本申請(qǐng)屬于顯示設(shè)備，具體涉及薄膜晶體管及其制備方法、顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、由于液晶顯示器(liquid?crystal?display，lcd)具有輕薄短小、低耗電量、無(wú)輻射危險(xiǎn)，平面直角顯示、及影像穩(wěn)定不閃爍等優(yōu)勢(shì)，lcd成為顯示行業(yè)的主流技術(shù)。薄膜晶體管通常用于控制液晶的偏轉(zhuǎn)。在相關(guān)技術(shù)中，制備薄膜晶體管的生產(chǎn)工藝通常需要4-5個(gè)及以上掩膜件，導(dǎo)致生產(chǎn)成本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于此，本申請(qǐng)第一方面提供了一種薄膜晶體管的制備方法，所述制備方法包括：

2、提供基板與第一掩膜件；

3、利用所述第一掩膜件在所述基板的一側(cè)形成第一子像素電極層、第二子像素電極層、有源層、及第一絕緣層；所述第一子像素電極層與所述第二子像素電極層設(shè)于所述基板的同一側(cè)且間隔設(shè)置，所述有源層設(shè)于所述第一子像素電極層背離所述基板的一側(cè)，所述第一絕緣層設(shè)于所述有源層背離所述基板的一側(cè)。

4、本申請(qǐng)第一方面提供的薄膜晶體管的制備方法，可利用第一掩膜件同時(shí)形成第一子像素電極層、第二子像素電極層、有源層、及第一絕緣層，換言之，薄膜晶體管的第一子像素電極層、第二子像素電極層、有源層、及第一絕緣層可通過(guò)一個(gè)掩膜件實(shí)現(xiàn)圖案化。

5、因此，本申請(qǐng)通過(guò)采用一個(gè)掩膜件制備第一子像素電極層、第二子像素電極層、有源層、及第一絕緣層，可在薄膜晶體管的制備過(guò)程中減少了掩膜件的數(shù)量，可減少掩膜件的制備成本，還可減少顯影液、光刻膠等耗材的損耗，并且可縮短生產(chǎn)節(jié)拍，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

6、其中，所述第一掩膜件具有第一區(qū)域與第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的曝光率小于所述第二區(qū)域的曝光率；在形成所述第一子像素電極層、所述第二子像素電極層、所述有源層、及所述第一絕緣層的步驟，包括：

7、形成設(shè)于所述基板一側(cè)的像素電極層；

8、形成設(shè)于所述像素電極層背離所述基板的一側(cè)的有源層；

9、形成設(shè)于所述有源層背離所述基板的一側(cè)的第一絕緣層；

10、形成設(shè)于所述第一絕緣層背離所述基板的一側(cè)的光刻層；

11、將所述第一掩膜件設(shè)于所述光刻層背離所述基板的一側(cè)，并曝光所述光刻層；曝光后的所述光刻層包括對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域的第一部分、及對(duì)應(yīng)所述第二區(qū)域的第二部分；沿所述基板至所述像素電極層的排列方向上，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度，且所述光刻層具有貫穿所述第二部分的通孔，所述第一絕緣層自所述通孔露出；

12、刻蝕自所述通孔露出的所述第一絕緣層、所述有源層、及所述像素電極層；

13、由所述像素電極層得到間隔設(shè)置的所述第一子像素電極層與所述第二子像素電極層，所述通孔對(duì)應(yīng)所述第一子像素電極層與所述第二子像素電極層之間的間隙。

14、其中，所述第一區(qū)域包括第一區(qū)與第二區(qū)，所述第一區(qū)的曝光率小于所述第二區(qū)的曝光率；在曝光所述光刻層的步驟，包括：

15、曝光后的所述光刻層包括對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)的第一部、及對(duì)應(yīng)所述第二區(qū)的第二部；沿所述基板至所述像素電極層的排列方向上，所述第一部的厚度大于所述第二部的厚度；

