專利名稱：具有光遮罩層的ct檢測(cè)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般性地涉及一種診斷成像，并且更加特別地涉及一種具有光遮罩層從而降低閃爍器與鄰近光電二極管之間串?dāng)_的CT檢測(cè)器。
背景技術(shù)：
通常，在計(jì)算機(jī)X線斷層攝影(CT)成像系統(tǒng)中，X射線源朝向諸如患者或一件行李箱的目標(biāo)或?qū)ο蟀l(fā)射扇形線束。以下，術(shù)語“目標(biāo)”和“對(duì)象”應(yīng)包括能夠被成像的任何物體。通過目標(biāo)減弱后，線束照射在放射線檢測(cè)器的陣列上。檢測(cè)器陣列接收到的減弱的線束輻射的強(qiáng)度通常依賴于目標(biāo)對(duì)x射線的減弱。檢測(cè)器陣列的每個(gè)檢測(cè)器元件產(chǎn)生單獨(dú)的電信號(hào)，指示由每個(gè)檢測(cè)器元件接收的減弱線束。電信號(hào)發(fā)送至用于分析的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其最終產(chǎn)生出圖像。
一般而言，x射線源和檢測(cè)器陣列圍繞成像平面內(nèi)且在目標(biāo)周圍的掃描架旋轉(zhuǎn)。X射線源通常包括有x射線管，其在焦點(diǎn)發(fā)射x射線束。X射線檢測(cè)器通常包括用于準(zhǔn)直在該檢測(cè)器處接收的x射線束的準(zhǔn)直儀、在準(zhǔn)直儀附近用于將x射線轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽艿拈W爍器、以及用于從鄰近的閃爍器接收光能并由其產(chǎn)生電信號(hào)的光電二極管。
通常，閃爍器陣列的每個(gè)閃爍器將x射線轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽?。每個(gè)閃爍器向與其鄰近的光電二極管釋放光能。每個(gè)光電二極管檢測(cè)光能并產(chǎn)生相應(yīng)的電信號(hào)。光電二極管的輸出隨后發(fā)送至用于圖像重建的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。
一般而言，光電二極管用于將接收的光信號(hào)或光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏?。通常，所產(chǎn)生的電流的量或值與所檢測(cè)的光能或信號(hào)的量成線性比例。因此，為了高效且有效的圖像重建，由閃爍器接收的x射線、由閃爍器發(fā)射的光、以及由光電二極管檢測(cè)的光必須局域化。即，若相鄰檢測(cè)器單元之間存在交叉連通，光電二極管的輸出質(zhì)量可能受到損害。這種交叉連通一般稱作“串?dāng)_”。
CT檢測(cè)器的檢測(cè)器單元之間的“串?dāng)_”在數(shù)據(jù)或信號(hào)在相鄰檢測(cè)器單元之間轉(zhuǎn)移時(shí)發(fā)生。一般而言，由于串?dāng)_導(dǎo)致在最終的重建CT圖像中出現(xiàn)偽影并導(dǎo)致較差的空間分辨率，因此試圖降低串?dāng)_。通常，在單個(gè)CT檢測(cè)器中可以產(chǎn)生四種不同類型的串?dāng)_。X射線串?dāng)_可以由于x射線在閃爍器單元間散射而發(fā)生。光反射器串?dāng)_由于通過圍繞閃爍器的反射器的光傳輸而發(fā)生。已知的CT檢測(cè)器利用鄰近的光耦合層，通常為環(huán)氧樹脂，從而將閃爍器陣列固定于光電二極管陣列。這種耦合層產(chǎn)生光耦合串?dāng)_。