限值δ tl、δ t2的預(yù)給定值。通過接口 19同樣可以交換應(yīng)當(dāng)向非接觸式可讀卡傳輸?shù)幕蛞延煞墙佑|式可讀卡接收的數(shù)據(jù)。接口 19可以是通信接口或者例如終端、具有圖形用戶界面的觸摸屏等形式的用戶接口。通過測量電路16或者檢測電路17的適當(dāng)選擇，可以實(shí)現(xiàn)在向非接觸式可讀卡傳輸數(shù)據(jù)的通信過程期間重新調(diào)節(jié)或控制調(diào)制指數(shù)。然而，在其他實(shí)施方式中提出，替換地或附加地執(zhí)行匹配序列。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，在集成芯片20中執(zhí)行調(diào)制和解調(diào)以及發(fā)射信號的信號產(chǎn)生。所述芯片20通過點(diǎn)虛線表示。在其他實(shí)施方式中，測量電路17也可以一起集成在芯片20中。在這種情形中，重新調(diào)節(jié)調(diào)制指數(shù)的功能也可以從控制單元轉(zhuǎn)移到芯片上。在其他實(shí)施方式中，不在接收天線處而在發(fā)射天線處獲取用于解調(diào)的信號。為此，設(shè)有單獨(dú)的調(diào)整電路。在又一些實(shí)施方式中，可以省去接收天線13與測量電路16和/或解調(diào)單元15之間的調(diào)整電路14。圖2中示出了匹配序列的可能的實(shí)施方式的示意性流程圖。匹配序列開始于功能框31。首先，將迭代計(jì)數(shù)器I設(shè)置32為值0。隨后，確定經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度的初始值33。 這可以例如通過如下方式進(jìn)行如在根據(jù)圖1的實(shí)施方式中那樣寫到用于經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度的阻抗寄存器5中。所述初始值可以理解為用于控制經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度的預(yù)給定值。隨后，使迭代計(jì)數(shù)器增加34。經(jīng)過一個(gè)時(shí)間間隔，以未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a來產(chǎn)生高頻磁場。借助于接收天線接收由高頻磁場感應(yīng)出的高頻磁場信號36。由此求得代表所接收的未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a的值a|WI37。隨后，以經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b產(chǎn)生磁場38。再次借助接收天線接收現(xiàn)在經(jīng)調(diào)制的高頻磁場信號39。由此求得代表經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b的另一值1^#40。隨后，確定調(diào)制指數(shù)m = (aS]#-bai]#)/(aai]#+ba,]#)410隨后，將測得的調(diào)制指數(shù)Hi3wi與調(diào)制指數(shù)的預(yù)給定值行比較42。在詢問43中檢驗(yàn)測得的調(diào)制指數(shù)是否在通過公差極限值δ t2和δ tl確定的公差范圍內(nèi)，即測得的調(diào)制指數(shù)是否在m預(yù)給定-δ t2與m預(yù)給定+ δ tl之間的間隔內(nèi)。如果是這樣，則結(jié)束匹配序列44。如果測得的調(diào)制指數(shù)不在預(yù)給定的公差范圍內(nèi)，則在詢問45中檢驗(yàn)測得的調(diào)制指數(shù)是否大于預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)加上第一公差極限 δ、46。如果是這樣，則增大用于控制經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度的預(yù)給定值，即減小輸出阻抗47。 隨后，在詢問48中檢驗(yàn)是否達(dá)到最大迭代數(shù)。如果是這樣，則結(jié)束匹配方法44。否則，從增加迭代次數(shù)的步驟34起重新經(jīng)歷所述方法。如果在詢問測得的調(diào)制指數(shù)是否大于預(yù)給定值加上第一公差極限δ tl46時(shí)確定不是這樣，則在詢問49中檢驗(yàn)測得的調(diào)制指數(shù)是否小于預(yù)給定值減去第二公差極限 δ、49。這個(gè)方法步驟僅僅是為了條理更清楚的目的插入的，并且可以在實(shí)際的方法中省略。如果是這樣，則減小用于控制經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度的預(yù)給定值，即增大根據(jù)圖1的驅(qū)動(dòng)器單元8的輸出電阻50。隨后，以詢問是否達(dá)到最大迭代數(shù)48來繼續(xù)所述方法。