16、所述第一部對(duì)應(yīng)所述第一子像素電極層，所述第二部對(duì)應(yīng)所述第二子像素電極層；在得到所述第一子像素電極層與所述第二子像素電極層的步驟之后，還包括：

17、刻蝕所述光刻層，以去除部分所述第一部、及所述第二部；

18、去除設(shè)于所述第二子像素電極層背離所述基板一側(cè)的有源層與第一絕緣層。

19、其中，所述第一區(qū)包括第一子區(qū)與第二子區(qū)，所述第一區(qū)域的曝光率小于所述第二區(qū)域的曝光率；在曝光所述光刻層的步驟，包括：

20、曝光后的所述光刻層包括對(duì)應(yīng)所述第一子區(qū)的第一子部、及對(duì)應(yīng)所述第二子區(qū)的第二子部；沿所述基板至所述像素電極層的排列方向上，所述第一子部的厚度大于所述第二子部的厚度；

21、在去除對(duì)應(yīng)所述第二子像素電極層的所述有源層與所述第一絕緣層的步驟之后，還包括：

22、再次刻蝕所述光刻層，以去除部分所述第一子部、及所述第二子部；

23、去除自剩余的所述第一子部露出的部分所述第一絕緣層；

24、去除剩余的所述第一子部。

25、其中，在形成所述第一子像素電極層、所述第二子像素電極層、所述有源層、及所述第一絕緣層的步驟之后，還包括：

26、提供第二掩膜件；

27、利用所述第二掩膜件在所述有源層背離所述基板的一側(cè)形成源極電極層、漏極電極層、及柵極電極層；所述源極電極層與所述漏極電極層設(shè)于所述有源層背離所述基板的表面，所述柵極電極層設(shè)于所述第一絕緣層背離所述基板的一側(cè)，所述漏極電極層還設(shè)于所述第一子像素電極層與所述第二子像素電極層之間并電連接所述第二子像素電極層。

28、其中，在形成所述源極電極層、所述漏極電極層、及所述柵極電極層的步驟之后，還包括：

29、提供第三掩膜件；

30、利用所述第三掩膜件形成覆蓋所述源極電極層、所述漏極電極層、所述柵極電極層、所述有源層、及所述第二子像素電極層的第二絕緣層。

31、本申請(qǐng)第二方面提供了一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括基板、設(shè)于所述基板的同一側(cè)且間隔設(shè)置的第一子像素電極層與第二子像素電極層、設(shè)于所述第一子像素電極層背離所述基板一側(cè)的有源層、及設(shè)于所述有源層背離所述基板一側(cè)的第一絕緣層，所述第一子像素電極層、所述第二子像素電極層、所述有源層、及所述第一絕緣層均能夠通過(guò)第一掩膜件制備得到。

32、本申請(qǐng)第二方面提供的薄膜晶體管，通過(guò)采用一個(gè)掩膜件制備第一子像素電極層、第二子像素電極層、有源層、及第一絕緣層，可在薄膜晶體管的制備過(guò)程中減少了掩膜件的數(shù)量，可減少掩膜件的制備成本，還可減少顯影液、光刻膠等耗材的損耗，并且可縮短生產(chǎn)節(jié)拍，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

33、其中，所述薄膜晶體管還包括設(shè)于所述有源層背離所述基板一側(cè)的源極電極層與漏極電極層、及設(shè)于所述第一絕緣層背離所述基板一側(cè)的柵極電極層，所述漏極電極層還設(shè)于所述第一子像素電極層與所述第二子像素電極層之間并電連接所述第二子像素電極層，所述源極電極層、所述漏極電極層、及所述柵極電極層均通過(guò)第二掩膜件得到。

34、其中，所述薄膜晶體管還包括覆蓋所述源極電極層、所述漏極電極層、所述柵極電極層、所述有源層、及所述第二子像素電極層的第二絕緣層，所述第二絕緣層通過(guò)第三掩膜件得到。

