專利名稱：一種終接電路中的耦合裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種終接電路，但又并不僅僅具體涉及與用于實現(xiàn)阻抗匹配的和終接電路相關(guān)的一種耦合裝置，該裝置按照上述應(yīng)用進行控制和選擇。
例如在實際導(dǎo)體或傳輸線這樣的信號傳輸媒介上用作傳輸攜帶信息的信號的系統(tǒng)通常要求與發(fā)射器有關(guān)的和/或接收器有關(guān)的阻抗匹配，這種阻抗匹配將優(yōu)選至少一個適合于信號傳輸媒介的阻抗的電阻起支配作用的阻抗值。
雖然本發(fā)明主要應(yīng)用在與發(fā)射器有關(guān)的和/或接收器有關(guān)的阻抗匹配連接電路中，而后者與耦合裝置有關(guān)，然而可以設(shè)想，應(yīng)用最頻繁的是在這樣一種場合，其中該耦合裝置連接信號接收和信號處理單元的上游。
因此，以下的說明被簡化到只包括本發(fā)明的下面的應(yīng)用，而且本專業(yè)技術(shù)人員特別在以下說明提供的技術(shù)基礎(chǔ)上將意識到在信號傳輸單元中實施本發(fā)明的耦合裝置所要求的條件和前提。
這樣，本發(fā)明將涉及一種與終接電路相關(guān)的耦合裝置，它與信號傳輸媒介有關(guān)，并連接信號接收器和信號處理單元的上游，在“單終端”信號系統(tǒng)情況下，所說單元連接到單根傳輸媒介導(dǎo)線和參考電位，而在“差分”信號系統(tǒng)情況下，所說單元連接到兩根傳輸媒介導(dǎo)線。
如本專業(yè)技術(shù)人員將意識到的那樣，單終端信號系統(tǒng)和差分信號系統(tǒng)之間的差別在于，對于前者情況，攜帶信息的信號是以電壓脈沖方式在一根導(dǎo)線上出現(xiàn)的，而對于后者，攜帶信息的信號是以電壓脈沖方式在兩根導(dǎo)線上出現(xiàn)的，該兩根導(dǎo)線相對面放置的，使得當(dāng)在一導(dǎo)線上出現(xiàn)一個高電壓脈沖時，在另一導(dǎo)線上將出現(xiàn)一個低電壓脈沖，反之亦然。
已經(jīng)設(shè)計出來的發(fā)明包括在一種傳輸系統(tǒng)中，具體包括在用于傳輸一種與數(shù)字信息相關(guān)的信號結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)中。在這種系統(tǒng)中，希望有能力平衡發(fā)射器阻抗和/或接收器阻抗，使其對信號傳輸媒介的阻抗值呈現(xiàn)出顯著的阻尼的特性，由此改善信號傳輸?shù)馁|(zhì)量并降低在該傳輸媒介端上的信號的反射。
按本發(fā)明的與耦合裝置有關(guān)的并適合用于一種信號接收和信號處理單元的終接電路特別適合用在差分信號系統(tǒng)的系統(tǒng)中，其中導(dǎo)線上的方向相反的電壓值在兩個選擇的信號電平上交替變化，其中一個低電壓電平，一個高電壓電平。
本發(fā)明的耦合裝置還適合于使它包括在一個集成電路中，并且它將可能通過所選擇的一種導(dǎo)線型式構(gòu)成選擇的電路解決方式，這種導(dǎo)線型式是關(guān)于使用加到所選基矩陣(基條)的多層金屬層，從而形成電路宏功能，例如形成I/O宏功能(用于該集成電路的輸入和輸出電路)。
要特別考慮對本發(fā)明的耦合裝置有利的結(jié)構(gòu)，以便能通過使用一種標(biāo)準(zhǔn)化的基本芯片進行實施，該芯片具有一個中心取向的門，該門具有大量屬于包括PMOS晶體管和NMOS晶體管的耦合元件的輸入端和輸出端，并同其他電路在一起。
當(dāng)這樣的一種芯片備有大量可選擇的金屬層，通過它們構(gòu)成必不可少的耦合裝置時，將構(gòu)成一種門矩陣，該門矩陣將具有功能完備的I/O電路或者邊緣取向電路。
還備有邊緣取向的焊接區(qū)，例如用焊接方法連接到該門矩陣的元件，或者連接到外部元件，例如電阻，導(dǎo)線等，可直接連接，也可通過媒介連接。
通常，一個輸入電路(I-電路)配置在一個焊接或連接島，而一個輸出電路(O-電路)配置在另一個焊接或連接支柱。雖然對于單終端信號系統(tǒng)而言一個焊接支柱已足夠，但對于差分信號系統(tǒng)而言要求兩個焊接支柱。
背景技術(shù)：
的描述人們知道若干打算用于以上應(yīng)用的與終接電路相關(guān)的耦合裝置的不同的設(shè)計，并且同樣是不同的電路解決方式。
這樣，將相應(yīng)50Ω阻抗值的電阻元件(電阻)連接到一根使用的導(dǎo)線或在導(dǎo)線和地電位或某個其他參考電位之間的傳輸媒介，是人們已知的技術(shù)。
就與本發(fā)明相關(guān)的應(yīng)用而言，人們了解NMOS晶體管和PMOS晶體管能用一個柵壓控制，該柵壓將使該晶體管的漏-源極通道呈現(xiàn)出明顯的阻尼特性，這個特性由本發(fā)明的和終接電路相關(guān)的耦合裝置加以應(yīng)用。
人們還了解用NMOS晶體管和PMOS晶體管對信號傳輸和/或信號接收單元提供必要的電路解決方式，在那里它們都配置在集成電路的I/O電路中。
人們還了解選擇用于信號傳輸和/或信號接收單元的電路解決方式，使所說單元能傳輸和接收攜帶信息的信號脈沖，該脈沖具有這樣一種信號結(jié)構(gòu)，其中比特率能達到Ghz范圍。
當(dāng)使用的電路耦合或轉(zhuǎn)換包括NMOS晶體管和/或PMOS晶體管以及在基本芯片中形成的元件和/或分立元件時，人們還了解這些電路耦合的特性將明顯依賴于瞬時系統(tǒng)電壓電平，以及這些特性將明顯地受到該電壓電平變化的影響。
人們還了解這些電路耦合的特性是同溫度有關(guān)的。發(fā)明概要技術(shù)問題當(dāng)考慮如上所述的更早的技術(shù)觀點時，將看到，技術(shù)問題是提供在一門矩陣中形成的并與終接電路相關(guān)的耦合裝置，該電路能使用各種晶體管，并對傳輸媒介的阻抗值提供良好的匹配作用，該傳輸媒介的阻抗值基本上與剩余的電路耦合的改變的特性無關(guān)，例如受到系統(tǒng)電壓變化、溫度變化等的影響。