圖3中示出了示波圖的示圖，借助所述示波圖相對于時(shí)間圖形地示出所接收的高頻磁場信號60。在較小的綜合顯示窗61中可以看到輪詢序列62。在輪詢序列62期間改變周圍環(huán)境條件，使得磁場強(qiáng)度χ隨著時(shí)間t增大。由此可以看到，磁場強(qiáng)度可以根據(jù)讀卡設(shè)備的近距范圍中的周圍環(huán)境條件變化。不分辨高頻磁場的各個(gè)波動(dòng)。同樣，看不到從讀卡設(shè)備至非接觸式可讀卡的正在進(jìn)行的信號傳輸，因?yàn)橛捎谛盘杺鬏數(shù)逆I控頻率、即信號傳輸頻率而不可以在時(shí)間上分辨振幅被鍵控到經(jīng)調(diào)制的值上時(shí)的區(qū)段的持續(xù)時(shí)間。然而， 在完全在時(shí)間間隔65上關(guān)斷高頻磁場信號60之前，在輪詢序列62的結(jié)束63處可以看到所接收的高頻磁場信號60的包絡(luò)中的“切口” 64。在示波圖示圖的下部71中，放大地示出了綜合顯示窗61的通過括號66、67限定的區(qū)域。示出了匹配序列72期間的磁場信號60?？梢粤己玫刈R別出迭代地在未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a與經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b之間鍵控磁場強(qiáng)度。這以匹配序列鍵控頻率進(jìn)行。所述匹配序列鍵控頻率比信號傳輸序列的頻率小很多，從而可在時(shí)間上分辨地顯示匹配序列72 的鍵控?？梢粤己玫刈R別出經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度逐步下降，從而調(diào)制指數(shù)上升。在倒數(shù)第二鍵控步驟中超過了所期望的調(diào)制指數(shù)之后，重新略微增大經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度。現(xiàn)在測得的調(diào)制指數(shù)Hi3wi在圍繞調(diào)制指數(shù)的預(yù)給定值!^^^的公差范圍內(nèi)。隨后，結(jié)束匹配序列72。
可以有利地在輪詢序列62結(jié)束時(shí)執(zhí)行匹配序列，其方式是，在讀卡設(shè)備的近距范圍內(nèi)不建立與非接觸式可讀卡的通信。由此確保，在隨后的輪詢序列69開始時(shí)(參見圖3 的綜合顯示窗61)改善了成功的通信接收的機(jī)會(huì)。同樣可以有利的是，在通信過程中實(shí)施這樣的匹配序列72，其中，例如在信息交換序列之間產(chǎn)生時(shí)間間隙，在這些時(shí)間間隙中，例如讀卡設(shè)備在OSI模型中較高的層面上處理所讀入的信息或者在應(yīng)當(dāng)從非接觸式可讀卡中讀取其他數(shù)據(jù)之前等待外部源的信息。圖4中示意性地示出了示例性的測量電路。所接收的高頻磁場信號60連同參考電位81 —起饋入到前置放大器單元82中。隨后在二極管84、85處分離高頻磁場信號的正半波和負(fù)半波。檢測電路17被構(gòu)造為積分低通。檢測電路的信號隨后輸送到模/數(shù)轉(zhuǎn)換器18上，所述模/數(shù)轉(zhuǎn)換器18向控制單元傳輸所求得的值。通過分開地分析處理正半波和負(fù)半波，可以可靠地確定振幅，而與參考電位是否與高頻磁場信號60周期性地對稱地圍繞其振蕩的電位值一致無關(guān)。在圖4的上部區(qū)域中示出了電源86。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，僅僅描述了示例性的實(shí)施方式。在硬件方面以及在方法步驟的次序方面可以存在不同。附圖標(biāo)記列表1讀卡設(shè)備2控制單元3發(fā)射單元4調(diào)制單元5用于經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度的阻抗寄存器6用于未調(diào)制的磁場強(qiáng)度的阻抗寄存器7輸出阻抗寄存器8驅(qū)動(dòng)器單元
9振蕩器10濾波器單元11發(fā)射天線12分析處理單元13接收天線14調(diào)整電路15解調(diào)單元16測量電路17檢測電路18A/D轉(zhuǎn)換器19接口20集成芯片31-50方法步驟60高頻磁場信號61綜合顯示窗62輪詢序列
63結(jié)束
64切口
65時(shí)間間隔
66、67括號
69隨后的輪詢序列
71下部
72匹配序列
81參考電位
82前置放大器單元
84、85二極管
86電源
權(quán)利要求
