本發(fā)明涉及射頻芯片領(lǐng)域，尤其涉及射頻soc芯片用開關(guān)、soc芯片和溫補(bǔ)控制方法。

背景技術(shù)：

1、系統(tǒng)級芯片（system?on?chip，簡稱soc），也稱片上系統(tǒng)，意指它是一個產(chǎn)品，是一個有專用目標(biāo)的集成電路，其中包含完整系統(tǒng)并有嵌入軟件的全部內(nèi)容。對于多通道多功能的soc芯片，不同溫度下，各通道的相位會隨著溫度的變化而變化，這對于整個soc芯片來說是需要解決的問題。

2、現(xiàn)有soc多功能芯片的相位在高低溫時有所不同，主要調(diào)節(jié)手段需要依靠溫補(bǔ)移相器來進(jìn)行重新選點來將相位的偏移拉回，但若是多功能芯片中沒有溫補(bǔ)移相器，那調(diào)節(jié)手段就相對匱乏以至于沒有。而對于溫補(bǔ)移相器，其調(diào)節(jié)需要重新選點，這也使得soc芯片的使用更為繁瑣，甚至當(dāng)工作到不同溫度時，需進(jìn)行查真值表來改變。

3、而在射頻soc芯片中，高頻開關(guān)用于控制信號的傳輸路徑。通過精確控制mos管的開關(guān)狀態(tài)，可以實現(xiàn)信號的精確控制和路由。?當(dāng)開關(guān)使用如圖1所示的波長線加并聯(lián)接地mos管的結(jié)構(gòu)?，主要涉及到波長線（通常指傳輸線）和mos管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的組合使用。這種結(jié)構(gòu)在電子電路中具有一定的應(yīng)用價值，特別是在高頻開關(guān)和阻抗匹配方面。波長線是一種傳輸線，用于傳輸電磁波。它具有特定的阻抗和傳播特性，常用于高頻電路中。mos管則是一種場效應(yīng)晶體管，通過控制柵極電壓來控制源極和漏極之間的電流，具有高輸入阻抗和低噪聲的特性。而在高頻開關(guān)應(yīng)用中，波長線和mos管的組合結(jié)構(gòu)可以提供更好的開關(guān)性能和阻抗匹配。

4、如果能將溫補(bǔ)移相和開關(guān)架構(gòu)相結(jié)合，即可實現(xiàn)在不占用更多空間的同時、用簡單的電壓控制實現(xiàn)對整個射頻soc芯片的相位調(diào)節(jié)（主控制或輔助控制）。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種射頻soc芯片用開關(guān)、soc芯片和溫補(bǔ)控制方法。

2、本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的：

3、本發(fā)明的第一方面，提供射頻soc芯片用開關(guān)，包括分別與第一端口連接的第一串聯(lián)支路和第二串聯(lián)支路，所述第一串聯(lián)支路和第二串聯(lián)支路均包括串聯(lián)設(shè)置于對應(yīng)串聯(lián)支路上的四分之一波長線和并聯(lián)接地mos管；所述四分之一波長線上并聯(lián)有至少一個溫補(bǔ)移相單元。

4、進(jìn)一步地，所述并聯(lián)接地mos管的柵極接入外部控制信號，并聯(lián)接地mos管的源極接地且漏極接入對應(yīng)串聯(lián)支路、或者并聯(lián)接地mos管的漏極接地且源極接入對應(yīng)串聯(lián)支路。

5、進(jìn)一步地，所述溫補(bǔ)移相單元包括串聯(lián)且接地的溫補(bǔ)電容和溫補(bǔ)mos管，溫補(bǔ)mos管的柵極接入外部控制信號。

6、進(jìn)一步地，所述溫補(bǔ)電容的一端接入四分之一波長線，溫補(bǔ)電容的另一端與溫補(bǔ)mos管的源極連接，溫補(bǔ)mos管的柵極接地；或者：

7、所述溫補(bǔ)電容的一端接入四分之一波長線，溫補(bǔ)電容的另一端與溫補(bǔ)mos管的漏極連接，溫補(bǔ)mos管的源極接地；或者：

8、所述溫補(bǔ)電容的一端接入接地，溫補(bǔ)電容的另一端與溫補(bǔ)mos管的源極連接，溫補(bǔ)mos管的漏極接入四分之一波長線；或者：

9、所述溫補(bǔ)電容的一端接入接地，溫補(bǔ)電容的另一端與溫補(bǔ)mos管的漏極連接，溫補(bǔ)mos管的源極接入四分之一波長線。

10、進(jìn)一步地，所述溫補(bǔ)移相單元設(shè)置為多組，初始狀態(tài)下至少一組溫補(bǔ)移相單元開啟且至少一組溫補(bǔ)移相單元關(guān)閉。

11、本發(fā)明的第二方面，提供soc芯片，包括：

12、如第一方面所述的射頻soc芯片用開關(guān)；

13、第一射頻支路，與射頻soc芯片用開關(guān)的第二端口連接，所述射頻soc芯片用開關(guān)的第二端口為第一串聯(lián)支路遠(yuǎn)離第一端口的端口；所述第一射頻支路包括第一溫補(bǔ)移相器；

14、第二射頻支路，與射頻soc芯片用開關(guān)的第三端口連接，所述射頻soc芯片用開關(guān)的第三端口為第二串聯(lián)支路遠(yuǎn)離第一端口的端口；所述第二射頻支路包括第二溫補(bǔ)移相器；