在和終接電路相關(guān)的這類耦合裝置情況中的另一技術(shù)問題是對將在實際中有作用的被改變的特性的反應(yīng)既提供動態(tài)補償，又提供靜態(tài)補償。
與這種在集成電路中的耦合裝置和應(yīng)用相關(guān)的另一問題是當(dāng)特性改變時提供具有自動補償?shù)揭粋€選擇的標(biāo)稱值的有源的和浮置的終接電路。
另一技術(shù)問題是實現(xiàn)通過對在耦合裝置中使用的晶體管柵極引線的電壓匹配得到自動補償以及動態(tài)地和靜態(tài)地改變該晶體管工作點所要求的條件。
另一技術(shù)問題是利用一個參考電壓以及由脈沖的信號結(jié)構(gòu)形成的一個平均電壓值實現(xiàn)必不可少的電壓匹配要求，用于必要的信息傳輸。
再一個技術(shù)問題是利用該電壓電平實現(xiàn)需要采取以及容易得到的措施，當(dāng)加該電壓電平時它能使必要的阻抗匹配值達到一個標(biāo)稱值，并必須加到起終接負載作用的晶體管柵極引線。
除此之外的一個技術(shù)問題是以標(biāo)準(zhǔn)化門矩陣為基礎(chǔ)通過簡單的耦合技術(shù)方法提供形成此類型的與終接電路相關(guān)的耦合裝置所要求的條件。
另一技術(shù)問題是實現(xiàn)使用用作一個終接負載的晶體管的柵壓的意義，一個可變參數(shù)電壓在該電路外部產(chǎn)生并起控制電壓的作用，在那里參考電壓的值與目前的溫度有關(guān)而與靜態(tài)電源電壓值的變化和該電源電壓的瞬時慢變化等無關(guān)，從而允許加到在電路外部產(chǎn)生的一個平均電壓值的參考電壓在包括在終接電路中的晶體管(多個晶體管)的柵極引線上起作用，以便能控制并修改連接阻抗的起支配作用的電阻值達到與電路相關(guān)的標(biāo)稱值。
還將看到一個技術(shù)問題歸屬于提供一個可以連接到具有寬工作范圍的信號接收電路的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)或電路，使與終接網(wǎng)絡(luò)相關(guān)的耦合裝置即使當(dāng)攜帶信息的信號的電平變化大時將阻抗匹配達到標(biāo)稱阻抗值，以便有能力接收攜帶信息的信號。
另外一個技術(shù)問題是實現(xiàn)為了對晶體管有關(guān)的“人體效應(yīng)”提供補償所要求的條件。
在這點上，一個技術(shù)問題歸屬于在把合成電壓加到柵極引線之前實現(xiàn)通過單獨放大所說平均值電壓和附加所說電壓到參考電壓能達到補償?shù)哪芰Α?br> 另一個技術(shù)問題是能形成可在I/O宏功能電路條件中利用的晶體管和/或元件，以便特別通過SC技術(shù)(切換電容技術(shù))將該平均電壓加到柵極引線。
另一個技術(shù)問題是通過SC技術(shù)的媒體產(chǎn)生多個條件，該條件將使形成平均值的電壓給出一個值，該電壓值被放大且與平均值相關(guān)，并適合于補償由寄生電容和補償“人體效應(yīng)”所要求的電壓增加引起的電壓降。
還將看到一個技術(shù)問題是就影響能形成有源終接阻抗的終接阻抗的晶體管而論，借助于與阻抗網(wǎng)絡(luò)有關(guān)的晶體管的柵極引線的一個可控制的電壓值，并注意到所說晶體管具有容性特性，于是應(yīng)用這些特性，使與柵極有關(guān)的電壓值直接儲存在一個或多個呈現(xiàn)終接阻抗并屬于該終接電路的晶體管中來達到這樣的補償和動態(tài)匹配。
另一個技術(shù)問題是通過晶體管控制形成穩(wěn)定的，至少基本上與系統(tǒng)中電壓變化無關(guān)的并能受到溫度變化控制的終接阻抗值，以及實現(xiàn)與其他電路有效的干擾隔離要求，后者能通過接近終接電路位置的一個低通濾波器濾除參考信號來實施。
另一個技術(shù)問題是能形成與結(jié)構(gòu)簡單而耐用的耦合裝置有關(guān)的終接電路，能按SC技術(shù)工作，然而在所應(yīng)用的IC電路的I/O表面使用晶體管耦合和/或元件耦合。
還將看到一個技術(shù)問題是了解形成多個條件的重要性，使得所應(yīng)用的SC技術(shù)將直接由一個輸入的數(shù)據(jù)流操作，這意指該I/O宏電路不需要受分開產(chǎn)生的時鐘脈沖控制。
還將看到的另一個技術(shù)問題是實現(xiàn)修改所使用的模擬放大器耦合和/或SC技術(shù)的條件和必要性，以便能改變用于所使用的包括終接電路的晶體管的控制柵極的電壓，甚至擴展一個專用的電源電壓。
另一個技術(shù)問題是在現(xiàn)存的門列陣結(jié)構(gòu)(GA結(jié)構(gòu))中用簡單的方法實現(xiàn)包括例如SC技術(shù)的條件和作用，就該終接阻抗的精度而論該結(jié)構(gòu)隨著終接電位和/或信號平均值變化僅具有輕微改善的性質(zhì)。
另一個技術(shù)問題是提供上述類型的與終接電路相關(guān)的耦合裝置，它不僅結(jié)構(gòu)簡單而且電源也低。
另一個技術(shù)問題是提供能夠用在信號接收單元中并提供寬工作范圍的一種終接電路，在那里，一種使用的有源的可匹配的配置晶體管的終接電路的工作與發(fā)射器和/或接收器的結(jié)構(gòu)無關(guān)，借助NMOS晶體管，它使發(fā)射器和/或接收器能響應(yīng)從略低于0電平到略大于電源電壓一半的信號變化。
還將看到存在的一個技術(shù)問題是在于上述寬工作范圍的性質(zhì)使同一個NMOS晶體管加載的終接電路能用于終接對信號接收電路具有不同CM-范圍的攜帶信息的信號系統(tǒng)。