1.用于運(yùn)行讀卡設(shè)備(PCD)(1)的方法，所述方法包括以下步驟在所述讀卡設(shè)備(PCD)(I)的近距范圍中產(chǎn)生高頻磁場，其中，控制所述高頻磁場的磁場強(qiáng)度，以便執(zhí)行與非接觸式可讀卡(PICC)的通信，其中，在從所述讀卡設(shè)備(PCD)(I)向位于所述近距范圍中的非接觸式可讀卡(PICC)傳輸信息時(shí)，在兩個(gè)不等于0的磁場強(qiáng)度之間、即在未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a與經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b之間執(zhí)行振幅鍵控調(diào)制；分析處理所述高頻磁場，以便檢測和分析通過位于所述近距范圍中的非接觸式可讀卡 (PICC)導(dǎo)致的所述高頻磁場的變化，其特征在于，為了分析處理所述高頻磁場，以與所使用的發(fā)射電感或發(fā)射天線不同的接收電感或接收天線來接收高頻磁場信號并且求得調(diào)制指數(shù)Hi3wi,其中，所述調(diào)制指數(shù)m被構(gòu)造為所述未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a和所述經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b的差與這兩個(gè)磁場強(qiáng)度a、b的和的商(m = (a-b) / (a+b))，以及將所求得的調(diào)制指數(shù)與預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)!％^^進(jìn)行比較，以及在控制所述高頻磁場的產(chǎn)生時(shí)匹配所述磁場強(qiáng)度，以便使所求得的調(diào)制指數(shù)Hi3wi接近于所述預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)mj^g。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述讀卡設(shè)備(1)被構(gòu)造用于根據(jù)標(biāo)準(zhǔn) IS0/IEC 14443 進(jìn)行通信。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在不成功的輪詢序列(62)結(jié)束時(shí)關(guān)斷所述高頻磁場之前或者在關(guān)斷所述高頻磁場之前，對發(fā)射信號進(jìn)行分析處理和重新調(diào)節(jié)，以便使所求得的調(diào)制指數(shù)Hl3wi匹配于所述預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)。
4.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，執(zhí)行單獨(dú)的匹配序列(72)， 在所述匹配序列中，受控制地、迭代地在所述未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a與所述經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b之間進(jìn)行鍵控，并且使所述經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度和/或所述未調(diào)制的磁場強(qiáng)度分別根據(jù)所求得的調(diào)制指數(shù)Hi3iwi與所述預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)Hi5^je的比較進(jìn)行變化，以便實(shí)現(xiàn)所求得的調(diào)制指數(shù)!!!《 接近于所述預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)m予頁給定。
5.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，當(dāng)所求得的調(diào)制指數(shù)!!!《 與所述預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)Hl5^g的偏差位于公差范圍內(nèi)或者執(zhí)行了預(yù)給定數(shù)量的迭代時(shí)，結(jié)束所述匹配序列。
6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述匹配序列(7 期間， 在所述未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a與所述經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b之間以匹配序列鍵控頻率進(jìn)行迭代的鍵控，所述匹配序列鍵控頻率不同于在鍵控時(shí)用于所述讀卡設(shè)備(1)與所述非接觸式可讀卡(PICC)之間的信息傳輸?shù)念l率，優(yōu)選與在鍵控時(shí)用于所述讀卡設(shè)備(1)與所述非接觸式可讀卡(PICC)之間的信息傳輸?shù)念l率偏差至少一個(gè)數(shù)量級。
7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述讀卡設(shè)備(1)與所述非接觸式可讀卡(PICC)之間的信息傳輸期間，在傳輸暫停時(shí)執(zhí)行所述匹配序列(72)。
