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一種晶閘管閥體的制作方法

文檔序號:8397840閱讀:403來源:國知局
一種晶閘管閥體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
:
[0001]本發(fā)明涉及一種晶閘管閥體,更具體涉及一種四端電容器的晶閘管閥體。
【背景技術(shù)】
:
[0002]隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,晶閘管閥組被廣泛應(yīng)用于TCR、TSC、可控高抗、融冰等多種電力領(lǐng)域中。而晶閘管閥能否正常觸發(fā)、不受干擾一直是整個(gè)晶閘管閥正常工作的重點(diǎn)。晶閘管閥的運(yùn)行狀況主要依靠準(zhǔn)確的觸發(fā)和正確的檢測兩部分的性能來評價(jià)。要保證這兩種功能正常,首要問題就是晶閘管電子板(Thyri stor EI ectroni cs,簡稱TE板)的取能回路的可靠性。傳統(tǒng)的晶閘管閥體采用的TE板觸發(fā)晶閘管,其阻容吸收回路也是TE板的取能回路。即阻容回路不但作為晶閘管閥的吸收均壓保護(hù)使用,還作為TE板電源的來源。這種方式的弊端是,TE板承受的電壓電流較高,TE板尺寸大,且由于TE板與晶閘管取能回路是串聯(lián)關(guān)系,取能回路容易對TE板工作造成干擾。
[0003]因此,現(xiàn)采用一種新型的四端電容器,可以將阻容吸收回路分出一條支路(電流電壓較小)作為取能回路。這樣可以降低TE板承受電壓,從而減小TE板尺寸,還可以防止取能回路對TE板工作造成的干擾。使TE板更加可靠地運(yùn)行。