另一個技術(shù)問題是在于實現(xiàn)得到準(zhǔn)確的配置晶體管的終接電路的要求的條件，實際試驗指出，在相對寬的工作范圍內(nèi)，優(yōu)于±5％的容差處于這些可能性的范圍內(nèi)。
還將看到另一個技術(shù)問題是提供一種與接收器有關(guān)的終接電路，該電路在仍然提供有源匹配必要條件的同時能夠做成浮置的，按一個固定電壓去激活，或連接到一個固定電壓。
另一個技術(shù)問題是實現(xiàn)產(chǎn)生多個條件要求的措施，使得當(dāng)一個信號接收單元用NMOS器件構(gòu)成時，匹配參考電壓產(chǎn)生電路將也用NMOS器件構(gòu)成，而當(dāng)該終接電路使用NMOS器件時，該信號接收單元將能復(fù)蓋與一合理電壓相關(guān)的“下限窗口”，其范圍從略高于電源電壓一半到略低于0電平。
還將看到存在的一個問題在于實現(xiàn)產(chǎn)生多個條件要求的措施，使得當(dāng)該信號接收單元用PMOS元件構(gòu)成時，匹配參考電壓產(chǎn)生電路也將用PMOS器件構(gòu)成，而當(dāng)該終接電路使用PMOS器件時，該信號接收單元將能復(fù)蓋與一合理電壓相關(guān)的“上限窗口”。其范圍從略低于電源電壓之半到略高于該電源電壓。
再一個技術(shù)問題是在于產(chǎn)生多個條件的能力，使得借助于一個外部產(chǎn)生的激活信號，一個特別是由NMOS器件和PMOS器件構(gòu)成的與終接電路相關(guān)的耦合裝置將耦合到所說傳輸線或?qū)Ь€并激活所選擇的耦合裝置而去激活另外的耦合裝置，結(jié)果同一個終接的發(fā)射器加載的或接收器加載的I/O電路能有選擇地通過所說激活信號復(fù)蓋提供窗口的選擇部分。
此外，還將看到存在的一技術(shù)問題在于借助于簡單方式產(chǎn)生多個條件的能力，由此，通過選擇的一個控制電壓(達到0)能全部或部分地去激活匹配的晶體管加載的終接電路，即能夠轉(zhuǎn)換到高阻抗的狀態(tài)，并產(chǎn)生用于去激活，或截止在總線和發(fā)射接收器應(yīng)用中的終接電路的多個條件。
另外一個技術(shù)問題是實現(xiàn)與這樣一個事實相關(guān)的優(yōu)點，即終接在低信號電平狀態(tài)下最理想。
解決方式本發(fā)明采用與終接電路相關(guān)的耦合裝置作為起步來解決上述一個或多個技術(shù)問題，該裝置適合于連接連到例如單根或雙根傳輸線或?qū)Ь€的信號接收和信號處理單元的上游，在該傳輸線或?qū)Ь€上能傳輸電壓脈沖式的攜帶信息的信號。
按照本發(fā)明，具有終接電路阻抗并包括在耦合裝置中的一個晶體管以形成攜帶信息信號的電壓平均值的單元為媒介，由一控制單元產(chǎn)生的被控制的參考電壓值向其柵極引線施加一個復(fù)合電壓值，這些電壓值加在一起形成所說復(fù)合電壓值。
按照處于本發(fā)明概念范圍之內(nèi)推薦的實施例，加到所說柵極引線的電壓值是來自電壓平均值形成單元的電壓值和由一個控制單元或控制電路產(chǎn)生的一參考電壓電平單純相加。
加到柵極引線的電壓值最好將是略微上升的，以便連同其他電路一道補償與晶體管相關(guān)的人體效應(yīng)。
按照本發(fā)明，電壓平均值形成單元包括連接到所說傳輸媒介即其導(dǎo)線的一個阻抗匹配的元件，該元件也被連接來表示由存在的電壓脈沖形成的一個平均值。
按照本發(fā)明的一個實施例，形成的平均電壓值被加到一個轉(zhuǎn)換電路，該電路按第一狀態(tài)通過一個電容器將所說電壓加到所說柵極引線，還被加到屬于該第一個提及的電路的另一個轉(zhuǎn)換電路，該電路按第二狀態(tài)釋放所說的電壓，以及所說的柵極引線并將與地電位相關(guān)的參考電平同通過所說電路中的電容器由所說控制單元產(chǎn)生的控制電壓相連接。
還建議選擇的參考電壓低于與選擇系統(tǒng)相關(guān)的電源電壓。
還建議形成平均電壓值的單元包括兩個串聯(lián)連接的晶體管，在終接電路中連接在兩根導(dǎo)線或傳輸線之間，這些晶體管的公共接點連接到一根導(dǎo)線以形成一個平均值電壓。
還建議串聯(lián)連接的晶體管的兩個柵極引線同連接在導(dǎo)線之間的另一個晶體管的柵極引線相互連接。
按照本發(fā)明的一個實施例，對于一個晶體管的工作點的偏移或相對于地電位的終接點的偏移的補償是通過修改終接電路中包括的晶體管的柵極引線或基片柵極上出現(xiàn)的電壓的電平來完成的。
本發(fā)明能使這種補償動態(tài)地進行，可以補償?shù)竭@樣一種程度，即甚至在信號平均電平的變化比控制和相加電路能跟隨的變化更快的情況下也將發(fā)生阻抗匹配。
通過SC技術(shù)的媒介，按本發(fā)明對于柵極引線上的電壓有可能高于自身的電壓源。
此外，本發(fā)明能使與終接電路相關(guān)的耦合裝置完全是浮置的，被去激活的或與一個固定的電壓相關(guān)。
通過對不同的終接電路選擇NMOS和PMOS晶體管，本發(fā)明還能使產(chǎn)生的條件用于有選擇性地復(fù)蓋配置到發(fā)射器和/或接收器的下限和上限窗口。
本發(fā)明相應(yīng)于一個外部產(chǎn)生的激活信號還提供將屬于終接電路的晶體管轉(zhuǎn)換到高阻抗?fàn)顟B(tài)的可能性。
本發(fā)明還建議按SC技術(shù)使用另外的一個電容器，該電容器能連接到上述的多個電容器，并能通過轉(zhuǎn)換電路被激活和去激活，從而將加到柵極引線的電壓值提升到高于控制信號的電壓值。
關(guān)于這一點，形成的平均電壓值被加到另一個轉(zhuǎn)換器，使得在該轉(zhuǎn)換器的一種狀態(tài)下所說電壓值能在該另一個電容器中建立起電位。
按照本發(fā)明的一個實施例，當(dāng)所說另一個轉(zhuǎn)換器處于第二狀態(tài)時，另一個電容器連接到地電位。
