一種適于rfid的開關(guān)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及RFID閱讀器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種適于RFID的開關(guān)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]射頻識(shí)別(RadfoFrequencyldentificat1n，簡(jiǎn)稱RFID)技術(shù)是一種非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，它通過電磁波或電感禍合方式傳遞信號(hào)，以完成對(duì)目標(biāo)對(duì)象的自動(dòng)識(shí)別。與條形碼、磁卡、接觸式IC卡等其它自動(dòng)識(shí)別技術(shù)相比，即RFID技術(shù)具有識(shí)別過程無須人工干預(yù)、可同時(shí)識(shí)別多個(gè)目標(biāo)、信息存儲(chǔ)量大、可工作于各種惡劣環(huán)境等優(yōu)點(diǎn)。因此，RFID技術(shù)已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于固定資產(chǎn)管理、生產(chǎn)線自動(dòng)化、動(dòng)物和車輛識(shí)別、公路收費(fèi)、門禁系統(tǒng)、倉(cāng)儲(chǔ)、商品防偽、航空包裹管理、集裝箱管理等領(lǐng)域。
[0003]由于閱讀器和卡片之間的信息傳輸是通過射頻天線無線傳輸?shù)?，將卡片反饋回來的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化成數(shù)字信號(hào)是個(gè)重要的課題，在模數(shù)轉(zhuǎn)換的過程中，影響其速度的主要原因就是由開關(guān)電容電路引入的時(shí)間延遲問題。時(shí)間延遲為RC，R為開關(guān)的導(dǎo)通電阻，C為電容，引導(dǎo)開關(guān)技術(shù)就是通過提高柵壓來減小開關(guān)的導(dǎo)通電阻，從而減小時(shí)間延遲，提高轉(zhuǎn)換速度。
[0004]在一般的開關(guān)中為了減小MOS采樣開關(guān)中的溝道電荷注入和時(shí)鐘饋通效應(yīng)，提高采樣速率，現(xiàn)有技術(shù)中引入虛擬MOS器件，增加虛擬器件后的MOS采樣開關(guān)如圖1中所示。與普通的采樣開關(guān)電路相比，電路中增加了由0^_驅(qū)動(dòng)的虛擬開關(guān)M2，當(dāng)Ml斷開后，M2導(dǎo)通，前者沉積在CH上的溝道電荷被后者吸收以建立后者的溝道。然而這種開關(guān)速度比較慢，不能完全符合模數(shù)轉(zhuǎn)換器的要求，在高頻的情況下，更加明顯不足。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)現(xiàn)有開關(guān)速度慢，不能符合模數(shù)轉(zhuǎn)換器的要求，本發(fā)明提供了一種適于RFID的開關(guān)電路，從而提高開關(guān)速度，滿足模數(shù)轉(zhuǎn)換器的要求。
[0006]本發(fā)明提供了一種適于RFID的開關(guān)電路，包括:P型MOS管P1、P型MOS管P2、P型MOS 管 P3、電容 Cs、N 型 MOS 管 N1、N 型 MOS 管 N2、N 型 MOS 管 N3、N 型 MOS 管 N4、N 型 MOS管N5，N型MOS管N6，N型MOS管N7，其中:P1和NI的柵極接收控制信號(hào)Clks的輸入，N2和N7的柵極接收控制信號(hào)Clksb的輸入；
[0007]Pl源級(jí)漏級(jí)的一端連接著P2、N6，P1源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N1、P3、N3 ；P2柵極連接著P3、N6、N3，P2源級(jí)漏級(jí)的一端連接著P1、N6，P2源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著電容Cs、P3 ；P3柵極連接著N3、NUPL P3源級(jí)漏級(jí)的一端連接著P2、N6、N3，P3源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著電容Cs、P2 ；
[0008]NI源級(jí)漏級(jí)的一端連接著P1、P3、N3，N1源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著電容Cs、N2、N3、N4 ；N2源級(jí)漏級(jí)的一端接地，N2源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著Nl、Cs、N3、N4 ；N3柵極連接著N4、N5、N6、P3，N3源級(jí)漏級(jí)的一端連接著N2、Cs、N4、NI，N3源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N1、P3、Pl ；N4的柵極連接著N5、N3、N6、P2、P3，N4源級(jí)漏級(jí)的一端連接著N3、N2、Cs、NI，N4源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N5 ；N6柵極連接著P1、P2，N6源級(jí)漏級(jí)的一端連接著N5、N3、P2、P3、N4，N6源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N7 ；N7源級(jí)漏級(jí)的一端接地，N7源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N6 ；