15、溫度檢測電路，用于檢測芯片本地溫度；

16、控制模塊，通過控制并聯(lián)接地mos管的開閉實現(xiàn)第一串聯(lián)支路和第二串聯(lián)支路的導(dǎo)通與截止，并且根據(jù)溫度檢測電路的溫度檢測結(jié)果控制射頻soc芯片用開關(guān)的溫補(bǔ)移相單元和/或控制射頻支路的溫補(bǔ)移相器的移相情況。

17、進(jìn)一步地，所述第一射頻支路和第二射頻支路還包括濾波器、均衡器、限幅器、衰減器、放大器、混頻器中的一種或者多種。

18、進(jìn)一步地，所述第一射頻支路為射頻發(fā)射支路，所述第二射頻支路為射頻接收支路。

19、本發(fā)明的第三方面，提供如第二方面所述的soc芯片的溫補(bǔ)控制方法，包括：

20、控制模塊根據(jù)溫度檢測電路的溫度檢測結(jié)果計算待調(diào)節(jié)的相位值；

21、當(dāng)待調(diào)節(jié)的相位值為小范圍相位，控制模塊輸出控制射頻soc芯片用開關(guān)的溫補(bǔ)移相單元進(jìn)行溫補(bǔ)移相的第一控制信號；否則控制模塊輸出控制對應(yīng)射頻支路的溫補(bǔ)移相器進(jìn)行溫補(bǔ)移相的第二控制信號。

22、進(jìn)一步地，所述小范圍相位為正負(fù)5度之間。

23、本發(fā)明的有益效果是：

24、在本發(fā)明的一示例性實施例中，通過將溫補(bǔ)移相單元和開關(guān)架構(gòu)相結(jié)合的方式，在不占用更多空間的同時，用簡單的電壓控制，實現(xiàn)了可對整個soc芯片的相位調(diào)節(jié)。在不占用多余版圖空間的情況下，多功能soc芯片的相位調(diào)節(jié)手段更方便快捷，當(dāng)確定高低溫所需補(bǔ)償?shù)脑Ａ亢缶湍苤苯庸潭刂齐娙莸拈_關(guān)權(quán)重；并且，此技術(shù)不受工藝限制，可進(jìn)行平行移植，能更廣泛的應(yīng)用于各個頻段。

技術(shù)特征：

1.射頻soc芯片用開關(guān)，其特征在于：包括分別與第一端口連接的第一串聯(lián)支路和第二串聯(lián)支路，所述第一串聯(lián)支路和第二串聯(lián)支路均包括串聯(lián)設(shè)置于對應(yīng)串聯(lián)支路上的四分之一波長線和并聯(lián)接地mos管；所述四分之一波長線上并聯(lián)有至少一個溫補(bǔ)移相單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻soc芯片用開關(guān)，其特征在于：所述并聯(lián)接地mos管的柵極接入外部控制信號，并聯(lián)接地mos管的源極接地且漏極接入對應(yīng)串聯(lián)支路、或者并聯(lián)接地mos管的漏極接地且源極接入對應(yīng)串聯(lián)支路。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻soc芯片用開關(guān)，其特征在于：所述溫補(bǔ)移相單元包括串聯(lián)且接地的溫補(bǔ)電容和溫補(bǔ)mos管，溫補(bǔ)mos管的柵極接入外部控制信號。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻soc芯片用開關(guān)，其特征在于：所述溫補(bǔ)電容的一端接入四分之一波長線，溫補(bǔ)電容的另一端與溫補(bǔ)mos管的源極連接，溫補(bǔ)mos管的柵極接地；或者：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻soc芯片用開關(guān)，其特征在于：所述溫補(bǔ)移相單元設(shè)置為多組，初始狀態(tài)下至少一組溫補(bǔ)移相單元開啟且至少一組溫補(bǔ)移相單元關(guān)閉。

6.soc芯片，其特征在于：包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的soc芯片，其特征在于：所述第一射頻支路和第二射頻支路還包括濾波器、均衡器、限幅器、衰減器、放大器、混頻器中的一種或者多種。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的soc芯片，其特征在于：所述第一射頻支路為射頻發(fā)射支路，所述第二射頻支路為射頻接收支路。

9.如權(quán)利要求6~8中任意一項所述的soc芯片的溫補(bǔ)控制方法，其特征在于：包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的soc芯片的溫補(bǔ)控制方法，其特征在于：所述小范圍相位為正負(fù)5度之間。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了射頻SoC芯片用開關(guān)、SoC芯片和溫補(bǔ)控制方法，開關(guān)包括分別與第一端口連接的第一串聯(lián)支路和第二串聯(lián)支路，所述第一串聯(lián)支路和第二串聯(lián)支路均包括串聯(lián)設(shè)置于對應(yīng)串聯(lián)支路上的四分之一波長線和并聯(lián)接地MOS管；所述四分之一波長線上并聯(lián)有至少一個溫補(bǔ)移相單元。本發(fā)明通過將溫補(bǔ)移相單元和開關(guān)架構(gòu)相結(jié)合的方式，在不占用更多空間的同時，用簡單的電壓控制，實現(xiàn)了可對整個SoC芯片的相位調(diào)節(jié)。在不占用多余版圖空間的情況下，多功能SoC芯片的相位調(diào)節(jié)手段更方便快捷，當(dāng)確定高低溫所需補(bǔ)償?shù)脑Ａ亢缶湍苤苯庸潭刂茰匮a(bǔ)移相單元的開關(guān)權(quán)重；并且，此技術(shù)不受工藝限制，可進(jìn)行平行移植，能更廣泛的應(yīng)用于各個頻段。

技術(shù)研發(fā)人員：杜易聰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：四川泊微科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2