35、本申請(qǐng)第三方面提供了一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括殼體、及如本申請(qǐng)第二方面提供的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管裝設(shè)于所述殼體。

36、本申請(qǐng)第三方面提供的顯示設(shè)備，通過(guò)采用本申請(qǐng)第二方面提供的薄膜晶體管，其采用一個(gè)掩膜件制備第一子像素電極層、第二子像素電極層、有源層、及第一絕緣層，可在薄膜晶體管的制備過(guò)程中減少了掩膜件的數(shù)量，可減少掩膜件的制備成本，還可減少顯影液、光刻膠等耗材的損耗，并且可縮短生產(chǎn)節(jié)拍，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)特征：

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一掩膜件具有第一區(qū)域與第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的曝光率小于所述第二區(qū)域的曝光率；在形成所述第一子像素電極層、所述第二子像素電極層、所述有源層、及所述第一絕緣層的步驟，包括：

3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一區(qū)域包括第一區(qū)與第二區(qū)，所述第一區(qū)的曝光率小于所述第二區(qū)的曝光率；在曝光所述光刻層的步驟，包括：

4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一區(qū)包括第一子區(qū)與第二子區(qū)，所述第一區(qū)域的曝光率小于所述第二區(qū)域的曝光率；在曝光所述光刻層的步驟，包括：

5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在形成所述第一子像素電極層、所述第二子像素電極層、所述有源層、及所述第一絕緣層的步驟之后，還包括：

6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在形成所述源極電極層、所述漏極電極層、及所述柵極電極層的步驟之后，還包括：

7.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括基板、設(shè)于所述基板的同一側(cè)且間隔設(shè)置的第一子像素電極層與第二子像素電極層、設(shè)于所述第一子像素電極層背離所述基板一側(cè)的有源層、及設(shè)于所述有源層背離所述基板一側(cè)的第一絕緣層，所述第一子像素電極層、所述第二子像素電極層、所述有源層、及所述第一絕緣層均能夠通過(guò)第一掩膜件制備得到。

8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括設(shè)于所述有源層背離所述基板一側(cè)的源極電極層與漏極電極層、及設(shè)于所述第一絕緣層背離所述基板一側(cè)的柵極電極層，所述漏極電極層還設(shè)于所述第一子像素電極層與所述第二子像素電極層之間并電連接所述第二子像素電極層，所述源極電極層、所述漏極電極層、及所述柵極電極層均通過(guò)第二掩膜件得到。

9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括覆蓋所述源極電極層、所述漏極電極層、所述柵極電極層、所述有源層、及所述第二子像素電極層的第二絕緣層，所述第二絕緣層通過(guò)第三掩膜件得到。

10.一種顯示設(shè)備，其特征在于，所述顯示設(shè)備包括殼體、及如權(quán)利要求7-8任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管裝設(shè)于所述殼體。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝吮∧ぞw管及其制備方法、顯示設(shè)備。提供基板與第一掩膜件。利用第一掩膜件在基板的一側(cè)形成第一子像素電極層、第二子像素電極層、有源層、及第一絕緣層；第一子像素電極層與第二子像素電極層設(shè)于基板的同一側(cè)且間隔設(shè)置，有源層設(shè)于第一子像素電極層背離基板的一側(cè)，第一絕緣層設(shè)于有源層背離基板的一側(cè)。因此，本申請(qǐng)通過(guò)采用一個(gè)掩膜件制備第一子像素電極層、第二子像素電極層、有源層、及第一絕緣層，可在薄膜晶體管的制備過(guò)程中減少了掩膜件的數(shù)量，可減少掩膜件的制備成本，還可減少顯影液、光刻膠等耗材的損耗，并且可縮短生產(chǎn)節(jié)拍，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：夏俊偉,付文杰,鄭立彬,李明旭,付小青,徐培
受保護(hù)的技術(shù)使用者：惠科股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9