[0009]N5柵極連接著N4、N3、N6、P2、P3，N5源級(jí)漏級(jí)的一端連接著N4，由N5的源級(jí)漏級(jí)形成一個(gè)自舉開關(guān)。
[0010]本發(fā)明實(shí)施例中當(dāng)elks為低電平，clksb為高電平，NI管導(dǎo)通，電容下極板被放電為O電平，電容上極板與電源之間的P2管因?yàn)镹6、N7管導(dǎo)通所以P2的柵壓降低后導(dǎo)通，使電容上極板充電至電源電壓，此時(shí)電容兩極板間電壓為電源電壓；當(dāng)elks為高電平時(shí)，反相器使電容上極板右側(cè)P3管導(dǎo)通，電容上極板與自舉開關(guān)管N5柵極相連，并且由于開關(guān)管N5柵極為高電平，所以開關(guān)管左側(cè)N4管導(dǎo)通，使電容下極板與開關(guān)管N5的源極相連，此時(shí)clksb為低電平，電容下極板成為“浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)”，開關(guān)管柵源電壓等于電容兩極板間電壓，即電源電壓。這種開關(guān)通過提高柵壓來減小開關(guān)的導(dǎo)通電阻，從而減小時(shí)間延遲，提高轉(zhuǎn)換速度。
【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0012]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的增加虛擬器件后的MOS采樣開關(guān)電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是本發(fā)明實(shí)施例中的適于RFID的開關(guān)電路結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0015]圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例中的適于RFID的開關(guān)電路，包括:P型MOS管P1、P型MOS 管 P2、P 型 MOS 管 P3、電容 Cs、N 型 MOS 管 N1、N 型 MOS 管 N2、N 型 MOS 管 N3、N 型 MOS 管N4、N型MOS管N5，N型MOS管N6，N型MOS管N7，其中:P1和NI的柵極接收控制信號(hào)Clks的輸入，N2和N7的柵極接收控制信號(hào)Clksb的輸入；P1源級(jí)漏級(jí)的一端連接著P2、N6，Pl源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N1、P3、N3 ；P2柵極連接著P3、N6、N3，P2源級(jí)漏級(jí)的一端連接著P1、N6，P2源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著電容Cs、P3 ；P3柵極連接著N3、NUP1, P3源級(jí)漏級(jí)的一端連接著P2、N6、N3，P3源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著電容Cs、P2 ；N1源級(jí)漏級(jí)的一端連接著P1、P3、N3，NI源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著電容Cs、N2、N3、N4 ；N2源級(jí)漏級(jí)的一端接地，N2源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著Nl、Cs、N3、N4 ；N3柵極連接著N4、N5、N6、P3，N3源級(jí)漏級(jí)的一端連接著N2、Cs、N4、NI，N3源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N1、P3、Pl ；N4的柵極連接著N5、N3、N6、P2、P3，N4源級(jí)漏級(jí)的一端連接著N3、N2、Cs、NI，N4源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N5 ；N6柵極連接著P1、P2，N6源級(jí)漏級(jí)的一端連接著N5、N3、P2、P3、N4，N6源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N7 ；N7源級(jí)漏級(jí)的一端接地，N7源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N6 ；N5柵極連接著N4、N3、N6、P2、P3，N5源級(jí)漏級(jí)的一端連接著N4，由N5的源級(jí)漏級(jí)形成一個(gè)自舉開關(guān)。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例中當(dāng)elks為低電平，clksb為高電平，NI管導(dǎo)通，電容下極板被放電為O電平，電容上極板與電源之間的P2管因?yàn)镹6、N7管導(dǎo)通所以P2的柵壓降低后導(dǎo)通，使電容上極板充電至電源電壓，此時(shí)電容兩極板間電壓為電源電壓；當(dāng)elks為高電平時(shí)，反相器使電容上極板右側(cè)P3管導(dǎo)通，電容上極板與自舉開關(guān)管N5柵極相連，并且由于開關(guān)管N5柵極為高電平，所以開關(guān)管左側(cè)N4管導(dǎo)通，使電容下極板與開關(guān)管N5的源極相連，此時(shí)clksb為低電平，電容下極板成為“浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)”，開關(guān)管柵源電壓等于電容兩極板間電壓，即電源電壓。這種開關(guān)通過提高柵壓來減小開關(guān)的導(dǎo)通電阻，從而減小時(shí)間延遲，提高轉(zhuǎn)換速度。