這是被俘獲并通過光耦合層進(jìn)入鄰近二極管上方區(qū)域中的光導(dǎo)致的，其中光在鄰近二極管上方區(qū)域最終吸收入二極管中并轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)。第四種類型的串?dāng)_為散射串?dāng)_。散射串?dāng)_是電和光的組合。這是由通常在靠近二極管區(qū)域之間邊界處產(chǎn)生的光子導(dǎo)致的。所產(chǎn)生的光在二極管的無場(chǎng)區(qū)域內(nèi)經(jīng)過散射，且一些由鄰近的二極管收集產(chǎn)生串?dāng)_。上述光耦合串?dāng)_和散射串?dāng)_將作為光轉(zhuǎn)移或光轉(zhuǎn)移串?dāng)_介紹。
串?dāng)_以及特別是串?dāng)_變化是CT成像器中偽影的主要原因。為了降低檢測(cè)器單元之間的串?dāng)_變化(任何形式)，因此以極緊密的公差制造CT檢測(cè)器，使得可以重建出高質(zhì)量且無偽影的CT圖象。多種串?dāng)_機(jī)制對(duì)于檢測(cè)器尺寸和其它性質(zhì)的小量變化非常敏感。閃爍器陣列與光電二極管陣列的未對(duì)準(zhǔn)使得由一個(gè)單元至其鄰近單元的串?dāng)_水平不均勻。為了降低由一個(gè)單元至另一個(gè)的串?dāng)_變化，需要二極管與閃爍器更高的對(duì)準(zhǔn)或不敏感的設(shè)計(jì)。
導(dǎo)致串?dāng)_的這種單元至單元變化的原因之一是單個(gè)光電二極管元件之間由光生載流子的散射產(chǎn)生的電串?dāng)_。光生載流子的橫向散射可以視作光電二極管集電結(jié)的光有源區(qū)的增大。這種橫向散射導(dǎo)致在某些光生載流子擴(kuò)散到其產(chǎn)生的單元收集范圍以外并由鄰近的單元收集時(shí)發(fā)生的橫向串?dāng)_。這種現(xiàn)象在背光二極管中更加顯著，因?yàn)槎O管厚度增大了收集以前的擴(kuò)散長(zhǎng)度。背光二極管為這樣的二極管陣列，其中光照射在與二極管結(jié)相反的二極管陣列的一側(cè)上。
因此，期望設(shè)計(jì)具有降低的電串?dāng)_從而改善圖像重建的CT檢測(cè)器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種CT檢測(cè)器，其采用光遮罩降低光電二極管之間的串?dāng)_和串?dāng)_變化來克服上述缺點(diǎn)。
在CT檢測(cè)器的光電二極管陣列與閃爍器陣列之間設(shè)置或形成光遮罩層?？梢匝豿軸、z軸或兩者延伸的光遮罩層設(shè)計(jì)為在光電二極管之間的邊界附近吸收和/或反射閃爍器陣列的閃爍器射出的光。通過此吸收和/或反射，由閃爍器至對(duì)應(yīng)于相鄰閃爍器的光電二極管的光子到電信號(hào)的轉(zhuǎn)移得到降低。該轉(zhuǎn)移可通過兩種機(jī)制發(fā)生首先，利用通過光耦合層的光傳輸，其次，利用半導(dǎo)體中光生載流子的產(chǎn)生和這些載流子向鄰近光電二極管的橫向擴(kuò)散。串?dāng)_的降低減小了重建圖像中的偽影，由此改善圖像的診斷價(jià)值。在另一實(shí)施例中，代替或除光吸收材料以外使用反光材料。
