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白色有機電致發(fā)光器件和顯示裝置的制作方法

文檔序號:40639658發(fā)布日期:2025-01-10 18:45閱讀:1來源:國知局
白色有機電致發(fā)光器件和顯示裝置的制作方法

本技術(shù)實施例涉及但不限于顯示,尤指一種白色有機電致發(fā)光器件和一種顯示裝置。


背景技術(shù):

1、有機電致發(fā)光器件(organic?light?emitting?device,oled)是基于有機半導(dǎo)體材料的發(fā)光二極管。oled由于具有全固態(tài)、主動發(fā)光、高對比度、超薄、低功耗、無視角限制、響應(yīng)速度快、工作溫度范圍寬、易于實現(xiàn)柔性和大面積、功耗低等諸多優(yōu)點,不但可以作為顯示器件,在照明領(lǐng)域也有很好的應(yīng)用前景。為實現(xiàn)oled顯示器的全彩化,一種方式是通過紅綠藍(rgb)子像素分別發(fā)光的并列式(side-by-side)結(jié)構(gòu)來實現(xiàn),另一種方式是通過白色有機發(fā)光二極管(white?organic?light?emitting?diode,woled)和彩色濾光(colorfilter,cf)層疊加的串聯(lián)型(tandem?woled+cf)結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)。在woled中,兩個或多個發(fā)光層通過電荷產(chǎn)生層(charge?generation?layer,cgl)相連,發(fā)出白光,經(jīng)過cf層過濾后得到rgb單色光,因發(fā)光層疊加,故稱作串聯(lián)型結(jié)構(gòu)。由于woled與cf層疊加結(jié)構(gòu)不需要精準的掩膜工藝,就可以實現(xiàn)oled顯示器的高分辨率,因此,目前雖然中小尺寸oled顯示面板普遍采用rgb像素并列式的結(jié)構(gòu),而大尺寸oled顯示面板卻普遍采用woled與cf層的疊加結(jié)構(gòu)??梢姲坠鈕led器件成為大尺寸顯示面板及照明器件制作的重要途徑之一。目前,白光oled器件多采用三層發(fā)光層(紅光r+綠光g+藍光b、或藍光b+黃光y+藍光b、或藍光b+黃光y+黃光y),或雙層發(fā)光層(藍光b+黃光y)來產(chǎn)生白光。

2、目前量產(chǎn)woled器件在高電流密度下的色偏通常較明顯,這是由于激子復(fù)合中心在紅綠發(fā)光層界面,隨著電流增大,復(fù)合中心向綠光發(fā)光層移動,導(dǎo)致高電流密度下綠光效率明顯增加,因此產(chǎn)生色偏。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制本技術(shù)的保護范圍。

2、本技術(shù)實施例提供了一種白色有機電致發(fā)光器件(woled)和顯示裝置,該白色有機電致發(fā)光器件可有效改善在高電流密度下色偏問題。

3、本技術(shù)實施例提供一種白色有機電致發(fā)光器件,所述白色有機電致發(fā)光器件包括:第一電極、第二電極以及位于所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光層,所述發(fā)光層包括堆疊分布的綠色發(fā)光層、藍色發(fā)光層和多個紅色發(fā)光層,所述紅色發(fā)光層與所述綠色發(fā)光層相接觸;

4、沿著靠近所述綠色發(fā)光層的方向,多個所述紅色發(fā)光層的空穴遷移率逐漸降低、電子遷移率逐漸增強。

5、在本技術(shù)的一些實施例中,在任意相鄰兩個所述紅色子發(fā)光層中,空穴遷移率更高的一個為第一紅色發(fā)光層,電子遷移率更高的一個為第二紅色發(fā)光層;

6、μh1≥100μh2;μe2≥100μe1;

7、其中,μh1為所述第一紅色發(fā)光層的空穴遷移率,μh2為所述第二紅色發(fā)光層的空穴遷移率;

8、μe1為所述第一紅色發(fā)光層的電子遷移率,μe2為所述第二紅色發(fā)光層的電子遷移率。

9、在本技術(shù)的一些實施例中,μh1在100μh2至500μh2范圍內(nèi)。

10、在本技術(shù)的一些實施例中,μe2在100μe1至500μe1范圍內(nèi)。

11、在本技術(shù)的一些實施例中,μh1在10-5數(shù)量級,μh2在10-7數(shù)量級;

12、μe2在10-5數(shù)量級,μe1在10-7數(shù)量級。

13、在本技術(shù)的一些實施例中,所述紅色發(fā)光層包括p型紅色發(fā)光材料和n型紅色發(fā)光材料;

14、在所述第一紅色發(fā)光層中,所述p型紅色發(fā)光材料與所述n型紅色發(fā)光材料的含量比例在(1至3):1的范圍內(nèi);

15、在所述第二紅色發(fā)光層中,所述n型紅色發(fā)光材料與所述p型紅色發(fā)光材料的含量比例在(1至3):1的范圍內(nèi)。

16、在本技術(shù)的一些實施例中,所述紅色發(fā)光層包括主體材料和客體材料;