優(yōu)點本發(fā)明的那些優(yōu)點，首先是連同其他電路一道適合于信號接收和信號處理單元的與終接電路相關(guān)的耦合裝置的特點在于以平均電壓形成單元為媒介產(chǎn)生能夠或直接地或當(dāng)加入由控制電路產(chǎn)生的一個參考電壓時加到終接晶體管或多個晶體管的柵極引線或多根引線)的一個電壓值，并以此導(dǎo)致該終接晶體管的電阻起支配作用的阻抗值改變到選定的基本上與該終接電壓無關(guān)的標(biāo)稱終接值，從而產(chǎn)生構(gòu)成有源的與晶體管相關(guān)的終接電路的條件，該電路能自動補償阻抗限定的終接晶體管的工作點。
本發(fā)明的與終接電路相關(guān)的耦合裝置的主要特征在以下權(quán)利要求1的特征部分中加以闡述。附圖的簡要說明現(xiàn)在將參照實施例詳細描述本發(fā)明，這些實施例目前是優(yōu)選的并且具有本發(fā)明的顯著的特征，同時參照以下附圖，其中

圖1是一種與終接電路相關(guān)的耦合裝置的原理結(jié)構(gòu)的示意說明，按本發(fā)明該裝置連接一個信號接收和信號處理單元的上游，同時還指出附加兩個電壓，即一個代表參考信號的電壓值和一個由信號結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的平均電壓形成的電壓值；圖2是一個電路圖，說明第二實施例，用SC-技術(shù)形成按圖1的電路裝置，然而差別在于平均電壓形成單元和終接電路是集成的；圖3是一個電路圖，說明按圖1和2的關(guān)于平均電壓形成單元和終接電路的電路裝置的第三實施例；圖4在原則上說明一個控制單元的實施例，該單元連同其他電路一道起的作用是產(chǎn)生一個溫度補償控制電壓值和一個電壓值(參考電壓)，該電壓值當(dāng)電源電壓變化時保持不變；圖5說明按圖3的本發(fā)明的一個實施例的更詳細的耦合電路形成部分；圖6示意說明一個與終接電路相關(guān)的耦合裝置的原理結(jié)構(gòu)，類似于圖1的實施例，但具有由信號結(jié)構(gòu)形成的平均電壓值的模擬放大，以便有可能同其他電路一道對體效應(yīng)進行補償；圖7說明一電路裝置部分，它對圖2或3的實施例是輔助性的，例如提供具有提升的控制電壓的第四電路裝置，用于補償體效應(yīng)和寄生電容；圖8是時間圖，說明在圖3和7中所示的轉(zhuǎn)換電路的電氣接觸器件的相繼的激活；圖9說明具有浮置和去激活終接的單終端信號系統(tǒng)；圖10說明具有與一個固定電壓相關(guān)的固定終接的單終端信號系統(tǒng)；圖11說明具有浮置終接的差分信號系統(tǒng)；圖12說明具有去激活的浮置終接的差分信號系統(tǒng)；圖13說明具有與產(chǎn)生一固定電壓的電路相關(guān)的固定終接的差分信號系統(tǒng)；圖14表示與NMOS晶體管特性有關(guān)的曲線；圖15按照已知條件說明在柵極電壓固定條件下阻抗變化相對于電壓變化的函數(shù)；圖16說明按本發(fā)明的相應(yīng)函數(shù)，實線說明圖1實施例的，而兩根虛線說明圖6實施例的；以及圖17說明使用兩個終接電路，它們能夠由一個激活信號進行激活。優(yōu)選實施例說明圖1說明與終接電路相關(guān)的耦合裝置，它連接到一個信號接收單元M和信號處理單元1的上游。
在被說明的差分信號傳輸系統(tǒng)中，終接電路或網(wǎng)絡(luò)4和接收器1都連接到兩根傳輸線或?qū)Ь€2，3，它們都包含在一種信號傳輸媒介中并能傳輸以脈沖電壓方式攜帶信息的信號。
圖1試圖說明屬于終接電路或網(wǎng)絡(luò)的一個阻抗匹配電路4a被直接連接到該兩根導(dǎo)線2，3并適合于呈現(xiàn)出電阻起支配作用的阻抗值(50Ω)，該值相應(yīng)于傳輸媒介(導(dǎo)線2，3)的阻抗值，在此傳輸媒介上傳輸攜帶信息的信號。
雖然表示并不詳細，但是導(dǎo)線2，3按已知方式連接到一個信號發(fā)送電路S。
在理想條件下，假定在以下說明經(jīng)常發(fā)生這種情況，即發(fā)射器(S)的輸出阻抗將配置在相應(yīng)傳輸媒介(2，3)的阻抗值，而一個輸入阻抗配置到接收器(M)。
發(fā)射器(S)和接收器(M)的阻抗值都是電阻起支配作用的值，并在下面將假定這些值都能加以控制，以便連同其他電路一道保持常數(shù)，而與溫度變化，操作參數(shù)等無關(guān)。
在以下的說明中將假定，所選擇的標(biāo)稱值為50Ω。
由于信號傳輸電路和信號接收電路以及信號處理電路對技術(shù)而言是已知的，因此在此不作詳細描述。
然而可以說明按本發(fā)明的一種應(yīng)用中，這些電路通常都是借助于許多晶體管耦合形成的，這些晶體管的耦合包括在一個IC電路的I/O宏范圍中的可利用的晶體管中。
所說明的本發(fā)明的與終接電路相關(guān)的耦合裝置將也使用在該I/O宏范圍中可利用的晶體管。
圖1還說明一個平均電壓形成電路5，例如為了在單根傳輸線或?qū)Ь€20上得到電壓值(Vm)，該電壓值由那些電壓脈沖的平均值表示，那么電壓脈沖是由攜帶信息的信號在導(dǎo)線2，3上產(chǎn)生的。這樣該電壓值Vm是純粹的平均值形成的電壓值。
在差分信號系統(tǒng)的情況下，信號電壓將是穩(wěn)定的，而在信號結(jié)構(gòu)在0和1之間交變情況下，在電路耦合5中不同的高電阻值情況下，該平均值將是一個準(zhǔn)確的平均值。
然而，本發(fā)明與計算和使用由信號電壓中瞬時變化給出的平均值有關(guān)系，由此以下假定在相關(guān)聯(lián)的電壓電平上由于由傳送脈沖序列變化所引起的信號結(jié)構(gòu)將不改變該平均值。
在單終端信號系統(tǒng)情況下，可以期待由發(fā)送脈沖序列引起的信號結(jié)構(gòu)能更顯著地影響一個平均值的形成。對于這種情況，一個平均值的形成是通過集成電路或通過低通濾波來估算的。
