布線基板及其制造方法
【專利說明】布線基板及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的相互參照
[0002]本國際申請基于2012年12月11日向日本特許廳申請的日本特許申請第2012 —270434號和2013年I月17日向日本特許廳申請的日本特許申請第2013 — 6194號主張優(yōu)先權(quán)，日本特許申請第2012 - 270434號的全部內(nèi)容和日本特許申請第2013 — 6194號的全部內(nèi)容引用到本國際申請中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及形成有通孔的布線基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]公知有一種在支承基板的兩表面形成通過交替層疊絕緣層和導(dǎo)體層而成的積層層的多層布線基板。在這樣的多層布線基板中，形成貫通支承基板的通孔并且在通孔的內(nèi)周面形成導(dǎo)體層，從而將形成于支承基板的上表面?zhèn)鹊姆e層層和形成于支承基板的下表面?zhèn)鹊姆e層層之間電連接。
[0005]而且，以往，公知有一種通過分別自基板的上表面?zhèn)群拖卤砻鎮(zhèn)日丈浼す?，來形成錐形形狀的頂部彼此相對的形狀的通孔的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)I)。采用該技術(shù)，即使在通孔的長徑比較高的情況下，也能夠在不使通孔的內(nèi)部產(chǎn)生空隙的前提下在通孔內(nèi)填充導(dǎo)體。
_6] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)_7] 專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開2003 - 46248號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明要解決的問題
[0010]但是，在上述專利文獻(xiàn)I所述的技術(shù)中，由于分別在上表面?zhèn)群拖卤砻鎮(zhèn)日丈浼す?，因此，可能?dǎo)致因自上表面?zhèn)鹊募す庹丈涠纬傻纳媳砻鎮(zhèn)韧着c因自下表面?zhèn)鹊募す庹丈涠纬傻南卤砻鎮(zhèn)韧椎奈恢闷啤?br>[0011]因此，考慮到上述的位置偏移，必須將覆蓋上表面?zhèn)韧椎拈_口部的上表面?zhèn)冗B接盤和覆蓋下表面?zhèn)韧椎拈_口部的下表面?zhèn)冗B接盤形成得較寬，存在妨礙了積層層內(nèi)的布線的高密度化的問題。
[0012]在本發(fā)明的一個方面中，期望提供一種能夠提高形成有通孔的布線基板的布線密度的技術(shù)和提供一種通過自基板一個表面照射激光來形成錐形形狀的頂部彼此相對的形狀的通孔的技術(shù)。
_3] 用于解決問題的方案
[0014]一個技術(shù)方案的本發(fā)明包括絕緣基體、通孔、上表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體、下表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體以及通孔導(dǎo)體。絕緣基體具有在第I絕緣層和第2絕緣層之間包含玻璃纖維的構(gòu)造。將絕緣基體的兩表面中的一個表面設(shè)為上表面并且將另一個表面設(shè)為下表面，通孔隨著自上表面朝向絕緣基體的內(nèi)部去而縮徑，并在玻璃纖維的位置處直徑變?yōu)樽钚?，并且隨著自玻璃纖維朝向下表面去而擴(kuò)徑。上表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體以覆蓋通孔的靠上表面?zhèn)鹊拈_口部的方式形成。下表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體以覆蓋通孔的靠下表面?zhèn)鹊拈_口部的方式形成。通孔導(dǎo)體形成在通孔內(nèi)，用于將上表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體和下表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體電連接。通孔的靠上表面?zhèn)鹊拈_口部的直徑大于通孔的靠下表面?zhèn)鹊拈_口部的直徑，上表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體的直徑也大于下表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體的直徑。