因此，根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明包括一種CT檢測(cè)器，其具有包括多個(gè)閃爍器的閃爍器陣列和具有多個(gè)光電二極管的光電二極管陣列，其構(gòu)造為檢測(cè)閃爍器陣列的亮度。CT檢測(cè)器包括設(shè)置在閃爍器陣列與光電二極管陣列之間的光遮罩。光遮罩構(gòu)造為降低閃爍器與鄰近光電二極管之間的光轉(zhuǎn)移。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種CT檢測(cè)器，其包括至少兩個(gè)彼此鄰近的閃爍器和至少兩個(gè)光電二極管。適當(dāng)?shù)嘏帕忻總€(gè)光電二極管，從而檢測(cè)各個(gè)閃爍器的發(fā)光。該CT檢測(cè)器還包括至少一個(gè)設(shè)置在該至少兩個(gè)閃爍器與該至少兩個(gè)光電二極管之間的光遮罩元件，從而降低閃爍器與相鄰光電二極管之間的光轉(zhuǎn)移。
根據(jù)另一方面，本發(fā)明包括一種CT系統(tǒng)，其包括具有在其中心設(shè)置的孔的可旋轉(zhuǎn)的掃描架，以及首尾可移動(dòng)通過該孔并構(gòu)造為定位用于CT數(shù)據(jù)獲取的目標(biāo)的工作臺(tái)。該CT系統(tǒng)還包括位于該可旋轉(zhuǎn)掃描架內(nèi)并構(gòu)造為向目標(biāo)投射高頻電磁能的高頻電磁能投射源，以及設(shè)置在可旋轉(zhuǎn)掃描架內(nèi)并構(gòu)造為檢測(cè)由該投射源投射并受該目標(biāo)影響的高頻電磁能的檢測(cè)器陣列。檢測(cè)器陣列包括閃爍器陣列和光電二極管陣列。檢測(cè)器陣列還包括層夾在閃爍器陣列與光電二極管陣列之間的光串?dāng)_抑制器陣列。
根據(jù)又一方面，本發(fā)明包括一種制造CT檢測(cè)器的方法，其包括提供閃爍器單元布置和提供光電二極管單元布置的步驟。該制造方法還包括提供光串?dāng)_遮罩，并排列閃爍器單元布置和光電二極管單元布置，使得光串?dāng)_遮罩夾在其間。
本發(fā)明的各種其它特征、目的及優(yōu)點(diǎn)將通過以下詳細(xì)介紹和附圖而變得明顯易懂。


附圖示出了一個(gè)體現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。其中圖1為CT成像系統(tǒng)的示意圖；圖2為圖1所示系統(tǒng)的方框示意圖；圖3為CT系統(tǒng)檢測(cè)器陣列的一個(gè)實(shí)施例的透視圖；圖4為檢測(cè)器一個(gè)實(shí)施例的透視圖；圖5為四切片模式下圖4中檢測(cè)器的各種構(gòu)造的圖示；圖6為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的CT檢測(cè)器的一部分的截面圖；圖7為用于非侵入包裹檢驗(yàn)系統(tǒng)的CT系統(tǒng)的繪視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的操作環(huán)境是關(guān)于四切片計(jì)算機(jī)X線斷層攝影(CT)系統(tǒng)介紹的。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，本發(fā)明可以同樣應(yīng)用于單切片或其它多切片構(gòu)造。另外，本發(fā)明將關(guān)于x射線的檢測(cè)和轉(zhuǎn)變來介紹。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)理解，本發(fā)明可以同樣應(yīng)用于其他高頻電磁能(諸如，伽馬射線)或更高能量粒子輻射(諸如，中子、電子或質(zhì)子)的檢測(cè)和轉(zhuǎn)變。本發(fā)明將關(guān)于“第三代”CT掃描儀來介紹，但其也可以同樣應(yīng)用于其它CT系統(tǒng)。