在以下對差分信號系統(tǒng)的說明中，假定形成的平均值為0.5V。
上述平均值形成的電壓值(Vm)現(xiàn)在以電壓相加電路6為媒介加到由控制電壓產(chǎn)生控制單元(見圖4)產(chǎn)生的一個參考電壓(Vr)，而將所說電壓加在一起形成的合成電壓起控制電壓的作用，將出現(xiàn)在導(dǎo)線25上并控制終接網(wǎng)格的電路4a使其呈現(xiàn)出一個終接阻抗，該阻抗將調(diào)整到例如50Ω的標(biāo)稱值。
從圖1將清楚地看到電路4a受到來自平均電壓形成電路5的瞬時電壓值(Vm)的影響，還受到通過導(dǎo)體9來自控制單元的瞬時參考電壓值(Vr)的影響。
假定在圖1中該平均值形成電路5包括兩個電阻元件(電阻R1，R2)，它們具有相對高的并相互等同的阻值，其中元件的激活對終接電路4a阻抗匹配作用影響不大。
在本發(fā)明的范圍內(nèi)有可能將平均值形成電路5同具有終接阻抗的電路4a結(jié)合起來，其中假定圖3實施例的電路4a包括多個晶體管。
阻抗值形成或呈現(xiàn)電路的阻抗值將極力保持與標(biāo)稱值成比例的一個常數(shù)，因此有必要響應(yīng)溫度變化調(diào)整這個值，但與電壓變化，處理偏差或漂移等無關(guān)。
這樣本發(fā)明乃是基于將兩個電壓值加在一起，每個都可變，即一個參考電壓，連同其他電路一道隨溫度增加而增加，以及一個平均電壓值，它有賴于經(jīng)常發(fā)生變化的信號結(jié)構(gòu)和電壓電平。
該參考電壓值隨時間變化慢，而形成該平均電壓的電壓值隨時間變化快。
由所說相加形成的合成電壓加到一個晶體管的柵極引線，該晶體管確定終接阻抗，其特性曲線表示在圖14中。
柵極電壓Vg和其他的參數(shù)將基本上選擇在成正比的或線性區(qū)域A內(nèi)。
圖3說明一種耦合裝置，在此柵極電壓Vg是兩個相加的電壓值的直接和(Vr+Vm)。
從圖2將更清楚地看到一個平均值可由導(dǎo)線2和3上的信號電壓變化來形成，以終接電路相關(guān)的元件4a為媒介，以電壓形式出現(xiàn)的該平均電壓在以下被稱為平均值形成的電壓值20(Vm)。
圖2還說明SC-技術(shù)的使用，還表示出一第一轉(zhuǎn)換電路或第一轉(zhuǎn)換器件21，一第二轉(zhuǎn)換器件22，以及一個電容起支配作用的器件，例如一個電容器23，它連接在兩個轉(zhuǎn)換器件之間。
在舉例說明的實際的應(yīng)用中，電路或轉(zhuǎn)換器件21和22，以及電容23可以包括可控制的晶體管耦合，這些都是已知技術(shù)，因此在此不必描述。
所有說明的轉(zhuǎn)換電路或轉(zhuǎn)換器件21和22都可以如圖中所示那樣選取三態(tài)a、b和c之一個狀態(tài)，其中轉(zhuǎn)換狀態(tài)c試圖說明開路位置。
轉(zhuǎn)換器件21的電氣接觸位置21a是與電壓值20(Vm)相關(guān)的，而電氣接觸位置21b是與地相關(guān)的24。
轉(zhuǎn)換器件22的電氣接觸位置22b是與參考電壓(Vr)相關(guān)的，而電氣接觸位置22a是與導(dǎo)線25相關(guān)的或連接到導(dǎo)線25，導(dǎo)線25連接到呈現(xiàn)終接阻抗的晶體管或多個晶體管的柵極引線。
電氣接觸點21和22通過電容23相互耦合。
如若干實施例之中的某一個實施例那樣，在圖1中所指示的電壓相加電路6可包括所說轉(zhuǎn)換器件21和22以及電容器23。
分開在圖2左方所示電容器23a、23b只是為試圖說明寄生電容之用，然而并不包括在以下的說明中，雖然必須說，出現(xiàn)的電壓必須增加，以便補償寄生電容的作用。
當(dāng)如圖2所示那樣，轉(zhuǎn)換器件21處在狀態(tài)21b，而轉(zhuǎn)換器件22處在狀態(tài)22b，則將用傳輸線或?qū)Ь€9上的相應(yīng)參考電壓(Vr)的電壓對電容器23充電。
當(dāng)轉(zhuǎn)換器件21處狀態(tài)21a，而轉(zhuǎn)換器件22處狀態(tài)22a，則在導(dǎo)線或傳輸線25上將出現(xiàn)一個電壓，該電壓相應(yīng)電容器23在先被充到的電壓，并同由形成參考電壓的平均值20表示的電壓(Vm)相加。
通過在導(dǎo)線26上的一個信號可以將電路21和22設(shè)置到所要求的位置或狀態(tài)。
激活信號在一個電路(未示出)中產(chǎn)生，并由一個控制裝置(也未示)加以控制。
圖3說明一個實施例，其中終接電路或網(wǎng)絡(luò)4是由包括一第一晶體管31，一第二晶體管32和一第三晶體管33的三個終接阻抗組成。對于所說明的情況，晶體管31和32假定串接在導(dǎo)線2和3上，起產(chǎn)生電壓20的平均電壓形成電路的作用。
阻抗匹配值由通過另外一個晶體管23并聯(lián)的兩個串聯(lián)的晶體管31和32形成。
這就使選擇晶體管31、32和33的不同的阻抗值成為可能，結(jié)構(gòu)總起來得到一個媒介匹配值，例如50Ω的匹配值。
為形成一個平均值，對于晶體管31和32，將選擇相互一樣的阻抗值。
對于所選擇的晶體管31和32阻抗值可以比晶體管33的阻抗值大得多。
一個或多個這種晶體管可以用一個固定的電阻值(一個電阻)取代，但只允許不相同的那個是可調(diào)整的。
具體地，晶體管31和32可用純阻元件代替，最好用高歐姆電阻取代，但只允許通過晶體管33進行阻抗匹配調(diào)整。
可以使用另外的電路耦合，例如一個固定電阻同一個晶體管并接，一個固定電阻同一個晶體管串接，以及其結(jié)合的耦合方式。
然而，圖3實施例是一個耦合裝置，其中晶體管31和32的柵極引線31g，32g連到晶體管33的柵極引線33g，并全部都由導(dǎo)線25上的電壓控制。
假定所有晶體管31，32和33都用合適的電壓通過柵極引線驅(qū)動，將致使呈現(xiàn)出電阻起支配作用的性質(zhì)。