8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，借助于檢測電路(17)來求得代表所述磁場強(qiáng)度的值S3w^b3wi，以計(jì)算所測得的調(diào)制指數(shù)HI3wi,其中，所述檢測電路(17) 由所接收的高頻磁場信號(60)確定代表所述磁場強(qiáng)度的值B3w^b3re，從而這些值代表在時(shí)間上平均的磁場強(qiáng)度。
9.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在繼續(xù)進(jìn)行信息交換之前，在檢驗(yàn)所述非接觸式可讀卡(PICC)是否始終位于所述近距范圍中之后執(zhí)行所述匹配序列。
10.讀卡設(shè)備(1)，所述讀卡設(shè)備用于與所述讀卡設(shè)備(1)的近距范圍中的非接觸式可讀卡進(jìn)行通信，所述讀卡設(shè)備包括可控制的發(fā)射單元(3)，其用于在所述讀卡設(shè)備(1)的近距范圍中產(chǎn)生高頻磁場，其中，所述高頻磁場的磁場強(qiáng)度是可控制的，以便執(zhí)行與所述非接觸式可讀卡(PICC)的通信，其中，所述發(fā)射單元(3)被構(gòu)造用于為了從所述讀卡設(shè)備(1)向位于所述近距范圍中的非接觸式可讀卡(PICC)進(jìn)行信息傳輸而在兩個(gè)不等于0的磁場強(qiáng)度之間、即在未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a與經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b之間執(zhí)行振幅鍵控調(diào)制；和分析處理單元(12)，其用于分析處理所述高頻磁場，以便檢測和分析通過位于所述近距范圍中的非接觸式可讀卡(PICC)導(dǎo)致的所述磁場的變化，其特征在于，與用于產(chǎn)生所述高頻磁場的發(fā)射天線(11)或發(fā)射電感不同的用于接收高頻磁場信號的接收天線(1 或接收電感與所述分析處理單元連接，所述分析處理單元包括檢測電路， 所述檢測電路求得所接收的磁場強(qiáng)度并且將所述磁場強(qiáng)度輸送給控制單元O)，所述控制單元被構(gòu)造用于求得調(diào)制指數(shù)！!!—，其中，所述調(diào)制指數(shù)m被定義為所述未調(diào)制的磁場強(qiáng)度 a和所述經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b的差與這兩個(gè)磁場強(qiáng)度a、b的和的商(m = (a_b) / (a+b))，所述控制單元還被構(gòu)造用于將所求得的調(diào)制指數(shù)Hi3wi與預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)Hli^g進(jìn)行比較， 并且控制所述發(fā)射單元( ，以便使所求得的調(diào)制指數(shù)！!!》*接近于所述預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)m預(yù)給定。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的讀卡設(shè)備(1)，其特征在于，所述讀卡設(shè)備(1)被構(gòu)造用于根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)IS0/IEC 14443進(jìn)行通信。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的讀卡設(shè)備(1)，其特征在于，所述控制單元( 被構(gòu)造用于在關(guān)斷所述高頻磁場之前、尤其是在不成功的輪詢序列(62)結(jié)束時(shí)進(jìn)行分析處理和控制匹配，以便使所求得的調(diào)制指數(shù)!!!《 接近于所述預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)Hli^p
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的讀卡設(shè)備(1)，其特征在于，所述控制單元 (2)被構(gòu)造用于執(zhí)行單獨(dú)的匹配序列(72)，其所述匹配序列中，迭代地在所述未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a與所述經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b之間對所述磁場的振幅進(jìn)行鍵控，并且使所述經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b和/或所述未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a分別根據(jù)所求得的調(diào)制指數(shù)與所述預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)的比較進(jìn)行變化，以便實(shí)現(xiàn)所求得的調(diào)制指數(shù)m·接近于所述預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)m預(yù)給定。