【發(fā)明內(nèi)容】

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[0004]本發(fā)明的目的是提供一種晶閘管閥體,該晶閘管閥體可以優(yōu)化晶閘管電子板的取能回路,保證該晶閘管電子板功能可靠。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種晶閘管閥體,該晶閘管閥體包括晶閘管電子板和反向并聯(lián)的晶閘管;所述反向并聯(lián)晶閘管與三個(gè)電容器并聯(lián);所述晶閘管電子板的兩端分別通過一個(gè)電容器與所述三個(gè)電容器中位于中間的電容器兩端連接。
[0006]本發(fā)明提供的一種晶閘管閥體,所述三個(gè)電容器的容值分別為吸收電容的三分之
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[0007]本發(fā)明提供的一種晶閘管閥體,所述晶閘管電子板兩端分別串聯(lián)的一個(gè)電容器的容值是所述吸收電容的三十分之一。
[0008]本發(fā)明提供的另一優(yōu)選的一種晶閘管閥體,所述晶閘管電子板兩端與各自連接的電容器間分別設(shè)有支路電阻。
[0009]本發(fā)明提供的再一優(yōu)選的一種晶閘管閥體,所述反向并聯(lián)晶閘管兩端與各自對應(yīng)的串聯(lián)的三個(gè)電容器兩端間分別設(shè)有吸收電阻。
[0010]本發(fā)明提供的又一優(yōu)選的一種晶閘管閥體,所述晶閘管包括由下到上的管座、芯片和管蓋;所述芯片包括依次軸向設(shè)置的陽極側(cè)鑰片,硅片和陰極側(cè)鑰片。
[0011]本發(fā)明提供的又一優(yōu)選的一種晶閘管閥體,所述硅片包括豎直依次設(shè)置的擴(kuò)磷區(qū)N+、短基區(qū)P1、長基區(qū)N、短基區(qū)P2和濃硼擴(kuò)散區(qū)P+ ;所述擴(kuò)磷區(qū)N+上設(shè)有陰極和門極,所述濃硼擴(kuò)散區(qū)P+上設(shè)有陽極;所述硅片四周設(shè)有隔離墻,所述隔離墻表面設(shè)有軸向孔。
[0012]本發(fā)明提供的又一優(yōu)選的一種晶閘管閥體,所述晶閘管電子板的取能回路包括支路電阻及與晶閘管電子板兩端各自連接的電容器;所述晶閘管閥體的吸收回路包括與所述反向并聯(lián)晶閘管連接的三個(gè)電容器以及吸收電阻;與所述晶閘管電子板串聯(lián)的兩只取能電容以及與所述反向并聯(lián)晶閘管并聯(lián)的三只吸收電容共同組成一只四端電容器。
[0013]本發(fā)明提供的又一優(yōu)選的一種晶閘管閥體,所述晶閘管電子板包括的并聯(lián)的二極管D1、晶閘管Ta和二極管D2串聯(lián)電容Cl后的支路;所述二極管Dl與所述二極管D2反向并聯(lián),所述二極管Dl與所述晶閘管Ta反向并聯(lián);所述晶閘管Ta的門極串聯(lián)電阻Rl和正向穩(wěn)壓管Dz,所述穩(wěn)壓管Dz的陰極連接所述二極管D2的陽極;所述二極管Dl的兩端分別與各自對應(yīng)的所述支路電阻連接。
[0014]本發(fā)明提供的又一優(yōu)選的一種晶閘管閥體,當(dāng)所述反向并聯(lián)晶閘管兩端的電壓上升時(shí),所述二極管D2向電容Cl充電,當(dāng)所述電容Cl兩端的電壓達(dá)到穩(wěn)壓管Dz的穩(wěn)壓值時(shí),Dz導(dǎo)通,從而為晶閘管Ta提供觸發(fā)脈沖,使得Ta導(dǎo)通;由于二極管D2此時(shí)承受反壓,處于截止?fàn)顟B(tài),起到了隔離所述電容Cl的作用,使得所述電容Cl上的電壓保持不變;電容Cl上的電壓經(jīng)過電源轉(zhuǎn)換回路后變?yōu)門E板工作需要的電壓水平;當(dāng)所述反向并聯(lián)晶閘管兩端間的電壓反向時(shí),所述二極管Dl導(dǎo)通。
[0015]和最接近的現(xiàn)有技術(shù)比,本發(fā)明提供技術(shù)方案具有以下優(yōu)異效果
[0016]1、本發(fā)明的晶閘管閥體可以降低TE板取能回路的電壓及電流,防止因過流引起的TE板燒損;
[0017]2、本發(fā)明的晶閘管閥體可以減小TE板尺寸,減小器件功率,降低成本;
[0018]3、本發(fā)明的晶閘管閥體可以減小吸收回路對TE板引起的干擾,提高TE板觸發(fā)和檢測的準(zhǔn)確性;
[0019]4、本發(fā)明的晶閘管閥體可以優(yōu)化TE板的取能回路,保證TE板功能可靠。
【附圖說明】
[0020]圖1為本發(fā)明晶閘管閥體電路圖;
[0021]圖2為本發(fā)明的四端電容器電路圖;
[0022]圖3為本發(fā)明的TE板電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合實(shí)施例對發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0024]實(shí)施例1:
[0025]如圖1-2所示,本例的發(fā)明晶閘管閥體包括晶閘管電子板和反向并聯(lián)的晶閘管;其特征在于:所述反向并聯(lián)晶閘管與三個(gè)電容器并聯(lián);所述晶閘管電子板的兩端分別通過一個(gè)電容器與所述三個(gè)電容器中位于中間的電容器兩端連接。
[0026]所述三個(gè)電容器的容值分別為吸收電容的三分之一。
[0027]所述晶閘管電子板兩端分別串聯(lián)的一個(gè)電容器的容值是所述吸收電容的三十分之一。由上述5只電容器組裝為一只電容,并設(shè)置4個(gè)抽頭。
[0028]所述晶閘管電子板兩端與各自連接的電容器間分別設(shè)有支路電阻。
[0029]所述反向并聯(lián)晶閘管兩端與各自對應(yīng)的串聯(lián)的三個(gè)電容器兩端間分別設(shè)有吸收電阻。
[0030]所述晶閘管包括由下到
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