未在圖3中表示寄生電容(23a，23b)，雖然可以按圖2所示同樣的方式形成電路6。
圖4用圖表說明一個控制電路40，它能夠在導(dǎo)線或傳輸線9上形成一個可調(diào)整的與基準(zhǔn)相關(guān)的電壓值。
電路40由一個運算放大器43組成，它的兩個輸入端連接到兩個并行的電路(I1，I2)。
電路I1有一個外部的固定參考電阻41，而電路I2有一個內(nèi)部可調(diào)整的電阻起支配作用的晶體管42。
電路40試圖產(chǎn)生一個可控制的參考電壓，即一個可慢變化的控制電壓，該控制電壓試圖控制包括在單個傳送電路，信號接收電路，或其他電路或組合電路中的用于阻抗匹配或輸入電阻匹配的瞬時電阻值或阻抗值。
然而將指出，電路40與其他的電路一道適合保持導(dǎo)線9上的可控電壓不變，而不考慮系統(tǒng)電壓的變化，雖然該可控制的電壓也可隨溫度增加而增加，或者反過來也一樣。
這樣，由于按照一個選擇的阻抗值以及按照由處理偏差或偏移引起的參數(shù)變化所選擇的一個值而能夠控制該參考電壓使該值保持不變。
通常該控制電路40將配置在如此接近受控制的阻抗或終接電路，以便允許在實際中假定在這兩個地區(qū)的溫度經(jīng)常是相同的。
這樣圖2和3說明的電路提供了一種與晶體管相關(guān)的，相對地電位工作點偏移的和終接點偏移的耦合裝置。
圖2和圖3說明的耦合裝置乃是基于SC技術(shù)，并就這一點提供了動態(tài)補償，如此，特別是加到柵極引線33g的一個控制電壓可以直接以起終接阻抗作用的晶體管為媒介加以儲存，如此所說晶體管還具有電容性質(zhì)，并能儲存一個施加的電壓。
圖5更詳細地說明電路的層次，其中電路21和22以及電容23都畫成相似于將產(chǎn)生電氣接觸作用的電路21a、22a；21b和22b。
圖6試圖說明一種耦合裝置，其中平均值形成電壓值20在加到參考電壓之前在一放大器7中加以放大。
這樣在導(dǎo)線或傳輸線25上得到的電壓增量(Vr+KVm)能用來補償寄生電容效應(yīng)以及與晶體管有關(guān)的體效應(yīng)。
同其他的電路一道應(yīng)用的SC技術(shù)包括第一轉(zhuǎn)換電路21，電容器23和第二轉(zhuǎn)換電路22，使通過另外的轉(zhuǎn)換裝置(見圖7)的媒介加到柵極引線33g的電壓大于其電源電壓。
按本發(fā)明，加到柵極引線的電壓可以允許從略低于0電平到略高于電源電壓之半變化，而這被定義為通過NMOS晶體管的“下限窗口”。
包括PMOS匹配參考產(chǎn)生器(40)的PMOS器件可用作起終接作用的晶體管。
當(dāng)使用PMOS器件時，加到柵極引線的電壓可允許從略低于電源電壓之半到略高于電源電壓變化，以便形成“上限窗口”。
圖16詳細表示用于信號接收電路的所說上限和下限窗口的取向。
圖17試圖說明兩個連接到相同導(dǎo)線2、3的終接電路41、42。假定終接電路41由NMOS晶體管組成，而終接電路42由PMOS晶體管組成。
當(dāng)每個終接電路包括連接到同一導(dǎo)線2、3的NMOS晶體管和PMOS晶體管時，有可能借助通過導(dǎo)線41a、42a的外電路的激活選擇終接電路之一個電路，例如電路41，而中斷另外一個終接電路42，結(jié)果同一個接收單元1能或復(fù)蓋下限窗口，或上限窗口。
這些窗口，按圖16，通過適當(dāng)選擇電壓范圍161，162允許彼此重疊。
每個可控的終接晶體管能通過一個控制信號，或通過降低導(dǎo)線9上的電壓電平去激活。
如以前對大量應(yīng)用所指出的那樣，隨著導(dǎo)線20上的電壓值的增加，可以要求導(dǎo)線25上的電壓值高于導(dǎo)線9上通過該電壓所提供的電壓值。該更高的電壓值要求用于補償體效應(yīng)以及由SC-技術(shù)和在轉(zhuǎn)換電路，電容器及導(dǎo)電電路中的寄生電容引起的電壓下降。
參照圖7描述一種耦合/技術(shù)可供選擇的比較方案，是對圖2或3實施例的補充，在那里特別在柵極引線33g上出現(xiàn)的電壓值通過導(dǎo)線24略有提升，以便補償與晶體管相關(guān)的體效應(yīng)以及寄生電容。
圖7說明存在著另外一個電容器61，連接到電容器23，并以第三轉(zhuǎn)換器件62為媒介能激活和去激活，以便通過一個選擇系數(shù)增加由電壓平均值形成單元5產(chǎn)生的電壓。
對于圖7實施例的情況，電壓值20加到另一個轉(zhuǎn)換器件62的電接觸位置62a，使得在該轉(zhuǎn)換器的該狀態(tài)下，電壓值20將加到另一個電容器61和電容器23，而在所說轉(zhuǎn)換器的另一狀態(tài)62b情況下，該另一個電容器61將連接到地電位63。
在導(dǎo)線25上的電壓電平能達到一個理論值，該理論值相應(yīng)導(dǎo)線9上的電壓值加上兩倍電壓值20的電平。
圖8說明時間圖，用于激活轉(zhuǎn)換電路或第一耦合器件23和與第三耦合器件62成對的第二耦合器件22，以便產(chǎn)生用于得到所說高控制電壓水平的條件。
從圖8A看出，激活轉(zhuǎn)換器21、22到它們各自的狀態(tài)21b和22b，并設(shè)置轉(zhuǎn)換器件62到其狀態(tài)62c將導(dǎo)致導(dǎo)線9上的電壓“Vr”傳輸?shù)诫娙萜?3。
從圖8B看出，依次激活轉(zhuǎn)換器到轉(zhuǎn)換狀態(tài)21a、22c和62b將導(dǎo)致導(dǎo)線20上的電壓“Vm”傳輸?shù)诫娙萜?1。
從圖8C看出，依次激活轉(zhuǎn)換器到各自的狀態(tài)21c、22c和62a將導(dǎo)致導(dǎo)線20上的電壓(Vm)處于同電容器61兩端的電壓“Vm”“串聯(lián)”的狀態(tài)，以及同電容器23兩端的電壓“Vr”串聯(lián)。