參照?qǐng)D1和2，計(jì)算機(jī)X線斷層攝影(CT)成像系統(tǒng)10示為包括代表“第三代”CT掃描儀的掃描架12。掃描架12具有x射線源14，其朝向掃描架12相對(duì)一側(cè)上的檢測(cè)器陣列18投射x射線束16。檢測(cè)器陣列18由共同感受通過醫(yī)療患者22投射的x射線的多個(gè)檢測(cè)器20形成。每個(gè)檢測(cè)器20產(chǎn)生出電信號(hào)，該電信號(hào)表現(xiàn)出照射的x射線束以及進(jìn)而隨其通過患者22而減弱的線束的強(qiáng)度。在掃描從而獲取x射線投射數(shù)據(jù)期間，掃描架12和安裝于其上的部件圍繞旋轉(zhuǎn)中心24旋轉(zhuǎn)。
掃描架12的旋轉(zhuǎn)和x射線源的工作由CT系統(tǒng)10的控制機(jī)構(gòu)26支配?？刂茩C(jī)構(gòu)26包括向x射線源14提供功率和定時(shí)信號(hào)的x射線控制器28和控制掃描架12的旋轉(zhuǎn)速度和位置的掃描架馬達(dá)控制器30?？刂茩C(jī)構(gòu)26中的數(shù)據(jù)收集系統(tǒng)(DAS)32采樣來自檢測(cè)器20的模擬數(shù)據(jù)，并將該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變?yōu)橛糜诤罄m(xù)處理的數(shù)字信號(hào)。圖像重建器34接收來自DAS的采樣且數(shù)字化的x射線數(shù)據(jù)，并進(jìn)行高速重建。重建的圖像作為輸入提供給在海量存儲(chǔ)裝置32中存儲(chǔ)圖像的計(jì)算機(jī)36。
計(jì)算機(jī)36還經(jīng)具有鍵盤的控制臺(tái)40接收來自操作者的指令和掃描參數(shù)。相關(guān)聯(lián)的陰極射線管顯示器42允許操作者觀察重建的圖像和來自計(jì)算機(jī)36的其它數(shù)據(jù)。操作者提供的指令和參數(shù)由計(jì)算機(jī)36利用，從而向DAS32、x射線控制器28和掃描架馬達(dá)控制器30提供控制信號(hào)和信息。另外，計(jì)算機(jī)36操作控制機(jī)動(dòng)工作臺(tái)46從而定位患者22和掃描架12的工作臺(tái)馬達(dá)控制器44。特別地，工作臺(tái)46移動(dòng)患者22部分通過掃描架開口48。
如圖3和4所示，檢測(cè)器陣列18包括形成閃爍器陣列56的多個(gè)閃爍器57。準(zhǔn)直儀(未示出)位于閃爍器陣列56的上方，從而在線束照射到閃爍器陣列56上之前準(zhǔn)直x射線束16。
在一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，檢測(cè)器陣列18包括57個(gè)檢測(cè)器20，每個(gè)檢測(cè)器20具有16×16的陣列尺寸。結(jié)果，陣列18具有16行和912列(16×57個(gè)檢測(cè)器)，其允許16個(gè)同時(shí)的切片數(shù)據(jù)由掃描架12的每次轉(zhuǎn)動(dòng)收集。另外，如將在下面更加詳細(xì)介紹的，每個(gè)檢測(cè)器包括設(shè)計(jì)用于降低沿x軸彼此相鄰的檢測(cè)器之間、或沿z軸彼此相鄰的檢測(cè)器之間、或兩者的串?dāng)_的光遮罩或?qū)?。按照慣例，檢測(cè)器的兩個(gè)平面內(nèi)的軸為x軸和z軸。x軸沿著掃描架旋轉(zhuǎn)的方向。
圖4中，開關(guān)陣列80和82為在閃爍器陣列56與DAS 32之間耦合的多維半導(dǎo)體陣列。開關(guān)陣列80和82包括排列為多維陣列的多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)(未示出)。FET陣列包括連接至每個(gè)各自的光電二極管60的多個(gè)電導(dǎo)線和經(jīng)柔性電性接口84電性連接至DAS 32的多個(gè)輸出導(dǎo)線。特別地，約二分之一的光電二極管的輸出電性連接至開關(guān)80，而另一半光電二極管的輸出電性連接至開關(guān)82。另外，可以在每個(gè)閃爍器57之間插入反射層(未示出)，從而降低來自鄰近閃爍器的光散射。每個(gè)檢測(cè)器20通過安裝支架79固定于檢測(cè)器框架77，見圖3。