[0015]在本技術(shù)方案的發(fā)明中，絕緣基體具有在第I絕緣層和第2絕緣層之間包含玻璃纖維的構(gòu)造，因此，能夠利用以下所示的方法在絕緣基體的內(nèi)部形成通孔。
[0016]首先，制作具有將金屬層和絕緣基體依次層疊而成的構(gòu)造的層疊體。然后，通過自沒有配置金屬層的表面(以下稱為激光照射面)的一側(cè)向?qū)盈B體照射激光，從而在第2絕緣層內(nèi)形成隨著自激光照射面?zhèn)瘸蚪^緣基體的內(nèi)部去而縮徑的通孔。這是因為，從自激光照射面?zhèn)日丈涞募す庵蝎@得的熱能隨著自激光照射面?zhèn)瘸蚪^緣基體的內(nèi)部去而減少。另外，在第I絕緣層和第2絕緣層中，第2絕緣層配置于激光照射面?zhèn)取?br>[0017]而且，由于在第I絕緣層和第2絕緣層之間包含玻璃纖維，因此，第I絕緣層和第2絕緣層之間的區(qū)域(以下稱為玻璃纖維區(qū)域)相比于第I絕緣層和第2絕緣層難以因激光照射而發(fā)生熔化。因此，對于通過照射激光而形成在層疊體內(nèi)的通孔沿著層疊體的層疊方向的通孔形成速度而言，玻璃纖維區(qū)域的通孔形成速度慢于第2絕緣層內(nèi)的通孔形成速度。
[0018]因而，在因激光照射而形成于玻璃纖維區(qū)域內(nèi)的通孔貫通玻璃纖維區(qū)域之前，貫通第2絕緣層的通孔形成為隨著自激光照射面?zhèn)瘸蚪^緣基體的內(nèi)部去而縮徑的截頭圓錐狀。
[0019]然后，若激光貫通玻璃纖維區(qū)域，則來自激光照射面?zhèn)鹊募す饨?jīng)過第2絕緣層和玻璃纖維區(qū)域照射到第I絕緣層。由此，在第I絕緣層內(nèi)形成自玻璃纖維區(qū)域側(cè)朝向金屬層側(cè)的通孔，直到貫通第I絕緣層為止。
[0020]而且，若激光貫通第I絕緣層，則來自激光照射面?zhèn)鹊募す饨?jīng)過第2絕緣層和第I絕緣層照射到金屬層。因此，照射到金屬層的激光的熱能經(jīng)由金屬層而傳導(dǎo)至第I絕緣層。由此，貫通第I絕緣層的通孔形成為隨著自金屬層側(cè)朝向絕緣基體的內(nèi)部去而縮徑的截頭圓錐狀。這是因為，從金屬層獲得的熱能隨著自金屬層側(cè)朝向絕緣基體的內(nèi)部去而減少。
[0021]然后，在激光貫通金屬層之前停止照射激光。這是因為，與激光貫通金屬層之前相比，若激光貫通金屬層，則金屬層從激光獲得的熱能會急劇減少。
[0022]然后，既可以去除金屬層，也可以為了在絕緣基體上形成導(dǎo)體層而使用金屬層。
[0023]像這樣，能夠通過自層疊體的一個表面?zhèn)日丈浼す鈦硇纬呻S著自層疊體的一個表面朝向內(nèi)部去而縮徑并且隨著自內(nèi)部朝向另一個表面去而擴(kuò)徑的通孔。
[0024]由此，即使在通孔的長徑比較高的情況下，也能夠在不使通孔的內(nèi)部產(chǎn)生空隙的前提下填充通孔導(dǎo)體。而且，通孔的隔著玻璃纖維位于上表面?zhèn)鹊纳媳砻鎮(zhèn)炔糠趾透糁ＡЮw維位于下表面?zhèn)鹊南卤砻鎮(zhèn)炔糠种g不會發(fā)生位置偏移。因此，不需要考慮該位置偏移，而將以覆蓋通孔的靠上表面?zhèn)鹊拈_口部的方式形成的上表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體和以覆蓋通孔的靠下表面?zhèn)鹊拈_口部的方式形成的下表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體形成得較寬。