從圖8D看出，依次激活轉(zhuǎn)換器到各自的狀態(tài)62a、22a和21c導(dǎo)致一個相應(yīng)理論電壓值(Vr+2Vm)的電壓值出現(xiàn)在導(dǎo)線25和柵極引線33g上。
然而對實際應(yīng)用情況，柵極引線上的電壓值將略低，不過對體效應(yīng)和寄生電容兩者達到理想的補償已經(jīng)足夠。
圖9是一個簡化了的電路圖，說明具有終接電路的單終端信號系統(tǒng)，該終接電路是浮置的，并通過一個電容器80連接到地電位。平均值一般出現(xiàn)在連接點20處。
圖10是一個簡化了的電路，說明單終端信號系統(tǒng)，包括導(dǎo)線2，具有終接電路4的信號接收器1，該終接電路與固定電壓產(chǎn)生電路90的關(guān)系是固定不變的。在此情況下，該電壓可以是任意要求的電壓并且甚至可以是0電壓。
圖11示意說明具有浮置終端和串聯(lián)連接在導(dǎo)線2、3上的終接電路4的阻抗104和105的差分信號系統(tǒng)。
圖12示意說明具有浮置和去激活終端的差分信號系統(tǒng)。在該情況中，屬于終接電路4的阻抗114和115同連接到電容116然后連接到地電位的公共連接點20串聯(lián)連接。
圖13示意說明具有終端電路4的阻抗124、125的差分信號系統(tǒng)，該終接電路4與固定電壓產(chǎn)生電路126的關(guān)系是固定不變的。該電壓可以有任意要求的值，甚至可以為0。
圖14說明一種NMOS晶體管的曲線特性，在那里電壓值將選擇在成正比的或線性的區(qū)域A中，以便形成電阻起主導(dǎo)作用的阻抗。
圖15說明在晶體管33的柵極引線33g的電壓不變的情況下其阻抗值的變化取決于電壓(Vm)在不存在電壓調(diào)整的場合對發(fā)明有意義。
圖15是一條曲線，它表示對于100mv量級的小電壓漏極和源極連接間阻抗的變化。
圖15還試圖說明當(dāng)漏極和源極電壓與固定的柵極電壓同時向上移動時對阻抗Zi將發(fā)生什么。
平均值Vm將為(VD+VS)/2。
這表示根據(jù)電壓變化，同顯著的偏差或偏離一起使阻抗值有明顯的改變。
圖16說明按本發(fā)明隨電壓補償相應(yīng)的變化。
用實線表示按圖1在柵極電壓為(Vr+Vm)情況下阻抗的變化。
用折線表示在柵極電壓為(Vr+KVm)情況下阻抗的變化，這里K為1.2。
用虛線表示在柵極電壓為25，放大系數(shù)高于K＝1.2的情況下阻抗的變化。
范圍161試圖說明對于“下限”窗口電壓范圍的取向，而區(qū)域162試圖說明對于“上限”窗口電壓范圍的取向。
將指出，按以上所述，所有附圖只表示單個晶體管，但在實際上，該晶體管可以由一個或多個串接和/或并接的晶體管組成，也同例如電阻元件相結(jié)合。
將理解本發(fā)明并不局限于作為例子所描述的和說明的實施例，在以下權(quán)利要求限定的發(fā)明概念的范圍內(nèi)能夠做出多個改型。
權(quán)利要求
1.一種終接電路或網(wǎng)絡(luò)，連接到單根或雙根形式的信號傳輸媒介，在該媒介上能傳輸電壓脈沖形式的攜帶信息的信號，以及一個阻抗匹配電路，其連接到所說單根導(dǎo)線或多根導(dǎo)線，其特征在于，一個平均電壓值形成單元產(chǎn)生一個平均電壓值，一個控制單元產(chǎn)生一個合適的參考電壓值，以及一個阻抗匹配晶體管包括在所說阻抗匹配電路中，其中所說平均電壓值和所說參考電壓值相加在一起形成加到所說晶體管柵極引線的一個合成控制電壓值。
2.按權(quán)利要求1的電路，其特征在于，該加到所說柵極引線的控制電壓值是由一個電壓相加電路產(chǎn)生的，從所說平均電壓值形成單元得到的一個電壓值和從所說控制單元得到的一個參考電壓值加到該電壓相加電路，所說控制單元是和所說阻抗匹配電路合理分開的電路。
3.按權(quán)利要求1的電路，其特征在于，所說平均電壓形成單元連接到所說多根導(dǎo)線之一根導(dǎo)線并包括一個信號積分電路。
4.按權(quán)利要求1的電路，其特征在于，平均電壓值形成單元連接到兩根導(dǎo)線還包括兩個相互類同的元件。
5.按權(quán)利要求1的電路，其特征在于，由平均電壓值形成單元產(chǎn)生的電壓值借助SC技術(shù)加到柵極引線。
6.按權(quán)利要求5的電路，其特征在于，所應(yīng)用的SC技術(shù)使用兩個轉(zhuǎn)換電路和一個電容或連接在所說電路之間的電容。
7.按權(quán)利要求1的電路，其特征在于，平均電壓值形成單元包括多個阻抗匹配器件，該阻抗匹配器件連接到兩根導(dǎo)線，并連接在一起形成代表由出現(xiàn)的電壓脈沖形成的一個平均值的電壓值。
8.按權(quán)利要求6或7的電路，其特征在于，由所說平均值形成的電壓值加到一第一轉(zhuǎn)換電路，該第一轉(zhuǎn)換電路在第一轉(zhuǎn)換狀態(tài)下向?qū)儆谒f電路的電容輸出所說電壓值。
9.按權(quán)利要求8的電路，其特征在于，一第二轉(zhuǎn)換電路連接到所說電容器，其中所說第二轉(zhuǎn)換電路在第一狀態(tài)下施加一個與電容器相關(guān)的電壓到所說柵極引線，而在第二狀態(tài)下輸出所說參考電壓到所說電容器。
10.按權(quán)利要求8或9的電路，其特征在于，所說第一和第二轉(zhuǎn)換電路由多個控制信號協(xié)調(diào)，致使可同時采用第一狀態(tài)以及同時采用第二狀態(tài)。
11.按權(quán)利要求1的電路，其特征在于，該阻抗匹配電路包括三個晶體管，其中一個連接在兩根導(dǎo)線之間，而剩余的形成一個平均電壓值形成單元；以及所有所說晶體管的柵極引線能受到所說合成控制電壓值的影響。
12.按權(quán)利要求11的電路，其特征在于，一個或多個所說晶體管包括在與晶體管相關(guān)的電阻起支配作用的耦合電路中。
13.按權(quán)利要求11的電路，其特征在于，可用一個電阻取代一個或多個晶體管。