[0017]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解上述實(shí)施例的各種方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件來完成，該程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，存儲(chǔ)介質(zhì)可以包括:只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，RandomAccess Memory)、磁盤或光盤等。
[0018]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的適于RFID的開關(guān)電路進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種適于RFID的開關(guān)電路，其特征在于，包括:P型MOS管P1、P型MOS管P2、P型MOS 管 P3、電容 Cs、N 型 MOS 管 N1、N 型 MOS 管 N2、N 型 MOS 管 N3、N 型 MOS 管 N4、N 型 MOS管N5，N型MOS管N6，N型MOS管N7，其中:P1和NI的柵極接收控制信號(hào)Clks的輸入，N2和N7的柵極接收控制信號(hào)Clksb的輸入； Pl源級(jí)漏級(jí)的一端連接著P2、N6，P1源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N1、P3、N3 ；P2柵極連接著P3、N6、N3，P2源級(jí)漏級(jí)的一端連接著P1、N6，P2源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著電容Cs、P3 ；P3柵極連接著N3、N1、P1，P3源級(jí)漏級(jí)的一端連接著P2、N6、N3，P3源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著電容Cs、P2 ； NI源級(jí)漏級(jí)的一端連接著P1、P3、N3，N1源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著電容Cs、N2、N3、N4 ；N2源級(jí)漏級(jí)的一端接地，N2源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著Nl、Cs、N3、N4 ；N3柵極連接著N4、N5、N6、P3，N3源級(jí)漏級(jí)的一端連接著N2、Cs、N4、NI，N3源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N1、P3、Pl ；N4的柵極連接著N5、N3、N6、P2、P3，N4源級(jí)漏級(jí)的一端連接著N3、N2、Cs、NI，N4源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N5 ；N6柵極連接著P1、P2，N6源級(jí)漏級(jí)的一端連接著N5、N3、P2、P3、N4，N6源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N7 ；N7源級(jí)漏級(jí)的一端接地，N7源級(jí)漏級(jí)的另一端連接著N6 ； N5柵極連接著N4、N3、N6、P2、P3，N5源級(jí)漏級(jí)的一端連接著N4，由N5的源級(jí)漏級(jí)形成一個(gè)自舉開關(guān)。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種適于RFID的開關(guān)電路，包括：P型MOS管P1、P型MOS管P2、P型MOS管P3、電容Cs、N型MOS管N1、N型MOS管N2、N型MOS管N3、N型MOS管N4、N型MOS管N5，N型MOS管N6，N型MOS管N7，其中：P1和N1的柵極接收控制信號(hào)Clks的輸入，N2和N7的柵極接收控制信號(hào)Clksb的輸入；N5柵極連接著N4、N3、N6、P2、P3，N5源級(jí)漏級(jí)的一端連接著N4，由N5的源級(jí)漏級(jí)形成一個(gè)自舉開關(guān)。本發(fā)明實(shí)施例的開關(guān)通過提高柵壓來減小開關(guān)的導(dǎo)通電阻，從而減小時(shí)間延遲，提高轉(zhuǎn)換速度。
【IPC分類】H03K17-04, H03K17-687
【公開號(hào)】CN104796126
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510133902
【發(fā)明人】吳勁, 李仕仁, 曾圣勇, 黃海娜, 陳天維
【申請(qǐng)人】佛山酷微微電子有限公司, 廣東中澤自動(dòng)識(shí)別技術(shù)有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請(qǐng)日】2015年3月25日