[0025]而且，在將絕緣基體的上表面設(shè)為上述激光照射面時，通孔的靠上表面?zhèn)鹊拈_口部的直徑變得大于通孔的靠下表面?zhèn)鹊拈_口部的直徑。其原因在于，自絕緣基體的上表面?zhèn)日丈浼す?，因此，上表面?zhèn)葟募す猥@得的熱能多于下表面?zhèn)葟募す猥@得的熱能。
[0026]而且，為了覆蓋通孔的開口部，覆蓋通孔的開口部的連接盤導(dǎo)體的直徑略大于通孔的開口部的直徑即可。因此，能夠使下表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體的直徑小于上表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體的直徑。
[0027]以上，對于絕緣基體的下表面?zhèn)榷裕恍枰紤]下表面?zhèn)扰c上表面?zhèn)戎g的位置偏移，而且能夠使下表面?zhèn)鹊倪B接盤導(dǎo)體的直徑小于上表面?zhèn)鹊倪B接盤導(dǎo)體的直徑，因此，與此相應(yīng)地，能夠在絕緣基體的下表面?zhèn)忍岣卟季€密度。
[0028]其他技術(shù)方案的本發(fā)明包括:多個通孔；以及上表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體和下表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體，該上表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體和下表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體分別與多個通孔相對應(yīng)設(shè)置，在絕緣基體的下表面上，在彼此相鄰的至少兩個下表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體之間形成有布線。由此，能夠?qū)蓚€下表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體之間的區(qū)域有效地用于布線，從而能夠在絕緣基體的下表面?zhèn)忍岣卟季€密度。
[0029]在本發(fā)明的另一其他的技術(shù)方案中，在絕緣基體的兩表面中的下表面的一側(cè)包括用于與IC芯片連接的連接端子。本技術(shù)方案的發(fā)明的布線基板中，下表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體的直徑小于上表面?zhèn)冗B接盤導(dǎo)體的直徑，因此，相比于絕緣基體的上表面?zhèn)?，絕緣基體的下表面?zhèn)鹊牟季€配置的自由度較高。因此，相比于絕緣基體的上表面?zhèn)?，在絕緣基體的下表面?zhèn)热菀滋岣哌B接端子的集成度，其中，連接端子是為了連接本技術(shù)方案的發(fā)明的布線基板和電子器件而設(shè)于布線基板的。而且，如本技術(shù)方案的發(fā)明的布線基板那樣，在包括貫通絕緣基體的上表面和下表面之間的通孔在內(nèi)的布線基板上，通常，在將IC芯片搭載于一個表面的情況下，在另一個表面連接其他的布線基板，這是因為連接端子的集成度在搭載IC芯片的一側(cè)變得較高。
[0030]在本發(fā)明的另一其他的技術(shù)方案中，將通孔中的隔著玻璃纖維位于上表面?zhèn)鹊牟糠衷O(shè)為上表面?zhèn)炔糠?，將通孔中的隔著玻璃纖維位于下表面?zhèn)鹊牟糠衷O(shè)為下表面?zhèn)炔糠?，上表面?zhèn)炔糠值慕孛娣e大于下表面?zhèn)炔糠值慕孛娣e。由此，相比于通孔的下表面?zhèn)炔糠?，在通孔的上表面?zhèn)炔糠譄崛萘孔兇?，因此，由搭載于下表面?zhèn)炔糠值碾娮悠骷a(chǎn)生的熱易于經(jīng)由通孔向絕緣基體的上表面?zhèn)壬⒎懦觯瑥亩軌蛱岣唠娮悠骷纳嵝浴?br>[0031]在本發(fā)明的另一其他的技術(shù)方案中，絕緣基體的上表面與玻璃纖維之間的距離大于絕緣基體的下表面與玻璃纖維之間的距離。由此，絕緣基體的下表面與玻璃纖維之間的距離變得越短，則通孔的直徑變?yōu)樽钚〉奈恢迷浇咏^緣基體的下表面，從而能夠減小通孔的靠下表面?zhèn)鹊拈_口部的直徑，與此