開關(guān)陣列80和82還包括解碼器(未示出)，其根據(jù)期望數(shù)量的切片和對(duì)于每個(gè)切片的切片分辨率開啟、關(guān)閉或組合光電二極管的輸出。在一個(gè)實(shí)施例中，解碼器為現(xiàn)有技術(shù)已知的解碼芯片或FET控制器。解碼器包括與開關(guān)陣列80和82以及DAS 32耦合的多條輸出和控制線。在限定為16切片模式的一個(gè)實(shí)施例中，解碼器開啟開關(guān)80和82，使得所有行的光電二極管陣列52被激活，產(chǎn)生16個(gè)同時(shí)的切片數(shù)據(jù)用于通過DAS 32處理。顯然，多種其它的切片組合也是可以的。例如，解碼器還可以由其它切片模式選取，包括一、二和四切片模式。
如圖5所示，通過傳送適當(dāng)?shù)慕獯a器指令，開關(guān)陣列80和82可以構(gòu)造為四切片模式，從而由一或更多行光電二極管陣列52的四個(gè)切片收集數(shù)據(jù)。依據(jù)開關(guān)陣列80和82的具體構(gòu)造，可以啟用、禁用或組合光電二極管60的各種組合，使得切片厚度可以包括一、二、三或四行閃爍器陣列元件57。其它示例包括，包括一個(gè)切片、每個(gè)切片在1.25mm厚至20mm厚范圍內(nèi)的單切片模式，包括兩個(gè)切片、切片在1.25mm厚至10mm厚范圍內(nèi)的兩切片模式?？梢灶A(yù)期上述以外的其它模式。
本發(fā)明旨在一種光遮罩或?qū)?，其?gòu)造用于降低來自靠近二極管中檢測(cè)器單元之間縫隙的區(qū)域中的閃爍器的光子吸收。這些區(qū)域二極管中的光生載流子具有最高的可能性被鄰近的檢測(cè)器單元散射或收集。具體而言，光遮罩形成了交叉的光吸收抑制元件的格柵，光吸收抑制元件沿閃爍器陣列和光電二極管陣列橫向延伸并尺寸上與其相等。另外，光遮罩可以代替或除吸收材料或不透明材料以外由反光材料構(gòu)造。更加具體而言，光遮罩可以優(yōu)選由黑色聚酰胺、金屬、摻雜硅和不透明材料中的任何一種或組合來構(gòu)造。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的CT檢測(cè)器20的一部分的截面圖。如上所示和所述，檢測(cè)器20包括由多個(gè)閃爍器57形成的閃爍器陣列56。相鄰閃爍器通過通常填充有反光材料而形成反射器的縫隙86彼此分開。與閃爍器陣列56光耦合的為光電二極管陣列52，包括制造在半導(dǎo)體襯底61中的光電二極管60。每個(gè)閃爍器57具有對(duì)應(yīng)的光電二極管60。夾在閃爍器陣列與襯底之間的為光遮罩或?qū)?8，其包括多個(gè)遮光元件90。如上所述，光遮罩可以構(gòu)造為使得遮光元件沿x軸、z軸或兩軸延伸。
光吸收罩88設(shè)計(jì)用于降低由一個(gè)檢測(cè)器單元至其相鄰一個(gè)的串?dāng)_。更具體而言，遮光元件90設(shè)計(jì)用于降低閃爍器與相鄰閃爍器的光電二極管的串?dāng)_。另外，光遮罩設(shè)計(jì)為容許檢測(cè)器部件的誤對(duì)準(zhǔn)，和與之相關(guān)的串?dāng)_。即，光遮罩構(gòu)造為使得單個(gè)遮光元件尺寸上等于或優(yōu)選大于相鄰閃爍器之間的間隔。結(jié)果，光遮罩可用于緩解閃爍器陣列與光電二極管陣列的對(duì)準(zhǔn)要求。二極管中光子吸收的區(qū)域由光遮罩88的布置限定，而非閃爍器陣列56的對(duì)準(zhǔn)。另外，優(yōu)選光遮罩元件的厚度基本等于閃爍器陣列與光電二極管陣列之間的垂直間隔。