14.根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的讀卡設(shè)備(1)，其特征在于，所述控制單元 ⑵被構(gòu)造用于在所求得的調(diào)制指數(shù)ΠΙ—與所述預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)111_#的偏差位于圍繞所述預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)周圍的公差范圍內(nèi)或者執(zhí)行了預(yù)給定數(shù)量的迭代時(shí)結(jié)束所述匹配序列(72)。
15.根據(jù)權(quán)利要求10至14中任一項(xiàng)所述的讀卡設(shè)備(1)，其特征在于，所述控制單元 (2)被構(gòu)造用于在所述匹配序列(7 期間在所述未調(diào)制的磁場強(qiáng)度a與所述經(jīng)調(diào)制的磁場強(qiáng)度b之間以匹配序列鍵控頻率控制迭代的鍵控，所述匹配序列鍵控頻率不同于在鍵控時(shí)用于所述讀卡設(shè)備(1)與所述非接觸式可讀卡之間的信息傳輸?shù)念l率，優(yōu)選與在鍵控時(shí)用于所述讀卡設(shè)備(1)與所述非接觸式可讀卡之間的信息傳輸?shù)念l率偏差至少一個(gè)數(shù)量級。
16.根據(jù)權(quán)利要求10至15中任一項(xiàng)所述的讀卡設(shè)備(1)，其特征在于，所述控制單元(2)被構(gòu)造用于在所述讀卡設(shè)備(1)與所述非接觸式可讀卡之間的信息傳輸期間在傳輸暫停時(shí)執(zhí)行所述匹配序列。
17.根據(jù)權(quán)利要求10至16中任一項(xiàng)所述的讀卡設(shè)備(1)，其特征在于，所述分析處理單元(1 包括測量電路(16)，所述測量電路用于求得代表所接收的磁場強(qiáng)度的值^^^!^ #，以便計(jì)算所測得的調(diào)制指數(shù)Hi3wi，其中，所述測量電路由所接收的高頻磁場信號(60)確定代表所述磁場強(qiáng)度的值B3w^b3wi，從而所述值代表在時(shí)間上平均的磁場強(qiáng)度。
18.根據(jù)權(quán)利要求10至17中任一項(xiàng)所述的讀卡設(shè)備(1)，其特征在于，所述測量電路 (16)包括檢測電路(17)連同連接在所述檢測電路后面的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器，其中，所述檢測電路包括用于求得有效值(均方值)的低通電路。
19.根據(jù)權(quán)利要求10至18中任一項(xiàng)所述的讀卡設(shè)備(1)，其特征在于，所述測量電路 (16)分開地分析處理所接收的高頻磁場信號(60)的正半波和負(fù)半波。
20.根據(jù)權(quán)利要求10至19中任一項(xiàng)所述的讀卡設(shè)備(1)，其特征在于，所述發(fā)射單元(3)的調(diào)制電路與所述分析處理單元(1 的解調(diào)電路一起集成在一個(gè)可控制的集成電路中，其中，所產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度可通過輸出電阻值的寄存器值控制，所述寄存器值可通過所述控制單元O)的控制命令調(diào)節(jié)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于運(yùn)行讀卡設(shè)備(1)的方法以及一種讀卡設(shè)備(1)。所述讀卡設(shè)備有利地實(shí)現(xiàn)用于根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)ISO/IEC 14443類型B執(zhí)行與非接觸式可讀卡的通信。為了使近距范圍中在存在非接觸式可讀卡時(shí)出現(xiàn)的調(diào)制指數(shù)對應(yīng)于所期望的、預(yù)給定的調(diào)制指數(shù)，通過讀卡設(shè)備(1)的接收天線(13)接收并且分析處理磁場。在測得的調(diào)制指數(shù)與調(diào)制指數(shù)的預(yù)給定值之間有偏差時(shí)相應(yīng)地重新調(diào)節(jié)或控制調(diào)制指數(shù)，以便使測得的調(diào)制指數(shù)接近于預(yù)給定值。
文檔編號H04B5/02GK102326167SQ201080008399
公開日2012年1月18日 申請日期2010年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月20日
發(fā)明者D·巴拉蘇布拉馬尼安, F·彼得斯 申請人:聯(lián)邦印刷有限公司, 艾登蒂夫科技(印度)私人有限公司