17、在本技術(shù)的一些實施例中,所述主體材料的三線態(tài)能級高于所述客體材料的三線態(tài)能級。

18、在本技術(shù)的一些實施例中,所述主體材料與所述客體材料的三線態(tài)能級的差值不低于0.3ev。

19、在本技術(shù)的一些實施例中,所述紅色發(fā)光層包括至少兩種所述客體材料。

20、在本技術(shù)的一些實施例中,所述綠色發(fā)光層、所述藍色發(fā)光層和所述多個紅色發(fā)光層位于同一個發(fā)光單元中;或者,

21、所述綠色發(fā)光層與所述多個紅色發(fā)光層位于同一個發(fā)光單元中;所述藍色發(fā)光層位于另一個不同的發(fā)光單元中;不同的所述發(fā)光單元通過電荷產(chǎn)生層相連接。

22、在本技術(shù)的一些實施例中,還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中的任意一種或多種。

23、在本技術(shù)的一些實施例中,所述紅色發(fā)光層包括紅色主體材料和紅色客體材料,所述紅色主體材料包括咔唑稠環(huán)類紅色發(fā)光材料、鏈型咔唑類紅色發(fā)光材料和菲并噁唑類紅色發(fā)光材料中的任意一種或多種;所述紅色客體材料包括ir與喹啉芳基類化合物的配合物和ir與β-二酮類化合物的配合物中的任意一種或多種。

24、所述綠色發(fā)光層包括綠色主體材料和綠色客體材料;所述綠色主體材料包括香豆素染料、三嗪類綠色發(fā)光材料、喹吖啶銅衍生物類綠色發(fā)光材料、多環(huán)芳香烴類綠色發(fā)光材料、二胺蒽衍生物類綠色發(fā)光材料和咔唑衍生物類綠色發(fā)光材料中的任意一種或多種,所述綠色客體材料包括金屬配合物類綠色發(fā)光材料中的任意一種或多種。

25、在本技術(shù)的一些實施例中,所述藍色發(fā)光層包括藍色主體材料和藍色客體材料;所述藍色主體材料包括芘衍生物類藍色發(fā)光材料、蒽衍生物類藍色發(fā)光材料、芴衍生物類藍色發(fā)光材料、苝衍生物類藍色發(fā)光材料和苯乙烯基胺衍生物類藍色發(fā)光材料中的任意一種或多種,所述藍色客體材料包括金屬配合物類藍色發(fā)光材料中的任意一種或多種。

26、在本技術(shù)的一些實施例中,所述空穴注入層的材料包括過渡金屬氧化物;或者,所述空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料和p型摻雜劑;

27、其中,所述過渡金屬氧化物包括鉬氧化物、鈦氧化物、釩氧化物、錸氧化物、釕氧化物、鉻氧化物、鋯氧化物、鉿氧化物、鉭氧化物、銀氧化物、鎢氧化物、錳氧化物中的任意一種或多種;

28、所述p型摻雜劑包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰基對苯醌、1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亞甲基]環(huán)丙烷中的任意一種或多種;

29、所述空穴傳輸材料包括芳胺類空穴傳輸材料、二甲基芴類空穴傳輸材料、咔唑類空穴傳輸材料中的任意一種或多種。

30、在本技術(shù)的一些實施例中,所述空穴傳輸層的材料包括芳胺類空穴傳輸材料、二甲基芴類空穴傳輸材料、咔唑類空穴傳輸材料中的任意一種或多種。

31、在本技術(shù)的一些實施例中,所述電子阻擋層的材料包括芳胺類電子阻擋材料、二甲基芴類電子阻擋材料、咔唑類電子阻擋材料中的任意一種或多種。

32、在本技術(shù)的一些實施例中,所述空穴阻擋層的材料包括苯并咪唑衍生物類空穴阻擋材料、咪唑并吡啶衍生物類空穴阻擋材料、苯并咪唑并菲啶衍生物類空穴阻擋材料、嘧啶衍生物類空穴阻擋材料、三嗪衍生物類空穴阻擋材料、喹啉衍生物類空穴阻擋材料、異喹啉衍生物類空穴阻擋材料、菲咯啉衍生物類空穴阻擋材料中的任意一種或多種。

33、在本技術(shù)的一些實施例中,所述電子傳輸層的材料包括苯并咪唑衍生物類電子傳輸材料、咪唑并吡啶衍生物類電子傳輸材料、苯并咪唑并菲啶衍生物類電子傳輸材料、嘧啶衍生物類電子傳輸材料、三嗪衍生物類電子傳輸材料、喹啉衍生物類電子傳輸材料、異喹啉衍生物類電子傳輸材料、菲咯啉衍生物類電子傳輸材料中的任意一種或多種。

34、在本技術(shù)的一些實施例中,所述電子注入層的材料包括堿金屬電子注入材料和金屬電子注入材料中的任意一種或多種。

35、本技術(shù)實施例還提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括如上所述的白色有機電致發(fā)光器件。

36、本技術(shù)實施例的白色有機電致發(fā)光器件(woled)通過設(shè)計多個空穴和電子傳輸能力不同的紅色發(fā)光層,使得發(fā)光層中電子和空穴的傳輸更加均衡,器件的激子復(fù)合中心向相鄰兩個紅色發(fā)光層的界面處移動,使得本技術(shù)實施例的woled器件在高電流密度下的色偏問題得以有效改善。

37、本技術(shù)的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述,并且,部分地從說明書中變得更加清楚,或者通過實施本技術(shù)而了解。本技術(shù)的其他優(yōu)點可通過在說明書以及附圖中所描述的方案來實現(xiàn)和獲得。

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