設(shè)想，光遮罩可以包括多種光吸收材料，且可以依據(jù)多種制造技術(shù)制造。因此，黑色聚酰胺為可以用于光吸收層的成分的一個(gè)示例。該黑色聚酰胺材料可以由Rolla，Missouri的Brewer Science Inc.購買。另外，考慮金屬和金屬化制造工藝。在另一實(shí)施例中，光電二極管陣列可以用產(chǎn)生光生載流子迅速復(fù)合的摻雜劑沉積或擴(kuò)散。若二極管由P型摻雜劑形成，一個(gè)示例為高濃度N型摻雜劑。在另一個(gè)實(shí)施例中，制造并應(yīng)用尺寸等于光電二極管陣列的機(jī)械格柵。也可嘗試?yán)貌煌该鞑牧系慕z網(wǎng)印刷來構(gòu)建光遮罩。另外，迄今為止，本發(fā)明所介紹的是關(guān)于通過光電二極管之間光吸收元件的引入來降低閃爍器與鄰近光電二極管之間的串?dāng)_；然而，可以設(shè)想可以使用反光元件阻擋和/或反射射向鄰近檢測(cè)器單元的光子。由此，可以通過降低串?dāng)_來增加光收集。還可以設(shè)想，可以使用成角度的反射元件進(jìn)一步增大光收集效率。
本發(fā)明所介紹的是關(guān)于來自醫(yī)學(xué)患者診斷數(shù)據(jù)的收集。本發(fā)明還可應(yīng)用于獲取非醫(yī)學(xué)數(shù)據(jù)的CT系統(tǒng)?，F(xiàn)在參照?qǐng)D7，包裹/行李檢查系統(tǒng)100包括其中具有開口104的可旋轉(zhuǎn)掃描架102，包裹或成件的行李可以通過開口104?？尚D(zhuǎn)掃描架102裝載有高頻電磁能源106，以及具有由閃爍器單元構(gòu)成的閃爍器陣列的檢測(cè)器組件108。還設(shè)置了傳送系統(tǒng)110，其包括由構(gòu)架114支撐從而使待掃描的包裹或行李件116自動(dòng)且連續(xù)地通過開口104的傳送帶112。目標(biāo)116由傳送帶112進(jìn)給通過開口104，隨后獲取了成像數(shù)據(jù)，并且傳送帶112按照受控且連續(xù)的方式將包裹116由開口104移開。結(jié)果，郵政檢驗(yàn)員、行李處理員、以及其他安檢人員可以非侵入地檢驗(yàn)包裹116的內(nèi)容搜索爆炸物、刀具、槍支、走私物品等。
因此，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，本發(fā)明包括一種CT檢測(cè)器，其具有包括多個(gè)閃爍器的閃爍器陣列和具有多個(gè)光電二極管的光電二極管陣列，其構(gòu)造為檢測(cè)閃爍器陣列的亮度。CT檢測(cè)器包括設(shè)置在閃爍器陣列與光電二極管陣列之間的光遮罩。光遮罩構(gòu)造為降低閃爍器與鄰近光電二極管之間的光轉(zhuǎn)移。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一種CT檢測(cè)器，其包括至少兩個(gè)彼此鄰近的閃爍器和至少兩個(gè)光電二極管。適當(dāng)?shù)嘏帕忻總€(gè)光電二極管，從而檢測(cè)各個(gè)閃爍器的發(fā)光。該CT檢測(cè)器還包括至少一個(gè)設(shè)置在該至少兩個(gè)閃爍器與該至少兩個(gè)光電二極管之間的光遮罩元件，從而降低閃爍器與相鄰光電二極管之間的光轉(zhuǎn)移。