14.按權(quán)利要求1的電路，其特征在于，所說由平均電壓值形成單元產(chǎn)生的所說電壓值在一個放大器中加以放大。
15.按權(quán)利要求1或14的電路，其特征在于，所產(chǎn)生的電壓值借助于SC技術(shù)增加。
16.按權(quán)利要求1的電路，其特征在于，作為一個參考電壓的電壓值被選擇為低于與系統(tǒng)相關(guān)的被選擇的電源電壓。
17.按權(quán)利要求1的電路，其特征在于，被提供柵極電壓的晶體管相對于在所說晶體管的漏極或源極上出現(xiàn)的電壓保持不變，而不管所說電壓脈沖產(chǎn)生的電壓范圍。
18.按權(quán)利要求1或7的電路，其特征在于，平均電壓值形成單元包括連接在兩根導(dǎo)線之間的兩個串接的相互類同的晶體管，晶體管的公共連接點被連接到或包括所說平均值形成的電壓值。
19.按權(quán)利要求1、11或17的電路，其特征在于，串接晶體管的兩柵極引線直接連接到另一個晶體管的柵極引線。
20.按權(quán)利要求19的電路，其特征在于，另一個晶體管同所說兩個串接晶體管并接。
21.按權(quán)利要求1、14或15的電路，其特征在于，與晶體管相關(guān)的工作點偏移和/或一終接點相對地電位的偏移能通過匹配在柵極引線或基片柵極上出現(xiàn)的電壓值的電壓而得到補償。
22.按權(quán)利要求15或21的電路，其特征在于，所說補償是動態(tài)補償，如此，一個用在柵極引線上的控制電壓能夠以起終接阻抗作用的晶體管為媒介而直接儲存。
23.按權(quán)利要求1的電路，其特征在于，在NMOS晶體管的情況下，加到柵極引線的所說合成控制電壓值在從略低于0電平到略高于電源電壓一半的范圍內(nèi)是可接受的。
24.按權(quán)利要求1的電路，其特征在于，由阻抗匹配電路提供的終端可以是浮置的或去激活的或與一個固定的電壓相關(guān)。
25.按權(quán)利要求1的電路，其特征在于，所說阻抗匹配晶體管由PMOS器件組成。
26.按權(quán)利要求25的電路，其特征在于，加到柵極引線的合成電壓值在從略低于電源電壓一半到略高于所說電源電壓的范圍內(nèi)是可接受的。
27.按權(quán)利要求23、25或27的電路，其特征在于，NMOS晶體管和PMOS晶體管被結(jié)合在不同的終接電路中，致使能根據(jù)一個激活信號選擇復(fù)蓋一個下限或上限窗口。
28.按權(quán)利要求1的電路，其特征在于，能以一個控制信號為媒介來去激活所選擇的終端。
29.按權(quán)利要求1或15的電路，其特征在于，由所說平均電壓形成的所說電壓值加到一第一轉(zhuǎn)換電路和一第三轉(zhuǎn)換電路。
30.按權(quán)利要求29的電路，其特征在于，所說第一和所說第三轉(zhuǎn)換電路，以及第二轉(zhuǎn)換電路根據(jù)一個控制信號能導(dǎo)致選用三個轉(zhuǎn)換狀態(tài)中的一個狀態(tài)。
31.按權(quán)利要求29的電路，其特征在于，由所說平均電壓值形成的電壓值被加到第一和第三轉(zhuǎn)換電路的第一轉(zhuǎn)換狀態(tài)。
32.按權(quán)利要求31的電路，特征在其于，由平均電壓值形成的電壓值借助于設(shè)置到其第二轉(zhuǎn)換狀態(tài)的第三轉(zhuǎn)換電路加到另一電容或另一電容器。
33.按權(quán)利要求32的電路，其特征在于，所說另一個電容器連接在第一轉(zhuǎn)換電路和第三轉(zhuǎn)換電路以及所說電容或電容器之間。
34.按權(quán)利要求30的電路，其特征在于，所說三個轉(zhuǎn)換電路是激活信號，該信號是有影響的，結(jié)果在第一時間段中a)第一轉(zhuǎn)換電路將采用其第二轉(zhuǎn)換狀態(tài)；b)第二轉(zhuǎn)換電路將采用其第二轉(zhuǎn)換狀態(tài)；以及c)第三轉(zhuǎn)換電路將采用其第三轉(zhuǎn)換狀態(tài)；在以下第二時間段a)第一轉(zhuǎn)換電路將采用其第一轉(zhuǎn)換狀態(tài)；b)第二轉(zhuǎn)換電路將采用其第三轉(zhuǎn)換狀態(tài)；c)第三轉(zhuǎn)換電路將采用其第二轉(zhuǎn)換狀態(tài)；在以下第三時間段a)第一轉(zhuǎn)換電路將采用其第三轉(zhuǎn)換狀態(tài)；b)第二轉(zhuǎn)換電路將采用其第三轉(zhuǎn)換狀態(tài)；c)第三轉(zhuǎn)換電路將采用其第一轉(zhuǎn)換狀態(tài)；以及在以下第四時間段a)第一轉(zhuǎn)換電路將采用其第三轉(zhuǎn)換狀態(tài)；b)第二轉(zhuǎn)換電路將采用其第一轉(zhuǎn)換狀態(tài)；c)第三轉(zhuǎn)換電路將采用其第一轉(zhuǎn)換狀態(tài)。
35.按權(quán)利要求29的電路，其特征在于，另一個連接到所說電容器的電容器在合理時間能被激活和去激活，以便增加能加到柵極引線的控制電壓值。
全文摘要
本發(fā)明包括一種終接電路或者以單根或雙根導(dǎo)線或傳輸線(2,3)的方式連接到一種信號傳輸媒介的網(wǎng)絡(luò)(4),在該傳輸線上能傳輸以脈沖方式攜帶信息的信號電壓,以及一個阻抗匹配電路(4a),連接到單根導(dǎo)線或多根導(dǎo)線。該電路包括一個平均電壓值形成單元,產(chǎn)生一個平均電壓值;一個控制單元,產(chǎn)生適宜的參考電壓值;以及一個阻抗匹配電阻,它包括在所說阻抗匹配電路中,其中所說電壓值和所說參考電壓值相加在一起形成加到阻抗匹配晶體管控制極引線的一個合成控制電壓。
文檔編號H03K19/0175GK1172565SQ95197299
公開日1998年2月4日 申請日期1995年11月9日 優(yōu)先權(quán)日1994年11月23日
發(fā)明者M·O·J·海德貝里 申請人:艾利森電話股份有限公司