專利名稱：高音揚(yáng)聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及揚(yáng)聲器，具體為一種高音揚(yáng)聲器。
背景技術(shù)：
高音揚(yáng)聲器包含一個(gè)其內(nèi)腔充滿吸音材料的后腔，在后腔上固定有導(dǎo)磁體，導(dǎo)磁體上固定有磁鐵，磁鐵上部固定有襯墊，襯墊上覆蓋有振膜，振膜下方固定有圓桶狀音圈架，音圈架上固定有音圈。高音揚(yáng)聲器在發(fā)出高音時(shí)，振膜易產(chǎn)生分割振動(dòng)——即振膜各部分振動(dòng)不同步，從而影響揚(yáng)聲器的高音音質(zhì)。為抑制或減弱分割振動(dòng)，高音揚(yáng)聲器的整個(gè)振膜劃分成幾個(gè)區(qū)域。由于現(xiàn)有高音揚(yáng)聲器的音圈架為圓桶狀，其與振膜的接觸區(qū)域有限，從音圈經(jīng)過音圈架傳達(dá)至振膜的能量是主要集中在邊緣，因此將能量限制住而無法有效分散到振膜上的各劃分區(qū)域，振膜擴(kuò)散性就不甚理想，從而影響高音揚(yáng)聲器的重放清晰度及重放靈敏度。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型解決現(xiàn)有高音揚(yáng)聲器音圈架結(jié)構(gòu)不合理、使振膜擴(kuò)散性不甚理想的問題，提供一種具有改進(jìn)結(jié)構(gòu)的高音揚(yáng)聲器。
本實(shí)用新型是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的高音揚(yáng)聲器，包含后腔，在后腔上固定有導(dǎo)磁體，導(dǎo)磁體上固定有磁鐵，磁鐵上部固定有導(dǎo)磁板，導(dǎo)磁板上部固定有襯墊，襯墊上覆蓋有振膜，振膜下方固定有音圈架，音圈架上固定有音圈，音圈架上端為截面為“V”形的環(huán)支撐。本實(shí)用新型與現(xiàn)有高音揚(yáng)聲器的區(qū)別就在于改變了音圈架的結(jié)構(gòu)和形狀，在現(xiàn)有的圓桶狀音圈架的基礎(chǔ)上，將上端制成截面為“V”形的環(huán)支撐，藉此使振膜的各劃分區(qū)域承受更一致、均勻的作用力。
為防止和避免高頻諧振的產(chǎn)生，音圈架上端的“V”形環(huán)支撐的表面上開有孔，以此防止音圈架振動(dòng)時(shí)產(chǎn)生高頻駐波。
本實(shí)用新型所述的高音揚(yáng)聲器抑制和減弱了高音揚(yáng)聲器振膜分割振動(dòng)現(xiàn)象，更重要的是使振膜的各劃分區(qū)域受力均勻，因此，其較現(xiàn)有高音揚(yáng)聲器重放靈敏度高，聲音特別是高音更自然優(yōu)美。


圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為音圈架的俯視圖；具體實(shí)施方式
高音揚(yáng)聲器，包含后腔 1，在后腔上固定有導(dǎo)磁體 2，導(dǎo)磁體上固定有磁鐵 3，磁鐵上部固定有導(dǎo)磁板 4，導(dǎo)磁板上部固定有襯墊 5，襯墊上覆蓋有振膜 6，振膜下方固定有音圈架 7，音圈架上固定有音圈 8，音圈架7上端為截面為“V”形的環(huán)支撐9。
振膜以截面為“V”形的環(huán)支撐的上邊緣為界分成三個(gè)區(qū)域(一個(gè)圓形、兩個(gè)同心的圓環(huán)形)，三個(gè)區(qū)域振膜的厚度比例從中心向外依次為2∶1.5∶1。在振膜被截面為“V”形的環(huán)支撐的上邊緣分成的三個(gè)區(qū)域中，振膜中心的圓形區(qū)域通常為外凸?fàn)睢⒄衲ぶ行牡膱A形區(qū)域制成凹狀，這樣，也有利于進(jìn)一步克服振膜的分割振動(dòng)。
音圈架上端的截面為“V”形的環(huán)支撐的表面上開有孔10。
權(quán)利要求1.一種高音揚(yáng)聲器，包含后腔(1)，在后腔上固定有導(dǎo)磁體(2)，導(dǎo)磁體上固定有磁鐵(3)，磁鐵上部固定有導(dǎo)磁板(4)，導(dǎo)磁板上部固定有襯墊(5)，襯墊上覆蓋有振膜(6)，振膜下方固定有音圈架(7)，音圈架上固定有音圈(8)，其特征為音圈架(7)上端為截面為“V”形的環(huán)支撐(9)。
2.如權(quán)利要求1所述的高音揚(yáng)聲器，其特征為音圈架上端的截面為“V”形的環(huán)支撐的表面上開有孔(10)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的高音揚(yáng)聲器，其特征為振膜以截面為“V”形的環(huán)支撐的上邊緣為界分成三個(gè)區(qū)域，三個(gè)區(qū)域振膜的厚度比例從中心向外依次為2∶1.5∶1。
4.如權(quán)利要求1或2所述的高音揚(yáng)聲器，其特征為振膜中心的圓形區(qū)域制成凹狀。
5.如權(quán)利要求3所述的高音揚(yáng)聲器，其特征為振膜中心的圓形區(qū)域制成凹狀。
專利摘要本實(shí)用新型為高音揚(yáng)聲器，包含后腔，在后腔上固定有導(dǎo)磁體，導(dǎo)磁體上固定有磁鐵，磁鐵上部固定有導(dǎo)磁板，導(dǎo)磁板上部固定有襯墊，襯墊上覆蓋有振膜，振膜下方固定有音圈架，音圈架上固定有音圈，音圈架上端為截面為“V”形的環(huán)支撐。本實(shí)用新型與現(xiàn)有高音揚(yáng)聲器的區(qū)別就在于改變了音圈架的結(jié)構(gòu)和形狀，在現(xiàn)有的圓桶狀音圈架的基礎(chǔ)上，將上端制成截面為“V”形的環(huán)支撐，藉此使振膜的各劃分區(qū)域承受更一致、均勻的作用力。該高音揚(yáng)聲器抑制和減弱了振膜分割振動(dòng)現(xiàn)象，更重要的是使振膜的各劃分區(qū)域受力均勻，因此，其較現(xiàn)有高音揚(yáng)聲器重放靈敏度高，聲音特別是高頻更自然優(yōu)美。
文檔編號H04R9/00GK2622976SQ03217488
公開日2004年6月30日 申請日期2003年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月29日
發(fā)明者郝晉青 申請人:郝晉青