根據(jù)另一實(shí)施例，本發(fā)明包括一種CT系統(tǒng)，其包括其中具有在中心設(shè)置的孔的可旋轉(zhuǎn)的掃描架，以及前后可移動(dòng)通過該孔并構(gòu)造為定位用于CT數(shù)據(jù)獲取的目標(biāo)的工作臺(tái)。該CT系統(tǒng)還包括位于該可旋轉(zhuǎn)掃描架內(nèi)并構(gòu)造為向目標(biāo)投射高頻電磁能的高頻電磁能投射源，以及設(shè)置在可旋轉(zhuǎn)掃描架內(nèi)并構(gòu)造為檢測(cè)由該投射源投射并受該目標(biāo)影響的高頻電磁能的檢測(cè)器陣列。檢測(cè)器陣列包括閃爍器陣列和光電二極管陣列。檢測(cè)器陣列還包括層夾在閃爍器陣列與光電二極管陣列之間的光串?dāng)_抑制器陣列。
根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，本發(fā)明包括一種制造CT檢測(cè)器的方法，其包括提供閃爍器單元布置和提供光電二極管單元布置的步驟。該制造方法還包括提供光串?dāng)_遮罩，并排列閃爍器單元布置和光電二極管單元布置，使得光串?dāng)_遮罩夾在其間。
已經(jīng)以優(yōu)選實(shí)施例的方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了介紹，應(yīng)認(rèn)可，除具體表述的以外，其它等效、替換和改進(jìn)是可以的，并屬于所附權(quán)利要求的范圍。
權(quán)利要求
1.一種CT檢測(cè)器，包括閃爍器陣列(56)，具有多個(gè)閃爍器(57)；光電二極管陣列(52)，具有多個(gè)光電二極管(60)并構(gòu)造為檢測(cè)閃爍器陣列(56)的發(fā)光；以及光遮罩(88)設(shè)置在閃爍器陣列(56)與光電二極管陣列(52)之間，并構(gòu)造為降低閃爍器(57)與相鄰光電二極管(60)之間的光轉(zhuǎn)移。
2.如權(quán)利要求1所述的CT檢測(cè)器，其中光遮罩(88)包括交叉的光抑制元件(90)的格柵。
3.如權(quán)利要求2所述的CT檢測(cè)器，其中該格柵尺寸上等于閃爍器陣列(56)和光電二極管陣列(52)。
4.如權(quán)利要求1所述的CT檢測(cè)器，其中光遮罩(88)由沿光電二極管陣列(52)的寬度橫向延伸的多個(gè)平行光抑制元件(90)限定。
5.如權(quán)利要求1所述的CT檢測(cè)器，其中光遮罩(88)由光吸收材料形成。
6.如權(quán)利要求1所述的CT檢測(cè)器，其中光遮罩(88)由反光材料形成。
7.如權(quán)利要求1所述的CT檢測(cè)器，其中每個(gè)閃爍器/光電二極管的組合限定一檢測(cè)器單元，且其中光遮罩(88)構(gòu)造為降低相鄰單元之間的串?dāng)_。
全文摘要
公開了一種用于CT檢測(cè)器的光遮罩層，其設(shè)置在CT檢測(cè)器的光電二極管陣列(52)與閃爍器陣列(56)之間。可以沿x軸、z軸或兩者延伸的光遮罩層設(shè)計(jì)為吸收和/或反射閃爍器陣列(56)的閃爍器(57)射出的光。通過此吸收和/或反射，由閃爍器至對(duì)應(yīng)于相鄰閃爍器的光電二極管的光轉(zhuǎn)移得到降低。此串?dāng)_的降低減小了重建圖像中的偽影，由此改善圖像的診斷價(jià)值。
文檔編號(hào)H04N5/321GK1644166SQ20041009583
公開日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2004年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月26日
發(fā)明者阿卜杜拉齊茲·伊克萊弗, 格雷戈里·S·澤曼, 喬治·E·波辛, 李文 申請(qǐng)人:Ge醫(yī)藥系統(tǒng)環(huán)球科技公司