多層陶瓷介質(zhì)片式低通濾波器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明公開一種低通濾波器，特別是一種多層陶瓷介質(zhì)片式低通濾波器，可用于移動(dòng)電話、平板電腦以及其他各種通訊設(shè)備中。
【背景技術(shù)】
[0002]低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic, LTCC)技術(shù)在電子元器件和封裝領(lǐng)域具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于通信、汽車和醫(yī)療器械等領(lǐng)域。以LTCC技術(shù)為基礎(chǔ)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的射頻微波元件和模塊包括濾波器、雙工器、天線、耦合器、巴倫、接收前端模組、天線開關(guān)|旲組等，因其具有聞品質(zhì)因數(shù)、聞穩(wěn)定性、聞集成度等優(yōu)點(diǎn)，隨著現(xiàn)代電子設(shè)備向小型化、高頻化方向不斷發(fā)展，它們已經(jīng)大量運(yùn)用于小型化電子設(shè)備，特別是手機(jī)、掌上電腦(PDA)、數(shù)碼相機(jī)、電子閱讀器等便攜式電子設(shè)備。
[0003]在移動(dòng)通信領(lǐng)域，手機(jī)功能越來越多，其所需要整合的頻帶與訊號(hào)也越來越廣，信號(hào)之間的干擾越來越嚴(yán)重，因此，在手機(jī)設(shè)計(jì)中低損耗，高抑制的濾波器必不可少。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)上述提到的現(xiàn)有技術(shù)中的手機(jī)需要整合的頻帶與訊號(hào)廣、干擾嚴(yán)重的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供一種新型結(jié)構(gòu)多層陶瓷介質(zhì)片式低通濾波器，其采用特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并采用LTCC工藝，解決上述問題。
[0005]本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是:一種多層陶瓷介質(zhì)片式低通濾波器，包括基體、設(shè)置在基體外側(cè)的接線端頭和設(shè)置在基體內(nèi)部的電路層，接線端頭包括第一輸入或輸出端口 P2、第二輸出或輸入端口 P5和接地端口，電路層在基體內(nèi)部呈層疊式結(jié)構(gòu)，包括:
第一層，在陶瓷介質(zhì)基板上印制有一塊接地金屬平面導(dǎo)體，接地金屬平面導(dǎo)體上設(shè)有與接地端口電連接的內(nèi)部端點(diǎn)；
第二層，在陶瓷介質(zhì)基板上印制有兩塊相互絕緣金屬平面導(dǎo)體，分別為第一電容基片和第二電容基片,第一電容基片和第二電容基片呈中心對(duì)稱設(shè)置,第一電容基片的內(nèi)部端點(diǎn)2a對(duì)應(yīng)于第一輸入或輸出端口 P2設(shè)置，且與其電連接，第二電容基片的內(nèi)部端點(diǎn)2b對(duì)應(yīng)于第二輸入或輸出端口 P5設(shè)置，且與其電連接；
第三層，在陶瓷介質(zhì)基板上印制有一塊金屬平面導(dǎo)體，金屬平面導(dǎo)體呈啞鈴形，兩端分別為第三電容基片和第四電容基片，中間連接部分為第一內(nèi)部端點(diǎn)3a ；
第四層，在陶瓷介質(zhì)基板上印制有兩個(gè)金屬線圈，兩個(gè)金屬線圈均呈“U”形，分別為第一電感線圈和第二電感線圈，第一電感線圈和第二電感線圈中間通過第二內(nèi)部端點(diǎn)4a連接，第一內(nèi)部端點(diǎn)3a和第二內(nèi)部端點(diǎn)4a通過第一點(diǎn)柱電連接在一起,第一電感線圈端頭設(shè)有第三內(nèi)部端點(diǎn)4b，第二電感線圈端頭設(shè)有第四內(nèi)部端點(diǎn)4c ；
第五層，在陶瓷介質(zhì)基板上印制有兩個(gè)相互絕緣金屬線圈，兩個(gè)金屬線圈均呈“U”形，且開口背向設(shè)置，分別為第三電感線圈和第四電感線圈，第三電感線圈兩端分別為第五內(nèi)部端點(diǎn)5a和第六內(nèi)部端點(diǎn)5d，第四電感線圈兩端分別為第七內(nèi)部端點(diǎn)5b和第八內(nèi)部端點(diǎn)5c，第四內(nèi)部端點(diǎn)4c和第六內(nèi)部端點(diǎn)5d通過第二點(diǎn)柱電連接在一起，第三內(nèi)部端點(diǎn)4b和第七內(nèi)部端點(diǎn)5b通過第三點(diǎn)柱電連接在一起；
第六層，在陶瓷介質(zhì)基板上印制有兩個(gè)相互絕緣金屬線圈，兩個(gè)金屬線圈均呈“L”形，分別為第五電感線圈和第六電感線圈，第五電感線圈兩端分別為第九內(nèi)部端點(diǎn)6c和第十內(nèi)部端點(diǎn)6b,第六電感線圈兩端分別為第^ 內(nèi)部端點(diǎn)6a和第十二內(nèi)部端點(diǎn)6d,第十內(nèi)部端點(diǎn)6b與第一輸入或輸出端口 P2電連接，第十二內(nèi)部端點(diǎn)6d與第二輸入或輸出端口 P5電連接,第i^一內(nèi)部端點(diǎn)6a和第五內(nèi)部端點(diǎn)5a通過第四點(diǎn)柱電連接，第九內(nèi)部端點(diǎn)6c和第八內(nèi)部端點(diǎn)5c通過第五點(diǎn)柱電連接。
[0006]本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案進(jìn)一步還包括:
所述的基體呈長(zhǎng)方體形。
[0007]所述的接線端頭排列在基體長(zhǎng)邊的兩側(cè)。
[0008]所述的接地端口設(shè)有四個(gè)，分別為接地端口 P1、接地端口 P3、接地端口 P4和接地端口 P6。
[0009]所述的第一輸入或輸出端口 P2和第二輸出或輸入端口 P5對(duì)稱設(shè)置。
[0010]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明以LTCC (低溫共燒陶瓷)技術(shù)為基礎(chǔ)，采用集總參數(shù)模型設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)多層陶瓷片式低通濾波器的特殊電性能要求。本發(fā)明有效實(shí)現(xiàn)了帶外高抑制，具有低損耗、高可靠性、低成本和適合于大規(guī)模的生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，另外還適應(yīng)了新的電子元件小型化發(fā)展趨勢(shì)，其制作的多層陶瓷介質(zhì)低通濾波器具有高可靠性、低插損、高抑制、體積小、重量輕、易于集成、低成本等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用非常廣泛。
[0011]下面將結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明多層介質(zhì)陶瓷片式低通濾波器等效電路示意圖；
圖2為本發(fā)明多層介質(zhì)陶瓷片式低通濾波器外觀結(jié)構(gòu)立體示意圖；
圖3為本發(fā)明多層介質(zhì)陶瓷片式低通濾波器內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4為本發(fā)明第一層電路層平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5為本發(fā)明第二層電路平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6為本發(fā)明第三層電路平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖7為本發(fā)明第三層與第四層之間點(diǎn)柱連接平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖8為本發(fā)明第四層電路平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖9為本發(fā)明第四層與第五層之間點(diǎn)柱連接平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖10為本發(fā)明第五層電路平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖11為本發(fā)明第五層與第六層之間點(diǎn)柱連接平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖12為本發(fā)明第六層電路平面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]本實(shí)施例為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式，其他凡其原理和基本結(jié)構(gòu)與本實(shí)施例相同或近似的，均在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0014]本發(fā)明主要保護(hù)的是一種多層陶瓷介質(zhì)片式低通濾波器，該低通濾波器采用集總參數(shù)設(shè)計(jì)的特殊結(jié)構(gòu)，包括兩個(gè)電感L1、L2和五個(gè)電容Cl、C2、C3、C4、C5的二階低通濾波器，利用LTCC成型技術(shù)集成到同一元件中，然后利用900°C低溫共燒而成。請(qǐng)參看附圖1，本發(fā)明的等效電路圖如圖1，本發(fā)明為對(duì)稱結(jié)構(gòu)，電感LI和電感L2串聯(lián)連接在第一輸入/輸出端口①和第二輸入/輸出端口②之間，電容Cl連接在第一輸入/輸出端口①和地之間，電容C5連接在第二輸入/輸出端口②和地之間，電容C4連接在電感LI和電感L2的公共端與地之間，電容C2與電感LI并聯(lián)連接，電容C3與電感L2并聯(lián)連接，電感L1、電感L2和電容Cl、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5構(gòu)成低通濾波器，呈左右對(duì)稱結(jié)構(gòu)，且通過電感LI和電容C2并聯(lián)諧振在高頻段產(chǎn)生一個(gè)傳輸零點(diǎn)，通過電感L2和電容C3并聯(lián)諧振在高頻段產(chǎn)生另外一個(gè)傳輸零點(diǎn)，以提高隔離度。
[0015]請(qǐng)結(jié)合參看附圖2至附圖12，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)主要包括基體、設(shè)置在基體外側(cè)的接線端頭和設(shè)置在基體內(nèi)部的電路層，本實(shí)施例中，基體呈長(zhǎng)方體形，接線端頭排列在基體長(zhǎng)邊的兩側(cè)，本實(shí)施例中，接線端頭設(shè)有六個(gè)，其中PU P3、P4、P6為接地端口，P2為多層陶瓷介質(zhì)片式低通濾波器的第一輸入或輸出端口，P5為多層陶瓷介質(zhì)片式低通濾波器的第二輸出或輸入端口。
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